Bahan Ajar Teknik Elektronika

BAB II
BAHAN SEMIKONDUKTOR

Elektronika adalah ilmu yang mempelajari tentang sifat dan

pemakaian devais/alat yang azas kerjanya berdasarkan aliran elektron di
dalam ruang hampa atau gas, dan aliran elektron serta lubang (hole) di
dalam semikonduktor. Penerapan elektronika mencakup antara lain radio,
TV, komputer, instrumentasi, kendali, dan peralatan komunikasi lainnya.
Atom terdiri atas inti dan elektron yang mengitari inti. Inti terdiri
atas proton yang bermuatan positif dan neutron yang tidak bermuatan.
Elektron bermuatan negatif. Besar muatan elektron dan proton sama, yakni
e = 1,6. 10-19 Coulomb. Berdasarkan model atom Bohr, orbit elektron atau
kulit (shell) diidentifikasi dengan huruf K (paling dalam) hingga Q. Kulit
terluar atom disebut kulit valensi. Elektron valensi pada kulit terluar adalah
kritis karena menentukan konduktivitas atom.

Gambar 2-1. Struktur Atom

Kulit valensi atom dapat berisi hingga delapan elektron.
Konduktivitas atom tergantung pada jumlah elektron pada kulit valensi.
Bila atom memiliki satu elektron valensi maka akan mendekati konduktor
sempurna. Bila atom memiliki delapan elektron valensi, kulit valensi disebut
lengkap dan atom adalah isolator. Maka konduktivitas turun dengan
bertambahnya elektron valensi.

II-1
 Bahan Ajar Teknik Elektronika

Semikonduktor adalah atom yang berisi empat elektron valensi.

Karena jumlah elektron valensi di dalam semikonduktor adalah di tengah
antara satu (konduktor) dan delapan (isolator) maka atom semikonduktor
bukan konduktor yang baik dan bukan isolator yang baik. Bahan
semikonduktor yang banyak digunakan adalah silikon (Si), germanium (Ge),
dan karbon (C). Silikon dan germanium digunakan untuk membuat
komponen-komponen zat padat (solid state), sedangkan karbon terutama
untuk membuat resistor dan potensiometer.

Gambar 2-2. Model atom Silikon dan Germanium

Bila tidak ada gaya luar yang menyebabkan konduksi, cacah elektron
dan proton adalah sama. Karena muatan elektron (negatif) dan proton
(positif) adalah sama dan berlawanan maka muatan netto pada atom
adalah nol. Bila atom kehilangan elektron valensi maka muatan netto atom
menjadi positif, sebaliknya bila menerima elektron, muatan netto menjadi
negatif.
Hukum dasar mengenai relasi antara elektron dan kulit orbit adalah
sebagai berikut:
1. Elektron pada suatu kulit tidak dapat berada pada ruang antara dua
kulit orbit.
2. Setiap kulit orbit sesuai dengan suatu rentang tenaga. Maka semua
elektron yang terletak pada kulit orbit yang sama mempunyai besar

II-2
 Bahan Ajar Teknik Elektronika

tenaga yang relatif sama. Aras/tingkat tenaga untuk kulit bertambah

bila makin jauh dari inti atom, sehingga elektron valensi selalu
mempunyai tingkat tenaga tertinggi.
3. Untuk elektron yang meloncat dari satu kulit ke kulit lain maka
elektron harus menyerap cukup tenaga untuk mengatasi perbedaan
tenaga antara tingkat tenaga awal dan tingkat tenaga kulit tujuan
loncatan.
4. Bila elektron menyerap cukup tenaga untuk meloncat dari satu kulit
ke kulit lain maka elektron dapat melepaskan tenaga yang
diserapnya dan kembali kekulit yang bertenaga lebih rendah.
Tiga pertama dari prinsip di atas dapat diilustrasikan pada Gambar di
bawah dengan mengambil contoh atom Silikon (nomor atom 14, sehingga
elektron menempati 3 kulit). Ruang antara setiap dua kulit disebut celah
tenaga (energy gap). Elektron akan melewati celah tenaga bila bergerak
dari satu kulit ke kulit lain, tetapi tidak dapat berada pada celah tenaga
tersebut.

