Eletcronica, Teoria de Circuitos Boylestad Nashelsky

OCTAVA EDICION
IS Amplificadores de potencla

Potencia de entrada: Pi VCCICQ

Palencia de salida: Po = Vulc = IERc = Vz'dRc rrns

= VCElel2 (IU2)Rc = V~E/(2Rc) pico

= VCEIc/8 = (IUS)Rc == V~d(8Rcl pico a pico

eficiencia: %T/ (PoIPi) X 100%

eficiencia maxima: clase A_ retro serie 25 %

clase A, acoplado por transformador = 50% clase B, push-pull = 78.5%

relaciones de transformador: V2/VI = Nz/NI = I/Iz, R2 = (Nz/NlfRI; salida de potencia:

Po = [(VCE"" - VCEmJ(ICmh - IcmJ]!S;

amplificador de palencia clase B: Pi Vcd(2hr)IpicnJ; Po = VI(pica)/(2Rc): % T/ = (1T/4)[VL(pico)/Vccl X 100%:

PQ = PZQ/2 = (Pi - Po)/2; maxima Po = V~cl2RI,; maxima Pi = 2V~C/1TRL; maxima PZQ = 2VZ'C/1T2RI,: % armonica

total distorsion (% THD) = YD~ + D~ + D~ + ... X 100%; disparador de calor: T, = PO()l" + T" ()lA = 40QC/W (aire libre); Po = tr, - TA)/(elC + ecs + eSA)

ELECTRGNICA:

TEORIA DE CIRCUITOS Y

DISPOSITIVOS ".,,~.,.ELECI.RC1Nl.CO_S.& .. _

16 Circuitos integrados (CI) lineales digitales Red de escalera: Vo = [(Do X 2° + DI X 21 + D2 X 22 + ... + D" X 2")/2"lV,,6 555 oscilador: f = 1.44(RA + 2RB)C; 555 monoestable: Talto = l.lRAC; vco: fa = (2/RICI)[(V+

- vc)rl; lazo de seguimiento de fase (PLL):j~ = 0.3/RjCI, [: = ±S!,,/V, fe = ±(1/21T)Y21Tfd(3.6 X 103)Cz

17 Retroallmentaclon y circuitos osciladores AI= AI(1 + f3A); retroalimentaci6nenserie;

Zij = Zi(1 + f3A): retroalimentaci6n en paralelo:Zif = Z;I(I +f3A); retroalimentaci6n de voltaje: Zof = Zo/(I +f3A); retroalirnentacion de corricnte.Zj s= Zo(! + f3A); estabilidad de ganancia: dA/Aj = 1/(11 + f3A 1)(dA/A); oscilador;

f3A == I; corrimiento de fase: f == 1/21TRCv'6, (3 1/29, A > 29; corrimiento de fase FET IA 1 = gmRL>

RL = ROrd/(Ro + ',/): corrimiento de fase del transistor: I= (1/21TRC)[I/Y6 + 4(RclR)], hI' > 23 + 29(Rc/R) +

4(R/Rc); puente de Wien: RJ/R4 = R/R2 + Cz/Cj, fa = 1/21TYRICjRzC2; sintonizador: I. == 1/21TvLC;;;,

Cecuaci6n = CICZ/(CI + Cz), Hartley: L"oad6n = i, + ~ + 2M,fo = 1/21TYL"u,d6nC

I .

ROBERT LBOYLESTAD

LOUIS NASHELSKY

18 Fuentes de allmentaclon (reguladores de voltaje) Filtros: r = V,(rms)/Vde x 100%,

VR (VNC - Vpe)/Vn x 100%,

Vde VIII - V, (p-p)/2, V,(rms) = V,(p-p)/2V3, V,(rms) "" (Idj4V3)(Vd,/Vm); onda completa, carga ligera

V,(rms) 2.4Ide/C, Vdc VIII - 4.17Idc/C, r (2AldcCVdc) x 100% 2.4/RcC X 100%, Ipieo = T/Tj x Ide; RC filtro

RC: V~ = RL Vde/(R + Rc), Xc = 2.653/C (media onda), Xc "" 1326/C (onda completa), V;(rms) (XctVRZ + X~);

reguladores: IR = (I,vL - In)/In X 100%, Vc = Vz(1 + R/R2), Va = Vref(! + Rz/R1) + I'djRz

TRADUCCION:

Carlos Mendoza Barraza Ingeniero en Sistemas Electronicos ITESM-CCM

19 Otros dispositivos de dosterminales Diodo Varactor: cT = C(O)/(l + IV~/VTI)",

TCe (IK/Co(TI To)) x 100%; fotodicdo: W = I/rf, X v/I, 11m 1.496 X 10-10 W

REVISION T'ECNICA:

M. en C. Agustin Suarez Fernandez Departamento de Ingenieria Electrica Universidad Autonoma Metropolitana Plantel lnapalapa, Mexico, D.E

20 Dispositivospnpn y Otros UJT: RaB = (RB, + RB,)II,~O' VR,' = 1)VBBII,~O' 1) = RB/(RB, + RB,)lrF.~o, v, = 1)VBB + vD: fototransistor: t, = hj,!,:

PUT: 1) RB/(RB, + RB,), v, = T/VBB + Vo

®

Mexico' Argentina· Brasil> Colombia' Costa Rica' Chile' Ecuador Espana. Guatemala> Panama > Peru > Puerto Rico > Uruguay· Venezuela

George Fredericks E D. Fuller Phil Golden Joseph Grabinski Thomas K. Grady Mohamad S. Haj-Moharnadi

William Hill Albert l. lckstadt jcng-Nan juang Karen Karger Kenneth E. Kent Donald E. King Charles lewis Donna Liverman William Mack Robert Martin George 1. Mason William Maxwell Abraham Michelen

John Macbougall Donald E. McMillan Thomas E. Newman Byron Paul Dr. Robert Payne Dr. Robert A. Powell E. E Rockafellow Saeed A. Shaikh Dr. Noel Shammas

Ken Simpson Jerry Sitbon Eric Sung Donald P. Szymanski Parker M. Tabor Peter Tampas Chuck Tinney Katherine l. Usik

Domingo Uy Richard J. Walters Larry]. Wheeler Julian Wilson Syd R. Wilson Jean Younes Charles E. Yunghans Ulrich E. Zeisler

de la Comunidad del Estado del Nores:«

~ lesa de San Diego Universidad de Mercer Tektronix Inc.

lnstiuuo

Instituto

DeKalb ITT

APPLIED :--'!ATERlALS, INC. Texas Instruments Inc.

de la Comunidad del Are" de Harrisburg de la Comunidad de Virginia del Norte Tecnolcgico Vocacional de Indiana

lnstituto Tccnologico del Fstado de Nashville

de la Comunidad del Valle Hudson Universidad del Oeste de Ontario Universidad del Fstado del Suroeste Institute 'lecnologico-Vocacional L H. Bates ColeglO del Estado de Bismarck

Universidad de Glamorgan

Colcgio de la Comunidad de Oakland lnstuuto de Tecnologia del Sur de Alberta Colegio de la Comunidad de Miami-Dade Escuela de lngeniena

Colegio de Tecnologia del Estado Stark Colegio de la Comunidad de Queensborough Computronics Technology Inc

Colegio Tecnico Owens

Colegio T ecnico de Greenville

Univcrsidad Tecnolcgica de Michigan Univcrsidad de Utah

Colegio Mohawk de Artes y Tecnologias Aplicadas Universidad de Hampton

Institute de Tecnologia DeVry

PSE&:G Nuclear

Colegio de Tecnologia del Sur Motorola Inc.

lnstituto Tecnico ITT

Universidad del Oeste de Washington Colegio de la comunidad de Salt Lake

Agradecernos a las siguientes personas par su ayuda en el proceso de revision de esta octava cdicion:

Joseph Booker Charles E Bunting Mauro]. Caputi Kevin Ford David Krispinsky William Mad, John Sherrick

xii

Agradecimientos

lnstituto de Tecnologta DeVry Old Dominion University Universidad Hofstra

Colegio de la Comunidad de Alvin lnstituto de Tecnologia de Rochester

Colegio de la Comunidad del Area de Harrisburg Instituto de Tecnologia de Rochester

Contenido

PREFACIO

vii

AGRADECIMIENTOS

xi

1

DIODOS SEMICONDUCTORES

1

1.1 1.2 1.3 1.4 1.5 1.6 1.7 1.8 1.9 1.10 l.I1 1.12 1.13 1.14 l.15 1.16 1.17 1.18 l.I9

Intrcduccion 1 EI diodo ideal!

Materiales semiconductores 3 Niveles de energia 6

Materiales extrfnsccos: tipo n y tipo p 7 Diodo semiconductor lO

Mathcad 17

Niveles de resistencia 20

Circuitos equivalentes para diodos 26 Hojas de especificaciones de diodos 29 Capacitancia de transicion y de difusion 33 Tiempo de recuperacion inverso 34 Notacion de diodes semiconductores 34 Prueba de diodos 35

Diodos Zener 37

Diodos emisores de luz (LEDs) 40 Arreglos de diodes: circuitos integrados 45 Resumen 46

Analisis por cornputadora 47

2

APLICACIONES DE DIODOS

55

2.1

Introduccion 55

2.2 Analisis por medio de la recta de carga 56

2.3 Aproxirnaciones de diodos 62

xiii

xiv

6 POLARIZACION DEL FET 289
6.1 Introducci6n 289
6.2 Configuraci6n de polarizacion fija 290.
6.3 Configuraci6n de autopolarizaci6n 294
6.4 Polarizacion.por divisor de voltaje 30.1
6.5 MOSFETs de tipodecrernentalBfl?
6.6 MOSFETs de tipo incremental 311
6.7 Tabla de resumen 317
6.8 Redes combinadas 319
6.9 Disefio 322
6.10. Localizacion de fallas 324
6.11 FETs de canal-p 325
6.12 Curva universal de polarizacion para JFET 328
6.13 Aplicaciones practicas 331
6.14 Resumen 343
6.15 Analisis por cornputadora 344 24 2.5 2.6 27 2.8 2:9 2.10. 2.11 2.12 2.13 2.14 2.15

i

Configuracioncs de diodos en scrie con cntr adas de 64 Configuraciones en paralelo y en serie-paralelo 69 Cornpuertas AND(OR 72

Entradas senoidales; rectificacion de media onda 74 Rectificacionde onda cornpleta 77

Recortadores 81

Cambiadores de nivel 88

Diodos Zener 92

Circuitos multiplicadores de voltaje 98 Aplicaciones practicas 10.0.

Resumen 112


3

TRANSISTORES BIPOLARES DE UNION

131

3.1 Introduccion 131

3.2 Construcci6n del transistor 132

3.3 Operacion del transistor 132

3.4 Configuraci6n de base comun 134

3.5 Acei6n amplificadora del transistor 138

3.6 Configuracion de emisor corrnin 139

3.7 Configuracion de colector cornun 146

3.8 Lfrnites de operacion 147

3.9 Hoja de especificaciones de transistores 149

3 .. 10. Verificacion.dc transistores 153

. .

3.11 Encapsulado de transistores e identificacion de terminales 155

3.12 Resumen 156

3.13 Analisis por computadora 158

4

POLARIZACION DE DC PARA B]Ts

163

4.1 4.2 4.3 4.4 4.5 4.6 4.7 4.8 4.9 4.10 4.11 4.12 4.13 4.14 4.15

Introducci6n 163

Punto de operaci6n 164

Circuito de polarizacion fija 166

Circuito de polarizacion estabilizado en emisor Polarizaci6n por divisor de voltaje 177 Polarizaci6n de con rctroalimentaci6n de voltaje Diversas configuraciones de polarizacion 189 Operaciones de disefio 195

Redes de conrnutacion Con transistores 20.1 Tecnicas para localizacion de fallas 20.6 Transistores PNP 20.9

Estabilizaci6n de la polarizaci6n 210 Aplicaciones practicas 220.

Resumen 228

Analisis por computadora 231

173
186 7
7.1
7.2
7.3
7.4
7.5
7.6
7.7
7.8 Contenido

5

TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO

5.1 5.2. 5.3 5.4 5.5 5.6 5.7 5.8 5.9 5.10.

Introducci6n 245

Construccion y caracteristicas de los JFETs 246 Caracteristicas de transferencia 253

Hojas de especificaciones (JFETs) 259 Instrurncntacion 261

Relacioncs importantes 262

MOSFET de tipo decrernental 263

MOSFET de tipo incremental 269

Manejo del MOSFET 276

VMOS277

5.11 CMOS 278

5.12 5.13 5.14

Tabla de resumen 280. Resumen 281

Analisis por computadora 282

MODELA]E DE TRANSISTORES BIPOLARES

Introducci6n 355

Amplificaci6nen el dominiode ac 355 Modelaje de transistores bipolares 356

Los parametres importantes: Z, Zoo Av Y Ai 358 EI modelo r, del transistor 364

Modelo hibrido equivalente 371

Determinaci6n grafica de los paramerros-s 377 Variaciones de los parametres del transistor 381

245

355

Contenido

xv

xvi

8

ANAl1SIS A PEQUENA SENAL DEL TRANSISTOR BIPOLAR

8.1 8.2 8.3 8.4 8.5 8.6 8.7 8.8 8.9 810 8.11 8.12 8.13 8.14 8.15

Introduccion 389

Configuracion de polarizacion fija con ernisor corniin 389 Polarizacion por divisor de voltaje 393

Configur acion de polarizacicn en emisor para emisor cormin 396 Coofiguracion de ernisor-scguidcr 404

Configuracion de base cormin 409

Configuracion de retroalirnentacion ell colector 411 Configuracion de retroalimentacion de de en colector 417 Circuito equivalente hfbrido aproximado 420

Modelo equivalente hibrido completo 426

Tabla de resumen 433

Localization de fallas 433

Aplicaciones practices 436

Resumen 444


9

ANAlISIS A PEQUENA SENAL PARA FET

9.1 9.2 9.3 9.4 9.5 9.6 9.7 9.8 9.9 9.10 9.11 9.12 9.13 9.14 9.15 9.16 9.17

Introduccion 461

Modele de pequefia serial para el FET 462

Configuracion de polarizacion fija para el JFET 469 Configuracion de autopolarizacion para el JFET 472 Configuraci6n de divisor de voltaje para el JFET 479 Configurucionfucnte-seguidor (drenaje cormin) para el JFET 480 Configuracion de compuerta comunpara el JFET 483

MOSFETs de tipo decrcmental 487

MOSFETs de tipo incremental 489

Configuracion de retroalimcntacion en drenaje para el E-MOSFET 490 Configuraci6n de divisor de voltaje para E-MOSFET 493

Disefio de redes de amplificador FET 494

Tabla de resumen 497

Localizacion de fallas 500

Aplicaciones practicas 500

Resumen 510


10

APLICACION DE SISTEMAS:

EFECTOS DE Rs Y RL

10.1 Introdueci6n 525

10.2 Sistemas de dos puertos 525

10.3 Efecto de una impedaneia de carga (RL) 527

10.4 Efecto de la impedancia de la fuente (R,) 532

10.5 Efecto cornbinado de s, Y RL 534

10.6 Redes BJT de ernisor cornun 536

10.7 Redes ernisor-seguidor de BJT 542

10.8 Redcs BJT de base comiin 545

Contenido

389

10.9 Redes FET 547

10.10 Tabla de resumen 550

10.11 Sistemas en cascada 554

10.12 Resumen 555

10.13 Analisis por eomputaclora 557

11 RESPUESTA A LA FRECUENCIA DE TRANSISTORES B]T Y]FET

569

461

II I Introduccion 569

11.2 Logaritmos 569

11.3 Decibeles 573

11.4 Consideraciones generales sobre Ia frecuencia 576

11.5 Analisis de baja freeuencia: Grafica de Bode 579

11.6 Rcspuesta a baja frecuencia: Amplificador BJT 586

1.7 Respuesta a baja frecuencia: Amplificador FET 594

11.8 Capacitancia de efecto Miller 600

11.9 Respucsta a alta frecuencia: Amplificador BJT 602

11.1 0 Respuesta a alta frccuencia: Amplificador PET 609

11.11 Efectos de frecuencia en multietapas 613

11.12 Prueba de onda cuadrada 615

11.13 Resumen 617

11.14 Analisis por eomputadora 620

12 CONFIGURACIONES COMPUESTAS

627


12.2 Conexion en cascada 627

12.3 Conexi6n cascode 632

12.4 Conexion Darlington 633

12.5 Par de retroalimentacion 638

12.6 Circuito CMOS 642

12.7 Circuitos de fuente de corricnte 644

12.8 Circuitos de espejo de corriente 646

12.9 Circuito amplifieador difcrencial 649

12.10 Circuitos amplificadores diferenciales BIFET, BIMOS y CMOS

12.11 Resumen 658

12.12 Analisis por cornputadora 660

657

525

13· AMPLIFICADORES ·OPERACIONALES

675

13.1 Introdueci6n 675

13.2 Operacion en modo diferencial y en modo cormin 677

13.3 Fundamentos del amplificador operacional 681

13.4 Circuitos practices con amplificadores operacionales 685

13.5 Espeeificaciones del amplificador operaeional:

Parametres de desvfo de de 691

13.6 Especificaciones del amplificador operacional: parametres de freeuencia 694

Contenido

xvii

13.7 Especificacioncs para el arnplificador operacional npico 698

! 3.8 Resumen 704


14 APLICACIONES DEL AMPLIFICADOR OPERACIONAL

14. I Multiplicador de ganancia constante 715

14.2 Sumador de voltaje 719

14.3 Acoplador de voltaje 722

14.4 Fuentes eontroladas 723

14.5 Circuitos de instrumentacion 725

14.6 Filtros activos 729

14.7 Resumen 733


15 AMPLIFICADORES DE POTENCIA

IS. I Introduccion: definiciones y tipos de amplificadores 747

15.2 Amplificador Clase A alirnentado en serie 749

15.3 Amplificador Clase A acoplado por transformador 754

15.4 Operaci6n del amplificador Clase B 761

15.5 Circuitos amplificadores Clase B 765

15.6 Distorsion del.amplificador 772

15.7 Disipacion de calor del transistor de potencia 776

15.8 Amplificadores Clase Cy Clase D780

15.9 Resumen 782

15.10 Analisis por eomputadora 784

16

CIRCUITOS INTEGRADOS CIs LINEALES DIGITALES


16.2 Operaci6n del comparador 791

16.3 Convertidores digitales-anal6gicos 798

16.4 Operaci6n de la unidad ternporizadora de C1 802

16.5 Oscilador controlado por voltaje 805

16.6 Lazo de seguimiento de fase 808

16.7 Cireuitos de interfase 812

16.8 Resumen 815


17

RETROALIMENTACION Y CIRCUITOS OSCILADORES

17. I Conceptos de retroalimentacion 821

17.2 Tipos de conexi6n de retroalimentacion 822

xviii

Contenido

17.3 Circuitos practicos de retroalimentaci6n 828

17.4 Amplificador eon retroalimentacion: consideraciones de fase y frecuencia

n.s Operaci6n de! oscilador 837

17.6 Oscilador de corrimiento de fase 839

17.7 Oscilador de puente Wien842

17.8 Circuito oscilador sintonizado 843

17.9 Oscilador de cristal 846

17.10 Oscilador monounion 850

17.11 Resumen 852


715

18

FUENTES DE ALIMENTACION (REGULADORES DE VOLTAJE)

747


18.2 Consideraciones generales de los filtros 859

18.3 Filtro de capacitor 862

18.4 Filtros RC 865

18.5 Regulacion de voltaje con transistor discreto 868

18.6 Reguladores de voltaje de C1 875

18.7 Aplicaciones practicas 880

18.8 Resumen 883


19 OTROS DISPOSITIVOS DE DOS TERMINALES

791


19.2 Diodos de barrera Schottky (portadores calientes) 889

19.3 Diodos varactores (varicap) 892

19.4 Diodos de potencia 897

19.5 Diodos ninel 898

19.6 Fotodiodos 902

19.7 Celdas fotoconductoras 906

19.8 Emisores IR (infrarrojos) 908

19.9 Pantallas de cristallfquido 909

19.10 Celdas solares 912

19.11 Termistores 916

19.12 Resumen 918

20 DISPOSITIVOS pnpn Y OTROS

821


20.2 Rectificador controlado de silicio 923

20.3 Operaci6n basica del rectificador controlado de silieio 923

20.4 Caracteristicas y valores nominales del SCR 925

20.5 Construcci6n e identificacion de terminales del SCR 927

20.6 Aplicaciones del SCR 928

835

859

889

923

Contenido

xix

~0.7 20.8 20.9 20.10 zo.u 20.12 20.13 20.14 20.15 20.16 20.17

Inrerruptor controlado de silicio 932 Interrupter controlado en cornpuerta 934 SCR activado por luz.935

Diodo Shockley 937

DIAC 938

TRIAC 940

Transistor monounion 941 Fototransistores 950 Optoaisladores 952

Transistor monouni6n prograrnable 955 Resumen 960

21 EL OSCILOSCOPIO Y OTROS INSTRUMENTOS DE MEDICION

21.t Introducci6n 965

21.2 Tubo de rayos cat6dicos: teorfa y construccion 965

21.3 Operaei6n del osciloscopio de rayos eat6dicos 966

21.4 Operaei6n de barrido de voltaje 967

21.5 Sincronizacion y disparo 970

21.6 Operaei6n de multitrazo 974

21.7 Mediei6n mediante esealas ealibradas del CRO 974

21.8 Caracterfsticas espeeiales del CRO 979

21.9 Generadores de sefial 980


APENDICES

A FABRICACION DE LOS CIRCUITOS INTEGRADOS QUE MUEVEN AL MUNDO

B PARAMETROS HiBRIDOS: ECUACIONES DE CONVERSION (EXACTAS

Y APROXIMADAS)

C CALCULOS DEL VOLTAJE Y DEL FACTOR DE RIZO

D TAB LAS

E SOLUCIONES A PROBLEMAS NONES SELECCIONADOS

INDICE

xx

Contenido

965

984

996

998

1005

1007

1013

Diodos semiconductores

CAPITULO

1.1 INTRODUCCION

EI 23 de diciembre de 1947, haee ya mas de 50 aiios, se desarrollo el primer transistor. Para aquellos de nosotros que vivimos la evoluei6n de los tubos de vacfo haeia la era del estado solido, parecieran s610 unos euantos afios. La primera edici6n de este texto con tenia una amplia cobertura sobre los tubos de vacfo, y para edieiones posteriores se tuvo que tornar la decision entre el nivel de cobertura dedicado a los tubos y el dedicado a los dispositivos semiconductores. En este momento ya no es valido siquiera meneionar los tubos de vacio ni mostrar las ventajas de uno sobre el otro, ya que estamos situados firmemente en la era del estado solido.

La miniaturizacion de los componentes que se ha originado, abre cucstionamicntos acerca de hasta d6nde llegaran sus !fmites. Ahora es posible encontrar sistemas completos sobre obleas de silicioque son miles de veces maspequefias comparadas con un solo elemento de los primeros sistemas. Los circuitos integrados (CI) de hoy, cuentan con mas de 10 millones de transistores en un area no mayor a la una de un pulgar. * Cad a .semana surgen disefios y sistemas nuevos, Para el ingeniero esto implica una limitaci6n en cuanto a su conocimiento sobre la amplia garna de avances teenol6gieos; simplemente poder mantenerse aetualizado sobre los cambios en un area de investigaci6n 0 desarrollo ya es de por si eomplicado. Adernas, hemos llegado a un punto en el que el objetivo primario del eneapsulado de un eomponente es el de servir s610 como un medio para manipular el dispositivo 0 sistema y para pro veer un mecanisrno que perrnita acoplarlo al resto del sistema 0 red. La miniaturizaei6n parece estar lirnitada por tres faetores (los cuales revisarcmos durante el texto): la calidad del propio material semiconductor, la tecnica del disefio de la red y las limitaeiones en el equipo de manufactura y proeesamiento.

1.2 DIODO IDEAL

EI primer dispositivo clectronico que revisaremos se denomina diodo, el mas simple de los dispositivos semiconductores, pero con un papel fundamental para los sistemas electronicos ya que cuenta con caracteristicas que 10 asemejan a un interruptor sencillo. Lo encontramos en una amplia gama de us os y aplicaciones desde las mas simples hasta las mas compJejas. Adernas de prcsentar los detalles aeerea de su fabricaci6n y de sus earacteristieas, presentaremos los datos y las .graficas relevantes que se encuentran en las hojas de espeeifieaeiones para asegurar la comprension dela terrninologfa utilizaday para demostrar la abnndanciadeinformacion disponible proporcionada por losfabricantes.

EI termino ideal se empleara de manera frecuente en este texto a medida que nuevos dispositivos se vayan presentando, y se refiere a cualquier dispositivo 0 sistema que posea caracteristicas ideales, es decir, perfectas en cualquier sentido. Esto sirve como base para comparacioncs y muestra d6nde es todavfa posible realizar mejoras. EI diodo ideal es un dispositive de das

"Si el tiempo 10 permite, lea el Apendice A, "Fabricacion de los Circuitos Integrados que Mueven al Mundo."

