FISIKA ZAT PADAT

PENGARUH PEMANASAN TERHADAP

STRUKTUR DAN SIFAT OPTIK
KRISTAL ZnO

Disusun oleh:

KELAS VI B

Ida Ayu Yudiantari (1613021002)

PROGRAM STUDI PENDIDIKAN FISIKA

FAKULTAS MATEMATIKA DAN ILMU PENGETAHUAN ALAM
UNIVERSITAS PENDIDIKAN GANESHA
2019
I. Pendahuluan
Lapisan tipis adalah suatu lapisan yang sangat tipis dari bahan organik,
anorganik, metal, maupun campuran metal-organik yang dapat memiliki sifat
sifat konduktor, semikonduktor, superkonduktor, maupun isolator. Sejak
diperkenalkan oleh Groove pada tahun 1852, teknologi lapisan tipis ini sudah
banyak mengalami perkembangan, baik dari segi pembuatan, bahan yang
digunakan, serta aplikasinya dalam kehidupan masyarakat.
Bahan yang biasa digunakan dalam berbagai teknik material adalah In2O3,
WO3, SnO2, TiO2, ZnO, ITO dan masih banyak lagi bahan lainnya. ZnO
merupakan salah satu bahan dasar pembuatan lapisan tipis. ZnO adalah
material semikonduktor type-n golongan II-IV dengan lebar band gap 3,20
eV pada suhu kamar.
Kristal adalah zat padat yang susunan atom-atomnya atau molekulnya
teratur. Partikel kristal tersusun secara berulang dan teratur serta
perulangannya mempunyai rentang yang panjang. Struktur kristal terdapat
pada hampir semua logam dan mineral. Suatu struktur kristal dibangun oleh
sel unit, sekumpulan atom, yang tersusun secara khusus, yang secara periodik
berulang dalam tiga dimensi dalam suatu kisi. Jarak antar sel unit dalam
segala arah disebut parameter kisi. Struktur dan simetri suatu zat padat
mempunyai peran penting dalam menentukan sifatsifatnya, seperti band gap
dan sifat optik lainnya.
Dalam penelitian ini dibuat film ZnO dengan metode spin coating, dengan
suhu yang bervariasi yaitu 400 C , 500 C dan 600 C . Seperti pada
penelitian sebelumnya yang menvariasikan suhu, suhu yang digunakan
yaitu 400 C , 500 C , 600 C dan 700 C , didapatkan nilai band gap
menurun dan ukuran partikel meningkat seiring dengan bertambahnya suhu
pemanasan. Variasi suhu yang lain yaitu 400 C dan 600 C , diperoleh
ukuran butir meningkat yaitu 40 nm dan 900 nm sedangkan hasil Energi gap
yaitu 3,05 dan 3,26 eV

1
II. Tinjauan Pustaka
2.1 Material ZnO
Seng oksida (ZnO) adalah suatu senyawa anorganik dengan rumusan
kimia ZnO, merupakan semikonduktor dengan struktur wurtzite yang stabil.
Terdapat dikulit bumi sebagai mineral zincite dan telah diteliti secara luas
serta digunakan dalam berbagai aplikasi teknologi saat ini. ZnO umumnya
berupa serbuk berwarna putih yang hampir tak larut dalam air. Serbuk ini
digunakan secara luas sebagai bahan tambahan ke dalam berbagai material :
plastik, keramik, gelas (glass), semen, karet, pigmen, makanan (source of Zn
nutrient), ferit, pemadam kebakaran, plester dan lain-lain.
2.2 Struktur Kristal ZnO

Gambar 1. Struktur wurtzite dari Kristal ZnO

Struktur ini adalah kisi heksagonal dan dikarakterisasikan dengan kisi

yang saling berhubungan yakni kisi Zn2+ dan O2-, dimana masing-masing ion
Zn dikelilingi oleh empat ion O, atau sebaliknya. Koordinasi atas keempat
atom ini memberikan peningkatan simetri polarisasi disepanjang sumbu absis.
Struktur kristal dan ukuran butir partikel pada lapisan tipis ZnO sangat
mempengaruhi sifat optik dan elektriknya. Pada dasarnya orientasi dari
nanokristal yang membentuk lapisan tipis sangat bergantung pada jenis
substrat yang digunakan, hal ini berkaitan dengan energi permukaan yang
terbentuk antara substrat dan lapisan yang ditumbuhkan. Penggunaan substrat
yang memiliki ketidaksesuaian kisi yang kecil, akan mempermudah
pembentukan kristal menjadi lebih teratur (preferred orientation) dan
seragam.

