ESCUELA POLITÉCNICA NACIONAL CIRCUITOS ELECTRÓNICOS

CAPÍTULO

1
1.1 AMPLIFICADORES CON TRANSISTORES BIPOLARES DE JUNTURA

El 23 de diciembre de 1947 la industria electrónica fue testigo del desarrollo de una tecnología
completamente nueva, donde Walter H. Brattain y John Bardeen demostraron el efecto
amplificador del primer transistor en los laboratorios de la Bell Telephone. El transistor es un
dispositivo semiconductor de 3 capas compuesto ya sea de dos capas de material tipo n y una de
tipo p, o 2 capas de material tipo p y un tipo n, denominándose transistor npn o pnp.

Símbolo:

Fig. 1.1 a) Símbolo de TBJ npn.

b) Símbolo de TBJ pnp.

Para que el transistor esté apto para amplificar debe cumplir las siguientes condiciones:

 Juntura BE en polarización directa.

 Juntura CB en polarización indirecta.

Existen 3 tipos de configuración para que el TBJ sea un amplificador:

- Configuración en emisor común

- Configuración en base común
- Configuración en colector común
-
A continuación se hará una descripción de cada una de las configuraciones mencionadas.

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ING. TARQUINO SÁNCHEZ 1
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1.1.1 CONFIGURACIÓN EN EMISOR COMÚN.

1.1.1.1 EMISOR COMÚN CON CAPACITOR DE EMISOR

Vcc
2N3904
RC
RB1 CC
+

CB
+
Q1
Vin +

1kHz RB2 RL

+
RE
CE

Fig. 1.2 Configuración emisor común con capacitor en el emisor.

CB, C C : Son capacitores que permiten bloquear la componente de continua de la fuente VCC hacia
el generador (C B) y hacia la carga R L (C C).

C E: Controla la ganancia de voltaje el cual para el análisis de AC corresponde a un cortocircuito y

para el análisis de DC un circuito abierto.

1.1.1.2 ANÁLISIS EMPLEANDO PARÁMETROS T PARA EC.

El circuito equivalente empleando parámetros [T] del TBJ en la configuración E.C es la presentada
en la siguiente figura:

𝑖𝑏 𝐼𝐶

𝐵 𝐶

𝛽𝑖𝑏 𝑟´𝑐 = 𝑟𝑐 (1 − 𝛼)
𝑟𝑏
𝑉𝑖𝑛 𝑉𝑂

𝑟𝑒
𝑖𝑒
𝐸

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ING.Fig. 1.3 Representación
TARQUINO SÁNCHEZ del circuito emisor común utilizando parámetros T.2
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𝑉
𝑟
𝐼

Donde:

𝑉 = Voltaje térmico y es igual a 𝑉

K: Constante de Boltzman
-–9
q: carga del electrón y es igual 1.6 *10

Reemplazando los valores en la expresión arriba mencionada se tiene:

𝑟 Resistencia dinámica de la

𝑟 Decenas de (despreciable)

Si se considera que:

𝑟 𝑟

𝑟 𝑖 𝐼
𝐵
𝐶

𝛽𝑖 𝑟 =𝑟 −𝛼
𝑟
𝑉

𝑟
𝑖
𝐸

Fig 1.4 Circuito emisor común en parámetros T reducidos

A continuación se detallan las fórmulas correspondientes a esta configuración

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ING. TARQUINO SÁNCHEZ 3
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Donde es la carga del circuito.

 Ganancia de corriente, se define como la relación entre la corriente de salida y la corriente de

entrada, para la configuración en emisor común se observa que al corriente de salida es 𝑖 y la
corriente de entrada es 𝑖 :

𝑖
𝑒 𝛽
𝑖
 Ganancia de voltaje, se define como la relación entre el voltaje de salida y el voltaje de entrada y
se lo representa por

𝑉 𝛽
−
𝑉 𝛽 𝑟

− Si 𝛽 𝛽

 Impedancia de entrada al transistor:

𝑖𝑒 𝛽 𝑟

 Impedancia de entrada:

 Impedancia de salida del transistor:

 Impedancia de salida; Zo:

Como

 Cálculo :

−
𝑟

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ING. TARQUINO SÁNCHEZ 4
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𝐶
𝑟
1.1.1.3 Análisis del amplificador E.C. sin CE.

