HIMPUNAN MAHASISWA ELEKTRO (HME)

FAKULTAS TEKNIK
UNIVERSITAS SRIWIJAYA
NAMA : RINI OKTARINA
NIM : 03041281823029

4. PERCOBAAN
4.1 Prosedur Percobaan
a. Percobaan 1 : Karakteristik DC dari JFET Tipe-N

1. Aturlah kedua pengontrol berlawanan dengan jarum jam (pada set

minimum).
2. Buatlah rangkian seperti gambar 5.1. Periksa kembali bahwa
pengotrol benar-benar pada keadaan minimum, kemudian hidupkan
switch pada posisi ON.

Gambar 5.1. Rangkaian JFET Tipe-N

3. Isi Data pada Tabel 5.1

4. Buat VGS pada posisi 0 Volt, aturlah VDS pada 0 V; 0,5 V; 1 V; 2 V; 5
V; 8 V; 10 V untuk setiap percobaan.
5. Untuk setiap harga VDS tadi amati dan catatlah harga ID.
6. Ulangi percobaan ini dengan harga VGS.

EDWIN LIMANTORO
0304128722038
 HIMPUNAN MAHASISWA ELEKTRO (HME)
FAKULTAS TEKNIK
UNIVERSITAS SRIWIJAYA
NAMA : RINI OKTARINA
NIM : 03041281823029

7. Buatlah tabel dari hasil yang didapat dan gambarlah pula terhadap
untuk harga = 10 Volt.
8. Hubungkan amperemeter pada skala µA secara seri pada gate.
Ukurlah arus yang melewati gate ada percobaan tersebut.

b. Percobaan 2 : Karakteristik DC Dari JFET Tipe-P

Percobaan ini hampir sama dengan percobaan 1, tetapi polaritasnya yang

diubah, perhatikan gambar 5.2 berikut;

Gambar 5. 2 Rangkaian JFET Tipe-P

c. Percobaan 3 : Karateristik DC MOSFET Tipe N

Percobaan ini menyerupai percobaan 1, tetapi kali ini gate dan drain
memerlukan tegangan yang positif dari sumber, perhatikan gambar 5.3
berikut. Catat dan isilah pada tabel 5.2.

EDWIN LIMANTORO
0304128722038
 HIMPUNAN MAHASISWA ELEKTRO (HME)
FAKULTAS TEKNIK
UNIVERSITAS SRIWIJAYA
NAMA : RINI OKTARINA
NIM : 03041281823029

Gambar 5.3 Rangkaian MOSFET Tipe-N

Sebagai contoh bahwa hasil yang akan didapatkan akan berbeda dengan
percobaan 1. Dalam hal ini tidak ada arus yang mengalir, sehingga
tegangan positif akan terdapat pada gate. Sebuah MOSFET dirancang
sehingga arus tidak mengalir sampai tegangan positif terdapat pada gate.
Hal ini yang disebut dengan Enhancement-type. Terdapat pula MOSFET
dengan Depletion-type dimana dioperasikan dengan tegangan yang
bervariasi pada gate termasuk harga-harga yang mendekati nol.
Arus gate pada MOSFET lebih stabil daripada arus bias pada
JFET,kemudian jika sebelumnya masih terdapat arus bocor gate,tapi kali
ini tidak terdapat lagi.

EDWIN LIMANTORO
0304128722038
 HIMPUNAN MAHASISWA ELEKTRO (HME)
FAKULTAS TEKNIK
UNIVERSITAS SRIWIJAYA
NAMA : RINI OKTARINA
NIM : 03041281823029

4.2 Data Hasil Percobaan

A. Karakteristik DC Dari JFET Tipe-N

VDS (V)
VGS (Volt)
0,5V 1V 1,5V
0 175 mA 299 mA 374 mA
50 169 mA 287mA 359 mA
100 163 mA 278 mA 343 mA
150 159 mA 269 mA 330 mA