2
 2.3Sifat Optik
Absorpsi fundamental, yang bersesuaian dengan eksitasi elektron dari
pita valensi ke pita konduksi semikonduktor, dapat digunakan untuk
menentukan sifat (alami) dan celah pita optik bahan semikonduktor.
Hubungan antara koefisien absorpsi   dan energi foton datang hv dapat
ditulis sebagai

ahv n  bhv  Eg  …………………………………….…………….(1)

1

Keterangan:
hv : energy foton
b : konstanta
Eg : lebar celah pita optic bahan semikonduktor

Sedangkan eksponen n bergantung pada jenis transisi di dalam bahan. Untuk

transisi langsung n=1/2 dan untuk transisi tak langsung n=2. Koefisien
absorpsi   ditentukan berdasarkan data absorbansi atau transmitansi untuk
setiap panjang gelombang melalui hubungan Beer-Lambert, yang ditunjukkan
persamaan

I  I 0 exp t  ……………………………………………..……………(2)

Keterangan :
I : intensitas cahaya yang ditransmisikan melewati sampel film
I0 : intensias cahaya datang

t : ketebalan sampel film

Absorbansi dituliskan sebagai
I0
A  log   log T …………………………………..……………….(3)
I
koefisien absorpsi   dapat ditentukan dengan :
A
  2,303 …………………………………….……………………(4)
t
III. Metodologi Penelitian
3.1. Metode Sol-gel

3
 Proses tahapan preparasi dengan metode sol gel terlihat pada gambar di
bawah ini

Gambar 2. Tahapan preparasi dengan metode sol gel.

3.2. Pembuatan film ZnO
Film ZnO dibuat pada substrat kaca preparat dengan metode spin coating
melalui proses sol-gel. Pertama-tama dibuat sol-gel ZnO dengan
mencampurkan sebanyak 0.75 gram Zinc acetate dihydrate
(Zn(CH3COO)2.2H2O) dengan 2,5 ml etanol. Campuran tersebut kemudian
diaduk di atas hotplate magnetic stirrer selama 30 menit dengan suhu 80C
pada laju putaran 500 rpm. Larutan yang telah diaduk kemudian ditambahkan
DEA (diethanolamin) sebanyak 0,25 ml, kemudian diaduk kembali di atas
hotplate selama 30 menit dengan suhu 80C pada laju putaran 500 rpm.
Pembuatan film ZnO dilakukan dengan teknik spin coating pada kaca preparat
setelah sol terbentuk.
3.3. Karakterisasi film ZnO
Untuk mengetahui sifat dan struktur film ZnO, dilakukan karakterisasi
terhadap sampel film ZnO yang diperoleh. Data spektrum transmitansi akan
digunakan pula untuk menentukan celah pita optik film ZnO, sedangkan untuk
melihat ketebalan sampel ZnO menggunakan scanning electron microscopy
(SEM). Struktur kristal film ZnO dianalisis dengan metode difraksi sinar-X
(XRD), film ZnO dipindai pada rentang sudut 2 θ dari 20° sampai 70°.
X-RD (X-Ray Diffractions)
Hukum Bragg bila seberkas sinar- X mengenai suatu bahan kristalin, berkas
ini akan difraksi oleh bidang atom (atau ion) dalam Kristal tersebut. Besar

4
 sudut difraksi tergantung pada panjang gelombang berkas sinar -X dan jarak
d antara bidang
n  2d sin  …………………………………………………………..(5)
Ukuran butir dari hasil XRD dapat ditentukan dengan persamaan Scherrer,
yaitu
0,9
D ……………………………………………………………(6)
 cos
Keterangan :
D : ukuran butir
 : panjang gelombang
 : puncak setengah maksimum
Parameter kisi kristal dihitung dengan menerapkan metode Cohen untuk
kristal ZnO heksagonal dengan persamaan

1 4  h 2  hk  k 2  l2
    2 ………………………………………….(7)
d hkl 3  3a 2  c
IV. Hasil dan pembahasan