+ VD
0 .,,1 0
--
10
Ca) + In

t..-.~ J 10+

o Va

(b)

Figura 1.1 Diodo Ideal Ca) simbolo; (b) caractertsticas.

1

terminates que se representa por el sfrnbolo y posee las caracterfsticas que se muestran en las figuras 1.1 a y l.I b, respecrivumente.

De forma ideal, un diodo conducira corriente en la direccion definida por latlecha que se muestra en el sfrnbolo y actuara como un circuito abierto ante cualquier intento por establecer corriente en la direccion opuesta. En esencia:

Las caractcristicas de !ill dioda ideal SOil las mismas que las de un intcrmptor que s610 pcrmite la condu(cion de corricnte en rlna sola direcci61L

Para Ia descripcion de los elementos siguienres, es rnuy importante definir los distintos simbolos de letras, pularidades de voltaje y direcciones de corriente, Si la polaridad del voltaje aplicado es consistente con las caracterfsticas que se muestran en la figura l.I a. deberan considerarse las particularidades de la parte derecha de! eje vertical del plano de Ia figura 1.1 b. Si el voltaje aplicado se invierte, las caractenstk-as pertinentes seran las de la parte izquierda. Si la corriente a [raves del diodo presenta la dircccirin indicada en 13 figura 1.I a, la parte de las caracterfsticas a considcrarse son las que se encuentran en la parte superior del eje horizontal, mientras que una direccicn inversa de la corriente requiere utilizar las caractensticas que se encuentran en Ia parte inferior de este eje. Para la mayorfa de las caracterfsticas de los dispositivos presentados en este libro, el eje de las ordenadas (0 eje "y") sera el eje de In corrientv mientras que el eje de las abscisas (0 eje "x"] sera el eje del volta]e.

Uno de los parametres importantes de un diodo es la resistencia que presenta en el punto 0 region de operacion. Si consideramos la region de conduccion definida por la direccion de ID y la polaridad de VI) en la figura l.Ia (cuadrante superior derecho de la figura I.Ib), verernos que el valor de la resistencia directa RF, queda definido por medio de la ley de Ohm como

Como se expreso anteriorrnente. el proposito principal de esta seccion es mostrar las caractensticas de un dispositive ideal en relacion con las caracterfsticas de las distintas variedades comerciales. A medida que avancernos a traves de las siguientes sccciones, mantenga presentes las siguientes preguntas:

'Que tan cereana .IeI'd la resistencia en polarizaci6n direeta a resistencia de "enecndido" de un diodo real en comparaci6n con el nivel deseado de 0 D?

~La resisteneia en polatizaci611 inversa .IeI'd 10 suficientemente grande como para pennitir una aproximaci6n a un circuito abierto?

cha del sfmbolo del diode, este se cncontrara operando en la region de conduccion como se estra en la fizura 1.3a. Si la corriente resultante ticne la direccion opuesta, como se muestra

mue, b '.' • • bl

en la figura 1.3b, sera apropiadcconsiderarlo elequivalente de un crrcuito a rerto.

(a)

-0 0---- ~

-- ID=()

IlJ

Figura 1.3 Fstados de

duccion y no conduce

un diode ideal deterrnmados seg(m la direccion de convencional que

(b)

ov

2 3 A I . I " =0 O!l (circuito cerrado)

, ,m , ... , 0 cua qUler va or POSltlVO

donde VF es el voltaje de polarizacion directa sobre el diodo e IF es la coniente a trave, del misrno.

Poria tanto, el diodo ideal representa lm circliito cerrado en la region de conducci61l. Considere la region donde se aplica potencial negative (tercer cu.adrante)de la figura 1.1 b,

VR -5, -20,0 cualquier potencial de polurlzacion inverxa

- = - '. = 00 n (circuito abierto)

4 OmA

1.3 MATERIALES SEMICONDUCTORES

La denominacion semiconductor advierte en sf misma sus caracterfsticas. EI prefijo semi es aplicado normalmente a un range de nivel entre dos lfmites.

El term ina conductor se aplieaa Ctlalquier material que permitI' un jlujoo gene1'Oso de carga cuando una fuente de voltaje de magnitud limitaila se aphea a traves de sus tcrminales.

Un aislante a dielectrico es un material que presenta un nivel muy infaior ele condrlctividad wando se encuentra bajo la presion de una fuente de voltaje aplicada.

Un semiconductor, por 10 tanto, es un material que posee un nivel de conductividad que se localiza entre los extremos de un dielectrico y de un conductor.

Inversamente relacionado con la conductividad de un ma~erial, se encue~t~a la resistencia al flujo de carga 0 corriente, es decir, mientras ~ayor osea .el mve~ d.e .conductrvldad, l~~,~or sera el nivcl de rcsistcncia. En tablas de referencia, el terrruno resistividad (~, letra gnee:a rho) se utiliza muchas veces al comparar varios niveles de resistencia de materialcs '. En unidades metricas, la resistividad de un material se mide como D-em 0 como D-m. Las umdade~ i1:-em proceden de la sustitucion de las unidades par~ cada. cantidad de la figura 1.4 en la sigiuente ccuacion (derivada de la ecuacion basica de resistencia R = pi/A):

p = RA= (D)(em2) ~D-em

I cm

donde VR es el voltaje de polarizacion inversa sobre el diodo e IR es la corriente en el mismo.

Par 10 tanto, el diodo ideal representa un cirwito abierto en la regi6n de no conduecion. En resumen, aplican las condiciones rnostradas en la figura 1.2.

Vo t~--.JI~~I------<o -+- 0----

Circuito cerrado

~imitad{:.e~ If)

(1.1)

(a)

VD +

o----II~III-I---o -+-

0----. /C1fCUiroabiert~ -

'ID=O

(b)

De hecho, si el area de la figura 1.4 es de I cm2 y la longitud de. I .c~, la rnagnitud de la resistencia del cuba de la figura 1.4 sera igual a la rnagnitud de la resistividad del material como se demuestra a continuacion:

Figura 1.2 Estados de (a) conducci6n y (b) no conducci6n para un diodo ideal determinados segim la polarizaci6n aplicada.

En general, es relativamcnte fuci! determinar si el diodo se encuentra en la reaion de conduccion 0 en la de no conduccion mediante la simple observation de la direccion ck.la corriente ID que establece el voltaje aplicado. Para el caso del flujo convencional (opuesto al del flujo de elcctrones), si la corriente rcsultante del diodo tiene la rnisma direccion que la punta de fle-

l (1 em)

IRI = p A = P --2 = Iplohms (1 em )

Sera de utilidad recordar este hecho a medida que cornparernos los niveles de resistividad en las explicaciones siguientes.

2

Capitulo 1 Diodas semiconductores

1.3 Materiales serniconductores

R--~

Figura 1.4 Definicion de Lis unidadcs mctriras de b resistividad.

Figura 1.5 Estructura de monocristal del Ge y el SL

4

TABLA 1.1 Valores representativos de resistividad

•.. ;/cap", ~N\1cleO

+ • '.

.'~ Electrones

. v- en orbita

Si

Conductor

5rmlc'onducfor

Dlclectrico

D·cm

(J '" 50 fl·C~l (germanio)

o 50 x 10'; !l·ern (silicic)

p rs i 0" fl-cm (mica)

En la tabla 1.1 se muestran los valores representarivos de la resistividad para tres categonas amplias de materialcs. A pesar de que usted este farniliarizado con las propiedadcs electricas del cobre y de la mica gracias a sus estuclios anteriores, las caractensticas de los materiales semiconductores como el germanic (Ge) y el silicio (Si) podrian resultarle nuevas. Como us ted vera en los siguientes capfrulos, estes no son los iinicos dos materiales semiconductores, sin embargo, son los dos materiales que han recibido el grado mas arnplio de interes para el desarrollo de dispositivos semiconductores. En afios recientes se ha observado un desplazamiento hacia e1 siIicio, sin embargo, el germanic continua producicndose de forma modesta,

Observe en la tabla 1.1 el enorme rango de valor entre el material conductor y el dielecrrico para el caso del material con una longitud de I cm (con area de I crrr'). Son dicciocho lugares 10 que separa el lugar del punta decimal entre un mimero y el otro. Existcn numerosas razones que explican la atenci6n que han recibido el Ge y el Si, una considerncion especial es el hecho cle que pueclen ser fabricados hasta llegar a un grado de pureza muy alto. De hecho, avances recientes han reducido los niveles de impure/a en el material puro hasta de una parte por cada diez mil millones (I: I 0,000,000,000). Cualquiera podrfa preguntarse si es realmente nccesario un nivel tan bajo de impureza. Ciertamente sf 10 es, si se considera que la incorporacion de una parte de irnpureza (del tipo adecuado) por millen, en una oblea de silicio puede alterar este material para convertirlo de un conductor deficicnte de electricidad a un buen conductor cle ella. Obviamentc, cuanclo hablarnos del medio semiconductor estamos tratando con un espectro nuevo en cuanto a niveles de cornparacion. La habiliclad para transformar significativamente las caracterfsticas del material a traves de un proceso como este se conoce como "dopado' y esta es otra de las razones por la cual el Ge y e! Si han recibido mayor atencion. Otros motives incluyen el hechode que sus caracten s ticas pueden ser alteradas cle forma importante mediante la aplicacion de luz 0 de calor, 10 cual es una consideracion basica para el desarrollo de dispositives sensibles a la luz 0 al calor.

Algunas de las caracteristicas unicas del Ge y del Si, que se mencionaron antes, son el resultado de su estructura atornica. Los atornos de ambos materialcs organizan un patron bien definido que por naturaleza es periodico, es decir, se repite continuamcnte. Un patron completo se denomina cristal y el arreglo periodico de los atornos se denomina red, Para el caso del Ge y del Si, el cristal presenta la estructura tridimensional del diamante de la figura 1.5. Cualquier material compuesto unicamente de estructuras cristalinas repctidas del rnismo tipo se denomina estructura de monocristal. Los materiales scmiconductores de aplicacion practica en el campo de la electronica, poseen la caracteristica de ser monocristales y adernas se observa que In period icidad de su estructura no se altera mucho con la adici6n de impurezas en el proceso de clopaclo.

Ahora exarninernos la estructura del atomo y observemos c6mo este puecle afectar las caracterfsticas electricas del material. Como usted sabe, el atorno esta cornpuesto por tres particulas basicas: el electron, el proton y el neutron. En la red atomic a, los neutrones y protones forman el nucleo, mientras que los electrones giran alrededor del ruicleo en una orbita fija. Los model os de Bohr para los dos semiconductores mas utilizados, el germanio y el silicio, se muestran en la figura 1.6.

Como seindica en la figura L6il, el atorno del germanic contiene 32 electrones en orbita mientras que el silicio cuenta con 14 de ellos. En ambos casos, tenemos 4 electrones en la capa exterior (de valencia). EI potencial (potencial de ionizacion) que se requiere para sacar de Ia estructura a cualquicra de estos 4 electrones cle valencia es menor que el que se requiere para sacar a cualquier otro electron de la estructura. En el caso de un cristal puro de silicio 0 de germanio, estos cuatro electrones de valencia se encuentran enlazados con 4 atornos adyacentes como se muestra para el caso del silicio en la figura 1.7. Tanto el Ge como el Si se clenominan atomos tetravalenles porque cada uno de ellos mantiene cuatro electrones de valencia.

Una uni6n de atomos, reJorzado par electrones compartidos .Ie denomina enlace covalente.

.

Elcctroncs t-._. de valencia

(4 para cada uno}

Si

Si

Si

+

s:

(b)

Figura 1.6 Estructura atomica del (el) germanio; (b)

Figura 1.7 Enbce covalcnte pac" el aromo de

A pesar de que el enlace covalente asegura un v.fnculo fuer:e ent~e los electrones de valencia y su atorno, es posible que estos adquieran suficiente energia cmetrca d~ ongen natural p~fa poder romper el enlace y asumir un estado "libre", El ten;llno libre manifiesta que su movimiento sera muy sensible a la aplicacion de campos electricos como los que se generan por fuentes de voltaje 0 por cualquier diferencia de potencial. ,La~ ca~sas naturales mcIuyen efectos como la energfa luminosa en forma de fotones 0 energia termica que proviene ?eI ento~lO. A temperatura ambiente, existen cerca de 1.5 X 1010 portadores libres en un cennmetro ciibi-

co cle material intrinseco cle silicio.

Los materiales intrinsccos, son aquellos semiconductores que se han reJinado cuidadosamente can el objetivo de reducir las impttrezas hasta un nivei muy baja, tan puros como sea posible mediante la utilizaci6n de la tecnologfa modema.

En un material los electrones Iibres generados exclusivamente pOl' causas naturales se denominan portadore~ intrinsecos. A esta misma temperatura, el ma,terial int~f~seco de germa~l:o contienc aproximadamente 2.5 X 1O!3 portadores libres pO,r ,c~ntlmetro CUbICO. L~ proporcion cle portadores Iibrcs en el germanio cornparada con la del 8111clO es mayor que 10 ,10 que ~odrfa indicar que el gcrmanio es mejor conductor a temperatura a~1blente. Esto puede s~r Clefto, sin embargo ambos matcriales se consideran conductores deficientes ~~ estado mtnnseco. Observe en la tabla 1.1 que la resistividad tarnbien dificre en una proporc,lon de 1000: I y ~u.e para el silicio es mayor. Por supuesto que asi dcberia ser ya que la resistividad y la conductividad se encuentran inversamente relacionadas.

Un incremento en la temperatllra de un semiconductor puede ocasionar un incremento suswncial en el numero de e!ectrones /ibres en e! material.

A medida que la temperatura se eleva dcsde el cero absoluto (0 K), un mirnero mayor de electroncs de valencia absorbe energfa termica suficiente para romper el enlace c~valente y volverse parte del numero de portadores libres como se describio anteriormente. EI lIlcreme.nto en el mimero cleportaclores incrementa el indice de concluctivicladcon 10 que ocasiona un myel de

rcsistencia menor,

Materiales semiconductores wnw el Ge y eI Si que presentan una reducci6n ell la resistencia wando se incrementa la temperatura se dice que tienen un weficiente de temperatura negatlvo.

Probablemente usted recuerde que la resistencia de la mayorfa de los conductores se incre-

menta con la temperatura. Esto se debe al hecho de que el ruimero de portadores en un ,conductor no se incrementa de forma importante con la temperatura y, por otro Indo, su patron de VIbracion con respecto a una posicion fija dificulta cada ~ez mas el paso de los :Iectrones. p~: 10 tanto, un incremento en la temperatura ocasionani un mvel mayor de resistencla y un coejiuell·

Ie de temperatura positivo,

Capitulo I DiocIos serniconcIuctores

1.3 Materiales semiconductores

5

Figura 1.8 Nivcles de cnergra: (a) nivelcs discretos en csrructuras atomicas aisladas; (b) bandas de conduccion y de valencia para un dielectrico, un semiconductor y un conductor.

6

1.4 NIVELES DE ENERGlA

En la estructura atomics aisladaexisten niveles discretos de energia (individuales) asociados con cada electron que orbita, como se rnuestra en la figura L8a. De hccho, cada material tendril su propio conjunto permitido de niveles de energfa para los electrones en su estructuraatomica,

Micntras mas distantc Sf rncacntrc el clcw'on del mlc!eo. mayor sen! SH fstado de cHcrgia. A.dnnas. cualquier elcctnin que lwya abandon ado a su dtomo tendra WI fstado de ellergia mayor que cualqttier electron dentro de la [structum atomiw.

Nivel de valencia (capa external

Segundo nivel tsiguiente capa interne)

Tercer nivel (etcetera)

t Niicleo

(a)

Energfa

Energfa

Encrgju

Electrones "libres'' para

establecer

1 conduccion c, Banda de conduccion

--... . .

Banda de conducci6n

Las bandas Banda de conducci6n se traslapan "'-. • • •

.'

£j"> 5 eV I /E1ectrones...... •

r-."':"" .-_.-_."7fV ~~:~~~1C\~ Banda de valencia

Banda de valencia estructura

Banda de valencia

•

•

•

atomica

Dielcctrico

e, = 1.1 eV (Si)

Eg = 0.67 eV (Ge) Eg = 1.41 eV (GaAs)

Semiconductor

Conductor

(b)

Entre los niveles de energfa discretos existen bandas de energia vacfas, brechas, en las que ningun electron en la estructura atomica aislada puede permanecer. A medida que los atom os de un material seunen para formal' la red de estructuracristalina, existira unaiuteracciou entre los atomos, que tiene como efecto que los electrones de una orbita particular de un .aromo tengan niveles de energia llgeramcnte difercntes delos elcctrones de un atomo adyacenteen la misma orbita. EI resultado neto sera un incremento de los niveles discretos de los estados de energfa posibles de los electrones de valencia hacia las bandas, como se muestra en In fi aura 1.8b. Observe que existen niveles y estados de energfa maxima en los que se puede encontrar cualquier electron de la red atomica, ademas hay una region prohibida entre la banda de valencia y el nivel de ionizacion, Recuerde que la ionizacion es el mecanismo por medio del cual un electron puede absorber energia suficiente para escapar de la estructura atomica e ingresar a la banda de conduccion. Observe que la energia asociada a cada electron se mide en electron volts (eV). La unidad de medida es apropiada, ya que

Capitulo 1 Diodos semiconductorcs

W == QV

eV

(U)

W / Q. La carga Q es la carga asocia-

como se deriva dela ecuacion que define al voltaje da can un solo electron.

Al sustituir la carga de un electron y una diferencia de potencial de I volt en la ecuacion 1.2 tendrernos como rcsultado un nivel de encrgia refcrido como un electron volt. Dado que la energia rambien se expresa en joules y que la carga de un electron 1.6 X 10 - 19 coulomb,

W = QV = (1.6 X 10-19 C)(I V)

y

(1.3)

A una temperatura de 0 K 0 cero absoluto (-273.15°C), todos los electrones de valencia de un material semiconductor se encontraran inmovilizados en la capa extern a del atorno que cuente con niveles de cnergfa asociados con 13 banda de valencia de la figura I.Sb. Sin embargo. a temperatura ambiente (300 K, 25°C) un gran ruimero de electrones de valencia habran adquirido energfa suficiente para abandoner la banda de valencia. cruzar la banda de energfa vacia definida por E8 en la figura 1.8b, e ingresar en la banda de conduccion, Para el caso del silicio E~ es igual a 1.1 e V, para el gcrmanio es igual a 0.67 e V y para el arseniuro de galio 1.41 eV El bajo nivel evidente de Eg para el germanio se debe al alto mirnero de portadores en ese material en comparacion conel del silicio a temperatura ambiente. Observe que para el aislante la banda de cncrgfa vacia es por 10 general de 5 e V 0 111<1S, 10 que limita estrictamente el nilmero de electrones que pueden ingresar en la banda de conduccion a temperatura arnbiente. El conductor mantiene electrones en la banda de conduccion, incluso a los 0 K. Por tanto, para este caso, es evidente que a temperatura ambiente existiran portadores libres, mas que suflcientes, para sostener un flujo fuerte de carga 0 de corriente.

En la seccion 1.5 veremos que si ciertas impurezas se aiiaden a los rnateriales serniconduc .. tores intrinsecos, apareceran estados de energia en las bandas prohibidas que provocaranuna reduccion neta de E; para arnbosrnateriales semiconductores =-por consiguiente, [unadensidad elevada de portadores en la banda cle conduccion a temperatura ambiente!

1.5 MATERIALES EXTRINSECOS:

TIPO n Y TIPO P

Las caractcrfsticas de los materiales semiconductores pueclen alterarse de manera importante mediante la adicion de ciertos atornos de impureza al material semiconductor practicamente puroo A pesar de que estas impurezas se afiaden en proporcion de una parte pOI' cada 10 millones, pueden alterar la estructura de band as 10 suficiente como para modificar las propiedades electricas del material por complcto,

Un material extrmscco es un material semiconductor que se ha sujetado a un proceso de dopaje.

Existen dos materiales extrinsecos de importancia incalculable para la fabricacion de dispositivos semiconductores: el tipo n y el tipo p, Se describiran con detalle cada uno de ellos en los parrafos siguientes,

Material tipo n

Tanto los materiales tipo n como los tipo p se forman cuando se afiade un mimero predetermirudo de atornos de impureza a una base de germanio 0 de silicio. El material tipo II se crea al introducir elementos impuros que cuentan con cinco electrones de valencia (pentavalentes) como es el caso del antimonio, el arsenico 0 el/o;/oro. En la figura 1.9 se muestra el efecto de tales elementos de impureza (al utilizar al antimonic como elernento de impureza sobre una base de silicio). Advierta que los cuatro enlaces covalentes permanecen presentes; sin embargo, existe un quinto electron adicional que proviene del atorno de impureza, cl cual se encuentra disociado de cualquier enlace covalente particular. Este electron sobrante, que tiene lin enlace debil con su atomo (cl antimonic). se encucntra relativamente libre para moverse dentro del rna-

1.5 Mareriales extrinsecos: ti 0 p ti 0 n

7

S\

Si

Si

Material tipo p

El material tipo p se forma mediante el dopadode un cristal puro de germanio 0 de silicio con atornos de impurezaque cuenten can Ires electrones de valencia. Los elementos que se utilizan de forma mas frecuente para esteproposito son: el boro,el galio y el indio. En la figure UI se muestra el efecto de uno de estes elementos, el boro, sobre una base de silicic.

antimonic.

Si

Sb

5i

.5i 5i .5i
Si 5i Si
Figura 1.9 lrnpurcza de
ar.tirnonio en un material
de tipo 11. Si B s: terial tipo n recien formado. Dado que el atorno de impureza que .Ie inserro, cedio un electron relativarncnte "Iibre" a la estructura:

Si

5i

Si

Las impurezas dijundidas que ClIentan con cinco electrones de valencia se denominan dtomas donores.

Es importante distinguir que aunque se ha establecido un gran ruimero de portadores "libres" en el material de tipo n, este permanece con carga electrica neutral; debido a que, de manera ideal, el niimero de protones con carga positiva que se encuentra en el nucleo sigue siendo igual al niimero de electrones "libres'' con carga negativa en la estructura.

EI efecto de este proceso de dopajeen la conductividad relativa puede describirsc mejor mediante el uso del diagrama de bandas de energfa de la figura 1.10. Observe que surge unniveldiscreto de energfa (llamado nlvel dOllor) en la bandaprohibida con un Eg mucho menor que el del material intrfnseco, Los electrones "lib res", que resultan de la adicion de las impurezas, se asientan en este nivel de energfa y tendran rnenor dificultud para absorber una cantidad suficiente de energfa termica para moverse hacia adentro de la banda de conduccion a temperatura arnbiente. EI resultado de todo esto es que, a temperatura arnbiente, existira un mirnero mayor de portadores (electrones) en el nivel de conduccion por 10 que la conductividad del material se incremcntani de forma significativa. A temperatura ambiente en un material intrfnseco como el Si existe cerca de un electr6n libre por cada 1012 atornos (I a 109 para el case del Ge). Si nuestro grado de dosificacion de irnpurezas fuera de I en 10 millones (107). la razon (1012/107 = 105) indicaria que la conccntracion de portadores se ha incrementado en una proporcion de 100,000: 1.

Figura 1,11 Impureza de bora en un material tipo p.

Observe que ahora existe un ruimero insuficiente de electrones para completar los enlaces covalentes de la red recien formada. La vacante resultante se llama hueco y se representa por medio de un cfrculo pequefio 0 de un signo positive que sc debe a la ausencia de una carga negativa. Dado que In vacante resultante aceptard facilrnente un eleetr6n libre:

Las impllrezas dijundidas que cllwtan (on tres electrones de valencia Sf denominan atomos aceptores.

El material resultante de tipo pes elecuicamente neutro, par las mismas razones descritas para el material de tipo n.

Flujo de electrones versus flujo de huecos

EI efecto del hueco sobre la conductividad se muestra en la figura 1.12. Si un electron de valencia adquiere suficiente energfa cinetica para romper su enlace covalente y llena el vacfo cr,eado por un hueco, entonces. una vacante 0 hueco se creara en el enlace covalente que libero al electron. Por 10 tanto, existira una transferencia de huecos hacia la izquierda y de electrones hacia la derccha, como se muestra en la figura 1,12. La direccion que se utilizara en este texto es la delflujo convencional, la cual se indica por la direcci6n del flujo de huecos.

Eg= 0.05 eV (Si), 0.01 eV COe) Nivel de energfa donor

---7 -

Si

Sf

Bnergfa

Figura 1.10 Efccto de impurezas donadoras sobre la cstructura de las bandas de energta.

Flujo de huecos

Figura l.ll Flujo de electrones versu: flujo de huecos.

