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Trabajo Preparatorio 6 Diseño Emisor Comun

Dispositivos Electrónicos (Escuela Politécnica Nacional)

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Trabajo Preparatorio N°6: Diseño de

Amplificador en Emisor Común
Ibeth Verónica Bastidas Toscano
ibeth.bastidas@epn.edu.ec
ESCUELA POLITÉCNICA NACIONAL

Si la temperatura aumenta: Ic aumenta por ende β e IE. Y

Resumen—El diseño de un amplificador nos permite profundizar VE aumenta, pero como VB es constante, VBE
en el análisis de un TBJ conociendo condiciones de recorte y disminuye por lo que tendremos una variación:
cálculo de capacitores y resistencias para una correcta
amplificación.

Abstract--The design of an amplifier allows us to deepen the

analysis of a TBJ knowing the conditions of trimming and
calculation of capacitors and resistors for a correct amplification. Para que IE sea constante se necesita esta condición:
VE >>
En un transistor
I. INTRODUCCIÓN
Por lo tanto, VE ≥ 1V.

E l siguiente escrito presenta a detalle las consideraciones

básicas para el diseño de un amplificador en emisor común,
las características del mismo y los pasos a seguir para el
Y para que VB sea constante se necesita que
I2 >> IB
I2 ≈ 10* IB
diseño.
1. Sin recorte en semiciclo positivo:
II. TRABAJO PREPARATORIO

1. Principales características del Amplificador en

Emisor común y aplicaciones.
Esta última fórmula es el criterio de diseño.
 Es un circuito de transistores en el que el emisor se
mantiene en común con los circuitos de entrada y
salida.
 La región activa para la configuración de emisor común La última fórmula representa el máximo voltaje de entrada sin
es la parte del cuadrante superior derecho que tiene la recortes positivo.
mayor linealidad es decir la región en las que las 2. Sin recortes en los dos semiciclos simultáneamente:
curvas de Ib son casi rectas e igualmente espaciadas.
 La region de corte para la configuración de emisor
común no se encuentra tan bien definida como para la Máximo voltaje de entrada sin recortes simultáneos.
configuración de base común.

Características (aplicaciones): Criterio de diseño:

• Tiene una impedancia de entrada alta (del orden de 500 a
5000 ohmios). Donde Vact sirve para evitar los recortes apesar de las
• Tiene baja impedancia de salida (del orden de 50 a 500 variaciones del voltaje de entrada.
Kiloohmios). 3. Sin recorte en el semiciclo negativo:
• La ganancia actual (Beta) es 98. Máximo voltaje de entrada sin recortes negativo:
• La ganancia de potencia es de hasta 37 dB.
• La salida está desfasada 180 grados.

2. Criterios de diseño Criterio de diseño:

CRITERIO DE ESTABILIDAD TÉRMICA

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3. Procedimiento de diseño XC
E
XR 2 XC E (RE  re)
IC  iop RC || RL
AV  r  R RE
X
VR V R e E1 CE

  VR  Vop
op C
C
4. Diseño
RC RC || RL C
RC || RL ANEXO 1
R || R 5. Simulaciones y gráficas en papel milimetrado
Av C L
r R ANEXO 2
e E1

RC  RL
1. RC  RL
RC  RL
RC
2. VR 
C R || R Vop  (F.S )
C L

V
I C RC
RC
3.
26[mV ]
re 
IC
VCE  Vinp  Vact  Vop
VCE  1[v]  Vinp
4. VB  VCC VE
VCC  VRC VCE  VE
VR1  VCC  VB
III 
IC
C B B

5. I2 I B
I1  I2  IB
V
R1  1 R
I1
6. VB
R2 
I2
III. REFERENCIAS
RE R E1 R V
E2  E
IE [1] ELEKTRONIK SP, JGD Semiconductors DB103S,
Capacitor de Base Disponible en:
XCB Zin https://www.tme.eu/es/Document/2e18bd95178706d
Z  R || R || ( 1)(r  R ) 243a2522c6aee6b54/db101s-107s-1.pdf
in 1 2 e E
[2] Villalba G. Transistores de unión bipolar. Disponible
Capacitor de Colector en: http://ocw.um.es/ingenierias/tecnologia-y-
XCC RL sistemas-electronicos/material-de-clase-1/tema-3.-
transistores-de-union-bipolar-bjt.pdf
Zin 
Capacitor de Emisor
R || R
AV   R CR L
r || X
e E1 E2 CE

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