Gambar 3. Pola difraksi XRD ZnO Setelah smooth pada Suhu 300 C , 400 C ,
500 C dan 600 C .
Gambar 3 menunjukkan Pola difraksi ZnO yang disintesis dengan variasi
suhu 300 C (Preheating), 400 C , 500 C dan 600 C . Untuk ZnO pada suhu
300 C (Preheating) puncak ZnO terbentuk pada 2θ yaitu 31,684 , 34,301  ,
36,298 dan 47,645  , masing-masing pada bidang (100), (002), (101) dan

5
 (102). Intensitas difraksi yang relatif kecil menunjukkan struktur amorf lebih
dominan dibandingkan dengan struktur Kristal. Untuk 400 C puncak ZnO
terbentuk pada 2θ yaitu 31,837 , 36,178 dan 47,461 , masing-masing pada
bidang (100), (002), (101) dan (102). Untuk suhu 500 C puncak ZnO
terbentuk pada 2θ yaitu 31,675 , 34,427 , 36,64 dan 47,474 , masing-
masing pada bidang (100), (002), (101)dan (102). Sedangkan untuk suhu
600 C puncak ZnO terbentuk pada 2θ yaitu 31,664 , 34,518  , 36,302  dan
47,691  masing-masing pada bidang (100), (002), (101)dan (102).
V. Kesimpulan
Puncak ZnO yang terbentuk pada sudut 2θ yaitu bidang (100), (002), (101)
dan (102) pada suhu 400oC, 500oC dan 600oC Puncak yang terlihat semkin
jelas dibandingkan pada suhu 300oC. Hal ini menunjukkan bahwa pemanasan
mempengaruhi struktur kristal.

6
 PENGARUH PEMANASAN TERHADAP STRUKTUR DAN SIFAT OPTIK
KRISTAL ZnO
Hadria Zakaria, Paulus Lobo Gareso, Nurlaela Rauf

Jurusan Fisika, Fakultas Matematika dan Ilmu Pengetahuan Alam,

Universitas Hasanuddin

INFLUENCED OF ANNEALING THE STRUCTURAL AND OPTICAL

PROPERTIES OF ZnO THIN FILM
Hadria Zakaria, Paulus Lobo Gareso, Nurlaela Rauf

Physics Department, Faculty of Mathematics and Natural Science,

Hasanuddin University
Abstrak. Film tipis ZnO dengan metode sol-gel spin coating telah diidentifikasi X-Ray diffraction
(XRD), UV-Vis dan pengukuran SEM. Penyedian Prekursor dari sol ZnO dengan mencampurkan seng
asetat dehidrat, etanol sebagai pelarut, dan dietanolamin (DEA) sebagai stabilizer secara berturut-
turut. Film tipis ZnO dipanaskan pada rentang suhu 400˚C-600˚C selama 60 menit. Pola XRD
memperlihatkan bahwa film tipis ZnO merupakan struktur heksagonal wurtzite dengan nilai masing-
masing a = 2,826 Å, 2,824 Å, 2,826 Å dan c = 4,898 Å, 4,895 Å, 4,899 Å. Energi gap dari film ZnO
menurun ketika suhu meningkat. Gambar SEM memperlihatkan bahwa permukaan dari film tipis ZnO
adalah homogen dan ketebalan film yaitu 706,3 nm.
Kata Kunci : Film tipis ZnO, Sol-gel, Spin coating, X-Ray Diffraction (XRD), spektroskopi UV-Vis,
SEM.

Abstract. A Zinc Oxide thin film by sol-gel spin coating method have been investigated using XRD,
Uv-Vis and SEM measurement. The ZnO precursor sol was prepared by mixing zinc acetate
dehydrate, etanol as a solvent and diethanolamine (DEA) as stabilizer respectively. The ZnO Thin
Films were annealed in the temperature range of 400˚C-600˚C for 60 minutes. The XRD patterns show
that ZnO thin film are wurtzite hexagonal structure with a = 2,826 Å, 2,824 Å, 2,826 Å and c = 4,898
Å, 4,895 Å, 4,899 Å respectively. The energy band gap of the films decrease as the temperature
increases. The SEM images show that surface of ZnO thin film are homogeneous and the thickness of
the films are 706,3 nm.
Keywords : ZnO thin film, sol-gel, Spin coating, X-Ray Diffraction (XRD), UV- Visibel
spectroscopic, SEM.