Flujo de electrones

8

Capitulo 1 Diodes semi conduct ores

1.5 Materiales extrfnsecos: tipo n y tipo p

9

Portadores mayoritarios y minoritarios

En el esrado intrinseco, el mimero de electrones libres en el Ge 0 en el Si se debe iinicamente a los pocos.electrones en la banda de valencia que adquirieronenergia de fuentes terrnicas 0 luminosas suficiente para romper el enlace covalente, 0 a lasescasas irnpurezas que nose pudicron eliminar. Las vacantes que se dejaron atras en la estructura de enlace covalcnte representan nuestro limitado sunurustrn de huecos, En un material de tipo 11, el ruirnero de huecos no ha cambiado de forma importante desde este nivel intrfnseco. EI resultado total, por 10 tanto, sen! que el ruimero de electrones ex cede por mucho al ruirnero de huecos. Por esta razon:

Ell WI material de [ipo 11 (figum 1.13a) el electron Sf denomina pot'rador mayoritario y el hueco, portador minoritario.

Para el material tipo p, el mimero de huecos sobrepasa par mucho al rnirnero de electrones como se muestra en la figura !.! 3b. Por 10 tanto:

En un m~terial de tipo p el hueco es d portador mayoritario y el elcctr6n es el portador nunontano.

Cuando el quinto electron de un atomo donor abandon a a su atomo, el atomo restante adquiere una carga neta positiva: de aquf el signo positive en la representacion ion donor. Por razones similares, aparece el signo negativo en el i611 aceptor.

Los m~teriales t.ipo n y tipo p representan los componentes basicos de construccion para los dispositivos semiconductores, En la siguiente seccion verernos que la "union" de un material ~ipo n ~on un material ti~o p tiene como resultado un elemento semiconductor de irnportancia considerable para los sistemas electr6nicos.

lones donores
$ - $ Portadores
- mayoritarios
+
$ $
® $
+ ffi Portador Portadores
-$ ® minoritario Tipon

Tipop (b)

Portador minoritario

(a)

Figura 1.13 (a) material tipo n; (b) material tipo p.

l.6 DIOnO SEMICONDUCTOR

En la secci6n 1.5 se presentaron los materiales tipo n y tipo p. EI diodo semiconductor se forma al unir estos materiales (construidos a partir de la misrna base: Ge 0 Si), como se muestra en la figura 1.14, mediante la aplicacion de tecnicas que se describiran en el capitulo 19. En el momento en que los dos materiales se "unan", los electrones y los huecos en la region de uni6n se cornbinaran, y como consecuencia se originara una carencia de portadores en la region cercana a la union.

Esta region de iones positivos y Ilegativos descubiertos se denomina regi6n de agotamiento debido a la disminuci6n de portadores en ella.

Ya q~e el diodo es un disP?s.it.ivo de dos terminales, la aplicacion de un voltaje a traves de sus terrninales ofrece tres posibilidades: sin polarizacion (VD = 0 V), polariraci/m directa (V D > 0 V), y pola;izaci6n inversa (V D < 0 V). Cada posibilidad es una condicion que implica una respuesta, esta se debe entender cluramente por el usuario si es que se desea aplicar el dispositive de manera efectiva.

10


Figura 1.14 Union p-n SIn polanzacton externa.

+

~-

~mA

'-------<l + Vn=OV

(Sin polarization)

Sin aplicacion de polarizacion (YD == 0 V)

Bajo condiciones sin polarizacion (sin un voltaje aplicado), cualquier portador minoritario (hueco) en el material tipo n que se encuentre dentro de la region de agotamiento fluira directamente hacia el material tipo p. Mientras mas cercano se encuentre el portador minoritario a la union, mayor sera la atraccion hacia la capa de iones negativos y menor la oposicion de los iones positivos de la region de agotamiento del material tipo n. Con el proposito de servir para exposiciones futuras, tendremos que asumir que todos los portadares minoritarios del material tipo n que se encuentren en la region de agotamiento por causa de su movimiento aleatorio, fluiran directamente bacia el material tipo p. Una exposicion similar puede aplicarse para el caso de los portadores rninoritarios (electrones) de un material tipo p. Este flujo de portadores se indica en la figura 1.14 para los portadores minoritarios de cada material.

Los portadores mayoritarios (electrones) del material tipo n deben superar tanto a las fuerzas de atraccion de la capa de iones positivos de material tipo n como al escudo de iones negativos del material tipo p, para poder migrar al area del material tipo p que se encuentra mas alla de la region de agotamiento. Sin embargo, dado que el mimero de portadores mayoritarios es tan grande en el material tipo n, existira invariablemente un numero pequefio de portadores mayoritarios con suficiente energfa cinetica para pasar a traves de la region de agotamiento hacia cl material tipo p. Nuevamente el mismo razonamiento se apJica alos portadores mayoritarios (huecos) del material tipo p. El flujo resultante por los portadores mayoritarios tambien se muestra en la figura 1.14.

Unaobservacion mas cercana de la figura 1.14 nos revela que las magnitudes relativas de los vectores de flujo son tales, que el flujo neto en cualquier direccion es cero. Esta cancelacion de los vectores se indica mediante las lfneas cruzadas. La longitud del vector que representa el flujo de huecos se dibujo mayor que la del flujo de electrones para demostrar que la magnitud de cada uno no tiene que ser la misma para que puedan cancelarse y que ademas, los niveles de dopado de cada material pueden ocasionar un flujo desigual de huecos y de electrones. En resumen, entonces:

En ausencia de un voltaje de polarizacion aplicado, el fiujo neto de carga en cualquier direccion para un diodo semiconductor es cero.

1.6 Diodo semiconductor

II

Figura 1.15 pobnzaci6n semiconductor

VD +

0>---l1li.+-1 --0 -I,

Figura 1.17 Situacion de polarizacion inversa para un diodo semiconductor.

12

En la figura 1.15 se repite el sfmbolo de un diode pero ahora este muestra sus reciones tipo Il y tipo p asociadas. Observe que la flecha sc asocia con cl cornponente tipoC-p y quela barra con la region tipo n. Como se indica. VD 0 V Y la corriente en cualquier direccion es 0 rnA.

Situacion de polarizacion inversa (V D < 0 V)

Si se aplica un potencial externo de V volts a traves de la union p-n de tal forma que la terminal positiva se conecta al material tipo n y la terminal negativa al material tipo p como se muestra en la figura 1.16, el numero de iones dcscubicrtos positives en la region de aootarniento del material tipo 11 se incrernentara debido al gran mimero de electr;nes "libres" atrafdos por el potencial positive del voltaje aplicado. Por razones sirnilarcs. el ruirnero de iones dcscubiertos negatives se incrcmentara en el material tipo p. EI efecto neto sera, por lo tanto, un crecimiento del area de agotamiento, con 10 cual tarnbien se establecera una barrera que detcndra el paso de los portadores mayoritarios, 10 que da como resultado una reduccion a cero del flujo de estos como se muestra en la figura 1.16.

Figura 1..16 Union p-n bajo polarizacion inversa

. Sin embargo, el mimero de portadores minoritarios que entran en la region de agotamien to no cambia, con 10 que resultan vectores de flujo de portadores minoritarios que tienen la misma magnitud, como se indica en la figura 1.14, sin voltaje aplicado.

La corriente que Sf Jorma bajo una situacioll de polarizaci61l invers« Sf denomina corriente de saturaci6n inVCfsa y se representa par Is.

La corriente de saturacion inversa rara vez es mayor a unos cuantos microamperes excepto para el caso de dispositivos de alta potencia, De hecho, en afios recientes su nivel se encuentra en el ran go de los nanoamperes para los dispositivos de silicio y en el rango bajo de los microamperes para el germanio. El terrnino saturacion proviene del hecho de que alcanza rtipidamente su maximo nivel y de que no cambia de forma importante con incrementos del potencial de polarizacion inversa, como se muestra en las caracterfsticas del diodo de la figura 1.19 cuando VD < 0 V. Las situaciones para una polarizacion inversa se rnuestran en la figura 1.17 tanto para el sfmbolo del diodo como de la union p-n. Observe en particular que la direccicn de ~s es contraria a la flecha del sfrnbolo, Advierta tambien que el potencial negative se encuentra conectado al material tipo p y que el potencial 110sitivo al material tipo 11, la diferencia en las letras subrayadas de cada region indican la condicion de polarizacion inversa.

Situacion de polarizacion directa (V D > 0 V)

Se establece nna situacion de polarizacion directa 0 de "cncendido" cuando se aplica un potencial positivo a un material tipo p y un potencial negativo a un material tipo n como se muestra en la figura 1.18. Entonces, como regia futura:

Un diodo semiconductor se encuentra en polarizacion dil-ecta wando se establece una asociacion tipo p can positivo y tipo n con negativo.

Capitulo 1 Diodos semiconductores

+- (±).-

!~®:.®! ~+(±)~

p ~ 11

Region de agctamiento

+

Figura l.18 Union p-n bajc polanzacion directa.

La aplicacion de un potencial con polarizacion directa V D "presionara" a los electrones del material tip a n y a los huecos del material tipo p para que se recombincn eon los iones cercanos a la frontera y para reducir el ancho de la region de agotamiento como se muestra en la figura 1.18. El flujo resultante de portadores minoritarios del material tipo p hacia el material tipo 11 (y el de los huecos del material tipo 11 hacia el material tipo p) no vario en magnitud (ya que el nivel de conduccion se control a principa1mente por el nivel de impurezas en el material); sin embargo, la reduccion en el ancho de la region de agoramiento provoca un fuerte flujo de portadores mayoritarios sobre la union. Un electron del material tipo 11 ahora "advierte" una barrera mas reducida en la union debido a una region de agotamiento reducida y una fuerte atraccion ocasionada por el potencial positivo aplicado al material tipo p. A medida que la magnitud de la polarizacion aplicacla se incrementa, la region de agotamiento continuara disminuyendo su amplitud hasta que un grupo de elcctrones pueda atravesar la union, con un incremento exponencial de la corriente como resultado, de la forma en que se muestra en la region de polarizacion directa en las caracteristicas de la tigura1.19. Observe que el eje vertical de la figura 1.19 se expresa en miliamperes (aunque existen algunos diodos serniconductores que poseen ejes verticales expresados en amperes) y que eleje horizontal para la region de polarizacion directa tiene un nivel maximo de I V, sin embargo, normalmente el voltaje a traves del diodo bajo polarizacion directa sera men or que I V. Observe tambien la rapidez con la que se incrementa la corriente una vez que se pasa el punto de inflexion de la curva,

Es posible demostrar mediante el empleo de la ffsica del estado solido que las caracteristicas generales de un diodo semiconductor se puedcn definir con la siguicnte ecuacion, tanto para la region de polarizacion inversa como para la directa:

(1.4)

donde

corriente de saturacion inversa

11,600/7) donde 7) = 1 para el Oe y 7) = 2 para el Si para niveles relativamente bajos de corriente del diodo (en 0 abajo del punto de inflexion de la curva) y 7) 1 tanto para el Ge como para el Si para niveles mayores de corriente del diodo (para la seccion de rapido crecimiento de la curva) Tc + 2730

En la figura 1.19 se presenta una grafica de la ecuacion 1.4. Si expandirnos la ecuacion 1.4 de la siguiente forma, los cornponentes de cad a region delafigura 1.19 sepodran describir de forma mas facil.

ID = IsivDITK - Is

Para valores de V D positivos, el primer terrnino de la ecuacion anterior crecera de forma muy rapida y sobrepasara el efecto contrario del segundo termino, El resultado de csto es que para valores positivos de V D, ID sera positiva y crecera a un ritmo equivalente de y = eX que aparece en la figura 1.20. Para el caso cuando V D = 0 V, la ecuacion 1.4 se convierte en l o = Is (eo -I) = Is (I I) = 0 rnA como aparece en la figura 1.19. Para el caso de val ores negatives de VD, el primer terrnino de la ecuacion rapidamente caera hacia niveles


13

Figura 1.19 Caractcrtsticas del diodo semiconductor de silicic.

y

y - e;

o

2

Figura 1.20 Grafica de e'.

(Similar)

Figura 1.21 Situacion de polarizaci6n directa para un diodo semiconductor,

14

I I

14
I)
II
I i
'8
---- 1-4
I, f--f--j-+-+-+-+-+,+-t,I---+--+-j- +-+-iii'--I-II--+-(1'" po~a~i,t:~i;~ direct~).

/ i

II

-4j I -J,O -210 -\0: 0 o,i~ 0,3 ~I 0,7 'I-tl-+i +++-,+--1 VD rV)

-f--+--+- -:-1--::-+-1- -0,2~A -1-'''' I

Region de po arizacicn inverse __ 0,) ~A,+('-iVli.n' =c',O"", V'r"-"j/", =,,_, O'rl m"",A'i') __ I-I __ +---tI_+_+_H

(VD<OV,iD=-I,) " i-i-+- 1++-_+I-tl_I-H---fI-+++--1

L.L__L_J____L.J._j_j 1---'--+-i9'~" I I I I I

x

inferiores de Is con 10 que se obtiene: lo - l., 10 cual se representa con la Ifnea horizontal de la tigura 1.19, La discontinuidad para la condici6n liD = 0 V aparece de esa forma en la ,gn\tica debido al cambio dramatico d~ escala de rnA a p..A.

Observe en latigura 1.19 que el dispositivo comercialmentedisponible tiene sus caractcristicasdesplazadas bacia la derecha con una, magnitud de, algunos decimosde volt, Esto se debe a la resistencia interna del "cuerpo" del diodo y a la resistencia extern a del "contacto" del mismo, Cada una de estas resistcncias contribuye a obtener un voltaje adicional con el mismo nivel de corriente como 10 deterrnina la ley de Ohm (V = lR), Con el tiempo, y a medida que los metodos de fabricaci6n mejoren, esta diferencia sera menor y las caracterfsticas reales se aproximaran a las de la ecuacion I A

Es irnportante prestar atenci6n al cambio en la esc ala del eje vertical y el horizontal, Para valores positivos de TD la escala se encuentra en miliamperes y la esc ala bajo el eje en microamperes (0 posiblemente en nanoampcres). Para el caso de Vv, la escala para los valores positivos se encuentra en decimos de volt y para los val ores negatives en decenas del misrno.

A simple vista, la ecuaci6n I A pod ria parecer compleja y alguien podrfa temer que su utilizaci6n sea necesaria para todas las aplicaciones subsiguientes del diodo; sin embargo, posteriormente en esta seccion se realizaran varias aproximaciones, que evitaran el uso de esta ecuacion, y nos facilitaran una soluci6n con un mfnimo de dificultad rnatematica.

Antes de abandonar el tema del estado de polarizaci6n directa, se repite en la tigura 1.21 la situacion de conductividad (estado "encendido") con las polaridades requeridas y la direcci6n del flujo de portadores mayoritarios resultante. Observe en particular laforma en que la direcci6n de la.conduccion es la mismaque la que indica la flecha del sfrnbolo (segiln se mostr6 para el diodo ideal).

Region Zener

A pesar de que la escala utilizada en la figura 1.19 se encuentra en decenas de volts para la regi6n negativa, existe un punto donde al aplicar un exceso mayor de voltaje se ocasiona un cambio drastico en las caracterfsticas, como se muestra en la tigura 1.22, En este punto, la corriente se incrementa a un ritmo muy rapido con una direccion opuesta a la que tiene la regi6n de voltaje positivo. EI potencial de polarizaci6n inversa que provoca este


10

j

-/7f<=\ ===="'=====~'''-:o---~v D

I \ I I I I I I

\ .> Region Zener

Figura 1.22 Regl.l\n Zener.

cambio dramatico de las caracteristicas del diodo se denornina potencial Zener y se Ie asigna el sfrnbolo V2,

A medida que el voltaje a traves del diodo sc incrementa sobre la region de polarizaci6n inversa, tarnbien se incrementa la velocidad de los portadores minoritarios que son los responsables de la corriente de saturaci6n inversa Is' En algunas ocasiones, su velocidad y { su energfa cinetica asociada (WK = ~mv2) seran 10 suficienternente grandes como para liberar portadores adicionales mediante colisiones con estructuras at6micas que en otro caso serfan estables, Esto es, cuando los electrones de valencia absorban tanta energfa como para abandonar su atorno, se provocara un proceso de ionizacion. Estos portadores adicionales pueden entonces apoyar al proceso de ionizaci6n al punto donde se establezca un alta corriente de avalancha y se determine la regi6n de ruptura en avalancha.

La region de avalancha (Vz) se puede acercar al eje vertical mediante el incremento en los niveles de dopado tanto para el material tipo n como para el tipo p, Sin embargo, a medida gue Vz disminuye a niveles muy bajos, como +S V, existe otro mecanismo llamado ruptura Zeller, elcual contribuira al cambioseveroen la caracteristica. Esto sucede debido a que existe un campo electrico fuerte en la regi6n de union que cs capazde romper las fuerzas intemas de enlace del atorno y "generar' portadores, A pesar de que el mecanismo de ruptura Zener contribuye de manera importante solo a bajos niveles de Vz, este carnbio severo en la caracteristica en cualquier nivel sc denomina region Zener, y los diodos que aprovcchan esta porcion iinica de la caractenstica de la union p-n se designan como cliodos Zener, los cuales se describen en la seccion 1.15,

La region Zener descrita para un diodo semiconductor debera de evitarse si la respuesta del sistema no debe ser completamente alterada por el cambio severo en las caracterfsticas para est a regi6n de voltaje inverso.

El potencial md:dmo de polarizacion inversa que puede aplicarse antes de ingresar en la region Zener se denomina voltaje pico inverso (referido sirrtplemente como e1 valor PIV, par las iniciales en ingles de Peah Inverse Voltage) a como voltaje PRV (par las iniciales en ingles de Peah Reverse Voltage),

Si una aplicacion especffica requiere un nivel de PlV mayor que el que puede ofrecer una sola unidad, es posible co nectar en serie un conjunto de diodos con las mismas caractensticas. Los diodos tambien se pueden conectar en paralelo con el objetivo de incrementar la capacidad para conducir corriente.

Comparacion entre e1 silicio y el germallio Y / Por 10 general, los diodos de silicio cuentan con un(Pl~ y un Indice de corriente mayores, asf como un rango de temperatura mas amplio que 16s diodos de germanic. Los niveles de PlV para el caso del silicio se encuentran cercanos a 1000 V, mientras que el valor maximo para el caso del germanio se encuentra alrededor de 400 V. EI silicio puede utilizarse para aplicaciones en las cuales la temperatura puede elevarse hasta 200°C (400°F), mientras que el germanio posee un nivel maximo mucho menor (lOODC). La desventaja que tiene el silicio comparado con el germanio, como se indica en la tigura 1.23, es la del mayor


15

'I> (mA)

23

Ge

s:

Figura 1.24 Variation car:Ktcl'lsticas de un diodo deb.da cambio, de tcmpcratur.,

Figura 1.23 Comparacion entre diodes semiconductores de Si

y de Go

s:

Ge

VT ~ O.7V (Si) VT;;: O.3V (Ge)

v

No es poco freeuente que un diodo de germanio con un I, del orden de I 0 2 /-LA a 250C mantenga una fuga de corriente de 100 f-LA "" 0.1 mA a una temperatura de 100°C. Tales magnitudes de niveles de corriente para la regi6n de polarizacion inversa seguramente nos haran cuestionarnos acerca de la validez de la condicion deseada de circuito abierto para la region de polarizaci6n inversa.Para el silicio, los valores tipicos de Is son mucho rnenores que para el germanio a niveles de corriente y de potencia similares como se muestra en la figura 1.23. EI resultadode esto es que incluso a temperaturas altas, los niveles de/spara los diodos de silicio, no llegan a alcanzar los elevados nivelcs obtenidosdel germanio, 10 eual es una razon rnuy importante por la cual los dispositivos de silicic disfrutan de un mayor nivel de desarrollo y de utilizacion en el disefio, Fundamcntalmente, a cualquier temperatura, se obtiene un equivalente mejor de circuito abierto para la regi6n de polarizacion inversa mediante el silicio en lugar del germanio.

Los mayores niveles de I" como resultado del incremento de temperatura, son responsables de los niveles bajos del voltaje de umbral como se muestra en la figura 1.24. Observe que al incremental' el nivel de Is en la ecuacion 104 existinl un incremento rapido en la corriente del diodo. Desde luego, el nivel de T K tambien se incrcrnentara en la misma ecuacion; sin embargo, el nivel creciente de Is se sobrepondra al men or cambio porcentual de T K. A medida que la temperatura se incrementa, las caraeterfsticas en polarizacion directa se vuelven mas "ideales"; sin embargo, cuando analiccmos las hojas de espccificacioncs vercmos que temperaturas superiores a los rangos normales de operaci6n pueden ejercer un efecto rnuy nocivo en los niveles maxirnos de potencia y de corriente del diodo. Para la region de polarizaci6n inversa el voltaje de ruptura se incrementa con la temperatura, pe- 1'0 tambien advierta el incremento inconveniente en la corriente inversa de saturacion.

voltaje en polarizacion directa que requiere para alcanzar la region de conduccion. Este voltaje se encuentra alrededor de 0.7 V para diodos de silicio comercialmente disponibles y de 0.3 V para los diodos de germanio, con val ores redondeados al decirno de volt mas cercano, La diferenciamayor para el caso deIsilicio se debe principalmente al factor 1) de la ecuaci6n 104. Este factorjuega un papel importante en la determinaci6n de la forma de la curva pero solo para niveles muy bajos de corriente ya que una vez que la curva inicia su crecimiento, el factor 1) baja a I (el valor continuo del gennanio). Esto se demuestra por las similitudes en las curvas una vez que el potencial de conduccion se a1canza. EI potencial en el que inicia este crecimiento de la CUfYa se denomina comunmente como potencial de conduccion, de umbral 0 de dlsparo. Con frecuencia, se utiliza la primera letra del termino que describe a una cantidad particular para la notacion de dicha cantidad. Sin embargo, para asegurar un grado minimo de confusion con otros terminos, como el de voltajc de salida (Va> por su inicial en ingles, output) y el de voltajc directo (VF, pOI' su inicial en ingles,forward), se adoptara la notacion VT para este termino (umbral del ingles threshold) a 10 largo de este libra.

En resumen:

Obviamente, el diode se acercara mas a la condicion "ideal" mientras mas cercano se encuentre el desplazamiento ascendente, excursion, al eje vertical. Sin embargo, son las otras caracterfsticas del silicio las que 10 hacenser el elegido entre In rnayorfa de las unidades comercialmente disponibles,

1.7 MATHCAD

Efectos de la temperatura

La temperatura puede ejercer un efecto rnarcado sobre las caractensticas de un diodo semiconductor de silicio, como podemos observar para el caso de un diodo de silicio tfpico en la figura 1.24. De forma experimental se ha encontrado que:

La magnitud de la corriente de saturaci6n inversa Is se incrementard en una proporci6n doble par cada incremento de lODe en la temperatura.

A 10 largo del textoutilizarernos un paquete de softwarematematico denominado Mathcad'" para familiarizar al estudiante con las diversas operaciones que este popular paquete puede desernpefiar y con las ventajas asociadas a su utilizacion, No es necesario adquirir una copia del programa de software, a menos que usted sc sienta interesado en aprenderlo y utilizarlo despues de esta breve introduccion. Sin embargo, pOI' 10 general la cobertura ofrecida se encuentra a un nivel basico para presentar el alcance y el poder del paquete. Todos los ejercicios que aparccen al final de cada capitulo se pueden resolver sin el apoyo de Mathead.

16


1.7 Mathcad

17

Figura 1.25 Pantalla principal de Mathcad.

Figura 1.26 Definicion del

orden de materna-

ticas para

20- 2.~ = 17.333 6

Figura 1.27 Operacion matematica basica.

18

La utilidad de Mathcad supera facilmente a la de una calculadora cientffica portatil. ya que puede desplegar graficas, efcctuar operaciones algebraicas matriciales, permite la adicion de texto a cualquier calculo, cornunicarse con cualquier otra fuente de datos como Excel®, tvfATLAB,1; o Internet, almaccnar datos e informacion, etcetera; la lista de facilidades es muy extensa e irnprcsionante. Mientras mas conozca el paquete mas usos encontrara para el en su utilizacion cotidiana.

Una vez que el paquete se ha instalado, todaslas operaciones inician con la pantalla principal de Ia figura 1.25; se han afiadido rotulos a esta pantalla para identificar sus partes. Por 10 general, todas las operaciones matematicas se efectuan en la secuencia especffica que se muestra en la figura 1.26, esto es, de izquierda a derecha y de arriba abajo. Por ejemplo, si en la linea 2 se operara sobre una variable, el valor de la variable debera estar definido a la izquierda en la misma linea a en la linea 1. Observe que Mathcad es muy sensible al orden de las casas. Par ejemplo, si usted define una serie de cantidadcs en una misrna linea, pero coloca una de elias un poco por eneima de las otras, esta no sera reconocida par las dermis variables si resulta que son parte de su definicion. En otras palabras, cuando escriba sobre una misrna linea, asegiircse de que permanece en la rnisma linea para cada entrada nueva. Afortunadamente, Mathcad esta bien equipado para avisarle si alga es incorrecto. Cuando usted comience a utilizar el programa por vez primera, Ie cansara vel' tantas cosas en color rojo, 10 que indica que algo no se ingreso bien 0 se encuentra mal definido. Pero con el tiempo, a medida que su aprendizaje avance, usted se sentira comedo con el software.