𝑖 𝐼
𝐵
𝐶

𝛽𝑖
𝑟
𝑉 𝑉
𝑟
𝑖
𝐸

Fig. 1.5 Circuito emisor común en parámetros T. sin capacitor de emisor.

 Ganancia de Corriente

𝑖
𝑒 𝛽
𝑖
 Ganancia de voltaje

𝑉 𝛽
𝑉 𝛽 𝑟

− Si 𝛽 𝛽

 Impedancia de entrada al transistor:

𝑖𝑒 𝛽 𝑟

 Impedancia de entrada:

 Impedancia de salida del transistor:

𝑒
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ING. TARQUINO SÁNCHEZ 5
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 Impedancia de salida; Zo:

Como

Como se observa, cuando existe el capacitor de emisor, la ganancia de voltaje depende

inversamente de re y a su vez este depende de la temperatura.
Q1
Para procurar que se independice de la temperatura se divide a en dos partes como se observa
en al siguiente figura:
2N5209

RE1

CE
RE2

Fig. 1.6 Resistencia de Emisor dividida por un capacitor.

Para DC:

Para AC:

𝛽
Para el cálculo del :

Para que sea un cortocircuito para AC se debe cumplir:

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1.1.1.4 CRITERIOS DE DISEÑO EMISOR COMÚN:

Vcc
2N3904
RC
RB1 CC
+

CB
+
Q1
Vin +

1kHz RB2
RE1 RL 𝑉

+
RE2 CE

Fig. 1.7 Configuración emisor común con estabilidad en el emisor.

𝑉 𝑉

DC 𝑉

Limite máximo para Vo

AC 𝑉 para enviar recortes
𝐼
𝑉 𝐼

DC 𝑉

𝑉 𝑉
𝑉
𝑉 + 𝑉
𝑉𝑖𝑛

DC 𝑉

𝐼
Limite mínimo para Vin
AC 𝑂 para enviar recortes

𝐼
_______________________________________________________________________________________________________
DC 𝑂
ING. TARQUINO SÁNCHEZ t
7
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Fig. 1.8 Criterios de diseño para evitar recortes.

Para que no existan recortes:

1) 𝑉 𝑉 𝑉𝑖𝑛 𝑉

𝑉 Es el voltaje mínimo para que no exista distorsión:

𝑉 𝑉

𝑉 𝑉

𝑉 𝑉

2) Se garantiza que no haya distorsión debido a la corriente de colector.

𝐼 𝐼

𝐼 𝑉

𝑉 𝑉

𝑉 𝑉
3) Se garantiza que no haya distorsión debido a la corriente de emisor.

𝐼 𝑉

𝑉 𝑉

𝑉 𝑉

4) Para calcular el valor de la fuente de polarización Vcc:

𝑉 𝑉 𝑉 𝑉

𝑉 𝑉 𝑉 𝑉𝑖𝑛 𝑉 𝑉

𝑉 𝑉

Para diseño se toma un 10% y 20% del valor calculado

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EJERCICIO 1

Diseñe un amplificador en emisor común que cumpla con los siguientes datos:

|Av|=25 ; RL=3.9k ; ZIN ≥ 2k ; fmin = 1kHz ; Vin = 0.2senwt ; βmin = 100.

R1 R3 C2
30k 1.3k 1.8uF
C1
1.5uF
Q1
V1 NPN
+ V2
-150m/150mV
R4 R6 16V
30k 4.7k
R2
1kHz 4.7k R5 C3
240 68uF

ANÁLISIS

Z IN R
 re  RE  L
 1 AV
2k 3.9k
 re  RE  19.8  re  RE  156
101 25
 Es posible diseñar con los datos del problema.