1. PENDAHULUAN perkembangan, baik dari segi

Lapisan tipis adalah suatu lapisan yang
sangat tipis dari bahan organik,
anorganik, metal, maupun campuran
metal-organik yang dapat memiliki
sifat sifat konduktor, semikonduktor,
superkonduktor, maupun isolator.
Sejak diperkenalkan oleh Groove pada
tahun 1852, teknologi lapisan tipis ini
sudah banyak mengalami
pembuatan, bahan yang digunakan,
serta aplikasinya dalam kehidupan
masyarakat.
Bahan yang biasa digunakan dalam
berbagai teknik material adalah In2O3,
WO3, SnO2, TiO2, ZnO, ITO dan
masih banyak lagi bahan lainnya. ZnO
merupakan salah satu bahan dasar
pembuatan lapisan tipis. ZnO adalah
material semikonduktor tipe-n
golongan II-IV dengan lebar band gap
3,20 eV pada suhu kamar. Selain itu,
ZnO memiliki sifat emisi yang dekat
dengan sinar UV, fotokatalis,
konduktivitas dan transparansi yang
tinggi. Bahan ini digunakan sebagai
bahan dasar lapisan tipis, karena
memiliki beberapa keunggulan dalam
aplikasinya, terutama dalam bidang
sensor, sel surya, serta nanodevice [1].
Kristal adalah zat padat yang susunan
atom-atomnya atau molekulnya
teratur. Partikel kristal tersusun secara
berulang dan teratur serta
perulangannya mempunyai rentang
yang panjang. Struktur kristal terdapat
pada hampir semua logam dan
mineral. Suatu struktur kristal
dibangun oleh sel unit, sekumpulan
atom, yang tersusun secara khusus,
yang secara periodik berulang dalam
tiga dimensi dalam suatu kisi. Jarak
antar sel unit dalam segala arah disebut
parameter kisi. Struktur dan simetri
suatu zat padat mempunyai peran
penting dalam menentukan sifat-
sifatnya, seperti band gap dan sifat
optik lainnya.
Dalam penelitian ini dibuat film ZnO
dengan metode spin coating, dengan
suhu yang bervariasi yaitu 400OC,
500oC dan 600OC. Seperti pada
penelitian sebelumnya yang
menvariasikan suhu, suhu yang
digunakan yaitu 400oC, 500oC, 600oC
dan 700oC, didapatkan nilai band gap
menurun dan ukuran partikel
meningkat seiring dengan
bertambahnya suhu pemanasan[2].
variasi suhu yang lain yaitu 400oC dan
600oC, diperoleh ukuran butir
meningkat yaitu 40 nm dan 900 nm
sedangkan hasil Energi gap yaitu 3,05
dan 3,26 eV [3].
Karakterisasi sifat optik kristal ZnO
dilakukan dengan metode
spektrofotometer UV-Vis. Ketebalan
film kristal ZnO diukur dengan
menggunakan scanning electron
microscopy (SEM). Ketebalan film
dari foto SEM digabungkan dengan
hasil koefisien absorbansi dari uji UV-
Vis, menghasilkan nilai band gap.
Struktur kristal ZnO diamati dengan
menggunakan X-Ray difractometer
(XRD).
2.TINJAUAN PUSTAKA
2.1 Material ZnO
Seng oksida (ZnO) adalah suatu
senyawa anorganik dengan rumusan
kimia ZnO, merupakan semikonduktor
dengan struktur wurtzite yang stabil.
Terdapat dikulit bumi sebagai mineral
zincite dan telah diteliti secara luas
serta digunakan dalam berbagai
aplikasi teknologi saat ini. ZnO
umumnya berupa serbuk berwarna
putih yang hampir tak larut dalam air.