Para efectuar una operacion aritmetica basica, solamente haga ciic sobre cualquier punto de la pantalla para establccer una CnIZ sobre el area de trabajo (el lugar donde comenzara la captura). Si decide que no le agrada ese lugar, simplernente mueva la flecha a otro lugar, vuelva a hacer ciic y la cruz se reposicionara, Luego, ingrese la operacion rnaternatica 20 - 2 X 8/6 como se muestra en la figura 1.27. Enel momenta en que se teo. dee el signo de igualad, el resultado aparccera como se muestra en la figura 1.27. El signo de igualdad se puede ingresar directamente desde el teciado 0 mediante la barra de menus de la parte superior de la pantalla. De hecho, al utilizar la secuencia de menus Vlew-Toolbars-Calculator (Ver-Barras de Herramientas-Calculadora), usted puede capturar la expresion completa y obtener el resultado utilizando el rat6n en lugar de su dedo como la haria con una calculadora cormin. Adernas, todas las operaciones matematicas tales como exponenciales, raiz cuadrada, seno, tangente, etcetera, que normal mente se encuentran en cualquier calculadora cientffica tarnbien se encuentran disponibles aqui.

Capitulo 1 Diodos scmiconductores

n := 2

TC := 27 VD := 0.6 IS := 50 10-9

e 11600 K:~--

TK :=TC + 2H x :=~VD

TK

x 11.6

ID:= IS.(o' - 1)

Figura 1.28 Determinacion de la corricrue del dtodo ID utilizando la ccuacion 1.4

Para practicar la utilizacion de variables, calculernos la corriente del diode utilizando la ecuacion 104. Para las ecuaciones, primero sc escribe la letra 0 sfrnbolo que se aplica a la variable seguida por un signa de dos puntos, como se muestra en la figura 1.28. Cuando sc teclee el signo de dos puntas, aparecera un signo de igual como se muestra en la rnisrna figura, luego se podra ingresar el valor de la variable que se utilizara para la primera serie de calculos. Posteriormente, continue capturando las siguientes variables en la misma linea para despues calcular en la segunda linea las variables adicionales que sc encuentran en funcion de las previas. Observe que X requiere que k, TK y VD sean definidas antes. ya sea en la linea anterior 0 a la izquierda de la misma lfnea. En la linea siguiente es posible obtener el valor de x simplemente tecleando x seguida de un signo de igualdad, con 10 que aparecera inrnediatamente 11.6 como respuesta correcta. Ahora tendremos que capturar la ecuaci6n lA, y al momento de ingresar cada cantidad, aparecera un corchete alrededor de cada una de elias que define la suma que se esta capturando, can el tiempo esto se convierte en una caracterfstica util, La multiplicaci6n se realiza utilizando el asterisco que se encuentraen la parte superior de la tecla del mimeroS del teclado y loscxponenciales se ingresan medianteel signo de exponenciacion sobre la teela del mimeroo. Una vez que la ecuacion se ha registrado de forma correcta, se puede escribir ID en la siguiente lfnea (0 a la derecha de la ecuaci6n) y el resultado 50455 rnA aparecera directamente despues de que el signo se haya seleccionado, EI resultado indica que para un voltaje de 0.6 V la corriente del diodo sera de 50455 rnA.

La belleza de Mathcad se puede realmente demostrar ahora si cambiarnos el valor de VD a 0.5 V, ya que en el instante en que el valor se intercarnbia, los nuevos val ores de x y de ID apareceran de forma autornatica como se muestra en la figura 1.29. Obviamente, una reduccion en VD ha reducido la corrientc a 0.789 m.A. No hay necesidad de capturar la secuencia completa de opcraciones nuevamente 0 de calcular todas las cantidades otra vez con una calculadora, ya que los resultados aparecen de forma inmediata.

n :=2

VD:=05

IS :=50 10-9

TC :=27

k:= 11600 n

TK:=TC+273

x = 9667

Figura 1.29 Demostraci6n del efccto del cambia de un parametro de la ecuacion 1.4.

A 10 largo de este texto aparcceran ejemplos adicionales por medio de Mathcad, sin embargo, tenga en mente que no es necesario convertirse en un experto para aprovechar el material de este libro, nuestro proposito solamente es presentar el software disponible.

1.7 Mathcad

19

1.8 NlVElES DE RESISTENCIA

A medida q\.le el punto de operacion de un diodo se dcsplaza de una region a otra, la resistencia deldiodo tambien carnbiara debido a la forma no lineal de la curva caracteristica. En los siguiente], parrafos se demuestra que el tipo de voltaje 0 senal aplicada define el nivel de rcsistencia de interes, En esta scccion se presentaran tres niveles diferentes, los cuales seguiran aparecicndo en cuanto reviscmos otros dispositivos: por 10 tanto, la cornprcnsion clara de su definicion es muy importante.

Resistencia de DC 0 resistencia estatica

La aplicacion de un voltaje de de a un circuito que contiene un diodo semiconductor tendra por resultado un punto de opcracion sobre la curva caracterfstica que no varia con el tiernpo. La resistencia del diodo en punro de operacion puede encontrarse facilrncnte 10- calizando primero los valores correspondicntes de Vj) y de Ij) como se muestra en la figura 1.30 y aplicando posteriormente la siguiente ecuacion:

(15)

Figura 1.30 Determinacion de la resistencia de de de un

VD (V) diodo en un punto de oper'lcion en 'particular:

La resistencia de de en el punta de inflexion de la curva y por debajo de el, sera mayor que los niveles de resistencia que se obtienen sobre la seccion de erecirniento vertical de las caracterfsticas, Los niveles de resistencia para la region de polarizacion inversa naturalmente seran muy altos. Ya que los ohrnetros utilizan por 10 regular una fuente de eorriente relativarnente COIl stante, la resisteneia que deterrninen sera 1a del nivel de corriente predctcrminado (corminmente unos cuantos miliamperes).

POI' 10 tanto, en general, a men or corrienre a uuves del diodo mayor sera el nivel de res istencia de de.

EjEMPLO 1.1

Determine los nivelcs de resistencia de para el diodo de la figura 1.31 utilizando los siguientes valores:

(a) ID = 2 rnA

(b) ID 20rnA

(e) VD == -lOY

Solucion

(a) En ID = 2 rnA, VD = O,S V (de la curva) y

VD O.S V

RD == - = -- = 2500

ID 2 mA

(b) En ID = 20 rrtA, VD = 0.8 V (de la eurva) y

20


ID(mA)

30

___ Silicic

(V)

Figura 1.31 Ejernplo 1.1

0.8 V_ = 400 20 rnA

+l , = - I/LA (de la curva) y

con 10 eual se sustentan las observacioncs anteriores con respecto a los niveles de res istencia de de de un diode.

Resistencia de AC 0 resistencia dinamica

A partir dela ecuacion.Lf y del ejernplo l.L'resultaobvio que la resistencia de de de un diodo.es independiente de la forma que tenga .la caractenstica para la region que rod~a al punto de interes. Sien lugar de aplicar una entrada de de, se aplica una entrada senoidal, la situacion cambiara por eompleto. La variacion de la entrada desplazara al punto de operacion instantaneo hacia arriba y hacia abajo a una region de las caracteristicas y de esta forma definira un cambio especffico en la corriente y el voltaje como se mucstra en la figum 1.32. Sin la aplieaci6n de una sefiul con variacion, el punto de operacion estable seria el punto Q que aparece en la figura 1.32, determinado por I~s ni;elcs.de de aplicad?s. La designacion de punto Q se deriva de la palabra estable (del ingles quiescent), que significa "quieto 0 sin variacion''.

Caracterfstica de! diode ~

V Linea tangente

Punta Q jcpcraclon en de)

Figura 1.32 Delmicion de la resistencia diriamica o resistencla de ac.

1.8 Niveles de resistencia

21

Figura 1.33 Dctcrrmnact.;n de 13. rcsistcncia de un punto Q

Si se dibuja una linea recta tangente a la curva sobre el punto Q como se rnuestra en la figura 1.33, se definira un carnbio particular en el voltaje y en la corricnre que se puede utilizar para determinar la resistencia de ac 0 dinamica para esta region de las caracterfsticas del diodo. Se deberaefectuarun esfuerzo para mantener el cambio en el voltajc y en Ia corriente 10 mas pequefio posible y equidistante decada lado del punto Q. En forma de ecuacion.

( 1.6)

donde ~ significa un cambio finite en la cantidad.

Mientras mayor sea Ia pendiente, menor sera el valor de Ll Vd para el rnisrno cambio en t:dd y menor sera la resistencia. La resistencia de ac para la region de crecimiento vertical de la caracterfstica es por 10 tanto rnuy pequefia, mientras que la resistencia de ac es mucho mayor para niveles bajos de corriente.

Poria tanto, en grncral, micntras menor sea d punta de opcraei6n Q (corriente mas pequcna 0 voltaje mas pequeno) mayor sera la fcsistcneia de ae

EjEMPLO 1.2

22

Para las caractensticas de la figura 1.34:

(a) Detcrminar la resistencia de ac cuando ID == 2 rnA. (b) Determinar la resistencia de ac cuando ID = 25 rnA.

(c) Comparar los resultados de los incises (a) y (b) con la resistencia de de en cada nivel de corriente.

[,,(rnA)

15

VD(V)

Figura 1.34 Ejernplo L2

Solucion

(a) Para el caso ID = 2 rnA; se dibujo la linea tangente en ID == 2 rnA como .Ie muestra en la figura y se eligi6 una excursion de la serial de 2 rnA por encirna y por debajo del nivel de corriente especificado para el diodo. En el punto ID = 4 rnA, VD = 0.76 V, y en ID = 0 rnA, VD = 0.65 V. Los cambios en la corriente y cl voltaje que resultan son

D.Id = 4 rnA - 0 rnA = 4 rnA

y

D. Vd = 0.76 V - 0.65 V = 0.11 V


y la resistencia de ac:

o--{±}--;o

r;= ~Vd=O.IlV = 27.5n

~Id 4 rnA

(b) Para el caso ID = 25 rnA,se dibujo la linea tangenteen Ir; 25 .rnAcorno.se == en la figura, can una excursion de S rnA por encima y por debajo del myel de corncnte elegido para el diodo. En cl punto ID = 30 rrrA, VI) = 0.8 V, y en If) = 20 rnA, VD 0.78 V. Los carnbios en la corriente y el voltaje que resultan son

LlId = 30 rnA 20 rnA = lOrnA LlVd == 0.8 V - 0.78 V 0.02 V

y

y la resistencia de ac es

r. = ~ Vd = 0.02 V = 2 n

d D.Id 10 rnA

(c) Para el caso ID = 2 rnA, VD 0.7 V Y

350 n

10 cual excede por rnucho a la rd de 27.5 n.

Para el caso Iv == 25 rnA, VD = 0.79 V y

= VD = 0.79 V = 31.62 n

Ro ID 2S rnA

10 cual excede por rnucho a la rd de 2 n.

Calcularnos fa resistencia dinarnica de forma grafica, sinembargo, existe una definicion basica en calculo difcrcncial que establece 10 siguiente:

La derivada de una funcion en un punta espedfico es igual a la pcndiente de la linea tangente dibujada en ese punto.

Por 10 tanto, la ecuacion 1.6 como se defini6 en la figura 1.33, es equivalente a calcular la derivada de la funcion en el punto de operacion Q. Si se encuentra la derivada de Ia ccuacion general 1.4 del diodo semiconductor con respe~t,o a la polariz~ci6n directa apli~a?a'y luego se invierte el resultado, se obtendra una ecuacion para la resistencia de ac 0 dtnarn~ca en esa region. Esto es, al tornar la derivada de Ia ecuacion 1.4 con respecto a la polarizacion aplicada, el resultado sera

d d Il]
dVD (ID) -[I (ekVD/TK -
dV s
dIf) k
Y dVD -(ID + Isl
TK mediante algunas rnaniobras basicas del calculo diferencial, En general, Io » Is, en la secci6n de la pendiente vertical de lascaracterfsticas y

dID k

--=-ID

dVD TK

Al sustituir 7] = 1 para cl caso del Ge y del Si para Ia seccion de crecirniento vertical en las caracterfsticas, obtendrernos

k = 11,600 = 11,600 == 11,600

7] 1


23

y a temperatura arnbicnte,

de tal forma que

11,600 .

298 ~38.93

dID dVD

Al invertir el resultado para definir un Indice de resistencia (R

y

38,9310

v /1), se obtiene

dVD 0,026

dID 10

o

Ge,Si

(1,7)

EI significado de la ecuacion 1,7 debe entenderse clararnente, ya que implica que la resistencia dinamica puede calcularse de forma simple al sustituir el valor de la corricnte en el punto de operacion del diodo en la ecuacion. No hay necesidad de tener disponible las caracterfsticas 0 de preocuparse por trazar lfncas tangenciales como se definio en la ecuacion 1.6, Sin embargo, es importante tener en mente que la ecuacion 1.7 es exacta solamente para valores de 10 que se eneuentran en la seccion de crecimiento vertical de la curva. Para valores menores de ID, 71 = 2 (silicio) por 10 que el valor de ro obtenido se debe multiplicar por un factor de 2. Para valores pequeiios de ID que se encuentran por debajo del punto de inflexion de la curva, la ecuacion 1.7 resulta inapropiada.

Todos los nivelcs de resistencia determinados hasta ahora se han definido para la union p-n y no incluyen la resistencia del material semiconductor en 51 (denominada resistencia de cuerpo) ni la resistencia presentada por la concxion entre el material semiconductor yel conductor metalico extemo (denominada resistencia de contactoi. Estos niveles adicionales de resistencia pueden 'incluirse en la ecuacion 1.7 aI agregarle laresistencia denotada por re como se rnuestra en la ecuacion 1.8, Por 10 tanto, la resistencia r~, incluira tanto a [a rcsistencia dinamica definida por la ecuacion 1.7 como a la resistencia rn recien presentada.

(1.8)

ohms

EI factor rn puede tener un rango de valores tfpicos que van de 0.1 0 para el caso de dispositivos de alta potencia, hasta de 2 0 para el caso de algunos diodos de baja potencia de propos ito general. Para el ejemplo [.2, la resistencia de ae para el nivel de 25 mA se calculo en 2 0, Al utilizar ahora la ecuacion 1.7 obtcnernos

26 mY 26 mY

r d = ---- = -- = 1.04!l

1D 25 mA

La diferencia de aproximadamentc I 0 podrfa tomarse como la contribucion debida a t s.

Para el ejemplo 1.2, la resistencia de ac para el nivel de 2 mA sc calculo como 27.5 n.

Ahoramediante [a ecuacion 1,7pero multiplicando por un factordeZ para.esta region (ya que en el punto de inflexion de la curva 71 = 2),

(26 mY) (26 mY)

rd = 2 -- = 2 -- = 2(130) = 26!l

1D 2mA

La diferencia de aproximadamente 1,5 n podria tomarse como la contribucion debida a ro,

En realidad, el calculo de rd con un alto grado de precision a partir de la curva caracterfstica mediante la ecuacion 1.6 es un proceso diffcil, cuyos resultados deben manejarse con cuidado en el mejor de los casos, A niveles de corriente bajos del diodo, el factor rB norrnalmente es 10 suficientemente pequefio en cornparacion con rdeomo para permitir ig-

24

Capitulo 1 Diodes semiconductores

norar su irnpacto sobre la resistencia de ac del diodo. A niveles altos de corriente, el nivel de r» puede acercarse al de r d, pero debido a que con frecuencia cxistiran otros elementos resistivos con magnitudes mucho mayores en serie con el diodo, se asumira en este libro que la resistencia de ac se deterrnina unicamente por rd, ignorando el impacto de t n a menos que sc indique 10 contrario, Las mejoras tecnologicas.de los ultirnos afios sugieren que el nivel de rB continuara disrninuyendo en magnirud y que eventualrnente sera un factor que pueda ignorarse con seguridad al cornpararse con r d'

EI analisis anterior se centro unicarncnte en la region de polarizacion directa, para la regi6n de polarizacion inversa, asumiremos que el cambia en la corriente sabre la linea de I, es nulo para la region que va de los 0 Y hasta la zona Zener por 10 que la rcsistcncia de ac que resulta al aplicar la ecuacion 1,6 es 10 suficientemente grande como para pennitir la aproxirnacion del circuito abierto.

Resistencia de AC promedio

Si la serial de entrada es 10 suficientemente grande para producir una excursion amplia como en la figura 1.35, la resistencia asociada con el dispositive para esta region se denornina reslstencia de ac promedio, la cual es, por definicion, la resistencia determinada por una linea recta trazada entre las dos intcrsecciones establecidas por los val ores minimos y rnaximos del voltaje de entrada. En forma de ecuacion (observe la figura 1.35),

(1.9)

L1 Vd I

rav == ~ punto pot pun(n

[0 (m.A)

vD (V)

Figura 1.35 Determinacion de la resistcncia de at promedio entre los Ii mites indicados.

20

15

o

Para la situacion indicadapor la figura 1.35

Md = 17 mA- 2mA =- 15 mA

1:1 Vd '" 0.725 Y - 0.65 Y = 0.D75 Y

r = ~ Vd = 0.075 Y = 5 n

av 1:11" 15mA

Si la resistencia de ac (rd) se determinara cuando If) = 2 mA su valor seria mayor que 5 0, y si se determinara a 17 mA serfa menor. En medio, la resisteneia de ac efectuarfa la transicion del valor alto en 2 mA hacia el valor bajo en 17 rnA. La ecuaci6n 1.9 define un

y

con


25

Circuito equivalente de segmentos lineales

Una tecnica para obtener un circuito equivalente para un diodo consiste en aproximar las caracterisricas deldispositivo utilizando segrnentos de lfneas rectas, como se muestra en la figura 1.31. Al circuito equivalente resultante se le denornina, como es natural,. circuito equivalente de segmentos lineales. Debe resultarobvio al observar la figura 1.36 que los segmentos de lineas rectas no representaran una copia exacta de las caractensticas reales, especialrnente en la region del punto de inflexion; sin embargo, los segrnentos resultanres son 10 suficienternente aproximados a la curva real que es posible establecer un circuito equivalente que proporcionara una primera aproximacion excelente al cornportamiento real del dispositive. Para la seccion con pendiente del equivalente, el nivel de resistencia de ac promedio que se presento en la secci6n 1.7 sera el nivel de resistencia que aparece en el circuito equivalente de la figura 1.37 posterior al dispositive real. En esencia, define el nivel de resistencia del dispositive cuando este se encuentra en el estado de "cncendido''. EI diodo ideal se incluyo con el objetivo de establecer que solo existe una direcci6n de conduccion a traves del dispositivo y que una condicion de polarizaci6n inversa para el dispositivo ocasionara el estado de circuito abierto. Debido a que un diodo semiconductor de silicio no alcanza el punto de conduccion sino hasta que V D llega a 0.7 V bajo polarizacion directa (como se muestra en la figura 1.36) debera existir en el circuito equivalente una baterfa V T que se oponga a la direccion de conduccion como se muestra en la figura 1.37. La bateria solamente indica que el voltaje a traves del dispositivo debora ser mayor que el voltaje de umbral de la baterfa antes de que pueda establecerse una conducci6n a traves del dispositivo en la direccion determinada por el diodo ideal. Cuando la conduccion se establczca, la resistencia del diodo sera el valor especificado de r avo

Sin embargo, recuerde que V Ten el circuito equivalenre no cs una fuente de voltaje independiente. Si se coloca un voltfrnetro sobre un diodo en particular encirna de una mesa de laboratorio, no se obtendra una lectura de 0.7 V. La baterfa solamente representa el desfasamiento horizontal en las caracterfsticas que deberan superarse para poder establecer la ccnduccion.

valor que se considera un promedio de los val ores en ac de 2 a 17 rnA. El hecho de que un nivel de resistencia pueda emplearse para un intervale tan amplio de caracteristicas demostrara ser algo muy iitil en la definicion de circuitos equivalentes para un diodo en una seccion posterior.

Para ambos nive1es de resistencia de de yde ae, mier,tras menor sea el nivcl de corriente utilizado para determinar la resistencia promedio, mayor sera eI nivel de resistencia.

Tabla de resumen

La tabla 1.2 se desarrollo para reforzar las conclusiones importantes de las iiltimas paginas y para enfatizar las diferencias entre los distintos niveles de resistencia. Como se indico antes, el contenido de esta seccion sera el fundarnento para una gran cantidad de calculos de resistencias que se realizaran en secciones y capitulos posteriores.

TABLA L2 Niveles de resistencia

Tlpo

Ecuaci6n

Caraeterfsticas espcciales

Definicion grd{ica

De DC 0 .statica

~ ·/tOOQ

Se define como un punto sobre las caracteristicas

DeAC

o dindrnica

26mV ID

10 -------

Se define par una linea tangente enel punto Q

io(mA)

. llVd I

De ac promedio r; :;:::'[

6. J punto por punto,

Se define par una linea recta entre los Iimites de operacion

o

1.9

CIRCUITOS EQUIVALENTES. PARA DIODOS

Un circuito equivalente es una combinaci6n de elementos degidos de Jonna apropiada para representar de la mejor manera las caracteristicas tenninales reales de un dispositivo, sistema a similar, para una regi6n de operaci6n particular.

En otras palabras, una vez que se define el circuito equivalente, es posible eliminar el sfmbolo del dispositive de un diagrama y sustituirlo por el circuito equivalente sin afectar de forma import ante el comportarniento real del sistema. EI resultado a menudo es una red que puede resolverse mediante las tecnicas tradicionales de analisis de circuitos.

0.7 v 0.8 V vD (v) (VT)

Figura 1.36 Definicion del circuito equivalente de segrncntos lineales utilizando segmentos de llncas rectas para aproxirnar la curva caractenstica.

+

, Vr _ r av /Diodo ideal

==> 0---1~

__ [).7V 100

10

Figura 1.37

Componentes del circuito equivalente de segmentos lineales

1.9 Circuitos cquivalentes para diodos

27

26


El nivel aproxirnado de rav puede determinarse generalmente a partir de un punto de operacion que se describe en la hoja de especificaciones (que se discutira en la seccion 1.10). Por ejernplo, para un diodo semiconductor de silicic. si IF 10 mA (una corriente de conducciondirecta para el diodo) cuando V D 0.8 V, sabernos que. para el silicio se requerira un desplazamiento de 0.7 V para que la curva caractcristica se eleve y

Cl. I 0.8 V 0.] V

ray = AId

'-' punto a punto 10 rnA 10 rnA

10 !1

segtin se obtuvo para la figura 1.36.

Circuito equivalente simplificado

Para la mayorfa de aplicaciones, la resistencia raves 10 suficienternente pequefia al compararla con los otros elementos de la red, como para poder ignorarla, La eliminacion de ray del circuito equivalente es similar a afirmar que las caracteristicas del diode son las que se muestran en la figura 1.38. Por cierto, esta aproximacion se utiliza frecuentemente en el analisis de circuitos semiconductores como se vera en el capitulo 2. EI circuito equivalente reducido se muestra en la misma figura, y manifiesta que en un sistema clcctronico, un diodo de silicio polarizado directamente, bajo condiciones de corriente de tendra una cafda de 0.7 V a traves de el, en el estado de conduccion a cualquier nivel de corriente del diodo (por supuesto, dentro de los valores norninales).

Vr=O.7V

o----il--I -"~I--~o

~ ~. Diodo idea!

Vr=Q·7 V VD

Figura 1.38 Circuito equivalente sirnplificado para el diode semiconductor de silicic.

Circuito equivalente ideal

Una vez que se ha eliminado ray del circuito equivalente vayamos un paso adelante y establezcamos que un nivel de 0.7 V normalmente pucde ignorarse cuando se compara con el nivel de voltaje apIicado. En este caso, el circuito equivalente se reducira al de un diodo ideal COil sus caracterfsticas como se muestra en la figura 1.39. En el capitulo 2 vercmos que es po sible utilizar esta aproximacion sin una perdida considerable de precision.

En la industria, una popular sustitucion de la frase "circuito equivalente de diodo" es modelo de diodo, un modelo por definicion es una representacion de un dispositivo, objeto, sistema, u otro existente. De hecho, esta terminologfa alternativa sera utilizada de forma casi exc1usiva en los capftulos siguientes.

+

o)----~IM::---o

I:; ----------- Diodo idea!

°

Figura 1.39 Diodo Idea! y sus caractertsucas.