B. Karakteristik DC Dari MOSFET Tipe-N

VDS (mV)
VGS (Volt)
0,2 0,4 0,6
0 0 Ma 0 mA 0 mA
1 0 mA 0 mA 0 mA
2 0 mA 0 mA 0 mA
3 0 mA 0 mA 0 mA
4 201,53 mA 417,30 mA 660,37 mA

4.3 Pengolahan Data

1) Karakteristik DC dari JFET Tipe-N

∆𝐼
𝐺𝑚 = | |
∆𝑉
𝑉𝐷𝑆 = 0,5 𝑣
 𝑉𝐺𝑆 = 150 𝑣
159 − 163 −4
𝐺𝑚1 = | | = | | = 0,08 𝑚𝑉
150 − 100 50
 𝑉𝐺𝑆 = 100v

EDWIN LIMANTORO
0304128722038
 HIMPUNAN MAHASISWA ELEKTRO (HME)
FAKULTAS TEKNIK
UNIVERSITAS SRIWIJAYA
NAMA : RINI OKTARINA
NIM : 03041281823029

163 − 169 −6
𝐺𝑚2 = | | = | | = 0,12 𝑚𝑉
100 − 50 50
 𝑉𝐺𝑆 = 50 𝑣
169 − 175 −6
𝐺𝑚3 = | | = | | = 0,12 𝑚𝑉
50 − 0 50

𝑉𝐷𝑆 = 1 𝑣
 𝑉𝐺𝑆 = 150𝑣
269 − 278 −9
𝐺𝑚1 = | | = | | = 0,18 𝑚𝑉
150 − 100 50
 𝑉𝐺𝑆 = 100𝑣
278 − 287 −9
𝐺𝑚2 = | | = | | = 0,18 𝑚𝑉
100 − 50 50
 𝑉𝐺𝑆 = 50𝑣
287 − 299 −12
𝐺𝑚3 = | |=| | = 0,24 𝑚𝑉
50 − 0 50

𝑉𝐷𝑆 = 1,5 𝑣
 𝑉𝐺𝑆 = 150𝑣
330 − 343 −13
𝐺𝑚1 = | |=| | = 0,26 𝑚𝑉
150 − 100 50

 𝑉𝐺𝑆 = 100𝑣
343 − 359 −16
𝐺𝑚2 = | |=| | = 0,32 𝑚𝑉
100 − 50 50
 𝑉𝐺𝑆 = 50𝑣
359 − 374 −15
𝐺𝑚3 = | |=| | = 0,3 𝑚𝑉
50 − 0 50

2) Karakteristik DC dari MOSFET Tipe-N

∆𝐼
𝐺𝑚 = | |
∆𝑉

EDWIN LIMANTORO
0304128722038
 HIMPUNAN MAHASISWA ELEKTRO (HME)
FAKULTAS TEKNIK
UNIVERSITAS SRIWIJAYA
NAMA : RINI OKTARINA
NIM : 03041281823029

𝑉𝐷𝑆 = 0,5 𝑣
 𝑉𝐺𝑆 = 1 𝑣
0−0 0
𝐺𝑚2 = |1−0| = |1| = 0 𝑚𝑉

 𝑉𝐺𝑆 = 2 𝑣
0−0 0
𝐺𝑚3 = | | = | | = 0 𝑚𝑉
2−1 1
 𝑉𝐺𝑆 = 3 𝑣
0−0 0
𝐺𝑚3 = | | = | | = 0 𝑚𝑉
3−2 1
 𝑉𝐺𝑆 = 4 𝑣
201,53 − 0 201,53
𝐺𝑚3 = | |=| | = 201,53 𝑚𝑉
4−3 1

𝑉𝐷𝑆 = 1 𝑣
 𝑉𝐺𝑆 = 1 𝑣
0−0 0
𝐺𝑚2 = | | = | | = 0 𝑚𝑉
1−0 1
 𝑉𝐺𝑆 = 2 𝑣
0−0 0
𝐺𝑚3 = | | = | | = 0 𝑚𝑉
2−1 1
 𝑉𝐺𝑆 = 3 𝑣
0−0 0
𝐺𝑚3 = | | = | | = 0 𝑚𝑉
3−2 1
 𝑉𝐺𝑆 = 4 𝑣
417,30 − 0 417,30
𝐺𝑚3 = | |=| | = 417,30 𝑚𝑉
4−3 1