DISEÑO

re  R E  30
Escojo


RL  AV (re  RE )  25(30)  750k
RL .RL 750(3.9k)
RC    k  RC  1k
RL  RL 3.9k  750

1K(3.9 K)
RL  RC RL   796 K
1K  3.9 K
^
R .V 1k(25)(0.2)(1.1)
VRC  C O   6.9V VRC  7V
RL 796k
V 7V
I E  I C  RC   7mA
RC 1.k I 7mA
 IB  C   69.3A
 101
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26mV 26mV
re    3.71 
IE 7mA
^ ^
VCE  VO  Vi  VCE min  25(0.2)  0.2  2  7.2V VCE  7.5V

VRB1  VRC  VCE  VBE  7V  7.5V  0.7V  13.8V

Z INT    1(re  RE )  (101)30  3.03.k
Z IN .Z INT 2k(3.03k )
Z IN  RBB || Z INT  RBB    5.9k
Z INT  Z IN 3.03k  2k

I 1  11I B  11(69.3A)  762.3A

I 2  10 I B  10(69.3A)  693A
VRB1 13.8V
R B1    k  RB1  18k
I1 762.3mA
RB1 .RBB 18k(5.9k)
RB 2    8.8k   R B2  9.1k
RB1  RBB 18k  5.9k
VRB1 13.8V
I 1RECALCULADA    0.77mA
RB1 18 K
I 2 RECALCULADA  I 1  I B  0.77mA  69.3A  700A
VRB 2  I 2* RB 2  0.7mA * 9.1k  6.4V
VE  VRB 2  VBE  6.4V  0.7V  5.7V

 R   796 
R E   L  re     3.71  28.13  R E  30
 Av   25 
V 5.7V
RE  E   814.3
IE 7 mA
R E  R E  R E  814.3  30  784.3  R E  750
VCC  VRC  VCE  VE  7V  7.5V  5.7V  20.2V  VCC  20V
RB1 * RB 2 18k(9.1k)
RBB    6.04 K
RB1  RB 2 18k  9.1k
Z INT    1(re  RE )  (101)3.71  30   3.4.k
6.04k(3.4k)
Z IN  RBB || Z INT   2.17 k  El resultado está dentro lo esperado Z IN  2k
6.04k  3.4k

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CÁLCULO DE CAPACITORES

10 10
CB    0.47 F  C B  1F
2f min Z IN 2 .1kHz.3.4k
10 10
CC    1.56F  C C  1.8F
2f min RL 2 .1kHz.1.02k
10 10
CE    45.7 F  C B  68F
2f min (re  RE ) 2 .1kHz.(4.83  30)

COMPROBACIÓN

RL 1.02k
 AV   AV   29.3
re  RE 4.83  30

Falta 2 jercicio 14 15

1.1.2 DISEÑO DE AMPLIFICADOR BASE COMUN

En el diseño de amplificadores en B-común, pueden presentarse dos casos:

 CASO 1

(Mejora las variaciones de temperatura)

RC Cc
RB1

+ Vcc

CE V2
-100m/100mV RL
RB2
1kHz
CB RE

 Ganancia de corriente:

𝑖
𝑖
𝑖

 Ganancia de Voltaje:

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RL RL
AV  
RBB // X CB re
re 
 1

 Impedancia de entrada al Transistor:

Z INT  re

 Impedancia de entrada:

Z IN  RE Z INT

Capacitores:

𝑐𝑐

𝑐𝑒 𝑖𝑛

𝑐𝐵 𝑟𝑒   1

 CASO 2 (Sin CB)

RC Cc
RB1

+ Vcc

CE V2
-100m/100mV RL
RB2
1kHz
RE

1.1.2.1 CIRCUITO EQUIVALENTE CON PARÁMETROS T SIN Ca.

El circuito equivalente empleando parámetros [T] del TBJ en la configuración Base Común es la
presentada en la siguiente figura, que nos permite obtener las ecuaciones de ganancias e
impedancias.