28


Tabla de resumen

POI' claridad, los modelos del diodo que son utilizados para la variedad de parametros y aplicaciones se presentan en la tabla 1.3 junto con sus caracteristicas cle segrnentos linea, les. Cada una de elias sc con mayor detalle en e) capitulo 2. Siernpre exisren excepciones a la regla general. sin embargo, es seguro afirrnar que el modelo equivalcnte simplificado se utilizara de manera mas frecuerrte en el analisis de sistemas electronicos rnientras que el diodo ideal se aplicara con mayor regularidad en el an~\lisis de sistemas de fuentes de alimentacion doncle existen voltajes rnayores.

TAllIA I.J Circuitos equivalentes de diodos (modelos)

fip"

Modele de scgmcntos lineales

~1 ~".J\N\r--l'l~

vl' fav l!kxlo

Ideal

Modelo simplificado

o---jl--I -----II~>l-1 -

Vr Diodo

idea!

Dispositive ideal

Rred ray Ercd}.> V]'

Diodo idea!

1.10 HO]AS DE ESPECIFICACIONES DE DIODOS

Los datos sobre especificaciones de dispositivos semiconductores son proporcionados normal mente de clos maneras por cl fabricante, La forma mas cormin cs mediante una breve descripcion que se limita a una pagina como maximo. La otra manera es por mcdio de una revision de las caracterfsticas utilizando graficas, ilustraciones, tablas, etcetera. En cualquier caso, existen conjuntos de datos especfficos que deben incluirse para una utilizacion correcta del dispositive, e inciuyen:

1. EI voltaje directo VF (para una corriente y temperatura definida)

2. La corriente directa maxima IF (para una temperatura definida)

3. La corriente cle saturacion inversa fR (para un voltaje y temperatura definidos)

4. EI nivel de voltaje inverso [PIV,PRV 0 V(BR), donde BR proviene del terrnino "rup-

tura" (del ingles breakdown) (para una temperatura definicla)]

5. El nivel de disipacion para la maxima potencia en una temperatura particular

6. Los niveles de capacitancia (como se dcfiniran en la seccion 1.11)

7. El tiempo de recuperacion inverso II''' (como se definirti en la seccion 1.12)

8. El range de temperatura de operacion

Segiin el tipo de diodo que se considere, se pueden proporcionar datos adicionales, como son: rango de frecuencia, nivel de ruido, tiempo de conmutucion, nivcles de resisten-

l.10 Hojas de especificaciones de diodes

29

cia termica y los val ores pica rcpetitivos. Para una dcterrninada aplicacion. el significado de los datos sera autoevidente. Si se proporciona la maxima potencia 0 valor de disipacion seeatiende que sera igual al siguienre producto:

donde ID Y VD son la corriente y el voltaje del diodo en un punto de operaci6n particular.

Si aplicamos el modele simplificado para una aplicacion particular (un caso cormin), podernos sustituir VD VT = 0.7 V para un diodo de silicio en la ecuaci6n 1.1O y determinar la disipacion de potencia resultante para compararla contra el valor de rnrixima potencia. Esto es,

DlFUSION PLANAR DE SILICiO

PERFIL 00·35 I~) MIN

IrT'O)

,J 0.180(4.57)

~J40(J56)

",,-ill :::::::::""

VALORES MAxIlVIOS ABSOLUTOS (Nota I)

B-t~----

Voltajc'S y Corrlcntes l\hiximos

WIV Voltaic Inverse de Trabajo BAY73

IOOV

NOTAS:

Conectores de ecero recubiertos

de cobre. con chapa de estafio Conectores de cbapa de oro disponiblcs Encapsulado de cristal hermeficamentc selludo

E! peso del paquete es de 0.14 gramos

if(s()brecarga)

Corricnte pico directa en sobrecarga Ancho de pulse ~ I s

Anello de pulse I j.Ls

LOA 4.0A

CARACTERISTICAS ELECTRICAS (A 25°C de temperatura ambiente, a menos

se indique 10 contra rio)

CARACTERISTICA

CONDICIONES DE PRUEBA

NOTAS

1 Estes valcrcs son valores lfmires, por encirna de los cuales la capacidad de servicio del diode se vena deterioradn. 2 Estes son Hmites en estado estable. Debeni consultarse con [a fabric-a plica aplicaciones que involucren pulses

U operacidn en ciclos de trabajo bajos.

Figura 1.40 Caractertsticas electricas de un diodo de alto voltaje y bajo nivel de fuga.

30


(III)

CLIO)

En las figuras 1.40 y 1.41 se proporcionauna copia exacta de los datos de un diodo de alto voltaje y bajo nivel de fuga. Este ejernplo representa el caso de la lista expandida de datos y caracteristicas. EI tcrrnino rectificador se aplica a un diodo cuando este se uriliza con frecuencia en un proceso de reciificacion como se describe en el capitulo 2.

CURVAS Til'ICAS DE CARACTERiSTICAS ELECTRICAS

(a temperatura arnbtente de 25°C, a menos que se indique 10 contrario)

VOLTAjE DIRECTO VERSUS CORRIENTE D1RECT\

CAl'ACITANCIA VERSllS VOLTAjE I:-IVERSO

CORRIENTE DIRECTA VERSUS COEFICIENTE DE TDIPERATURA

6.0

Ii 1······ ....... to.

l\ t-r-f- t-·· t··

D
".
1-
<:

E

~5.0 '§ 4.0 .~ 3.0 U

I 2.0 u

1.0

o o

4.0

8.0

12

16

V F - Voltaje directo - volts

TC - Coeficiente de temperatura m V fOe

V R - Voltaje inverse ~ volts

CORRIENTE INVERSA VERSUS COEFICIENTE DE TEMPERATURA

VOLTAjE INVERSO VERSUS CORRIENTE INVERSA

IMPEDANCIA D1NAMICA VERSUS CORRIENTE DIRECT\

100

O.

j_ 1
I IJ- ttr= I kHz ..

t1ac ~O.ldc
Typ H-

,-
-
I
.. \

I 10

1.0

0.0

25 50 75 100 125

o

1.0 10 100 IK 10K

V R .. Yclta]e inverso .. volts

TA - Temperatura ambieute - OC

RD ~ Impedancia dinamica ~.n

CURVA DE DECREMENTO DE DISIPACION DE PDTENCIA

CORRIENTE RECTIFICADA PROMEDIO Y CORRIENTE D1RECTA VERSUS TEMPERATURA AMBIENTE

500 !\ ! , ..... ,._ ....
400 1·- [·t··
\
1\ ..... t·· ,. .. _.
300 \
200 .......•..•... ...... I ... !'\

.. . ... I·'· -, i
100 ...... !
0 \ I o ~ ~ ~ lOOI~I~I~200

TIt - Temperatura ambiente - °C

TA - Temperatura ambiente - OC

Figura 1.41 Caracrertsucas terrnicas para un diodo de alto voltaje.

1.10 Hojas de especificaciones de diodos

31

. Se resaltaron con letra cursiva los parrafos de determinadas areas de la hoja de especificaciones que corresponden a la siguiente descripci6n:

A:

Los voltajes de polarizacion inversam(nimos (PlY) para un diodo a una corrien. te desaturacion inversa determinada.

Caraeterfsticas de temperatura segun sc indico. Observe el ernpleo de la escala de Celsius y el amplio tango de utilizacion [recuerde que 32cF O°C = punto de

congelacion (H20) y que 212°F 100°C punto de ebullicion (H20)].

Nivel ma,xi~o de disipaci6n de potencia P D VI) II) cz 500 m W. Ei valor de po-

tencia maxima disminuye a una proporcion de 3.33 mW por cada grado de temperatura que se incrementa por encima de la temperatura ambiente (25°C), como claramente se muestra en la curva de decremento de disipacion de palencia de la figura 1.4!.

Corricnte directa continua maxima IF 500 mA (observe la comparaci6n de

IF versus temperatura en la figura 1.4"i').

Rango de valores para VF cuando IF '" 200 rnA. Observe que ex cede Vr = 0.7 V para ambos dispositivos,

Rango de valores para Vp cuando IF = 1.0 mA. Observe como en este caso el

limite superior se acerca a 0.7 V. "

En el nivel VR '" 20 V Y a una temperatura de operacion tfpica, IR == 500 nA = 0.5 fLA, mientras que a un voltaje inverse mayor IR cae a 5 nA '" 0.005 fLA.

EI ~ivel de capacitancia entre las terminales es aproximadamente de 8 pF para el diodo cuando VR = VD a Y (sin polarizacion) y con un frecuencia aplicada de 1 MHz.

EI :i::mpo de recuperaci6n inverso es de 3 fLs para la !ista de condiciones de operacion.

B:

C:

0:

E:

F:

G:

H:

I:

Algunas d~ _Ias curvas de la figura 1.41 utilizan una esc ala logaritmica;una rapida lee~ura .de la seccion 11.2. ayudara a,la lectura de estas graficas, Observe en la figura superior lzqlll~rda como ,VF se Incremento desde un valor de 0.5 V hasta mas de 1 V, a medida que I F_ se mcrernento ~,e 1.0 fLA hasta mas de 100 mA. En la figura inferior, vemos que la comente de saturacion inversa se modi fica ligeramente con los niveles crecientcs de VR, pero permanece a menos de 1 nA a temperatura ambiente hasta nivcles de VR = 125 V. Sin embar~~, c.omo se in~ica en la figura adyacente, observe la rapidez con que la corriente de saturacion mversa se Incrementa en relaci6n con los incrementos en la temperatura (como 10 habiarnos pronosticado anteriormente).

. En la figura superior derecha vemos como disminuye la capacitancia a medida que se ll1crem.enta el voltaje en po!arizaci6n inversa, y en la figura inferior observamos que la resistencia de ac (r d) es tan solo de I n a 100 mA y que se incrementa a 100 n para corrientes menores de 1 mA (como se sabta por las explicaciones anteriores).

La corriente promedio rectificada, la corriente directa pico repetitive y la corriente pico en sobrecarga directa que se muestran en la hoja de especificaciones se definen como:

I. Corriente promedio rectificada. Una serial de media onda rectificada (como se describe en la ~ecci6n 2.8) ~osee un valor promedio definido por lav = 0.318 IpicO' EI valor de la cornente prornedio es menor que el valor de las corrientes directas continuas ° de pico repetitive, ya que una forma de.onda de corriente de media onda tcndra valores instantaneos mucho mayores que elvalor prornedio.

2. Corriente directa pico repetitiva, Este es el valor instantaneo maximo de la corriente ~irecta repetitiva .. Observe que debido a que se encuentra en este nivel durante un penodo breve, su myel puede llegar a ser mayor que el del nivel continuo.

3. Corriente pi.co en .sobrecar~a directa. En ocas~ones, durante el encendido, los problemas.de funcionam~ento, etcetera, apareccn cornentes muy altas a traves del dispositivo por mtervalos de tiernpo muy COItOS (que no son repetitivos). Estos indices definen el valor maximo y el intervalo de tiempo para tales sobrecargas en el nivel de corriente.

32


Mientras mas se familiariza uno con las hojas de especificaciones, mas facile» de usar se vuelvcn, especialmente cuando se cornprende de forma clara el impacto de cada parametro para la aplicacion bajo investigacion.

1.11

CAPACITANCIADE TRANSICION Y DE DIFUSION

Los dispositivos electronicos son rnuy sensible, inherenternente a las altas frccuencias, La mayona de los efectos capacitivos puedcn ignorarse a bajas frecuencias, ya que su reactancia Xc 1/21rfC es muy alta (equivalente a un circuito abierto). Esto. sin embargo, no puede iznorarse para el caso de frecuencias muy altas, debido a que Xc se volvera lo suficientcmente pequefia, gracias al alto valor de f como para introducir una trayectoria en "corto" de baja reactancia. En el diodo semicondllc:or p-n existen dos efectos capa:~tivos que ~ebe~~n considerarse. Ambos tipos de capacitancia se prescntan tanto para la region de polarizacion directa como para la inversa, pero dado que siernpre una de elias sllpera por rnucho a la otra en cada region, consideraremos los etectos de solo una de ellas para cada region.

En la region de polarizaci6n mvcrs«, Sf presenta la capacitancia ele tral1.lici6n (CT) ° de regi6n de agotamiento, mientrllS que para la region de polarizaci6n directa tendremos la capacitancia de difusi6n (CD) 0 de almacenamiento.

Recuerde que la ecuacion basica para la capacitancia de un capacitor de placas paralelas se define por C = EA/d, donde E es la permitividad del dielectrico (aislante) entre las placas con area A que se encuentran separadas por u.na distancia d. Para la region .de polarizacion inversa existe una region de agotamiento (libre de portadores) que esencialmente se comporta como un aislante entre las capas de cargas opuestas. Debido a que la amplitud ancho de la region de agotamiento (J) se incrementa al aumentar el potencial de polarizacion inversa, la capacitancia de transici6n resultante disminuira, como se muestra en la figura 1.42. El hecho de que la capacitancia sea dependiente del potencial de polarizacion inversa tiene aplicacionespara nurnerosos sistemas electronicos. En el capitulo 19 se presentara un diodo cuya operaci6n depende completamente de este fen6meno.