Serbuk ini digunakan secara luas
sebagai bahan tambahan ke dalam
berbagai material : plastik, keramik,
gelas (glass), semen, karet, pigmen,
makanan (source of Zn nutrient), ferit,
pemadam kebakaran, plester dan lain-
lain[4].
Sebagai material semikonduktor, ZnO
menghasilkan luminisen biru sampai
hijau-kuning yang cukup efesien. Sifat
ini menjadikan ZnO sebagai material
yang sangat potensial bagi
pengembangan sumber cahaya putih
(white light source). ZnO juga
merupakan material yang sangat
efesien bagi pengembangan fosfor
tegangan rendah dan peraga flouresen
vakum serta peraga medan emisi (field
emission display, FED) [4].
2.2 Struktur Kristal ZnO
Gambar 1 Struktur wurtzite dari
Kristal ZnO[5].
Pada temperatur dan tekanan normal,
kristal ZnO memiliki struktur wurtzite
(tipe B4) seperti yang ditunjukkan
pada Gambar 2 Struktur ini adalah kisi
heksagonal dan dikarakterisasikan
dengan kisi yang saling berhubungan
yakni kisi Zn2+ dan O2-, dimana
masing-masing ion Zn dikelilingi oleh
empat ion O, atau sebaliknya.
Koordinasi atas keempat atom ini
memberikan peningkatan simetri
polarisasi disepanjang sumbu absis [6].
Struktur kristal dan ukuran butir
partikel pada lapisan tipis ZnO sangat
mempengaruhi sifat optik dan
elektriknya. Pada dasarnya orientasi
dari nanokristal yang membentuk
lapisan tipis sangat bergantung pada
jenis substrat yang digunakan, hal ini
berkaitan dengan energi permukaan
yang terbentuk antara substrat dan
lapisan yang ditumbuhkan.
Penggunaan substrat yang memiliki
ketidaksesuaian kisi yang kecil, akan
mempermudah pembentukan kristal
menjadi lebih teratur (preferred
orientation) dan seragam.
2.3 Sifat Optik
Studi tentang struktur dan sifat optik
film ZnO sangat luas dilakukan karena
aplikasinya yang sangat variatif. Sifat
optik merupkan aspek yang paling luas
dikaji karena aplikasi ZnO yang luas
dalam bidang optoelektronik . Studi
sifat optik meliputi sifat absorpsi optik,
fotoluminesensi dan elektromunisensi
untuk mengetahui respon optiknya
serta efek luminesensi. Terkait dengan
sifat absorpsi optiknya, dapat pula
ditentukan lebar pita optiknya khusus
untuk aplikasi sebagai sel surya dan
piranti optoelektronik lainnya.
Absorpsi fundamental, yang
bersesuaian dengan eksitasi elektron
dari pita valensi ke pita konduksi
semikonduktor, dapat digunakan untuk
menentukan sifat (alami) dan celah
pita optik bahan semikonduktor.
Hubungan antara koefisien absorpsi
() dan energi foton datang (hv) dapat
ditulis sebagai[7],
(1)
hv adalah energi foton, b adalah
sebuah konstanta dan Eg adalah lebar
celah pita optik bahan semikonduktor,
sedangkan eksponen n bergantung
pada jenis transisi di dalam bahan.
Untuk transisi langsung n=1/2 dan
untuk transisi tak langsung n=2.
Koefisien absorpsi () ditentukan
berdasarkan data absorbansi atau
transmitansi untuk setiap panjang
gelombang melalui hubungan Beer-
Lambert, yang ditunjukkan persamaan
[8]
, mencampurkan sebanyak 0.75 gram