𝑉𝐷𝑆 = 1,5 𝑣
 𝑉𝐺𝑆 = 1 𝑣
0−0 0
𝐺𝑚2 = | | = | | = 0 𝑚𝑉
1−0 1
 𝑉𝐺𝑆 = 2 𝑣

EDWIN LIMANTORO
0304128722038
 HIMPUNAN MAHASISWA ELEKTRO (HME)
FAKULTAS TEKNIK
UNIVERSITAS SRIWIJAYA
NAMA : RINI OKTARINA
NIM : 03041281823029

0−0 0
𝐺𝑚3 = | | = | | = 0 𝑚𝑉
2−1 1
 𝑉𝐺𝑆 = 3 𝑣
0−0 0
𝐺𝑚3 = | | = | | = 0 𝑚𝑉
3−2 1
 𝑉𝐺𝑆 = 4 𝑣
660,37 − 0 660,37
𝐺𝑚3 = | |=| | = 660,37 𝑚𝑉
4−3 1

EDWIN LIMANTORO
0304128722038
 HIMPUNAN MAHASISWA ELEKTRO (HME)
FAKULTAS TEKNIK
UNIVERSITAS SRIWIJAYA
NAMA : RINI OKTARINA
NIM : 03041281823029

5. TUGAS DAN JAWABAN

A. Perbedaan FET dan Transistor ?
1. Transistor mengkonversi arus menjadi arus, FET mengkonversi tegangan
menjadi arus.
2. Transistor membutuhkan arus input, FET tidak membutuhkan arus input.
3. Transistor memiliki 3 terminal, yaitu Basis (B), Emitor (E) dan Kolektot (C).
4. FET memiliki tiga kaki terminal yang masing-masing diberi nama Drain(D),
Source(S),dan Gate(G).
5. Transistor bipolar arus output (IC) dikendalikan oleh arus input (IB).
6. FET arus output (ID) dikendalikan oleh tegangan input (VGS), karena arus input adalah
nol.

B. Review materi yang diajarkan ?

Field Effect Transistor atau disingkat dengan FETadalah komponen
elektronika yang aktif yang menggunakan medan listrik untuk mengendalikan
konduktifitasnya. Dikatakan Field Effect atau efek medan karena pengoperasian
transistor jenis ini tergantung pada tegangan (medan listrik) yang terdapat pada
gerbang inputnya (VGS). Field Effect Transistor atau FET memiliki fungsi yang
hamper sama dengan transistor bipolar pada umumnya. Perbedaan antara FET
dengan transistor bipolar terletak pada pengendalian arus outpunya. Pada
transistor bipolar arus ouput (IC) dikendalikan oleh arus input (IB) sedangkan pada
FET arus output (ID) dikendalikan oleh tegangan inputnya (VGS). FET terbagi 2
secara garis besar yaitu JFET dan MOSFET. JFET merupakan kepanjangan dari
Junction Field Effect Transistor, terbagi menjadi kanal P dan kanal N. MOSFET
merupakan kepanjangan dari Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor,
terdapat dua tipe yaitu D-MOSFET (Depletion-Metal Oxide Semiconductor Field
Effect Transistor) dan E-MOSFET (Enhacment- Metal Oxide Semiconductor
Field Effect Transistor). Masing- masing MOSFET ini masih terbagi dalam kanal
P dan kanal N.

EDWIN LIMANTORO
0304128722038
 HIMPUNAN MAHASISWA ELEKTRO (HME)
FAKULTAS TEKNIK
UNIVERSITAS SRIWIJAYA
NAMA : RINI OKTARINA
NIM : 03041281823029

C. Jelaskan apa itu IGFET ?

MOSFET merupakan kepanjangandari Metal Oxide Semiconductor Field
Effect Transistor atau bisa disebut IGFET dengan kepanjangan Insulated Gate
Field Effect Transistor. IGFET/MOSFET terdapat dua tipe yaitu D-MOSFET
(Depletion-Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) dan E-MOSFET
(Enhacment- Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor). Masing-
masing MOSFET ini masih terbagi dalam kanal P dan kanal N.