C(pF)

~~~"r---r-"-~.- -~----r---15 -- -~-----~.-.-~

f---- Polar;," ion invers. (C1') ~ .. -.-------/+1-------.

1=' +-------51t-~-=-"'7 ••• ~e-7-l-- .. - ..... --1

f.---I--~'--+----i+:z~·- -- ~ .. ~. b,=d~-_+_--'F'~=-·-t___--- Polarizacion directa (CD)-

(V) -25

-20

-15

-10

-5

0.25

0.5

Figura 1.42 Capacitancias de iransicion y de dtlus.on en Iuncion de la pclarizadon aplicada para un diodo de silicic.

Aunque el efecto descrito anteriormente tambien se presenta en la region de polarizacion directa.este es mucho menos que el ensombrecido porel cfecto de capacitancia que es dependiente directamente de la velocidad a la cual se inyecta la carga en las regionesjusto fuera de la regi6n de agotamiento. EI resultado es que niveles crecientes de cor:iente provocaran niveles crecientes de capacitancia de difusion. Sin embargo, niveles crecientes de corriente, provocan niveles reducidos de resistencia asociada (la cual se demostra.ra n:as adelante), y que la constante de tiempo resultante (T = RC), muy importante en aplicaciones de alta velocidad, no se vuelve excesiva,

Los efectos capacitivos descritos antes, se representan con un capacitor en paralelo con el diodo ideal, como se muestra en la figura 1.43. Sin embargo, para el caso de aplicaciones de baja 0 mediana frecuencia (exccpto en el area de potencial, el capacitor normalrnente no se incluye en el sfrnbolo del diodo,

1.11 Capacitancia de translcion y de dilusion

Figura 1.43 lnccrporacion del efecto de capacitancia de transi ~ cion 0 dilusion en el diodo semiconductor.

33

1.12 TIEMPO DE RECUPERACION INVERSO

Existen ciertos datos que corminrnente los fabricantesproporcionan en las hojas de especificaciones de los diodes: una de estas cantidades que min no hemos revisado, es el tiernpo de recnpcracion inverse, representado por t.; Anteriormente se que en el esrado de polarizacion directa, existe una gran cantidad de electrones que se muevcn del material de tipo n hacia el material de tipo p, y una gran cantidad de huecos en el material tipo p hacia el material tipo 11, 10 cual es un requisite para que exista la conducei6n. Los electrones en el tipo p y los huecos que se difundcn a traves del material tipo n establecen un gran nurnero de portadores minoritarios en cadu material. Si el voltaje aplicado se debiera invertir con el objetivo de establecer una situacion de pclarizacion inversa, idealmcnte verinrnos que el diodo cambia de forma instantanea de un estado conductive a uno no conductivo. Sin embargo, debido al alto ruimero de portadores rninoritarios en cad a material, la corriente del diodo sencillamente se invierte como sc rnuestra en 10 figura 1.44, y se man, tiene en este nivel perceptible, durante un periodo t, (tiernpo de almacenamiento), que requieren los portadores minoritarios para regresar a su estado de portadores mayoritarios en el ruaterial opuesto. En esencia, el diodo permanecera en el estado de circuito cerrado con una corriente Iinversa, determinada por los parrimetros de la red. Eventualmente. cuando esta tase de almacenarniento terrnine. la corriente reducira su nivel hasta alcanzar aquel asociado con el estado de no conduccion. Este segundo periodo se representa por t, (intervain de transici6n). El tiempo de recuperacion inverso sera la suma de estos dos intervalos: t.; = Is + tt. Naturalmente, este valor es una consideracion muy importante en aplicaciones de conmutacion de alta velocidad, La mayorfa de los diodos de conmutacion disponibles comercialmente, poseen un t.; en rangos de unos cuantos nanosegundos hasta I us. Sin embargo, existen unidades disponibles, con un t., de s610 unos cuantos cientos de picosegundos (10-12).

f-

I

i

I

Figura 1.45 Notaciones de diodos semiconductores

(a)

Cambia requerido de estado

I / (encendido _.. apagado) en [= I,

directa . . .

/' Respuesta deseada

Figura 1.44 Definicion del tiempo de recupcracion inverse

1.13 NOTACION DE DIODOS SEMICONDUCTORES

Las notaciones que de manera mas frecuente se utilizan para los diodos semiconductores, se proporcionanen la figura 1.45. Para la mayona de los diodos, se presenta una marca como un punto 0 una banda en la terminal del catodo. La terminologfa de anodo y catodo es un legado de la notacion de los tubos de vacfo. El anodo se asocia con el potencial mayor o el positivo, y el catodo con la terminal con el potencial menor 0 negativa. Esta combinacion de niveles de polarizacion provocara una polarizacion directa para el diodo 0 condicion de "encendido". En la figura 1.46 se muestran varios diodos semiconductores comercialmente disponibles, Algunos detalles acerca de la fabricaci6n real de dispositivos como los que aparecen en la figura 1.46 se proporcionan en los capitulos 12 y 19.

34


I

I

Figura 1.46 Varios tipos de diodos de union. [(a) Cortesia de Motorola Inc.; (b) y (c) Cortesia de International Rectifier Corporation].

1.14 PRUEBAS DE DIODOS

K, etcetera

1'1

(c)

EI estado de un diodo semiconductor puede determinarse de forma rapida mediante: (1) un multimetro digital (DDM, por sus siglas en ingles digital display meter), con funcion de verificacion de diodos, (2) lafunci611 de 6hmetro de un multfmetro, 0 (3) un trazador de curvas.

Funcion de verificaci6n de diodos

En la figura 1.47, se muestra un multimetro digital con capacidad de verificacion de diodos, Observe el pequefio sfrnbolo dediodo en una de las opciones de la perilla selectora. Cuarido se coloca en esta posicion y se conecta como se muestra en la figura 1.48a, el diodo debera estar en el estado de "encendido" y la pantalla indicara el voltaje en polarizaci6n directa tal como 0.67 V (para el Silo EI multfmetro cuenta con una fuente constante de corriente (aproximadamente de 2 mAl que definira el nivel de voltaje de la misma forma que se indica en la figura 1.48b. Un mensaje de OL en la pantalla cuando se conecta, como en la figura 1.48a, indica un diodo abierto (defectuoso). Si se conecta de forma invertida, el mcnsaje OL se debera a la equivalencia de circuito abierto que se espera, En general, por 10 tanto, si aparece el mensaje OL cuando el diodo se conecta en ambas direcciones, esto sera indicativo de un diodo abierto 0 defectuoso.

1.14 Pruebas de diodos

35

(Ohrnetro) R rclativamente baja

Terminalj 1 Terminal

roja (Vil) negra (COM)

+ r ~I _

(a]

R relativamente alta

Terminal I t Terminal

negra (COM) roja (Vil)

_ r ~I +

(b)

Figura 1.49 Veri licacion de un diodo mediante un ohrnetro.

36

Figura 1.47 Mulumetro digital can pacid.id de verificacton de diodes. (Cor" testa C:omputronics Technology lnc.)

Terminal 1 raja (Vil)

1 Terminal negra (COM)

Figura 1.48 Vcrificacion de un diodo en estado de polarizacion directa,

I

0.67 v

o

(a)

Prucha con un ohmetro

(h)

En la scccion 1.8 vimos que la resistcncia en polarizacion directa de un diodo semiconductor es muy baja en relacion con el nivel en polarizaci6n inversa. Por esto, si medimos la resistencia de un diodo utilizando las conexiones indicadas en la figura 1.49a, podemos csperar un nivel bajo rclativo. EI valor que indica cl ohmetro sera una funci6n de la corriente que establecc a traves del diodo la bater fa intcrna (general mente de 1.5 V) del circuito del ohmetro, Mientras mas alta sea la corriente, menor sen! el nivel de rcsistencia. Para la situacion de polarizaci6n inversa, la lectura que aparece debera ser muy alta, por 10 cual se requeririi de una escala grande de resitencia en el multfmetro, como se indica en la figura 1.49b. Obviamente, si se obticne una lectura que muestra un nivel alto de resistencia en ambas direcciones, sc tratara de una condicion abierta (dispositivo defcctuoso), micntras que una lectura que muestra un nivel muy bajo de resistencia en ambas direcciones indicara que probablemente se trata de un dispositive en corto.

Trazador de curvas

Eltrazador de curvas de la figura 1.50 puedc desplegar las caracterfsticas de una variedad de dispositivos, incluso las del diodo semiconductor. Al conectar de forma apropiada el diodo al tablero de pruebas en la parte baja central de la unidad y al ajustar los controles, se obtiene la imagen de la figura 1.51. Observe que la escala vertical es de I mA/div, con 10 que se obtienen los niveles indicados. Para el caso de la escala horizontal se utiliza 100 m V/div, con 10 cual tambien se obtienen los niveles de voltaje que se indican. Para un nivel de 2 rnA como el utilizado con el multfrnetro, el nivel resultante seria de aproxirnadamente 625 mY 0.625 V. Aunque el instrurnento inicialrnente podria parecer complejo, el manual de instrucciones y algun tiempo de practica hacen que sea posible obtener los re-


Figura 1.50 Tr:l:adcr (Conesia de Tektronix. lnc.)

lOrnA

Por division vertical ImA

!

I

V 9mA

SmA

Per division horizontal IOOmV

7mA

6mA

5mA

! p~""'ol

4mA

3mA

2mA

~oglll por division

Figura 1.51 Rcspucs.a del trazador de curvas para d diodo de silicio 1"14007.

lmA

omAov O.IV O.2V O.3V O.4Y O.5V O.6V O.7V O.8V O.9V I.OY ..... __ J

sultados buscados sin una gran cantidad de tiernpo y esfuerzo. Este mismo dispositive aparccera en mas de una ocasi6n en los capitulos siguientcs a medida que reviscmos las caracteristicas de los diversos dispositivos.

1.15 DIODOS ZENER

En la secci6n 1.6 analizamos con cierto detalle la regi6n Zener de la figura 1.52. En la que se aprecia la caida en una forma casi vertical de la caracteristica bajo un potencial de polarizaci6n inversa denotado como Vz. El hecho de que la curva caiga alejada del eje horizontal en lugar de que se elevealejada de la region positiva VD indica que la corriente en la regi6n Zener mantiene una direcci6n opuesta a aquella de un diodo en polarizaci6n directa.

Esta region de caracteristicasunicas se utiliza en el disefio de los diodos Zener, ·Ios cuales tienen el simbolo grafico que aparece en la figura 1.53a. Tanto el diodo semiconductor como el diodo Zener se presentan juntos en la figura 1.53 para asegurar que se entienda clara mente la direccion de la corriente en cada uno, junto con la polaridad rcquerida para el voltaje aplicado. Para el diodo semiconductor, el estado de "encendido'' res!stinl una corriente en direcci6n de la fecha del simbolo. Para el diodo Zener, la direccion de conducci6n es opuesta a la flecha de su sfmbolo como indicamos en la parte introductoria de esta seeci6n. Observe tambien que la polaridad de V[) y de V z son las mismas que las que se hubieran obtenido si ambos fueran elementos resistivos.

1.15 Diodos Zener

\',

Figura 1.52 Observacion di, la regi6n Zener.

t f

(a)

(b)

Figura 1.33 Direccion de 1" conduccion: (a) diode Zener', (b) diodo semiconductor.

37

La localizacion de la region Zener puede controlarse mediante la variacion de los nivcles de dopado. Un incremento en el dopado, que produce un incremento en cl mimero de impurezas anadidas, disminuye el potencial Zener. Existen diodos Zener disponiblcs con potenciales Zener de1.8 a 200 V con val ores de palencia i a 50 W. Debido a su capacidad para soportar temperaturas y.conierue mayores, se prefiere utilizar el 'silicio para fabricar diodos Zener.

El circuito equivalente cornpleto del diodo Zener en la regi6n Zener incorpora una pequena resistencia dinamica y una bate ria de equivalente al potencial Zener como se muestra en la figura 1.54. Sin embargo, para el resto de las aplicaciones siguientes, debernos asumir como primera aproxlrnacion que los resistorcs externos son mucho mas grandes en rnagnitud que el resistor equivalente Zener y que el circuito equivalente simplernente sera. el que se indica en la figura 1.54b.

En la figura 1.55 se proporciona un dibujo mas grande de la regi6n Zener para perrnitir una descripcion de los datos con el nombre Zener que aparecen en la tabla 1.4 para el caso de un diodo de 10 V, 500 m W y 20%. EI termino nominal asociado con Vz indica que se trata de un valor tfpico promedio. Ya que este es un diodo de 20%, el potencial Zener se puede expresar can una variacion de 10 V ± 20% 0 con un range de operaci6n de 8 a 12 V. Tambicn se encucntran disponibles diodos de 10% y 5% con las rnismas especificaciones. La corriente de prueba l rr es la corriente definida para ~ del nivel de potencia y Zzr es la impedancia dinamica en este nivel de corriente. La irnpedancia maxima en el punto de inflexion ocurre en la corriente del punto de inflexion IZK' Se proporciona adernas la comente de saturacion inversa para un nivel potencial particular, e IZ\I es la corriente maxima para la unidad de 20%.

EI coeficiente de temperatura refleja el cambio porcentual de Vz con respecto a la temperatura, y se define por la ecuacion

r v:l vI
i -+- '1
(a) (b)
Figura 1.54 Circuitc
Zener complete (1.12)

/2

Figura 1.55 Caracteristicas de prueba de Zener.

TABlA 1.4 Caractertsticas elecrricas (15°C de temperatura ambtente a menos que se indique 10 contrario)

Voltaic Zener Nominal,

v,

IV)

Conicnte Impedancia Impedancia Corriente Voltaje Corriente
de Dinamica Maxima en el Inversa de Reguladora Coeficiente
Prucba, Mr:ixima, punto de inflexion, Maxima, Prueba, Mr:ixima, Tipico de
IZT ZZT a IZT ZZK a IZK IR a VR IfR 12M Temperatura
(mA) (Sl) (.0) (mA) ipA) (V) (rnA) (%I"C)
12.5 8.5 700 0.25 10 7.2 32 +0.072
Capitulo 1 Diodes semiconductores !O

38

donde ~ Vz es eI cambio en el potencial Zener, resultado de la variacion de temperatura. Observe en lafigura 1.56a que el coeficiente de temperatura puede ser positive, negative e incluso cero para los distintos niveles Zener. Un valor positiveindica un incremento en Vz co' 1110 resulrado de un incremento de temperatura, rnientras que un valor negative indica un decrementoen el valor cuandolaternperatura seincrementa. Los niveles de 24 V, 6.8 V Y 3.6 V refleren a tres diodes Zener que cuentan con estes valores nominates dentro de una misma familia de Zeners. La curva para el Zener 10 V naturalrnente se encontraria entre las curvas de los dispositivos de 6.8 V Y de 24 V. Regresando a la ecuacion 1.12, To es la temperatura a la eual Vz se suminlstra (normalmente a temperatura arnbiente de 25QC), y T, es

nuevo nivel. El ejemplo 1.3 dernostrara la utilizacion de la ecuacion 1.12.

Coeflciente de temperatura versus corriente Zener

Impedanc!a dinamica versus corrtente Zener

~ +0,12 u

I I rEL-- I
r: ,d' I l-r-
r--
~",'

i
i I
,
I!
-3.6V -,
IIII Ii
I II II!
- lkQ
c: 500
I 200
~
" 100
u
,~ 50
c
:0
es 20
"C
8 10
il 5
c,
.§
2
1 10 20 50 100
0.10.2 0.5 1 2 <,

::: +0.08 ,_:

t' +0.04

~

g, 0

Q

.g -0.04

"

" G -0,08

't

c

u -0.12

0.01 0,0) 0.1 0.5 1

5 10 50100

Corriente Zener, Iz- (mA)

Corriente Zener, Iz- (rnA)

(a)

Figura 156 Caracteristicas electricas de undiodo Zener de 10 Y, 500mW

(b)

Determine el voltaje nominal del diodo Zener de la tabla 1.4 a una temperatura de 100°C.

EJEMPLO 1.3

Soluclon

A partir de la ecuacion 1.12,

Al substituir valores de la tabla 1.4 tenernos (0.072)(10 V)

100 (100°C

= (0.0072)(75)

0.54 V

y dado que el coeficiente de temperatura es positive, el nuevo potencial Zener definido por V~, es

Vl v, + 0.54 V 10.54 V

En la figura 1.56b, se rnuestra la variacion en la impedancia dinamica (fundamentalmente, su resistencia en serie) a cambios en la corriente. De nuevo, el diodo Zener 10 V

L 15 Diodos Zener

39

aparece entre IDS Zeners 6,8 V y 24 V Observe que mientras mas fuerte es la corriente (0. mientras mas arriba de la curva en crecirniento vertical se encuentre en la figura 1,52), menor sera el nivel de resistencia. Observe tarnbien que a medida que se cae por debajo del punto de inflexion de la curva, Ia resistencia sc incrementa a niveles considerables.

En lao figura 1,57 aparecen tanto. Ia identificacion de las terminates como el encapsulado para distintos diodes Zener La figura 158 es una fotografia real de una variedad de instrumentos Zener. Observe que su apariencia es muy parecida a la de los diodos scmiconductores, En el capitula 2 se revisaran algunas areas de aplicacion para IDS diodos Zener

J"""'" ~

f-catodO -I

Figura 1.57 Identificacion de terminales Y simbolos del Zener.

Figura 1.58 Diodos Zener. (Cortesta de Siemens Corporation),

1.16 DIODOS EMISORES DE LUZ

La utilizaci6n creciente de pantallas digitales en calculadoras, relojes y en toda forma de iustrumentacion ha contribuido al amplio interes actual en estructuras que puedan emitir luz cuando se polarizan de forma apropiada. Las dos formas que comunmente se utili zan en la actualidad para rcalizar dicha funci6n son los diodos emisores de lu; (LED del inglcs: Light Emitting Diode) y la pantalla de crista! liquido (LCD del ingles: Liquid Cristal Display), Debido a que el LED esta dentro de la familia de dispositivos de uni6np-n y que aparecera en algunas de las redes de las siguicntes capftulos, se presentara en este capitulo, La pantalla tipo LCD se describe en el capitulo 19.

CDmD su nornbre 10. indica, el diodo ernisor de luz (LED) es un diodo que es capaz de emitir luz visible cuando se energiza. En cualquier union p-n can polarizacion directa existe, dentro de la estructura y principalmente cerca de la union, una recambinaci6n de huecos y electrones. Esta rccornbinacion requiere que la energia posefda par el electr6n libre sin enlace sea transferida hacia otro estado, En todas las uniones de semiconductores p-n cierta cantidad de esta energfa se. desprendcra en forma de calor. y otra en forma de fotones, En elcaso del silicio y del germanio, el porcentaje mayor deenergla que sedesprende es en forma de calor y en una medida insignificante, se desprende luz einitida, Enotros materiales, como el fosfuro de arseniuro de galio (GaAsP) 0 el fosfuro de galio (GaP), el numero de fotones de energfa luminosa ernitida es suficiente como para crear una fuente de luz altamente visible,

Al proceso de emisi6n de Iuz mediante la aplicaci6n de una Juente de energfa electrica se Ie denomina electroluminiscencia,

Como se muestra en la figura 1,59 con su sfrnbolo grafico, la superficie conductora que se encuentra conectada al material p cs mucho mas pequeiia, CDn el objeto de permitir la

40

Capitulo 1 Diodos semicouductores

+ ,.fr
0 ~ 0
-
H lo Vo
(b) metalico

<. 'Contacto

metalico

(a)

ernision del maximo mimero de fotones de energfa lurninosa. Observe en la figura que la recornbinacion de IDS portadores inyectados, debido a la union can polarizacion directa, provoca una ernision de luz en lugar de la recornbinacion. Desde luego, puede existir cierta absorcion de los paquetes de energfa fot6nica en la misma estructura, sin embargo, un alta porcentaje sera capaz de escapar, como se sefiala en la figura.

La apariencia y caracteristicas de una lampara subminiatura de estado s6lido yalta eficiencia que fabrica Hewlett-Packard se ejemplifica en la figura 1.60, Observe ,en la ~gura 1,60b que la corriente pico directa es de 60 mA, mientras que 20 mA es la cornente directa promedio tfpica. Sin embargo, las condiciones de prueba listadas en la figura 1,60c, son parael nivel decorriente de 10 mA. EI nivel deVD bajo condiciones de polarizaci6n directa se indica como Vp y se extiende desde 2,2 hasta 3 V. En otras palabras.es posible esperar una corriente de operacion tfpica cerca de 10 inA 32,5 Vpara una buena ernision de luz.

Existen dos cantidades indefinidas aun, debajo del encabezado de Caracteristicas Electricas/Opticas cuando TA 25°C, Estas son la intensidad luminosa axial (Iv) 7la eflci~ncia lumlnosa (7)v)' La intensidad de la luz se mide en candelas. Una candela ermte un Ilujo de luz de 47T lumenes y crea una iluminaci6n de I candela/pie sobre un area de 1 pie cuadrado. a una distancia de un pie de la fuente de luz. A pesar de que tal vez esta descripcion no proporcione un entendirniento clare de la candela como unidad de rnedida, ciertamente, su nivel puede compararse con otros dispositivos similares, EI termino eflciencia es por definici6n una medida de la habilidad que tiene un dispositive para producir un cierto efccto. Para cl caso del LED, la eficicncia es la razon entre el numero de Iumenes generados pOl' watt 0 encrgia electrica aplicada. La eficiencia relativa se define como la intensidad luminosa por unidad de corrientc, de la forma en que se sefiala en la figura 1,60g, La intensidad relativa de cada color en funcion de la longitud de onda se rnuestra en la figura 1,60d,

Debido a que el LED es un dispositive de union p-n, asumira una ~aracteristica de ~olarizaci6n directa (figura 1 ,60e), similar a la curva de respuesta del diodo. Observe el incremento practicamentc lineal de la intensidad luminosa relativa en funci6n de la corricnte directa (figura 1,60f), La figura 1.60h muestra que mientras mayor sea la duracion del pulso a una frecuencia particular, menor sera la corriente pico perrnitida (despues de haber pasado el valor de ruptura de 11')' La figura J ,60i simplemente sen ala que la intensidad es la mayor a 0° (visto desde el frente directamente) y la menor a 90° (cuando el dispositivo se observa desde un lado).

Actualmente las pantallas de visualizaci6n de LED se encuentran disponibles en mu-

chas forrnas y tamafios. La regi6n de emisi6n de luz esta disponible en longitudes que van desde 0,1 a I pulgada. Es posible representar nurneros mediante segrnentos como se indica en la figura L6L Al aplicar una polarizaci6n directa al segmento de material tipo p apropiado, es posible desplegar cualquier mirnero del 0 al 9,

Tambien existen larnparas de LEDs de dos terminales, las cuales contienen dos LEDs, de manera que una inversion en la polarizaci6n cambia el color de verde a rojo 0 viceversa.

1.16 Diodos emisores de luz

Figura 1.59 electrolul:nin15CenciJ en el LF_D (b) simbolo graiico.

41

(a)

Actualmente es posible encontrar LEOs en color rojo. verde. amarillo. naranja y blanco. proxirnamente tarnbien estara disponible cornercialn.ente el color blanco con azul. En general, los LEOS operan en ranges de voltaje de 1.7 a 3 J V, 10 cual los haee completamente compatibles con los circuitos de estado solido. Cuentan con tiernpos .de respuesta rapidos (nanosegundos) yofrecen indices buenos de contraste para mejorvisibilidad. Sus requerimientos de potencia son tipicamente de 10 a 150 mW con riempos de vida de mas de 100,000 horas y ademas, su consrruccion de semiconductor les anade un factor de significat iva durabilidad.

Valores norninales absolutos rnaximos a TA == 25:C

Parametro

Disipacion de potencia

Corriente promedio en polnrizaclon dirt-eta Corriente pico en polarizacion directa Rango de temperatura para

opcracion y almucenamiento Temperatura de soldado del corrector

fa 1.6 mm (0.063 pulg.) del

120 20' 60

-S5"C a 100°C

230°C durante 3

[lJ Reducir a partir de SOGC en 0.2 mVFC

(b)

(c)

l. Owes el lingula a partir del eje al cual, la intensidad luminosa es la mitad de la intensidad luminosa axial. .2. La longitud de and a dominanteXj, se deriva del diagram a CIE de cromaticidad y representa la longitud de onda simple que define el color del dispositive.

3; La intensidad radiante, Ie, en waus/esrereorrndlan, puede encontrarse a partir dela ecuacionI, :z::; l./l1v,donde I; es la intensidad lurninosa en' candelasy 1l~ es Ia cficiencia luminosa en hirncnes/watt.

Caracterfsticas Electrtcas/Optlcas a TA = 25°C

4160 Roja de alta
eficlencla Condiciones
Simboto Descripclon Min. Tfpiw Mth. Unidades de prueba
IF= 10 rnA
t; Intensidad 1.0 3.0 mcd
lurninosa 'axial
20l/2 Angulo incluido 80 deg. Nota I
entre puntos de
intensidad Iuminosa
media
Apico Longitud de onda pica 635 nm Medida en
el pico
Ad Longitud de onda dominante 628 nm Nota 2
T, Velocidad de respuesta 90 ns
C Capacitancia II pF VF= 0; f = l Mhz
Ole Resistencia termica 120 "CIW Union a la conexion
de! catodo
a 0.79 mm (0.031
pulg) del cuerpo
Vp Voltaje en polarizaci6n 2.2 3.0 V Iy= 10 rnA
directa
BVR Voltaje de ruptura 5.0 V IR=IOOfLA
inverso
'h Eficiencia lurninosa 147 ImIW Nota 3
NOTAS: Figura 1.60 Lampara raja subrniniatura de estado solido yalta eficiencia fabricada por Hewlett-Packard: (a) apariencia; (b) valores nominales absolutes maximos; (c) caracteristicas electricas/opticas; (d) intensidad relativas en Jund6n de longitud de onda; (e) corriente en polarizacion directa en Jund6n del volta]e en polarizacion directa; CD intensidad luminosa relativa en JunGian de 1a corriente en polarizacion directa; (gl eficiencia relativa en[unci6n de 1a corriente pico; (h) comente pica maxima en Junci6n de 1a duracion del pulse: (I) intensidad luminosa relatlva en J<mcion del desplazamiento angular. (Cortesia de Hewlett-Packard Corporation.)

42


Unidades

mW mA rnA

Longitud de onda en nm

(d)

20

TI ;~c Jfl
A
,
I I
I
./ 0.5

LO

L5 2.0 2.5

3.0

0.7 J-.---+--+--~-t------t-----~-I---

0.60 10 20

30 40 50 60

IF - Corriente en polarizacion directa - rnA

I plea - Corriente pico .: -mA

V F - Voltaje en polarizaci6n directa- V

(eJ

(f)

(g)

80' 90'1--+'---l-+~~i-'-:2:-':0:-' '-:4:'::0·--'--760::·~80:;:·-LI;;:()0'

10 100

tp - Duraci6n del pulso - ).Is

(h)

(il

Figura 1.60 Continuaci6n.

1.16 Diodes emisores de luz

43

TR~'

0.600" •. _l_

_L

LO.600"J

LI V F Ajuste de Voltaje Directo

Figura 1.62 Arreglo monolttiro de diodos.

44


Fig.ura 1.61 Pantalla de 5cgmentcs Litronix.

ARREGLO MONOLITICO PLANAR DE DIODOS AISLADO POR AIRE

• C •.• 5.0 pF (MAX)

'L\VF •.• 15rnv(MAX) lOrnA

VALORES NOMINALES ABSOLUTOS MAxIMOS (Nota I)

Ternperaturas

Ranges de Ternperaturas de Almacenamicnto Temperatura Maxima de Operacion de In Union Temperatura en la Conexi6n

Disipaci6n de potencia (Nota 2)

Divipacion Maxima de I" Union a 25"C de Temperatura Ambienre por Encapsulado a 25QC de Temperatura Arnbiente Factor de Disipacion Lineal (a partir de 25'C) en la Union

en el Encapsulado

Cor ricntes )' Voltajes Maximos

wrv Voltajc Inverse) de Trabajo

IF Corriente Continua en Polarizad6n Dirccta

if,~ohr~carga)

Corricntc Pico en Sobrecarsa en Polarization Directa Ampiitud del pulso = i.o s

Amplitud del pulso = 1.0 JLS

-55° a + 200°C + 150"C + 260°C

Vease esquema del encapsulado TO-96

D1AGRAMA DE CONEXION

400mW 600 rnW 3.2 mWI"C 4.8 mWfC

rrm-rm

1234679

55 V 350 in A

LOA 2.0A

SIMBOLO

CARACTERISTICA

CARACTERISTICAS ELI,CTlUCAS (A 25'C de temperatura ambiente a menos que se lndlque 10 contrario)

MiNIMO MAXIMO UNIDADES CONDICIONES DE PRUEIlA
60 V lR - 10 I'-A
1.5 V 11'= 500 mA
1.I V Ip= 200 mA
1.0 V IF= 100mA
100 nA VR 40V
100 I'-A VR = 40 V
5.0 pF VR = 0, f 1 MHz
4.0 V Ir- 500 mA, tf < 10 ns
40 ns Ir- 500 mA. If < 10 ns
10 ns Ir- If - 10 -200 orA
RL=JOOn,Rec.aO.! If
50 ns If= 500 rnA, If= SOmA
I RL - lOOn, Rec. a 5 rnA
15 mV IF lamA Voltaje de Ruptura

Voltaje en Polarizacion Directa (Nota 3)

IR Corriente Inver"

Corriente Inversa (T = 150'C)

C

Capacitancia

V n.1 Voltaje Pico en Polarizaci6n Directa

tff Tiempo de Rccuperacion Directo

trr Tiempo de Recuperaci6n Inverse

:-;OTAS:

I.

valor:s ,son valores lfmites, por cncimn de los cualcs sc verfa dunado el descmpcfio y la vida del dispositive. son limites en estado estable. Debora consultarse a la fabrica para aplicaciones que involucren opcraclon can pulses 0 con ciclos de trabajo bujos.

3. VI' se mide utilizando un pulse de 8 ms.

2.

1.17 ARREGLOS DE DIODOS:

ClRCUITOS INTEGRADOS