I=I0exp(-αt) (2)
I adalah intensitas cahaya yang
ditransmisikan melewati sampel film,
I0 adalah intensitas cahaya datang, dan
t adalah ketebalan sampel film.
Absorbansi dituliskan sebagai[8]:
I0
A  log   log T (3)
I menit dengan suhu 80oC pada laju
koefisien absorpsi () dapat ditentukan
dengan :
A dengan teknik spin coating pada kaca
  2,303 (4)
t preparat setelah sol
3. METODOLOGI PENELITIAN
3.1 Metode Sol-gel
Proses tahapan preparasi dengan
metode sol gel terlihat pada gambar di
bawah ini.
Gambar 2 Tahapan preparasi dengan
metode sol gel[9].
3.2 Pembuatan Film ZnO
Film ZnO dibuat pada substrat kaca
preparat dengan metode spin coating
melalui proses sol-gel. Pertama-tama
dibuat sol-gel ZnO dengan
Zinc acetate dihydrate
(Zn(CH3COO)2.2H2O) dengan 2,5 ml
etanol. Campuran tersebut kemudian
diaduk di atas hotplate magnetic
stirrer selama 30 menit dengan suhu
80oC pada laju putaran 500 rpm.
Larutan yang telah diaduk kemudian
ditambahkan DEA (diethanolamin)
sebanyak 0,25 ml, kemudian diaduk
kembali di atas hotplate selama 30
putaran 500 rpm.
Pembuatan film ZnO dilakukan
terbentuk.
Sebelumnya kaca terlebih dahulu
dibersihkan dengan HCl yang telah
dilarutkan dalam akuades di dalam
ultrasonic cleaner, kemudian dibilas
dengan akuades. Kaca preparat
diletakkan diatas pelat spin coater dan
sol diteteskan diatas kaca kemudian
diputar (spinning) selama 30 detik
pada laju 3000 rpm. Substrat film ZnO
yang telah jadi dipanaskan dengan
suhu 300oC selama 10 menit sebagai
pemanasan awal (preheating).
Pemanasan dilanjutkan dengan
menggunakan furnace pada suhu
400oC, 500oC dan 600oC selama 60
menit untuk membentuk Kristal ZnO.
III.3 Karakterisasi Film ZnO
Untuk mengetahui sifat dan struktur
film ZnO, dilakukan karakterisasi
terhadap sampel film ZnO yang
diperoleh. Sifat optik film ZnO diamati
dengan menggunakan
spektrofotometer UV-Vis, data yang
diperoleh berupa karakteristik spektra adalah ukuran butir, ada panjang
transmitansi film ZnO. Data spektrum gelombang (1.54056 Å), adalah
transmitansi akan digunakan pula sudut difraksi, dan adalah puncak
untuk menentukan celah pita optik setengah maksimum (FWHM) masing-
film ZnO, sedangkan untuk melihat masing puncak.
ketebalan sampel ZnO menggunakan
scanning electron microscopy (SEM). Parameter kisi kristal dihitung dengan
Struktur kristal film ZnO dianalisis menerapkan metode Cohen untuk
dengan metode difraksi sinar-X kristal ZnO heksagonal dengan
(XRD), film ZnO dipindai pada persamaan[10],
rentang sudut 2θ dari 20° sampai 70°.
( ) (7)
X-RD (X-Ray Diffractions)
Hukum Bragg bila seberkas sinar – X
d adalah jarak antar kisi kristal, a dan
mengenai suatu bahan kristalin, berkas
c adalah parameter kisi Kristal.
ini akan difraksi oleh bidang atom
(atau ion) dalam Kristal tersebut. Besar Langkah-langkah penelitian
sudut difraksi tergantung pada ditunjukkan pada Gambar 3.
panjang gelombang berkas sinar – X
dan jarak d antara bidang[10].