D. Foto dengan kak Niken.

E. Foto di tugu UNSRI

EDWIN LIMANTORO
0304128722038
 HIMPUNAN MAHASISWA ELEKTRO (HME)
FAKULTAS TEKNIK
UNIVERSITAS SRIWIJAYA
NAMA : RINI OKTARINA
NIM : 03041281823029

6. ANALISA HASIL PERCOBAAN

Pada praktikum FET (Field Effect Transistor) terdapat 2 percobaan yaitu
percobaan karakteristik DC dari JFET Tipe-N dan percobaan karakteristik DC
dari MOSFET Tipe-N. Berdasarkan tabel data hasil percobaan, data yang diambil
adalah arus pada drain (ID), sedangkan dalam pengambilan datanya dibutuhkan
tegangan gate (VGS) dan tegangan drain (VDS). Pada percobaan pertama yaitu
karakteristik DC dari JFET Tipe-N, saat kami menggunakan tegangan gate 0 volt
kami mendapatkan arus drain 175 mA jika tegangan drainnya 0,5 volt, arus drain
299 mA jika tegangan drainnya 1 volt, dan arus drain 374 mA jika tegangan
drainnya 1,5 volt. Saat kami menggunakan tegangan gate 50 volt kami
mendapatkan arus drain 169 mA jika tegangan drainnya 0,5 volt, arus drain 287
mA jika tegangan drainnya 1 volt, dan arus drain 359 mA jika tegangan drainnya
1,5 volt.Saat kami menggunakan tegangan gate 100 volt kami mendapatkan arus
drain 163 mA jika tegangan drainnya 0,5 volt, arus drain 278 mA jika tegangan
drainnya 1 volt, dan arus drain 343 mA jika tegangan drainnya 1,5 volt. Saat kami
menggunakan tegangan gate 150 volt kami mendapatkan arus drain 159 mA jika
tegangan drainnya 0,5 volt, arus drain 269 mA jika tegangan drainnya 1 volt, dan
arus drain 330 mA jika tegangan drainnya 1,5 volt. Pada percobaan kedua yaitu
karakteristik DC dari MOSFET Tipe-N, saat kami menggunakan tegangan gate 0
volt kami mendapatkan arus drain 0 mA jika tegangan drainnya 0,5 volt, arus
drain 0 mA jika tegangan drainnya 1 volt, dan arus drain 0 mA jika tegangan
drainnya 1,5 volt. Saat kami menggunakan tegangan gate 1 volt kami
mendapatkan arus drain 0 mA jika tegangan drainnya 0,5 volt, arus drain 0 mA
jika tegangan drainnya 1 volt, dan arus drain 0 mA jika tegangan drainnya 1,5
volt. Saat kami menggunakan tegangan gate 2 volt kami mendapatkan arus drain 0
mA jika tegangan drainnya 0,5 volt, arus drain 0 mA jika tegangan drainnya 1
volt, dan arus drain 0 mA jika tegangan drainnya 1,5 volt.Saat kami menggunakan
tegangan gate 3 volt kami mendapatkan arus drain 0 mA jika tegangan drainnya
0,5 volt, arus drain 0 mA jika tegangan drainnya 1 volt, dan arus drain 0 mA jika
tegangan drainnya 1,5 volt. Saat kami menggunakan tegangan gate 4 volt kami
mendapatkan arus drain 201,53 mA jika tegangan drainnya 0,5 volt, arus drain

EDWIN LIMANTORO
0304128722038
 HIMPUNAN MAHASISWA ELEKTRO (HME)
FAKULTAS TEKNIK
UNIVERSITAS SRIWIJAYA
NAMA : RINI OKTARINA
NIM : 03041281823029

417,30 mA jika tegangan drainnya 1 volt, dan arus drain 660,37 mA jika tegangan
drainnya 1,5 volt.