Bidang konduksi
e4 = 1,8 eV

Celah tenaga

e3 = 0,7 eV

e2

e1

Gambar 2-3. Aras dan celah tenaga pada silikon

Sebagai contoh, kulit valensi mempunyai aras tenaga kira-kira 0,7 eV

(elektron Volt), bidang konduksi mempunyai aras tenaga minimum kira-kira
1,8 eV maka agar elektron dapat meloncat dari bidang valensi ke bidang

II-3
 Bahan Ajar Teknik Elektronika

konduksi harus menyerap sejumlah tenaga sebesar: (1,8 – 0,7) eV = 1,1 eV.
Untuk konduktor, semikonduktor, dan isolator celah tenaga dari bidang
valensi ke bidang konduksi masing-masing kira-kira 0,4, 1,1 dan 1,8 eV.
Karena itu makin besar celah tenaga akan semakin sulit terjadi konduksi
karena makin banyak tenaga harus diserap.
Bila elektron menyerap cukup tenaga untuk meloncat dari bidang
valensi ke bidang konduksi maka elektron dikatakan dalam keadaan
terangsang (exited state). Elektron yang terangsang dapat melepaskan
tenaga yang diserapnya dan kembali ke aras tenaga semula. Tenaga yang
dilepaskan oleh elektron adalah dalam bentuk cahaya atau panas.

2.1 Semikonduktor Intrinsik

Atom-atom semikonduktor yang mempunyai empat elektron valensi
tersusun sebagai kristal tetrahedral oleh adanya ikatan kovalen dengan
atom yang terdekat. Untuk memahami ikatan kovalen dengan mekanisme
hantarannya digunakan gambaran dua dimensi susunan kristalnya, seperti
pada Gambar 2-4, sedangkan Gambar 2-5 melukiskan bidang tenaganya.

Elektron bebas

+4 +4 +4 +4 +4 +4

elektron lubang
valensi

+4 +4 +4 +4 +4 +4

ion

+4 +4 +4 +4 +4 +4

(a) (b)
Gambar 2-4. a. Kristal semikonduktor pada suhu 0 K.
b. Pada suhu yang agak tinggi, elektron keluar dari ikatan
kovalen dan terbentuk lubang.

II-4
 Bahan Ajar Teknik Elektronika

Lingkaran dengan tanda +4 melukiskan ion semikonduktor yakni inti atom

beserta elektron-elektronnya selain empat elektron valensi. Ikatan kovalen
dilukiskan dengan garis lengkung dengan dua elektron valensi di dalamnya.
Pada suhu 0 K, elektron valensi terikat erat dengan ikatan kovalen dan
tidak ada elektron yang bergerak bebas (Gambar 2-4.a), dan keadaan ini
dilukiskan dalam bidang tenaga seperti pada Gambar 2-5a. Semua elektron
valensi mempunyai tenaga yang terletak pada bidang valensi.

Bidang konduksi
Bidang konduksi
Elektron
bebas
EC EC

EG Bidang
Celah Tenaga
EV EV
Lubang
Bidang Valensi Bidang Valensi

(a) (b)
Gambar 2-5. a. Bidang tenaga kristal pada suhu 0 K.
b. Pada suhu agak tinggi.

Kalau suhu kristal dinaikkan sehingga ada elektron valensi yang kenaikan
tenaga termalnya melebihi celah tenaga EG maka elektron-elektron ini akan
meloncat ke bidang konduksi menjadi elektron bebas (Gambar 2-6b, dan
Gambar 2-7b).
Kekosongan yang terjadi pada ikatan kovalen karena adanya
elektron yang keluar haruslah bermuatan positif, ini disebabkan oleh
keadaan kristal yang harus tetap netral. Kekosongan ini dinamakan lubang
(hole). Mekanisme konduksi oleh lubang adalah sebagai berikut.
Kalau pada suatu ikatan kovalen terbentuk lubang maka elektron valensi
dari atom yang berdekatan akan melepaskan diri dari ikatan kovalen untuk
mengisi lubang tersebut. Elektron ini akan meninggalkan lubang pada
tempat yang ditinggalkan. Maka lubang akan bergerak dengan arah yang
berlawanan dengan elektron. Pada Gambar 2-6a, menunjukkan delapan