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ib ic
B C
Is1
100mA

Bib

RBB ie RL Vo
re

E Vin

RE

 Ganancia de corriente:

𝑖
𝑖
𝑖

 Ganancia de Voltaje:

RL R
AV   L
R Z INT
re  BB
 1

 Impedancia de entrada al Transistor:

RBB
Z INT  re 
 1

 Impedancia de entrada:

Z IN  RE Z INT

 Impedancia de Salida:

Z o  RL ' Z OT

Z o  RL '

 Capacitores:

10
CC 
2f min RL

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10
CE 
2f min Z IN

CRITERIOS DE DISEÑO:
^
R .V
 VRC  C O

RL
^ ^
 VCE  VO  Vi  VCE min
 VE  1
VCE min  2V

EJERCICIO 3:

Diseñe un amplificador en base común que cumpla con los siguientes datos:
|Av|=20 ; RL=1k ; ZIN ≥ 100 ; fmin = 1kHz ; Vin = 0.1senwt ; Bmin = 100.

RB1 RC
91k 5.6k
Cc
1uF

Q1
2N3904
+ V1
Ce 15V
12uF RL
V2 6.8k
RB2 -200m/200mV
15k
RE 1kHz
3.3k

¿Es posible o no diseñar con los datos del problema?

Z IN = R E || Z INT
Si R E >> Z INT Z IN Z INT
R′L R′ R′L
AV = = L Z INT =
R Z INT AV
re + BB
β +1
R′ R 1kΩ
Z INT max = L max = L Z IN = = 50 Z INT max no es mayor que Z IN
AV AV 20
∴ No es posible diseñar con los datos del problema.
Cambio R L a 6.8kΩ y empiezo a diseñar el amplificad or solicitado :

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Escojo una Rc  5.6k

5.6kΩ(6.8kΩ)
R L′= R C || R L = = 3kΩ
5.6kΩ + 6.8kΩ
^
R .V 5.6k (20)(0.1)(1.6)
VRC ≥ C O = = 6V
R ′ 3kΩ
L

VRC 6V IC 1mA
IE = IC = = = 1mA ⇒IB = = = 10μA
RC 5.6kΩ β 100
^ ^
⇒VCE ≥ VO Vi + VCE min = 20(0.1) 0.1 + 2 = 3.9V

⇒VRB1 = VRC + VCE VBE = 6V + 3.9V 0.7V = 9.2V

VRB1 9.2V
⇒I1 = 11IB = 11(10μA) = 0.11mA ⇒R B1 = = = 83.6kΩ ⇒R B1 = 91kΩ
I1 0.11mA

Escojo un VE  3V
VE 3V
⇒ RE    3k ⇒ R E  3.3k
I E 1mA
Recalculan do VE :
⇒ VE  I E .RE  1mA(3.3k)  3.3V
VT 26mV RL  R 
re    26 ⇒ A V  ⇒ R BB   L re (   1)
IE 1mA R  AV 
re  BB
 1
 3k 
⇒ RBB   26 (101)  12.52k ⇒ R BB  12k
 20 
R .R 91k(12k)
⇒ RB 2  B1 BB   13.82k ⇒ R B2  15k
RB1 RBB 91k 12k
Re calculando R BB :
91k(15k)
⇒ RBB  RB1 || RB 2   12.88k
91k  15k
⇒ VB  VE  VBE  3.3V  0.7V  4V
⇒ VCC  VRC  VCE  VE  6V  3.9V  4V  13.9V ⇒ VCC  15V
 R   12.88k 
⇒ Z INT   re  BB    26    153.52
  1  101 
3.3k(153.52)
⇒ Z IN  RE || Z INT   146.7
3.3k  153.52

Fig 1.13 Gráfica de voltajes del amplificador en colector común.

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Cálculo de condesador es :
10 10
CC ≥   0.53F ⇒ C C  1F
2f min RL 2 .1kHz.3k
10 10
CE ≥   10 F ⇒ C E  12F
2f min Z IN 2 .1kHz.146.7
Comprobación :
 R   12.88k 
⇒ Z INT   re  BB    26    153.52
  1  101 
3.3k(153.52)
⇒ Z IN  RE || Z INT   146.7
3.3k  153.52

∴El resultado está dentro de lo esperado Z IN ≥100

RL 3k
⇒ AV  ⇒A V   19.54
RBB 12.88k
re  26 
 1 101
Que se acerca a la ganancia esperada A V  20