nλ = 2d sin (5)
Analisa bahan dalam bentuk serbuk
halus merupakan cara penelitian
dengan sinar – X yang paling banyak
diterapkan. Contoh dicampur dengan
perekat polimer dan dibentuk menjadi
benang halus yang kemudian
ditempatkan dititik pusat kamera
silindris dan berkas sinar –X yang
sejajar diarahkan pada serbuk
(powder) Karena terdapat partikel
serbuk dalam jumlah yang cu kup
banyak dengan orientasi yang berbeda,
berkas yang terdiraksi akan
membentuk kerucut dengan sudut 2 .
Ukuran butir dari hasil XRD dapat Gambar 3 Bagan alir pelaksanaan
ditentukan dengan persamaan penelitian
Scherrer, yaitu[10]:
D= (6)
4. HASIL DAN PEMBAHASAN
4.1 Hasil Uji Karakterisasi XRD
Dalam penelitian ini, sampel yang
diuji berupa film tipis untuk
mengidentifiksai fasa yang terbentuk,
parameter kisi serta ukuran kisi kristal
ZnO. Hasil uji karakterisasi XRD
membentuk pola difraksi ZnO.
Pengukuran difraksi sinar-X dilakukan
menggunakan Emma GBC XRD
dengan sumber tegangan 35 kV dan
arus 25 mA.
Gambar 4 menunjukkan Pola difraksi Gambar 4 Pola difraksi XRD ZnO
ZnO yang disintesis dengan variasi Setelah smooth pada Suhu 300oC,
suhu 300oC (Preheating), 400oC, 400oC, 500oC dan 600oC.
500oC dan 600oC. Untuk ZnO pada
suhu 300oC (Preheating) puncak ZnO Untuk sampel ZnO dalam penelitian
terbentuk pada 2θ yaitu 31,684o, ini, dilakukan perhitungan parameter
34,301o, 36,298o dan 47,645o, masing- kisi melalui persamaan[11] :
masing pada bidang (100), (002),
(101)dan (102). Intensitas difraksi √
, dan (8)
yang relatif kecil menunjukkan
struktur amorf lebih dominan
dibandingkan dengan struktur Kristal. c= (9)
Untuk suhu 400oC puncak ZnO
terbentuk pada 2θ yaitu 31,837o, Tabel 1 Nilai Parameter Kisi ZnO
34,577o, 36,178o dan 47,461o, masing-
masing pada bidang (100), (002), Sampel a (Å) c (Å)
(101) dan (102). Untuk suhu 500oC
puncak ZnO terbentuk pada 2θ yaitu 300OC 2,832 4,907
31,675o, 34,427o, 36,64o dan 47,474,
masing-masing pada bidang (100), 400OC 2,826 4,898
(002), (101)dan (102). Sedangkan
500OC 2,824 4,895
untuk suhu 600oC puncak ZnO
terbentuk pada 2θ yaitu 31,664o,
600OC 2,826 4,899
34,518o, 36,302o dan 47,691o, masing-
masing pada bidang (100), (002),
(101)dan (102). Puncak yang terbentuk Nilai parameter kisi ZnO sebagaimana
cenderung sesuai dengan data JCPDS. diperlihatkan pada Tabel 1
menunjukkan bahwa nilai parameter
kisi yang didapatkan lebih rendah dari
nilai parameter kisi data JCPDS (Joint
Commite on Powder Diffraction
Standards) Nomor 1314-13-2, hal ini
dikarenakan adanya puncak yang lebih
dominan yaitu puncak (102) yang
mempengaruhi nilai parameter kisi
heksagonal seperti yang terlihat pada
gambar 4.
Ukuran butir kristal ZnO kemudian
ditentukan melalui persamaan 6.
Persamaan tersebut menghasilkan nilai
ukuran butir kristal. Hubungan antara
nilai ukuran butir kristal dengan
Pengaruh Perubahan Suhu dapat
dilihat pada gambar 6.
Gambar 5 Grafik Pengaruh Perubahan
Suhu terhadap ukuran butir kristal
ZnO.
Pada gambar 5 terlihat bahwa ukuran
butir kristal menurun dari suhu 300oC
sampai 400oC kemudian meningkat
dari suhu 400oC sampai 600oC. Nilai
ukuran butir kristal dipengaruhi oleh
lebar spektrum XRD yaitu nilai
FWHM. Jika nilai FWHM kecil maka
ukuran butir kristal besar begitupun
sebaliknya.
4.2 Hasil uji karakterisasi
spektrometer UV-Visul
Sifat optik ZnO lapisan tipis
ditentukan berdasarkan pengukuran
spektrum transmitansi yang diperoleh
dari alat spektrometer Uv-Vis.
Gambar 6 Spektrum Transmitansi ZnO
pada Suhu 300oC, 400oC, 500oC dan
600oC.
Hasil pengukuran yang diperlihatkan
pada gambar 6 didapatkan bahwa film
ZnO menyerap energi UV pada
panjang gelombang 331 nm untuk
suhu 300oC Nilai ini menunjukkan
bahwa sampel yang ditumbuhkan
melalui spin coating masih bersifat
amorf. Hal ini dikarenakan koefisien
absorbansi ZnO masih kecil, Nilai
Transmitansi akan semakin meningkat
seiring dengan proses peningkatan
suhu dan menunjukkan proses
kristalisasi ZnO sudah terbentuk. Dan
untuk 340 nm untuk suhu 400oC, 343
nm untuk suhu 500oC dan 358 nm
untuk suhu 600oC, Dari hasil yang
didapatkan terlihat bahwa suhu
mempengaruhi terjadinya pergreseran
didaerah penyerapan, sehingga
berpengaruh pada bandgap yang
dihasilkan.