Las principalcs de los circuitos integrados se presentan en cl Apendice A. "Fabricacion de los circuitos intcgrados que muevcn al mundo". euyo contenido mcrecc una lectura cuidadosa, cuando el tiernpo 10 perm ita, de manera que se obtenga un entendimicrite arnplio del proceso de manufactura. Se dara cuenta de que el circuito integraclo no es un dispositive unico quc euente con caracteristicas eompletamente diferentes de aquellas que hemos rcvisado en estos capftulos introductorios. Simplemente es una tecnica que perrnite una reduccion importante en el tamafio de los sistemas elcctronicos. En otras palabras, dentro del circuito integrado se encuentran sistemas y dispositivos discrctos que ya estaban disponibles mucho tiempo antes de que el circuito integrado, como hoy 10 conocernos, Iuera una realidad.

En la figura 1.62 (vea pagina 44) sc muestra un arreglo posible. Observe que dentro del arreglo de diodos se encuentran ocho, Esto es, en el encapsulado que se muestra en In figura 1.63 se hallan los diodos sobre una sola oblea de silicio que tienen todos los anodes concctados a la terminal I y los catodos de cada uno, a las terrninales 2 a la 9. Observe en la rnisma figura que 10 terminal I puede Iocalizarse a la izquierda de una pequeiia protuberancia del encapsulado 5i se observa desde debajo de este. Los otros mimeros de terrninal seguiran al primero en orden secuencial. Si se requiriera utilizar un solo diode. entonces unicamcnte se em plea ran las terminales I y 2 (0 cualquier otra del 3 al 9), Los diodes restantes quedarian desconectados y no afcctarian a la red donde se encuentren conectados las terminales 1 y 2.

En la figura 1.64 se presenta otro arreglo de diodos. En este caso, el cncapsulado es diferentc. sin embargo, la secuencia de numeraci6n aparece en el esquema. La terminal 1 es la que se encuentra directamente arriba de la pequefia muesca que se ve desde la parte superior del encapsulado.

Aislador

de pic; Ia forma puede variar

Notas:

Tcrminalcx Kovar, chapcadas en oro, Paquetc sellado hermdtlcarnente. con un

peso de 1.32 gramos

Figura 1.63 Esquema del encapsulaclo TO·96 que corrrspondc con un arreglo de diodes. Todas las medidas estan en pulgadas.

Descripcion del encapsulado TO-116-2

C--O.785"--l r:

0.271"

L~.----..........,..........--MJ

Diagramas de conexion FSA2500M

Figura 1.64 Arreglo monolitico de diodos. Todas las medidas se encuentran en pulgadas

1.17 Arreglo de diodos: circuitos integrados

Jack St. Clair Kilb;

p r

Ing(:nicn~\ y '1ccnologfa del Components Asociado de IEEE POf ptrlnstrurnents. Pesce mas de 60 patentcs en n:

EI primer circuito integrado. un oscilaclor de drsplazamicntc de fa-

sc, mventado par S. Kilby en

1958. (Cortesia Texas Instru-

ments, lnc.)

~0.310"i

t=.

Notus:

Alcacion de 42 terminalcs. chapa de estano Disponible con terrninales de chapa de oro Encapsulado de ceramica sellado nermeticamcnte

45

1.18 RESUMEN

Conclusiones y Conceptos Relevantes

I. Las caracteristicas de un diodo ideal se asemejan mucho a las de un interrupter simple, excepto por el hecho import ante de que un diodo ideal puede conducir enuna sola direccion.

2. El diodo ideal acnia como un circuito COl-tO en la region de conduccion y como un circuito abierto en la region de no conduccion.

3. Un semiconductor es un material que posee un nivel de conducrividad situado entre el de un buen conductor y el de un aislante.

4. Al enlace de atornos, reforzado por electrones compartidos entre atornos vecinos. se le denornina enlace covalente,

5. Los incrementos en la temperatura pueden causar un incremento irnportante en el mimero de electrones libres en un material semiconductor.

6. La mayona de los materiales semiconductores que se utilizan en la industria electronica, poseen coeficientes de temperatura negatives; 10 que significa que la rcsistencia desciende cuando la temperatura se incrementa.

7. Los materiales intrfnsecos son aquellos semiconductores que tienen bajos niveles de impureza, mientras que los materiales extrinsecos son los scmicouductorcs que han sido expuestos a un proceso de dopado.

8. Un material tipo n se forma al afiadir atomos donores que cuentan con cinco electrones de valencia de forma que se establezca un alto nivel de electrones relativarnente libres. En un material tipo n, el electron es el portador mayoritario, y el hueco es el portador minoritario.

9. Un material tipo p se forma al aiiadir atornos aceptores que cuentan con tres electrones de valencia de forma que se establezca un alto nivel de huecos en el material. En un material tipo p, el hueco es el portador mayoritario, y el electr6n es el portador minoritario.

10. La regi6n cercana a la union en un diodo que contiene muy pocos portadores se le denomina regi6n de agotamiento.

II. En ausencia de cualquier polarizacion extema aplicada, la corriente de un diodo es cero.

12. En la region de polarizacion directa la corriente del diodo se incrementara de forma exponencial con increrncntos en cl voltaje a traves del diodo.

13. En la region de polarizaci6n inversa, la corriente del diodo se mantiene en la muy pequeiia corriente de saturaci6n inversa hasta que la ruptura de Zener sc alcanza y la corriente comienza a fluir a traves del diodo en direccion opuesta.

14. La corriente de saturaci6n inversa Is se incrernentara en proporci6n cercana al doblc por cada incremento de 10 grados en la temperatura.

15. La resistencia de de de un diodo sc determina por la razon entre el voltaje de diodo y la corriente en el punto de interes y no es sensible a la forma de la curva. La resistencia disminuye con el incremento en el voltaje 0 la corriente del diodo.

16. La resistencia de ac del diodo es sensible a la forma de la curva para la region de interes y disminuye para altos niveles de corriente 0 voltaje del diodo.

17. EI voltaje de umbra! es cercano a 0.7 V para el caso de los diodos de silicio y de 0.3 V para el de los diodos de germanio.

18. El nivel maximo de disipacion de potencia de un diodo es igual al producto del voltaje deldiodo por la corriente.

19. Lacapacitancia de un diodo seincrementara exponencialmente con el incremento del voltaje en polarizaci6n directa. Sus niveles mas bajos se encuentran en la regi6n de polarizaci6n inversa.

20. La direccion de conduccion de un diodo Zener es opuesta a la que indica la flecha de su sfrnbolo, y el voltaje Zener tiene una polarizacion opuesta a la del diodo en polarizacion directa.

21. Los diodos emisores de luz (LEDs) emiten luz bajo condiciones de polarizacicn directa pero requieren de 2 a 4 V para una ernision conveniente.

46


Ecuaciones

11,600

t; + 273"

k

1) 0.7 V(Si) 0.3 Y (Ge) Vo

~Vd 26 mY

rei = --- = ---

, st, If)

1.19 ANAuSIS POR COMPUTADORA

La cornputadora se ha convertido en una parte integral de la industria electronica de tal manera que las caracterfsticas que ofrece esta "herramienta" de trabajo se deben presentar en la primera oportunidad posible. Para aquellos estudiantes sin experiencia previa en la computaci6n, existe al principio un temor cormin hacia este sistema poderoso y aparentemente complicado. Tomando esto en cuenta, se disefio para este libro la seccion de analisis por computadora, de manera que los sistemas de c6mputo se volvieran mas faciles de usar mediante la presentacion de la relativa facilidad con la que estes pueden ser aplicados para la ejecucion de algunas tareas especiales que pueden ser muy utiles con un consumo mfnirnode tiempo y con un alto grade de precision. EI contenido de esta seccion se desarrollo asumiendo que ellector no cuenta con experiencia en c6mputo previa ni con una familiarizaci6n con la terminologfa que se aphca.Esto tarnpoco sugiere que el contenidode este libro sea suficiente como para permitir un completo entendimiento de los "comes" ni de los "porques" que surgiran. EI proposito aquf, es unicamente el de ofrecer una introduccion a la terrninologia, revisar algunas capacidades, descubrir las posibilidades disponibles, experimentar algunas de sus limitaciones y demostrar su versatilidad mediante un cierto numero de ejemplos cuidadosarnente seleccionados.

En general, el analisis por computadora de sistemas electronicos puede realizarse mediante uno de dos enfoques: ya sea ernpleando un lenguaje de prograrnacion como C++, Pascal, FORTRAN, 0 QBASIC; 0 mediante la utilizaci6n de un paquete de software como PSpice. Electronics Workbench (EWB), MicroCap II. Breadboard 0 Circuit Master, por nombrar algunos. A traves de una notacion simbolica, un lenguaje de prograrnacion crea un puente entre el usuario y la computadora para permitir un dialogo entre ambos con el objetivo de establecer las operaciones que se efectuaran.

En ediciones anteriores de este texto, el lenguaje de programacion seleccionado fue BASIC, debido principal mente ala utilizacion que hace de palabras y frases familiares con las del idioma Ingles, que revelaban en sf mismas la operaci6n que se realizarfa. Cuando se emplea un lenguaje de prograrnacion para analizar un sistema, es necesario desarrollar un programa donde se definande.manera secuenciallas operaciones que se efectuaran, en un orden muy similar al que seutiliza pararealizar el mismo analisis a mano. Dela rnisma forma que en este ultimo metodo, si se comete un error en un paso especifico, el resultado que se obtiene puede no tener ningiin sentido. Es obvio que un programa desarrollado con tiempo y esmero representara un camino mucho mas eficiente para llegar a una solucion, Una vez establecido en su "mejor" forma, se puede catalogar para una utilizacion futura. Una ventaja importante del enfoque por medio de lenguaje de programacion es que este puede ser configurado para cubrir las necesidades especiales del usuario. Permite "movimientos" creativos por parte del usuario que pueden generar impresiones de datos de una manera informativa e in teres ante.

1.19 Analisis por computadora

47

Figura 1.65 2000.

Mathc,ld

Figura 1.66 de Discno

PSpice (Cortesta OrCAD Mi·

croSim Corporation),

Figura 1.67 Electronics Workbench, Version 6.2,

48

E! enfoque alternative que se menciono antes es el del empleo de un paquete de software que permita realizar Ia investigacion deseada. Un paquete de software es un prograrna desarrollado y probado durante un periodo, el cual est a disefiado para realizarun tipo particular de analisis 0 sintesisde una rnanera eficierite con un alto nivel de precision. El paquete en sf misrno, no puede ser alicradopor el usuario, y. SLI aplicacion se lirnita a las operaciones incorporadasen el sistema. Un usuario debe adecuar su necesidad de informacion requerida al rango de posibilidades que ofrece el paquete. Adernas, el usuario debe capturar la informacion exactamcnte de la forma en que 10 solicita el paquete 0 de 10 contrario los datos pueden malinterpretarse.

Los paqueres de software disponibles actualmente son muy amplios en cuanto a su cobertura y ran go de operaciones, de tal forma que ahora se requiere de una practica extensa para ser en realidad cornpetente en su utilizacion. De heche, una importante fuente de informacion para principiantcs es Ia cercarna can colegas que posean una mayor experiencia en un paquete en particular. El apoyo que un colega de este tipo puede brindar casi siernpre es invaluable debido al tiempo y esfuerzo que puede ahorrar. Pero siempre tenga en mente que en algun memento, este experto tarnbicn debcni acudir a los manuales proporcionados y a fuentes de ayuda para poder completar una labor. Para convertirse en una persona habil en el uso de cualquier paquete solo se requieren muchas horas de pracrica, adernas de la habilidad para hacer preguntas y buscar ayuda cuando se requiera.

En estc texto, son tres los paquctes que se utilizaran ampliamente. No obstante que, como es natural, su cobertura cs introductoria, la gufa que se proporciona en este texto y en los manu ales del software deb era ser mas que suficiente para que los lectores puedan en tender de forma clara los ejernplos y puedan trabajaren los ejercicios. En la seccion 1.7 se present6 una introduccion de Mathcad para crear un conocimiento acerca del tipo de apoyo matematico disponible y que va mas alla de la capacidad de una calculaclora cientifica comun, A pesar de que el paquete MathCad 2000 que se muestra en la figura 1.65 sea el utilizado en este texto, cl nivel de cobertura cs tal, que todas las operaciones pueden efectuarse en versiones anteriores de Mathcad. Para el case de las redes electronicas que revisaremos en este texto,se utilizaron dos paquetes de software; P5pice* y Electronics WorkBench. En la figura 1.66 se prescnta una fotografla del paquete de la version 8.0 de PSpice en formato CD-ROM (tambien disponible en formate de discos de 3.5"). Existe una version mas sofisticada con arnplia difusion en la industria, denorninada simple mente como SPICE. En la figura 1.67 se present a el paquete de la version 6.2 de Electronics Workbench. De nueva cuenta mencionamos que la cobertura en este texto es tal, que es posible utilizar versiones anteriores para realizar los ejercicios, Para el caso de todos los paquotes de software, se hizo un esfuerzo por proporcionar un detalle suficiente en el texto que permitiera guiar al lector a traves de cada paso en el proceso de analisis. Si surge alguna duda, primeramcnte consulte con su instructor y en los manuales del software y por ultimo, uti lice In ayuda en linea que se proporciona con eada paquete.

PSpice Windows

Al utilizar PSpice para Windows, se dibuja en primer lugar la red en la pantalla, segllida de un anali,is dirigido por las necesidades del uSllario. Durante este texto, se utilizara la Version 8.0, aunque las diferencias entre esta y las anteriores versiones de Windows, son pocas y relativamente pequefias para este nivel de utilizacion, no deberii preocuparse si se utiliza una version anterior. EI primer paso, por supuesto, es instalar PSpieeen el disco duro de su computadora, siguiendo las instrucciones proporcionadas por Micro5im. Luego, debera obtenerse Ja pantalla de Esquemasutilizando un. mecanismo de control COmo Windows 95. Una vez estableeida, sera necesario obtener los elementos de la red y eolocarlos enla pantalla para construir la red. En este texto, se describira el procedimiento necesario para cada elemento una vez que se presenten las caracterfsticas y anal isis de cada dispositivo.

Ya que hemos conciuido con la cobertura a detalie del diodo, se mostrara el procedimiento para loealizar los diodos que se encuentran almacenados en las bibliotecas del programa, as! como el metodo que se utiliza para colocarios en la pantalia. En el siguiente ca-

*PSpice es Llna marca registrada de OrCAD·MlcroSim Corporation,


pitulo, se presentara el procedimiento para analizar una red de diodos completa utilizando PSpice. Existen muchas maneras que comeuzar, pero el camino mas rapido es hater clic en el dibujo del icono de binoculares en la parte. superior derecha de la pantalla de esquemas .. A medida que se acerca el apuntador al rccuadro, por medio del raton, se desplegar;\ un mensaje Get New Part (Obteneruna parte nueva). Haciendo clic Izquierdo sobre el sfmbolo aparecera un recuadro de dialogo con el mensaje Part Browser Basic (buscador basico de partes). Al seleccionar la opcion Libraries (bibliotecas), aparccera un recuadro buscador de bibliotecas (Library browser) y debera seleccionarse la biblioteca EVAL.slb. Cuando esto se haga, apareceran todas las partes disponibles bajo esta biblioteca en ellistado de partes (Parts). Luego, revise la lista de partes y seleccione el diodo DIN4148. EI resultado de esta accion es que el titulo de Part Name (nombre de la parte) apareceni arriba y que la descripcion (Description) indicara que se trata de un diodo. Una vez seleccionado, haga clic en OK y el recuadro del buscador basico de partes (Part Browser Bask) reaparecera con la descripcion completa del elernento seleccionado. Para colocar el dispositivo en la pantalla y cerrar el recuadro, simplemente haga elic en la opcion de Place and Close (colocar y cerrar). Como resultado de esto el diodo aparecera en la pantalla y podra ser colocado en un lugar haciendo clic con el boron izquierdo del raton, Una vez que se ha colocado, apareceran dos etiquetas, una de ellas indicani cuantos diodos se han colocado (D1, D2, D3, y asf sucesivamente) y la otra con cl nombre del diodo seleccionado (DIN4148). Este mismo diodo puede colocarse ell otros lugares en la misma pantalla, simplemente moviendo el apuntador y haciendo un clic con el boton izquierdo con el raton. Este proceso se termina cuando se hace un solo clic con el boron derecho del raton. Es posible eliminar cualquiera de los diodos con solo seleccionarios para colorearlos de rojo y presionando luego la teela de Delete (borrar). Si se preficre, tambien se puede elegir la opcion Edit (editar) de la barra de menu de la parte superior de la pantalla, seguida del uso del cornando Delete.

Otro camino para obtener un elemento es el de escoger Draw (dibujar) en la barra de menu, seguido por Get New Part (obtener una parte nueva). Una vez seleccionada, aparecera el dialogo Part Browser Basic y se podrti continuar con el mismo proceso. Ahora que sabemos queel diodo D IN4148 existe, esposibleobtcnerio directamente una vezque el dialogo Part Broker Basic aparece: Simplemente teclee DIN4148en el recuadroPart Name, seguido de Place and Close y el diodo aparecera en lapantalla.

Si el diodo se ha movido, solamente haga un solo elie con el boron izquierdo sobre el, de manera que se coloree de rojo. Luego, haga otro e1ie nuevamente sobre el y sostenga el boton del raton presionado. Al mismo tiempo, mueva el diodo a cualquier lugar que prefiera y cuando este posicionado en el lugar deseado libere el boton, Recuerde que todo 10 que aparezca en rojo puede opcrarsc. Para eliminar el estatus de 10 que aparece en rojo, simplemente quite. el puntero del elemento y haga un clic sobre el. El diodo se coloreara de verde y azul, 10 que Illdica que su posicion e informacion asociada ha sido alrnacenada en la memoria. Para todos los capftulos siguientes, si resulta que usted po see una pantalla monocromatica (blanco y negro), sirnplernente tendra que recordar si el dispositive esta en el estado activo.

Si la etiquera 0 los para metros del diodo estrin cambiados, simplemente haga un solo clic sobre el elemento (hasta hacerlo rojo) y escoja Edit seguido por Model. Aparecera un recuadro Edit Model (Editar Modelo) con la opcion de cambiar el modelo de referencia (Model Reference) (DIN4148), el texto asociado con cada panimetro, 0 los parametros que definen las caracterfsticas del diodo.

Como se menciono anteriormente, se realizaran comentarios adicionales referentes al usodel diodo en los capftulos siguientes. Por el momento, almenos estamos concientes de como localizar y coloC<1L un elemento en la pantalla. Si el tiempo In permite, revise los otros elementos disponibles dentro de lasclistintas bibliotecas con 101 objetivo de prepararse para el trabajo que Sigue.

Electronics Workbench (EWB)

Afortunadamente, existen variar similitudes entre P5pice y Electronics Workbench (EWB). Por supuesto, tambien existe un amplio numero de diferencias; sin embargo, el {Junto aquf es que una vez que usted se vuelva habil en el uso de un paquete de software, lc sera mucho mas f<icil aprencier otro.

1.19 Analisis por comptttadora

49

Figura 1.68 Parualla de Multisim (Electronics bench)

Figura 1.69 Barra de herramicntas con las Iamilias de componerucs de Electronics Workbench.

50

que este boton se encuentre presionado de manera que se muestre la barra de componentes de la parte izquierda de la pantalla. Observe la variedad de componentes disponibles, y note que el diodo es el tercer elemento hacia abajo. La barra de componcntes puede eliminarse o insertarse mediante el uso del botonde cornponentes (component) de la barra de diseiio. Para agregar elementos aIa lista de cornponentes, solarnente posicione el cursor sobre el componente resistive de In bandeja de partes. EI resulrado cs una lista expandida de cornponentes como se muestra en la figura 1.69.

EI boton a la derecha de la bandeja de cornponentes recucrda a un capacitor. Su proposito es permitir la modificacion (modification) de los cornponcntes. El siguiente boron perrnite la seleccion de una variedad de instrurncntos (instruments) que pueden insertarse en la red 0,1 momento de construirla. De hecho, son once los instrurnentos disponibles. que van desde un simple multimetro hasta un osciloscopio.

EI siguiente boron es una cuadricula de lineas y componcntes, llamado menu de elementos de slmulacion qlle controlan el anal isis que se realiza, Entre sus opciones se encuentran RUN/STOP (comenzur/detener) 0 PAUSEIRESUME (pausa/continuar). EI siguiente boron controla el tipo de analisis (analisis) que se efectuara, que va desde de hasta el analisis de tiguras de ruido. Los botones restantes se dejan ala investigaei6n del lector. ya que no seran necesarios para In cobertura prevista de este libro.

EI siguiente paso logico, que serta la construcci6n real de un circuito simple y la realizacion de un analisis, sed visto en el siguiente capitulo cuando se aplique polarizacion de dc a redes de diodes.

Una vez que se selecciona el icono de Multisirn, aparecera la pantalla de la figura 1,68.

A prirnera vista, las barras de menus parecen muy extensas, De heche, solamente el familiarizarse con la gama de opciones disponibles, puede llevar algun tiernpo. Sin embargo, tenga en mente que para cada objcto en la barra de menus probablemente existira un subconjunto para seleccionar, por 10 que la lista de opciones disponihles es muy amplia, En primer lugar, observe que en la parte superior de la pantalla, la barra de menu se divide en cinco secciones diferentes. La barra de herrurnientas del sistema (system toolbarj-que incluye a las prirneras cuarro secciones.comenzando por la izquierda, debera.parecer algo familiar plies es similar a las de otros paquetes como Microsoft Word. EI conjunto restante de botones (nueve en total) se denornina la barra de disefio Multisim (Multlsim design bar), y esta disefiado especfficamente para Electronics Workbench. EI primer bot6n de la barra de diseiio, presenta el dibujo de cuatro elementos diferentes que indican que este es el origen de los componentes para cualquier disefio. Cuando se inicia EWB, es probable

§ 1.2 Diodo Ideal

L Describa con sus propias palabras el significado de la palabra ideal cuando se aplica a un dispositive 0 sistema.

2, Describa con sus propias palabras las caructeristicas de un diodo ideal y como se dererminan los estados de "enccndido" y "apagado" del dispositive. Es decir, describapor que sou adecuados los equivalcntes de circuito cerrado y decircuito abierto.

3, 6 Cual ella principal difereneia entre las earacteristieas de un truerruptor sene ilia y aqucllas del diodo ideal?

§ 1.3 Matcriales Semiconductorcs

4. Con >lIS propias palabras, defina los termlnos semiconductor, resistividad, resistencia de volumen y resistencia de contacto ohmico.

5. (a) Utilizando la tabla I. I. determine la resistcncia de una muestra de silicio con un area de I

enl y una longitud de 3 em.

(h) Repita el inciso (a) si ahora la longitud es de I ern y el area de 4 em". (e) Rcpita cl incise (a) si ahora la longitud es de 8 em y el area de 0.5 crrr', (d) Repita la inciso (0) para el caso del cobre y compare los resultados,

6. Dibuje la cstructura atomica del cobre y discuta por que se trata de un buen conductor y de que forma su estructura es diferente a la del germanio y del silicio.

7. Con sus propias palabras, defina un material intrlnseco, un coeficiente de temperatura negativo y un enlace covalente.

8. Consulte SlI bibliotcca y localice tres materiales que poscan coeficientes de temperatura negativos y tres can coeticientes de temperatura positives.

§ 1.4 Niveles de Energia

9. i,Cuanta energfa medida en joules se requiere para mover una carga de 6 C a traves de una diferencia de potencial de 3 V?

10. Si se requieren 48 eV de energfa para mover una carga a traves de una diferencia de potencial de 12 V, determine la carga involucrada.

1 L Consulte en su biblioteca y determine el nivcl de Eg para el GaP y el ZnS, dos materiales semiconductores con valor pnictico. Adernas, determine el nornbrc completo de cada material.


Problemas

PROBLEMAS

51

1.5 Materialcs Extnnsecos Tipo II y Tipo P

12. De scriba las difercncias entre los materiale-, semiconductores tipo n y tipo p.

13. Describa las diferencias entre las impurezas donoras y aceptoras.

14. Describe las difcrcncias entre portadores mayoritarios y minoritarios.

IS. Dibuje la estructura atomica del silicio e inserte una impureza de arsenico como so dcmostro el caso del silicio de la figura 1.9.

J6. Repita cI problema 15 pero ahora inserte una impureza de indio.

17. Consulte su biblioteca y encucntre OWl explicacion para el flujo de huecos verSlis el de clecErnplcando ambas descripciones. describe con sus propias palabras el proceso de conduccion de huccos.

§ 1.6 Diodo Semiconductor

18. Describe con sus propias palabras las condiciones que se establecen a causa de condiciones de polarizacion direct" e inversa sabre una uni6n 1'-/1 de un diodo y como se ve afectada la co. mente resulrante.

19. Describa c6mo podria recordar los estados de polarizaci6n inversa y directa para el diodo de union 1'-11. Es decir, i,c6mo recordaria el potencial (positive 0 ncgativo) y la terminal sobrc 10 que se aplica?

20. Utilizando Ia ecuaci6n 1.4 determine la corriente de diodo a 20'C para el caso de un diodo de silicic con I, 50 nA y una polarizacion directa aplicada de 0.6 V.

21. Repit~ el problema 20 para T = 100°C (punto de ebullicion del agua). Asurna que Is se incremento a 5.0 J.lA.

22. (a) Utilizando la ecuacion 1.4, determine la corriente de diodo a 20DC para un diodo de silicio

con I, = 0.1 J.lA bajo un potencial de polarizacion inversa de 10 V.

(b) i.EI resultado es el esperado? i,Por que?

23. (a) Grafique la funcion y eX para un valor dex de 0 a 5.

(b) LCuM es elvalor 'de y "" e'cu<lndo x 07

(e) Con base en el resultado del inciso(b), LPor que es irnportante el factor 1 en la ecuaci6n 1.4'1 En la region de polarizacion inversa, la corriente de saturacion de un diodo de silicio cs cercana a 0.1 J.lA (T = 20DC), Determine su valor aproximado si la temperatura se incrementa a 40°C.

Camp,are hi,S ~a:act~risticas de un diodo de silicio con las de un diodo de germanic y determine cual preferirfa utilizar para la mayoria de las aplicaciones practicas. Proporcione algunos de-

talles. Consulte un listado de espccificacioncs del fabricante y compare las caracteristicas del diode de silicio y de gcrmanio con valores nominales maximos similares,

24.

25.

26.

Determine la caida de voltaje directo a travcs del diodo cuyas caracterfsticns aparecen en la ligura 1.24 para ternperaturas de -75,25, 100 Y 200'C, con una corricnte de 10 rnA, Para cada temperatura. determine el nivcl de la corriente de saturacion, Compare los extremos de cada una y comente sobre la relacion de ambas.

§ 1.8 Nivcles de Resistencia

27. Determine la resistencia estatica 0 de de del diodo cornercial de la figura 1,19 para una corrien. te en polarizacion directa de 2 mAo

28. Repita el problema 26 para una corriente en polarizacion direeta de 15 m A y compare los resultados.