1.1.3 DISEÑO DE AMPLIFICADORES EN CONFIGURACIÓN COLECTOR COMÚN)

a)

Vcc

RB1 CC
+

CB

Q1
+
CE
Vin +

1kHz RB2 RL
RE

Fig 1.12 a) Amplificador en colector común con resistencia en el colector

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ESCUELA POLITÉCNICA NACIONAL CIRCUITOS ELECTRÓNICOS

b) 2N3904

Vcc

RB1 RC
CC
+

CB
Q1
+
CE
Vin +

1kHz RB2 RL
RE

b) Amplificador en colector común sin resistencia en el colector.

Fig 1.13 Gráfica de voltajes del amplificador en colector común.

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En muchas configuraciones la resistencia Rc se la elimina debido a que ocasiona caída de

tensión en Rc, lo que implica que el Vcc aumente.

1.1.3.1 ANÁLISIS EMPLEANDO PARÁMETROS T PARA CC.

El circuito equivalente empleando parámetros [T] del TBJ en la configuración CC. Es la

presentada en la siguiente figura, que nos permite obtener las ecuaciones de ganancias e
impedancias:

ib ic
B C
Is1
100mA

Bib

RBB ie RL Vo
re

E Vin

RE

Fig. 1.14 Representación de un amplificador de colector común con parámetros

T.

 Ganancia de corriente, Ai:

𝑖 𝑖
𝛽
𝑖 𝑖

 Ganancia de voltaje, Av:

 Impedancia de entrada al transistor:

 Impedancia de entrada:

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ESCUELA POLITÉCNICA NACIONAL CIRCUITOS ELECTRÓNICOS

 Impedancia de salida del transistor:

 Impedancia de salida; Zo:

 Cálculo de condensadores:

EJERCICIO 4

Diseñe un amplificador en colector común que cumpla con los siguientes datos:
RL=1.8k ; ZIN ≥ 2k ; fmin = 1kHz ; Vin = 3.5senwt ; Bmin = 100.

RB1
5.6k

V1
-5/5V CB
1uF
+ Q1 + V2
NPN CE 10V
1kHz 4.7uF
+
A

RB2 RE RL
9.1k 1k 1.8k

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ING. TARQUINO SÁNCHEZ 19
ESCUELA POLITÉCNICA NACIONAL CIRCUITOS ELECTRÓNICOS

Z IN = Z INT || R BB
Z INT = (β + 1)(re + R ′L )
Como la condición es : Z IN = Z INT || R BB ≥ 2k
Si R BB >> Z INT Z IN Z INT ≥ 1.5k (β + 1)(re + R ′L ) ≥ 2k
2k 2k
Si re << R ′L R ′L > > > 19.8Ω
(β + 1) 101
R ′L .R L 2.2kΩ(19.8Ω)
R ′L = R L || R E RE = = =Ω R E > 19.99Ω
R L R ′L 2.2kΩ 19.8Ω
RE ^
Como VE debe ser : VE ≥ 1 ∧ VE ≥ VO
R ′L

Entoncesasumo R E = 390Ω
390Ω(2.2kΩ)
⇒R ′L = R L || R E = = 38.32Ω
390Ω + 2.2kΩ
RE ^ 38.32Ω(3.5)
⇒VE ≥ VO = * 1.1 = 3.85V
R ′L 38.32Ω
VE = 4 V
VE 4V IE 4.4mA
⇒I C = I E = = = mA ⇒I B = = = 54.3μA
RE 39Ω β 80
⇒VCC = 2 VE = 2(4 V) = 8 V
⇒VB = VBE + VE = 0.7 V + 4 V = 4.7 V