Gambar 7 Plot (αhv)2 terhadap energi
foton absorbansi (hv) pada suhu (a)
300oC (b) 400oC (c) 500oC (d) 600oC.
Gambar 7 merupakan hasil dari (αhѵ )2
terhadap hѴ dari masing masing
sampel film, Untuk suhu 300oC nilai
energi gap (Eg) yang diperoleh 3,26
eV, untuk suhu 400oC nilai energi gap
(Eg) yang diperoleh 3,24 eV, untuk
suhu 500oC nilai energi gap (Eg) yang
diperoleh 3,22 eV dan untuk
suhu600oC nilai energi gap (Eg) yang
diperoleh 3,21 eV.
Gambar 8 Pengaruh perubahan suhu
terhadap nilai energi gap.
Berdasarkan hasil penelitian pada
gambar 8 diketahui bahwa semakin
besar suhu yang digunakan dalam
pemanasan film ZnO menyebabkan
semakin kecil nilai energi gap yang
diperoleh.
4.3 Hasil uji karakterisasi Scanning
Elektron Microscopy (SEM)
(a)
(b)
Gambar 9 Foto SEM(a) Ketebalan film
ZnO dan (b) permukaan film ZnO.
Gambar 9 (a) merupakan hasil
karakterisasi SEM dan morfologi dari
sampel yang setelah pemanasan (b)
cendurung homogen karena memiliki
lapisan rata, sampel film ZnO ini
memiliki ketebalan 706,3 nm, Nilai
ketebalan ini yang digunakan untuk
mencari energi gap.
5. KESIMPULAN
Puncak ZnO yang terbentuk pada
sudut 2θ yaitu bidang (100), (002),
(101) dan (102) pada suhu 400oC,
500oC dan 600oC Puncak yang terlihat
semkin jelas dibandingkan pada suhu
300oC. Hal ini menunjukkan bahwa
pemanasan mempengaruhi struktur
kristal. Nilai parameter kisi Kristal
yang didapatkan lebih rendah dari nilai
parameter kisi data JCPDS (Joint
Commite on Powder Diffraction
Standards). Dan Nilai Ukuran Butir
Kristal ZnO menunjukkan hasil yang
teratur, untuk pemanasan 400oC,
500oC dan 600oC ukuran butir kristal
semakin besar.
Nilai Energi gap Kristal ZnO untuk
suhu 300oC diperoleh 3,26 eV, untuk
suhu 400oC diperoleh 3,24 eV, untuk
suhu 500oC diperoleh 3,22 eV dan
untuk suhu 600oC diperoleh 3,21 eV.
Terjadi keteraraturan semakin
meningkat pemanasan menyebakan
nilai energi gap semakin mengecil.
DAFTAR PUSTAKA
[1] Ahzan, Sukainil dkk. 2011.
Sintesis Lapisan ZnO dengan
Metode Sol-gel Spincoating dan
Karakterisasi Sifat Optiknya.
Jurnal Fisika Fakultas Matematika
dan Ilmu Pengetahuan Alam
Institut Teknologi Sepuluh
November, Surabaya.
[2] Yang, Shenghong et al. 2009.
Investigation of annealing-
treatment on structural and optical
properties of sol-gel-derived zinc
oxide thin film. Indian Academy of
Sciences.
[3] Praksh, Rajiv et al. 2009. Effect of
post annealing on structural and
optical properties of ZnO thin films
deposited by vacum coating
technique. Springer
science+business media, LTC.
[4] Witjaksono, Ary. 2011.
Karakterisasi Nanokristalin ZnO
Hasil Reseptasi dengan Perlakuan
Pengeringan, Anil, dan Pasca-
Hidrotrmal. Tesis Fakultas Teknik,
Universitas Indonesia, Depok.
[5] Darajat, Syukri dkk. Seng Oksida
(ZnO) sebagai Fotovoltalis pada
Proses Degradasi Senyawa Biru
Metilen. Jurusan Kimia Fakultas
Matematika dan Ilmu Pengetahuan
Alam Universitas Andalas,
Kampus Limau Manis Padang.
[6] C. Jagadish and S. Pearton. 2006.
Zinc Oxide Bulk, Thin Film and
Nanostructures. Elsevier.
[7] Kamran, Muhammad and Ans
Farooq. 2012. Effect of Zinc
Acetate Concentration on the
Structural and Optical Behavior of
ZnO Thin Films Deposited by Sol-
Gel Method. International Journal
of applied physics and
mathematics.
[8] Pudjaatmaka, A. Hadyana dan L.
Setiono. 1994. Vogel : Kimia
Analisis Kuantitatif Anorganik.
Jakarta: Kedokteran EGC.
 [9] Rahman, reza. 2008. Pengaruh [11] Saleem, muhammad et al. 2012.
Proses Pengeringan, AniL, dan Simple Preparation and
Hidrotermal terhadap Kristalinitas Characterization of Nano-
Nonopartikel TiO2 Hasil Proses Crystallien Zinc Oxide Thin Film
Sol-Gel. Fakultas Teknik by Sol-Gel Method on Glass
Departemen Metalurgi dan Substrate. World of jurnal of
Material, Depok. condensed matter physics.
[10] Miguel Santiago. Introduction to
X-RY Diffractometer. University of
Puerto
Rico.http://geology.uprm.edu/facili
ties/class%20form/xrd.pdf