II-5
 Bahan Ajar Teknik Elektronika

ion dengan lubang pada ion 4. Bila sebuah elektron dari ion 5 mengisi
lubang pada ion 4 maka akibatnya seperti pada Gambar 2-6b. Terlihat
bahwa lubang bergerak dengan arah berlawanan dengan elektron.

Lubang Elektron

a)
1 2 3 4 5 6 7 8

b)
1 2 3 4 5 6 7 8
arah aliran elektron
arah aliran lubang
Gambar 2-6. Mekanisme konduksi lubang.

Maka semikonduktor intrinsik pada suhu 0 K bersifat sebagai

isolator, dan pada suhu yang lebih tinggi bersifat sebagai konduktor karena
terjadi pembentukan pasangan elektron bebas dan lubang yang banyaknya
sama dan berlaku sebagai pembawa muatan.
Bila n = konsentrasi elektron bebas [elektron/cm3]
p = konsentrasi lubang [lubang/cm3]
maka: n = p = ni (2-1)
dengan ni : konsentrasi intrinsik.
Secara teoritis ni bervariasi dengan suhu T berdasarkan persamaan:
n i2  A 0 e  EG 0 / kT (2-2)
dengan A0 : tetapan tak tergantung suhu
T : suhu [K]
EG0 : celah tenaga [eV] pada suhu 0 K
k : tetapan Boltzman = 8,62. 10-5 [eV/K]
Terlihat bahwa ni bervariasi dengan suhu. Pada suhu tertentu jumlah
pembawa muatan ini tetap. Kalau ditinjau secara mikroskopis terlihat
bahwa jumlah yang tetap tadi karena selain terjadi karena kecepatan
pembentukan pasangan elektron-lubang (ionisasi) sama dengan kecepatan
penggabungan kembali elektron-lubang (rekombinasi).

II-6
 Bahan Ajar Teknik Elektronika

Konduktivitas  untuk semikonduktor intrinsik diberikan oleh

persamaan:
  qn i ( n   p ) (2-3)
dengan  : konduktivitas [A/V.m]
q : muatan elektron = 1,602. 10-19 [Coulomb]
µn : mobilitas elektron [cm2/V.s]
µp : mobilitas lubang [cm2/V.s]

2.2 Semikonduktor Ekstrinsik

Untuk menyusun devais elektronis diperlukanbahan yang kaya akan
satu jenis pembawa muatan saja yaitu lubang (hole) atau elektron saja.
Untuk itu dilakukan doping, yakni memasukkan atom asing bervalensi 5
atau 3 dengan prosentase kecil, sehingga dihasilkan semikonduktor
ekstrinsik. Misalnya doping dengan memasukkan 1 atom asing per 1 juta
atom asli atau 1 atom asing per 100 juta atom asli.
Semikonduktor Jenis/Tipe n
Semikonduktor jenis n diperoleh dengan doping atom asing
bervalensi 5, seperti fosfor (P), arsen (As), dan antimon (Sb) ke dalam
semikonduktor intrinsik. Aras tenaga elektron valensi atom pengotor
bervalensi 5 ini adalah ED sangat dekat dengan EC (aras tenaga terendah
pada bidang konduksi). Dengan menambahkan tenaga yang kecil saja pada
elektron valensi ini maka elektron ini akan masuk ke bidang konduksi
(Gambar 2-7a). Atom valensi 5 ini disebut atom donor karena dalam
membentuk ikatan kovalen dibebaskan kelebihan elektronnya (Gambar 2-
7b). Semikonduktor yang dihasilkan adalah jenis/tipe n karena dengan
penambahan atom donor terjadi elektron bebas. Atom donor setelah
membebaskan satu elektron valensi menjadi ion positif yang terikat di
tempat.