VB 4.7 V 4.7 V
⇒R B 2 = = = = 8.66kΩ ⇒R B 2 = 9.1kΩ
I2 10(I B ) 10(54.3μA)
Recalculan do I 2 :
VB 4.7 V
I2 = = = 0.52mA ⇒I1 = I 2 + I B = 0.52mA + 54.3μA = 0.57mA
R B2 9.1kΩ
VCC VB 8 V 4.7 V
⇒R B1 = = = 5.7kΩ ⇒R B1 = 5.6kΩ
I1 057mA
9.1kΩ(5.6kΩ)
⇒R BB = R B1 || R B 2 = = 3.5kΩ
9.1kΩ + 5..6kΩ
VT 26mV
⇒re = = = 5.9Ω
IE 4.4mA
⇒Z INT = (β + 1)(re + R ′L ) = 81(5.9 + 604Ω) = 49.4kΩ
3.5kΩ(49.4kΩ)
⇒Z IN = R BB || Z INT = = 3.27kΩ
3.5Ω + 49.4k

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ESCUELA POLITÉCNICA NACIONAL CIRCUITOS ELECTRÓNICOS

Cálculo de condesadores :
10 10
CE ≥ = = 0.49μF ⇒C C = 1.5μF
2πfminR′L 2π.1kHz.604Ω
10 10
CB ≥ = = 2.64μF ⇒CE = 68μF
2πfminZ IN 2π.1kHz.3.27k
Comprobación :
⇒Z INT = (β + 1)(re + R′L ) = 121(6.24 + 1.2kΩ) = 146k
2.5kΩ(146k )
⇒Z IN = R BB || Z INT = = 2.46k ∴El resultado está dentro lo esperado Z IN ≥1.5k
2.5kΩ + 146k
R′L 1.2kΩ
⇒ AV = ⇒ AV = = 0.99 Que se acerca a la ganancia esperada.
re + R′L 6.24 + 1.2kΩ
AV = 1

EJERCICIO 5

Diseñar un amplificador en colector común que cumpla con las siguientes condiciones:

𝑖𝑛 𝑒𝑛

RB1
𝑖𝑛 15k
CB Q1
𝛽 𝑖𝑛 1uF 2N3904
CE + Vcc
+
V2 1.8uF 9V
𝑖𝑛 -2/2V +

RB2
1.2kHz 22k RE RL
1.8k 3.9k

𝑖𝑛 𝛽 𝑟𝑒

𝑖𝑛 𝑖𝑛 𝐵 𝑖𝑛

𝑟𝑒

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𝑖 𝑟𝑒

𝐸
− −

𝐸
𝑉𝐸 𝑉

𝑉𝐸

𝑉𝑐𝑐 𝑉𝐸

𝑉𝐸
𝐼𝐸
𝐸

𝑉𝐵 𝑉𝐸 𝑉𝐵𝐸

𝐼𝐸
𝐼𝐵
𝛽

𝐼 𝐼𝐵 𝐼

𝑉 𝐵
𝐵
𝐼

𝑉𝑐𝑐 − 𝑉𝐵 −
𝐵
𝐼

𝐵𝐵 𝐵 𝐵

𝐵𝐵

𝑖𝑛 𝛽 )(re+R )

𝑟𝑒

𝑖𝑛

𝑖𝑛 𝑖𝑛 𝐵𝐵

𝑖𝑛
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∴ Cumple condición Zin.

 Cálculo de Capacitores:

𝐶𝐵

𝐶𝐵

𝐶𝐸

𝐶𝐵

 Comprobación:

𝐸

 

CUADRO COMPARATIVO DE LAS 3 CONFIGURACIONES

PARAMÉTROS B.C E.C. C.C.

Pequeñas Grande Grande

(Centenas) (Kilos) (Kilos)

Alta Alta

𝛼=1 𝛽 𝛽

Pequeña

EJERCICIOS PROPUESTOS

1) Diseñar un amplificador en E.C que permita 30 veces la señal de entrada Vi=50 sen wt (V). Si
la carga es 1 k , para efecto se dispone e un TBJ npn de silicio con = 50, = 80 y
= 100. La frecuencia mínima de trabajo es 1khz. Y la máxima de 20 khz.

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𝑉 𝑒𝑛 𝑉 𝛽

2) Diseñar un amplificador en emisor común con las siguientes características.

𝑉 𝑉

3) Diseñar un amplificador en base común con las siguientes características.

𝑉 𝑉

4) Diseñar un amplificador en colector común con las siguientes características.

𝑉 𝑉

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