EDWIN LIMANTORO
0304128722038
 HIMPUNAN MAHASISWA ELEKTRO (HME)
FAKULTAS TEKNIK
UNIVERSITAS SRIWIJAYA
NAMA : RINI OKTARINA
NIM : 03041281823029

7. KESIMPULAN
Pada peratikum FET ini bahwa dapat diambil kesimpulan bahwa :
1) Pada JFET arus ouput atau arus keluar tergantung dari tegangan input yang
diberikan.
2) Pada JFET semakin kecil tegangan gatenya maka semakin besar arus drain
yang mengalir.
3) Pada JFET semakin besar tegangan drainnya maka semakin besar pula arus
drain yang mengalir.
4) Pada percobaan MOSFET Tipe-N, arus drain tidak dihasilkan jika tegangan
gatenya dibawah 4 volt.
5) Pada MOSFET Tipe-N, arus tidak akan mengalir jika tegangan gatenya tidak
mencapai tegangan tembus.

EDWIN LIMANTORO
0304128722038
 HIMPUNAN MAHASISWA ELEKTRO (HME)
FAKULTAS TEKNIK
UNIVERSITAS SRIWIJAYA
NAMA : RINI OKTARINA
NIM : 03041281823029

LAMPIRAN

3.1 Lampiran Alat

3.2 Lampiran Gambar

3.2.1 Gambar rangkaian MOSFET-N

3.2.2 Gambar rangkaian JFET-N

EDWIN LIMANTORO
0304128722038
 HIMPUNAN MAHASISWA ELEKTRO (HME)
FAKULTAS TEKNIK
UNIVERSITAS SRIWIJAYA
NAMA : RINI OKTARINA
NIM : 03041281823029

3.3 Lampiran Grafik

3.3.1 Grafik Id terhadao Vds saat Vgs=150 Volt pada Karakteristik
DC dari JFET Tipe-N

3.3.2 Grafik Id terhadap Vgs saat Vds=1,5 Volt pada Karakteristik

DC dari JEFT Tipe-N

3.3.3 Grafik Id terhadao Vds saat Vgs=4 Volt pada Karakteristik DC

dari MOSFET Tipe-N

EDWIN LIMANTORO
0304128722038
 HIMPUNAN MAHASISWA ELEKTRO (HME)
FAKULTAS TEKNIK
UNIVERSITAS SRIWIJAYA
NAMA : RINI OKTARINA
NIM : 03041281823029

3.3.4 Grafik Id terhadap Vgs saat Vds=0,6 Volt pada Karakteristik

DC dari MOSEFT Tipe-N

EDWIN LIMANTORO
0304128722038
 HIMPUNAN MAHASISWA ELEKTRO (HME)
FAKULTAS TEKNIK
UNIVERSITAS SRIWIJAYA
NAMA : RINI OKTARINA
NIM : 03041281823029

DAFTAR PUSTAKA

Bishop, Owen. 2004. “Dasar – Dasar Elektronika”. Jakarta : Erlangga.

Surjono, Herman Dwi. 2011. “Elektronika Analog”. Jember : Cerdas Ulet Kreatif.
Anonim. 2014. FET (Transistor Efek Medan) dan
UJT (Uni Junction Transistor).
http://staff.ui.ac.id/system/files/users/sastra.kusuma/material/09fetdanujt.pdf
. (Diakses pada tanggal 4 Maret 2019).
Kho, Dickson. 2016. Pengertian Field Effect Transistor (FET) dan Jenis-jenisnya.
https://teknikelektronika.com/pengertian-field-effect-transistor-fet-dan-
jenis-jenisnya/. (Diakses pada tanggal 4 Maret 2019).
Supriyanto. 2015. FET (Field Effect Transistor).
http://blog.unnes.ac.id/antosupri/fet-field-effect-transistor/. (Diakses pada
tanggal 4 Maret 2019).

EDWIN LIMANTORO
0304128722038