II-7
 Bahan Ajar Teknik Elektronika

Bidang konduksi Elektron +4 +4 +4

bebas
Elektron
EC bebas
+ + + + + ED
EG +4 +4 +4

Ion
EV

Bidang valensi
+4 +4 +4

(a) (b)
Gambar 2-7. a. Aras tenaga elektron valensi atom donor
b. Terjadinya elektron bebas pada semikonduktor jenis/tipe n.
Perbedaan semikonduktor intrinsik dan semikonduktor jenis n adalah:
a. Pada semikonduktor intrinsik, terbentuknya elektron bebas disertai
lubang yang dapat bergerak sebagai pembawa muatan.
b. Pada semikonduktor jenis n terbentukya elektron bebas tidak disertai
terbentuknya lubang, tetapi terbentuk ion positif yang tidak dapat
bergerak.
Tenaga untuk membebaskan elektron valensi atom donor adalah
tenaga ionisasi atom donor (EC – ED) yang besarnya 0,05 eV (Si) dan 0,01
eV (Ge). Tenaga ionisasi atom donor ini lebih kecil dibanding dengan
tenaga ionisasi atom asli (EG) yang besarnya 1,1 eV (Si) dan 0,72 eV (Ge)
pada suhu kamar 300 K (Milman, 1997: 27). Akibatnya jumlah pasangan
elektron-lubang dapat diabaikan terhadap jumlah elektron bebas dari atom
donor pada suhu yang tidak terlalu tinggi, sehingga: n >> p. Maka
elektron bebas sebagai pembawa mayoritas dan lubang sebagai pembawa
minoritas.
Pada semikonduktor jenis n, konsentrasi elektron bebas adalah:
n  ND (2-4)
dengan n : konsentrasi elektron [elektron/cm3]
ND : konsentrasi atom donor [atom/cm3]

II-8
 Bahan Ajar Teknik Elektronika

Konsentrasi lubang dihitung berdasarkan hukum aksi-massa yaitu:

n.p  n i2 (2-5)
dengan p : konsentrasi lubang [lubang/cm3]

n i2 n i2
Maka p   (2-6)
n ND
Konduktivitas semikonduktor jenis n adalah:
 = q(nµn + pµp)  q ND µn (2-7)

Semikonduktor Jenis/Tipe p
Semikonduktor jenis p diperoleh dengan doping atom asing
bervalensi 3, seperti boron (B), aluminium (Al) dan galim (Ga) ke dalam
semikonduktor intrinsik. Atom bervalensi 3 ini disebut atom akseptor,
karena untuk membentuk ikatan kovalen memperoleh sebuah elektron
(Gambar 2-8b). Aras tenaga elektron valensi atom akseptor (EA) ini sedikit
lebih tinggi dibandingkan dengan aras tenaga elektron valensi atom kristal
asli (EV), seperti pada Gambar 2-8a. Dengan menambahkan sedikit tenaga
(EA – EV) kepada elektron valensi atom asli maka elektron ini dapat
meloncat dari ikatan kovalennya disertai pembentukan lubang pada ikatan
kovalen yang ditinggalkan.

+4 +4 +4
Bidang konduksi
EC lubang
Ion
EG +4 +4 +4
- - - - - EA
EV

Bidang valensi Lubang +4 +4 +4

(a) (b)
Gambar 2-8. a. Aras tenaga elektron valensi atom akseptor
b. Terjadinya lubang pada semikonduktor jenis p

II-9
 Bahan Ajar Teknik Elektronika

Karena menerima sebuah elektron maka atom akseptor menjadi ion

negatif yang terikat di tempat. Tenaga ionisasi atom akseptor (EA – EV)
adalah 0,05 eV (Si) dan 0,01 eV (Ge). Dengan doping atom akseptor maka
dihasilkan lubang tanpa elektron bebas. Semikonduktor yang dihasilkan
dinamakan semikonduktor jenis/tipe p.
Analogi dengan semikonduktor jenis n maka:
p  NA (2-8)
dengan NA : konsentrasi atom akseptor [atom/cm3]

Konsentrasi elektron dapat dihitung dengan:

n i2
n (2-9)
NA

Karena tenaga ionisasi atom akseptor (EA – EV) lebih rendah dibanding
dengan tenaga ionisasi untuk pembentukan pasangan elektron-lubang (EG)
maka konsentrasi lubang jauh lebih besar dari pada konsentra elektron,
atau p >> n maka lubang merupakan pembawa mayoritas dan elektron
merupakan pembawa minoritas.
Konduktivitas semikonduktor jenis n adalah:
 = q(nµn + pµp)  q NA µp (2-10)

Tabel 2-1. Sifat-sifat germanium dan silikon (Millman, 1997:28)

Sifat Ge Si
Bilangan atom 32 14
Berat atom 72,6 28,1
Rapat [g/cm3] 5,32 2,33
Konstanta dielektrik (relatif) 16 12
Atom-atom/cm3 4,4. 1022 5,0. 1022
EG0 [eV] pada 0 K 0,785 1,21
EG [eV] pada 300 K 0,72 1,1
ni pada 300 K cm-3 2,5. 1013 1,5. 1010
Resistivitas intrinsik pada 300 K [-cm] 45 230.000
µn [cm2/V.s] pada 300 K 3.800 1.300
µp [cm2/V.s] pada 300 K 1.800 500
Dn [cm2/s] = µn VT 99 34
Dp [cm2/s] = µp VT 47 13

II-10
 Bahan Ajar Teknik Elektronika

Contoh:
a. Dengan mempergunakan bilangan Avogadro, periksalah nilai
numerik yang diberikan dalam Tabel 1, untuk konsentrasi atom
germanium.
b. Carilah resistivitas germanium intrinsik pada 300 K.
c. Apabila takmurnian tipe donor dibutuhkan dengan perbandingan
satu dalam 108 atom, carilah resistivitasnya.
d. Apabila germanium suatu logam monovalen, carilah perbandingan
konduktivitasnya dengan semikonduktor tipe-n tersebut dalam soal
c.

Penyelesaian:
a. Satu mol suatu zat sama dengan sejumlah zat tersebut yang beratnya
sama dengan berat molekulnya dinyatakan dalam gram. Selanjutnya,
setiap zat satu mol mengandung molekul yang sama banyaknya.
Bilangan ini disebut bilangan Avogadro dan sama dengan 6,02. 1023
molekul per mol. Jadi untuk germanium yang monoatom:
atom 1 mol 5,32 g atom
Konsentrasi  6,02.10 23 x x 2
 4,41 x 10 22
mol 72,6 g cm cm 2

b. Dari persamaan (2-1): n = p = ni, dan persamaan (2-3):

 = q(nµn + pµp) = ni q(µn + µp) = (2,5. 1013 cm-2)(1,6. 10-19
C)(3800+1800) cm2/V.s
= 0,0224 [-cm]-1
Resistivitas = 1/ = 44,6 [-cm]  Sesuai dengan Tabel 2-1.
c. Apabila ada satu atom donor setiap 108 atom germanium maka ND =
4,41. 1014 atom/cm3. Dari persamaan (2-4): n  ND dan persamaan (2-6):
n2 n2 (2,25 x 1013 ) 2
p i  i   1,42 x 1012 [lub ang / cm 3 ]
n ND 4,41 x 1014

Oleh karena n >> p, kita dapat mengabaikan p pada waktu

menghitung kondutivitas.

II-11
 Bahan Ajar Teknik Elektronika

 = nqµn = 4,41. 1014 x 1,6. 10-19 x 3800 = 0,268 [-cm]-1

Resistivitas = 1/ = 3,72 [-cm].
Penambahan satu atom donor setiap 108 atom germanium, telah
melipatgandakan konduktivitas dengan faktor = 44,6/3,72 = 11,7.
d. Apabila setiap atom memberikan satu elektron bebas pada ”logam”
maka:
n = 4,41 x 1022 [elektron/cm3]
dan
 = nqµn = 4,41. 1022 x 1,6. 10-19 x 3800 = 2,58 x 107 [-cm]-1
Oleh karena itu konduktivitas ”logam” lebih tinggi dari semikonduktor
tipe-n dengan faktor = 2,58.107/0,268  108.

2.3 Konduksi di dalam Semikonduktor

Arus dalam sebuah logam disebabkan oleh aliran muatan negatif
(elektron-elektron), sedangkan dalam semikonduktor sebagai hasil dari
gerak keduanya elektron dan muatan positif (lubang-lubang). Partikel yang
menghantar arus di dalam semikonduktor adalah elektron dan lubang. Ada
dua penghantaran arus yaitu difusi dan drift (hanyutan). Di samping dengan
konduksi arus, pengangkutan muatan dalam semikonduktor dapat
berlangsung dalam mekanisme difusi, yang biasanya tak dijumpai dalam
logam.
Difusi adalah penghantaran arus di dalam semikonduktor yang
disebabkan oleh tidak meratanya konsentrasi partikel atau terjadinya
gradien konsentrasi. Konsentrasi lubang (p) bervariasi dengan jarak (x)
maka terjadi gradien konsentrasi dp/dx. Besarnya rapat arus difusi lubang Jp
[Amper/m2] adalah sebanding dengan gradien konsentrasi.
Jp(dif) = -q Dp dp/dx (2-11)
dengan Dp adalah tetapan difusi untuk lubang [m2/s]. Tanda (-) karena p
berkurang dengan bertambahnya x.

II-12
 Bahan Ajar Teknik Elektronika

Rapat arus difusi untuk elektron sebanding dengan gradien konsentrasi

elektron dn/dx.
Jn(dif) = q Dn dn/dx (2-12)
dengan Dn adalah tetapan difusi untuk elektron [m2/s].
Di samping ada gaya difusi yang bekerja pada partikel, juga ada gaya
akibat medan elektris (gradien potensial). Partikel bermuatan di dalam
medan elektris akan bergerak di bawah gaya tarik dan tolak elektris,
sehingga terjadi arus drift.
Arus drift sebanding dengan medan elektris E. Untuk lubang dan elektron
arus drift dapat ditulis sebagai berikut:
Untuk lubang: Jp(drift) = q µp p E (2-13)
Untuk elektron: Jn(drift) = q µn n E (2-14)
dengan µp, µn : mobilitas untuk lubang dan elektron [cm2/V.s]
E = dV/dx : medan elektris [V/cm]
Bila terjadi gradien potensial dan gradien konsentrasi bersama-sama
di dalam semikonduktor maka arus total adalah jumlah dari arus drift dan
arus difusi.
Arus lubang total adalah:
Jp = q µp p E - q Dp dp/dx (2-15)
Arus elektron total adalah:
Jn = q µn n E + q Dn dn/dx (2-16)

II-13
 Bahan Ajar Teknik Elektronika

Soal Latihan
1. Jelaskan pengaruh elektron pada kulit valensi terhadap konduktivitas
suatu atom!
2. Jelaskan mengapa sebuah semikonduktor akan bekerja sebagai sebuah
isolator pada suhu 0 K dan mengapa konduktivitasnya naik apabila
temperaturnya naik?
3. Apakah perbedaan antara semikonduktor intrinsik dan ekstrinsik?
4. Bagaimana cara memperoleh semikonduktor tipe-p dan tipe-n?
5. Jelaskan perbedaan penghantaran arus pada logam dan semikonduktor!
6. a. Hitunglah konsentrasi lubang dan elektron di dalam germanium tipe-
n pada 300 K bila resistivitasnya 0,02 [.cm] dan mobilitas lubang
untuk Ge pada 300 K adalah 1800 [cm2/V.s]!
b. Ulangi soal a) untuk silikon tipe-n bila resistivitasnya 20 [.cm] dan
mobilitas elektron untuk Si adalah 1300 [cm2/V.s]!

II-14