29. Determine la resistencia estatica 0 de de del diodo comcrcial de la figura 1.19 para Ull voltaje inverso de-IO V. i. Como se com para con cl valor deterrninado para un voltaje inverso de - 30 V?

30. (a) Determine la resisteneia dinamica (ac) del diodo de la figura 1.34 bajo una corricnte de 10 mA utilizando Ia ecuacion 1.6.

(b) Determine la resistencia dinarnica (ae) del diodo de In figura 1.34 bajo una corrientc de 10 mA utilizando la ecuaci6n 1.7.

(c) Compare los resultados de los incisos (a) y (b).

31. Calcule ,las resisteneias de 'Ie y de dc para el diodo de la tigura 1.34 bajo una corriente en polanzaelon dlrecta de lOrnA y compare sus magnitudes.

52

Capitulo 1 Dioclos semiconductores

32. Utilizando la ecuacion 1.6, determine la resistencia de ac para una corriente de 1 mA y 15 rnA para el diode de la figura 1.34. Compare los resultados y desarrolle una conclusion general con respecto a la resistcncia de ac y 'II incremento en los niveles de la corricnre del diode.

33. Utiliz.indo In ccuacion L7: determine la resistencia de ac para Una corriente de I mA y 15 mA' para eJ diodo dela figura 1.19. Modifique las ecuaciones silo requiere para niveles bajos de corricnte del diode, Compare con la solucion obtenida en e! problema 32.

34. Determine la rcsistencia de ac promedio del diodo de la figura 1.19 para la region entre 0.6 y 0.9 V.

35. Determine la rcsistcncia de ac del diode de la figura 1.19 a 0.75 V y compare con la rcsistencia de ac prornedio obtcnida en el problema 34.

§ 1.9 Circuitos Equivalentes para Diodos

36. Encuentre el circuito equivalente de segmentos lineales para el diodo de la figura 1.19, Uti lice un segmcnto de linea recta que cruce el eje horizontal en el valor de 0.7 V Y que rnejor se aproxime a la curva para la regi6n mayor que 0.7 V.

37. Repita el problema 36 ahora para el diode de 13 figura 1.34.

§ 1.10 Hojas de Espccificaciones de Diodos

'*38. Grafique IF contra VI' utilizando escalas lineales para el diodo de la figura 1.41. Observe que la graticn proporcionada utiliza una escala logarftmica para el eje vertical (las escalas logaritmicas se cubren en las secciones 11.2 y 11.3),

39. Discuta el carnbio en el nivel de capacitancia debido al incremento en el potencial de polarizacion para el diodo de la figura 1.41.

40. i,Cambia de forma importante la magnitud de la corriente de saturacion inversa del diodo de la figura 1.41 para potenciales de polarizacion inversa en el rango de -2511 -100 V?

~ 41. Para el diodo de la figura 1.41, determine el nivel de IR a temperatura ambiente (25°C) y a la temperatura de ebullicion del agua (lO()OC). i.EI carnbio es importante? i,Pr:icticamenie se duplica el nivel por cada incremento de f O''C en la temperatura?

42. Para el diodo de la figura 1.41, determine la resistcncia de ac (dinamica) maxima para una corriente en polarizacion directa de 0, L 1.5 Y 20 mAo Compare los nivelcs y disc uta si los resultados rcspaldan a las conclusiones derivadas en las antcriores secciones de este capitulo.

43. Utilizando las caracterfsticas de la figura 1.41, determine los niveles maxirnos de disipacion de potencia para el diodo a temperatura ambiente (25°C) y para 100"C. En el supuesto de que VI-' pcrmanccicra tijo en 0.7 V, i.eomo cambi6 el nivel maximo de IF entre los dos niveles de temperatura?

44. Utilizando las caracteristicas de las figura 1.41, determine la temperatura a la cual, la corricnte del diodo sera de 50% de su valor a temperatura ambiente (25°C).

§ 1.11 Capacitancia de Transicion y de Difusi6n

;, 45. (a) Utilizando como referencia la figura 1.42. determine la capacitancia de transicion para un potencial de polarizacion inverso de -·25 y --10 V. i.C",\! es cl radio del cambio en la capacitancia para el cambio en el voltaje?

(b) Repita el inciso (a) para potencialcs de polarizacion inversos de -10 y I V, Determine

la proporci6n de cambio en la capaeitaneia al cambio de voltaje.

(c) LComo se comparan las proporciones determinadas en losincisos (a) y (bY) i.Que lc indica esto sobre cHal range tendr.i mas areas de aplicacion practica?

46. Con referencia a la figura 1.42, determine la capacitancia de difusion a 0 y 0.25 V.

47. Describa con sus propias palabras, como difieren las capacitancias de difusion y de transici6n entre sf.

48. Determine la reaetancia que presenta un diodo que cuenta con las caracteristicas de la figura 1.42 para un potencial en polarizaci6n directa de 0.2 V y para uno en polarizaei6n inversa de -20 V si la freellencia aplicada en ambos casos es de 6 MHz.

Problemas

S3

§ 1.12 Ticmpo de Rccuperacion lnverso

49. Dibuje I. forma de onda para i en la red de la figura 1.70 II = 21., Y el tiempo inverse total de recuperacion es de 9 ns.

10

~i

V~IOkrl

Figura L iO Problema

§ 1.15 Diodos Zener

50. Se detallan las siguientes caracterfsticas para un diodo Zener particular: Vz = 29 V. VII = 16.8

lzr lOrnA, 1/1 20 /LA e IZM = 40 m A. Trace la curva caracterfstica de rnisma forma

que Se hizo en la figura 1.55.

51. (,A que temperatura tendra el diodo Zener de la figura 1.55 un voltaje nominal de 10.75 V? iSugerencia: observe los datos de la tabla 1.4.)

52. Determine el coeficicnte de temperatura de un diodo Zener 5 V (a una temperatura de 25'C) si el voltaje nominal cae a 4.8 V a una temperatura de 100'C.

53. Utilizando las curvas de la figura 1.56a. i,cmil serfa el nivel esperado del coeficiente de temperatura para un diodo 20 V? Repita para un diodo 5 V. Asuma una esc ala lineal entre los nivcles de voltaje nominal y un nivel de corriente de 0.1 mA.

54. Determine la irnpedancia dinamica para el diodo 24 V cuando l z = 10 mA en la Figura 1.56b.

Considere que se trata de una escala logarftrnica. .

55. Compare los niveles de impedancia dinamica del diodo 24 Vde la figura 1.56b para niveles de corriente de 0.2, I Y 10 mA. (.C6mo se relacionan los resultacios can la forma que poseen las caracterfsticas en esta regi6n?

§ 1.16 Diodos emisores de luz

56. En rcferencia a la figura 1.60e, /,cual seria un valor apropiado de V, para este dispositive? (,C6- mo se compara con el valor de V, de silicio y germanio?

57. Utilizando la informacion proporcionada en la flgura 1.60, determine el voltaje en polarizacion directa a travcs del diodo si la intensidad luminosa relativu es de 1.5.

58. (a) (,Cual es incremento porcentual en eficiencia relativa del dispositive de la figura 1.60. si la corriente pico se incrementa de 5 a 10 mA')

(b) Repita el incise (a) para 30 a 35 mA (el rnismo incremento en corriente).

(c) Compare el incremento porcentual de los incisos (a) y (b). ~En que punto de la curva diria usted que la ganancia es minima si sc continua incrementando la corriente pico?

'* 59. (a) Can referenda a la figura 1.60h, determine la corriente pico maxima tolerable si (I periodo de duracion del pulso es de I ms, la frecuencia de 300 Hz y la corriente de maxima tolerable es de 20 mAo

(b) Repita el inciso (a) para una frecuenciade 100 Hz.

60. (a) Sila intensidad luminosa para un.desplazamiento angular de.O" es de 3 mcd para eldispositivo de la figura 1.60, i,cu,\l sen! el ungula en el que esta cantidad sea 0.75 mcd?

(b) i, Cual es el angulo en el que Ia perdida de luminosidad desciende par debajo del nivel de 50%?

\l< 61. Dibuje la curva de decrernento de corriente promedio en polarizaci6n directa para el LED rojo de alta eficiencia de la figura 1.60, en funci6n de la temperatura. (Observe los val orcs absolutos nominales maximos.)

=Los asreriscos indican problemas de mayor dificultad.

54


Aplicaciones de diodos

CAPITULO

2.1 INTRODUCCION

La construccion, caracterfsticas y modelos de los diodos semiconductores se presentaron en el capitulo I. EI objetivo primordial dc este capitulo es desarrollar un conocimiento practice del diodo dentro dc una variedad de configuraciones mediante el uso de modelos apropiados para el area de aplicaci6n. AI final del capitulo, se debera comprender con c1aridad el patron fundamental de comportarniento de los diodos en las redes de de y de ac. Los conceptos que se aprendan en este capitulo aparcceran de manera recurrente en los capftulos siguientes. POI' ejemplo, los diodos se emplean a menudo en la descripcion de la construccion basica de los transistores y en el analisis de la redes de transistores en los dominios de de y de ac.

EI contenido de estc capitulo revelara un aspecto interesante y muy positivo acerca del estudio del campo de los dispositivos y sistemas elcctr6nicos. Una vez que se comprende el comportamiento basico de un dispositive, se pueden determinar su funcion y respuesta dentro de una variedad infinita de configuraciones. EI rango de las aplicaciones no tiene fin; no obstante, las caractensticas y los modelos pcrmanecen iguales. EI analisis abarca desde el empleode las caractcrfsticas reales del diodo hasta el uso, casi exclusive, de modelos aproximados, Es importante que sin necesidad de repasar continuamente procedimicntos maternaticos prolongados, se entiendan en el papel la respuesta de los elementos de un sistema electr6nico. Por 10 general, este procedimiento se !leva a cabo a traves de un proceso de aproxirnacion, el cual, par sf mismo, puede eonsiderarse como un arte. Aunque los resultados que se obtienen mediante el uso de las caracterfsticas reales pueden scr un poco diferentes de aquellos que se obtienen a traves de una serie de aproximaciones, es importante considerar que las caractcrfsticas obtenidas a partir de una hoja de especificaciones pueden diferir un poco de las que se obtienen a partir del uso real del dispositive, En otras palabras, las caracterfsticas de un diodo semiconductor I N400 I pueden variar de un elemento a otro dentro del rnismo lote. La variacion puede SCI' llgcra, pero a rnenudo sera suficiente para validar las aproximaciones empleadas en el analisis. Tambien se deben tornar en cuenta los otros elementos de la red: Les la resistencia marcada con un valor de 100 Q exactamente 100 Q?, Les el voltaje aplicado exactamente igual a 10 V 0 quiza a 10.08 V? Todas estas tolerancias contribuyen a la creencia difundida de que una respuesta deterrninada mediante un conjunto adecuado de aproximacioncs pueda, por 10 general, ser tan "precisa" como sucede en el caso de una que utiliza las caracterfsticas completas. En este libro el enfasis se bas a en el desarrollo de los conocimientos practicos de un dispositivo a traves del lIS0 de.las aproxirnaciones apropiadas.icon 10 que se evita un nivel irinecesario de complcjidad matcmatica. Sin embargo, por 10 regular, se proveeni el detalle suficiente como para permitir un anal isis maternatico minucioso para quien asf 10 desee.

55

(a)

II) (mA)

(b)

Figura 2.1 Conliguracion de diodo en serif: (a) drcuito: (b) carnctensticas

56

2.2 ANAuSIS POR MEDIO DE LA RECTA DE CARGA

Por 10 general, la carga aplicada tcndra un impacto irnportante en el punta () region de operacion de un dispositivo. Siel analisis se rcaliza de forma grafica, se puede dibujar una linea recta sobre las caracteristlcas del dispositive q\IC represcnte Ia carga aplicada. La interseccion de la recta de carga con las caracterfsticas determinara el punta de opcracion del sistema. Tal analisi» es llamado, por razones obvias, analisis por media de la recta de cargo. A pesar de que la rnayorfa de las redes de diodos que se analizan en este capftulo no crnplean el cnfoque de la recta de carga, la tecnica es una de las que se uti lizan de forma mas frecuente en los caprtulos subsecuentes, y esta introduccion ofrece la aplicacion mas simplificada del metodo. De igual forma, permite una validacion de la tecnica de aproxirnacion descrita a traves de! resto de este capitulo.

Considere Ia red de la figura 2.1 a, la cual ernplca un diodo que posee las caracterfsticas de la 2.1b, Observe que en la figura 2.1a In "presion" de la bateria tiene como finalidad establecer una corriente a traves del circuito en serie en direccion de las manecillas del reloj. EI hccho de que esta corriente y la direccion de conduccion definida del diodo "coincidan", revcla que el diodo sc encuentra en el estado de "encendido" y que la conduccion se ha establecido. La polaridad resultante a traves del diodo sera la mostrada y el primer cuadrante or D e ID positives) de la figura 2.l.b sera la region de imcres: la region de polarizacion directa.

Mediante la aplicacion de la ley de voltaje de Kirchhoff al circuito en serie de la figura 2.1 a el resultado scni

a

E - VD - VR = 0 E== V[) +~

(2.1 )

Las dos variables de la ecuacion (2.1) (V/) e I/)) son las mismas que las variables de los ejes del diodo de la tigura 2.1 b. Esta similitud perrnite una graficacion de la ecuacion (2.1) sabre las rnismas curacterfsticas de la figura 2, I b.

Las intcrseccionesde la recta de carga sobre las caraeterfsticas se pueden determinar f;icilmente 51 setieneen cuenta que en cualquier lugar deleje horizontal r., = 0 A yqueen.cualquier lugar del eje vertical V/) = 0 V.

Si establecemos que Vf) = 0 V en la ecuaci6n (2.1) Y se resuelve para I D, tendremos la magnitud de If) sabre el eje vertical. Por tanto, can V[) = 0 V, la ecuacion (2.1) se convierte en

E = V/) + IDR = 0 V + IDR

e

(2.2)

EI

10 =-

R VD~O V

como se mucstra en la figuru 2.2, Si establecemos If) = 0 A e[] la ecuacion (2.1) Y rcsolvernos para V D, obtencmos la magnitud de V 0 sobre el eje horizontal. POl' tanto, can ID = 0 A, la ecuacion (2.1) se convierte en

E = Vo + IDR

= VD +(0 A)R

y

(2.3)

como se muestra en la Figura 2.2. Una linea recta dibujada entre los dos puntos dcfinira la recta de carga como la descrita en la figura 2.2. EI cambio en el nivel de R (la carga) cambiara la intcrseccion sobre el eje vertical. EI resultado sera un eambio en la pendiente de la recta de carga, y un punto de interseccion diferente entre la recta de carga y las caracteristicas del dispositive,

Ahora tenemos una recta de carga definida par la red y una curva caracterfstica definida pOl' el dispositive. El punto de interscccion entre los dos es el punto de operaci6n para este

Capitulo 2 Aplicaciones de diodes

tiD

I

I _/.-/ Caractensticas (dispositivo)

I Punto Q

E

_.~' __ Recta de carga (red)

Figura 2.2 Dibu]o de la recta de carga para ericontrar el punto de: opcracton.

circuito. Al dibujar simplemcnte una linea recta hacia abajo en direccion al eje horizontal, puede determinarse el voltaje del diodo V DQ' mientras que una linea horizontal proveniente del punto de interseccion hacia el eje vertical proporcionara el nivel de IOQ' La corriente I[) es en realidad la corriente a traves de toda Ia configuracion en serie de la figura 2.1 a. Por 10 general, el punto de opcracion se denomina punto de operacion estable ("Q-pt", abreviaci6n derivada de su nombre en ingles Quiescent point) debido a las cualidades de "estabilidad e inmovilidad", segiin 10 definido par una red de de.

La solucion que se obtiene en In intcrscccion de las dos curvas es la misma que se podrfa obtener por una solucion matematica simultanea de las ecuaciones (2.1) y (1.4) [/0 = Is (eXVrf/'k_I)] como se demuestra posteriormente en esta seeci6n en un ejemplo de Mathead. Dado que la curva para un diodo tiene caracteristicas no lineales, las matem:iticas involucradas requeriran del uso de tecnicas no lineales que esuin fuera de las .ncccsidades y alcance de este !ibro. EI analisis por rnedio de la recta de carga que se describio anteriormente, proveeuna solucion con un esfuerzo mfnimo, y una descripci6n "pictorica" de como se obtuvieron los niveles de soluei6n para VOQ e IDQ• Los siguientes dos ejemplos dernostraran las tecnicas que se presentaron previamente, y tambien la facilidad relativa con In que puede dibujarse la recta de carga mediante el uso de las ecuaciones (2.2) y (2.3).

Para la configuracion del diodo en serie de la figura 2.3a y utilizando las caracterlsticas del diodo de la figura 2.3b determine:

(a) VDQeIDQ'

(b) YR'

0.5 0.8 (b)

1[)(mA)

10
+ VI) 8
7
.. _._._);>- Si 6
If)
+ 4
E lOY R lkD. VR
2
a (a)

Figura 2.3 (a) Circuito: (b) caractertsticas.

2.2 Analisis por medio de la recta de carga

E]EMPLO 2.1

57

Soluci6n

(a) Ecuacion (2.2):

10 == ':..·1

R Vf ~O V

Vo Ek!~OA

10 rnA

Ecuacion (2.3):

lOY lkn lOY

La recta de carga resultante aparece en la figura 2.4. La interseccion entre la recta de carga y la curva caractenstica define e! punto Q como

VDe ~ 0.78 V

II!" 9.25 rnA

EI nivel de VI! es ciertamente un estirnado, y la precision de Ju esta limitada por la esc ala seleccionada. Un nivel mas alto de precision requerirfa de una graficn mucho mas larga y mas ancha.

(b) VR == IRR = Iof (9.25 mA)(1 kfi) 9.25 V

o VR == E - VD = 10 V - 0.78 V 9.22 V

La diferencia en los resultados se debe a la precision con la cual se puede leer la grafica. Idealmente, los resultados que se obtienen de una forma 0 de otra deberian ser los mismos,

ID(rnA)

Il 7~ V

10 VD (V) (E)

Figura 2.4 Solucion al ejernplo 2.1.

E]EMPLO 2.2

Repita el analisis del ejernplo 2. I con R = 2 kQ.

Soluci6n

Ecuaci6n (2,3):

EI

R Vf)~OV

VO == EIID~OA == 10 V

(a) Eeuaei6n (2.2): II!

10 V 2kfl==SmA

La recta de carga resultante aparece en Ia figura 2.5. Observe Ia pendiente reducida y los niveles decorrientedel diodo ante las cargas crecientes. EI punta Q resultanteesta definido por

VDQ= 0.7 V

IDQ ~ 4.6 rnA

(b) VR = IRR = IDQR == (4.6 mA)(2 kfl) == 9.2 V

con VR == E - VD = 10 V - 0.7 V == 9.3 V

La diferencia en los nivelcs se debe, nuevarnente, a la precision con la que se puede leer la grafica, Sin embargo, los resultados proporeionan una magnitud esperada para el voltaje YR'

58

Capitulo 2 Aplicaciones de diodos

'0 (mA)

10 9 S 7

f. 6 R";

1f)=4.6mA5 -

Q 4

3

________ Recta de carga

2

o

9 10 "i, (V) (E!

0.7 V

Figura 2.5 Solucion 11 ejemplo 2.2.

Como se observo en los cjeruplos anteriores, Ia recta de carga esta determinada unicamente por la red aplicada, mientras que las caracteristicas estan definidas por el dispositive seleccionado. Si recurrimos a nuestro modelo aproximado para el diodo y no se rnodiflca la red, la recta de carga sera exactamente la misma que la que se obtuvo en los ejernplos anteriores. De hccho, los siguientes dos ejernplos repiten el analisis de los ejernplos 2.1 y 2.2 mediante el modelo aproximado para permitir una cornparacion de resultados.

Repita el ejemplo 2.1 utilizando el modelo equivalente del diodo semiconductor de silicio.

E]EMPLO 2.3

Soluci6n

La recta de eargase vuelve adibujar segun se rnuestra en la figura 2.6, con las mismas intersecciones como se definio en el ejemplo 2.1. Las caraeteristieas del circuito equivalente aproximado para el diodo tambien se han trazado en Ia misma graflca. EI punto Q resultante:

VDQ == 0.7 V IDQ == 9.25 rnA

IV (rnA)

Figura 2.6 Solucion al ejemplo 2.1 can el empleo del modele aproximado del diode.

2.2 Analisis por media de la recta de carga

59

Los resultados obtenidos en el ejernplo 2.3 son rnuy inrcresantcs. EI nivel de es exac-

tarnente el misrno que el obtenido en el ejernplo 2.1 por medio del uso de una curva caracteristica que resulta mucho mas facil de dibujar que la que aparece en In figura 2A. EI nivel de VD = 0.7 V contra el 0.78 V del ejernploLl tiene unadiferencia en magnitud del orden de las ceniesimas. pero ciertarncntese encuenrran en la misma vecindad.si sc cornparan sus magnitudes con las de los otros voltajes en la red.

EJEMPLO 2,4

Repita el ejemplo 2,2 empleando el modele cquivalcnte aproximado para el diodo semiconductor de silicio.

Solucion

La recta de carga se vuelve a dibujar como se muestra en la figura 2.7, con las misrnas intersecciones dcfinidas en el ejernplo 2.2. Las caractensticas del circuito equivalente aproximado para el diodo tambien se dibujaron en In rnisma grafica, EI punto Q resultante:

0.7 V

::jf-o-

[D

9 10 vD (V) Figura 2.7 Solucion al ejemplo 2.2 mediante el ernpleo del modelo aproximado del diodo.

En el ejemplo 2.4 los resultados que se obtienen para V DQ e iDQ son los mismos que los que resultaron al utilizar las caracterfsticas completas del ejemplo 2.2. Los ejernplos anteriores han demostrado que los niveles de corriente y voltaje que se obtuvieron al usar el modelo aproximado, son muy cercanos a los que resultaron al utilizar las caracterfsticas completas. Esto ~ugiere, como se aplicara en las secciones subsiguientes, que el uso de aproximaciones apropiadas puede dar como rcsultado la obtenci6n de soluciones que son muy cercanas a la respuesta real con un nivel reducido de incertidumbre ace rca de la reproducci6n adecuada de las caracterfsticas y de la elecci6n de una esc ala 10 suficientemente grande. En el ejemplo siguiente varnos un paso adelante y sustituiremos el modelo ideal. Los resultados revelaran las condiciones que se deben satisfacer para aplicar el equivalente ideal de forma adecuada,

EJEMPLO 2.5

Repita el ejemplo 2, I utilizando el modelo deldiodo ideal,

Soluci6n

Como se muestra en la figura 2.8 la recta de carga continua siendo la misma, pero las caracteristicas ideales ahora intersectan a la recta de carga en el eje vertical. Por 10 tanto, el punto Q esta definido por

V = OV

Do

IDQ = 10 rnA

60


lo (rnA)

Punta Q I[)Q= 10 rnA 10

... ~ Recta de carga

to \j) (V)

Figura 2.8 So1LlC16n al ejernplo 2.1 mediante el usn del model" del diodo ideal.

Los resultados para las soluciones del ejemplo 2.1 difieren 10 suficiente como para causar preocupaci6n acerca de su precisi6n. Ciertamente, estes ofrecen algun indicio del nivel de voltaje y de corriente que deberan esperarse en relacion con otros niveles de voltaje de la red, pero el esfuerzo adicional de simplemente incluir la diferencia de 0.7 V, muestra que el enfoque del ejemplo 2.3 es mas apropiado.

EI uso del modelo de diodo ideal, por tanto, debe reservarse para aqucllas ocasiones en que la funci6n del diodo sea mas importante que los niveles devoltaje que difieran por decimas de volt, y en aquellas situaciones en que los voltajesaplicados sean considerablemente rnayores que el voltaje de umbral VT• En las siguientes secciones se empleara exclusivamente el modelo aproximado, debido a que los niveles de voltaje obtenidos seran sensibles a las variaciones que se aproximen a V1" En secciones posteriores se empleara el modelo ideal con mayor frecuencia debido a que los voltajes aplicados seran con frecuencia un poco mas altos que VI' y los autores de sean asegurarse de que el papel del diodo quede comprendido correc-

ta y cIaramente.

Mathcad

EI Mathcad ahora se ernpleara para encontrar la soluci6n de dos ecuaciones simultaneas delinidas por el diodo y la red de la figura 2.9.

Las caracteristicas del diodo estan definidas por

+ VDQ
~---l>-'
IDQ
E lOY Punta Q

lOrnA

Caracterfsticas del diode

I kfl

R

Ecuaci6n de la red

o

Figura 2.9 l.ocalizacion del punto de operacion definido por las caracteristicas del diode y de la red.

2.2 Analisis par media de la recta de carga

61

VD:=O.7

Given

Find( ID. VD) [9.372.10-3 ] 0.628

Figura 2.10 Definici6n del procedlmiento en el usa del Mathcad para encontrar la solucion dedos ecuaciones simultaneas.

62

I)

Al aplicar de la ley de voltaje Kirchhoff alrededor del lazo cerrado, tenemos

y resolviendo para la corriente del diodo tendrernos

E R

10 V Vo _,

fo'" -- - --;- '" 10 rnA - 1 • 10Vo

I k I K

Debido a que ahora tenemos dos ecuaciones y dos incognitas (/0 y Vol, podemos resolver cada incognita mediante el Mathcad de la manera siguiente:

Cuando se utiliza el Mathcad para resolver ecuaciones simultineas, se debe estimar un valor de cada cantidad para dar a la computadora alguna pis La 0 direccion en su proceso iteratlvo. En otras palabras, la computadora probara las soluciones y trabajara de esta forma hasLa encontrar la solucion real respondiendo a los resultados obtenidos.

Para nuestra situacion las suposiciones iniciales para ID y VD fueron 9 rnA y 0,7 V como se muestra en la parte superior de la figura 2.10, Posteriormente, siguiendo la palabra Given (la cual es requerida), las dos ecuaciones se ingresan usando el signa de igual obtenido con Ctrl ;;:. Luego, tec1ear Find (10, VD) para decir a la computadora que es 10 que se necesita dcterminar, Una vez de que el signo de igual se ha ingresado, los resultados apareceran como se muestra en la figura 2.10, Como se indica en la figura 2,10 y en la figura 2,9, los resultados son fo= 9.372 rnA y VD = 0,628 V,

2.3 APROXlMACIONES DE DIODOS

En la seccion 2.2 se indico que los resultados obtenidos al emplear el modele equivalente aproximado de segmentos lineales fueron muy cercanos. si no es que iguales, a la respuesta obtenida al utilizar las caracterfsticas completas. De hecho, si se consideran todas las variaciones posibles debidas a las tolerancias, temperaturas, etcetera, se podria considerar que una solucion es "tan precisa" como la otra. Dado que el uso del modelo aproximado normalmente origina un gasto reducido de tiempo y esfuerzo para obtener los resultados dcseados, este es el enfoque que se empleara en este libro, a menos que se especifique otra cosa, Recuerde 10 siguiente:

El prop6sito principal de este !ibro es el desarrollo de un conocimiento general del comportamiento, capacidades y areas posibles de aplicaci6n de un dispositivo, de manera que minimice fa necesidad de desarrollos matematicos extensos.

EI modelo equivalente completo de segmcntos lineales que se presento en el capftulo I, no se utiliz6 en el ana lis is de la recta de carga debido a que r,ves tipicamente mucho menor que los otros elementos en seriede la red. Si "av fuera cercana, en cuanto a magnitud, a los otros elementos en serie de la red, el modele equivalente completo se puede aplicarde la misma forma a la descrita en la seccion 2.2.

Con el objeto de preparar el analisis siguiente, se desarro1l6 la tabla 2.1 para revisar las caracterfsticas, modelos y condiciones de aplicaci6n mas importantes para el modele aproximade e ideal de los diodos. A pesar de que el diodo de silicio se utiliza casi exclusivamente debido a sus caracteristicas de temperatura, el diodo de germanio todavia se emplea y por ella se incluye en la tabla 2.1. El diodo de germanio, de la misma forma que el diodo de silicic, se aproxima por medio de un equivalente de circuito abierto para voltajes menores a V T. Entrara al estado "encendido" cuando V D 2: V T = 0.3 V.


TABLA 2.1 Modelos aproximado e ideal del diodo semiconductor

+ 0.7V-

SiUcia

~._. '" (E"> Vr. R» ',,)

----I~ c.~/- ===:> _----1_-'----->-

- E + + vr-

'-------~ ID= OA

Germanin

'---~- ---~ ID=OA

Modelo ideal (Si 0 Gel

(E »Vr.R» rav)

===:> ----~~O~----V~D

~----

1f)=OA

ID 0 A

o-s-:

10 =0 A

Tenga en mente que el 0.7 y el 0.3 V en los circuitos equivalentes no son fuentes independientes de energia, sino que estrin ahf para recordarnos que hay un "precio que pagar" a cambio de encender un diodo. Un diodo particular en la mesa de laboratorio no indicara 0.7 0 0.3 V si se coloca un voltimetro a traves de sus terminales. Las fuentes espccifican la caida de voltaje it traves de cada una cuando el dispositivo esta en "encendido" y especifican que el voltaje del diodo debe ser, por 10 menos, del nivel indicado antes de que la conduccion pueda establecerse.

En las siguientes secciones demostramos el impacto de los modelos de la tabla 2.1 sobre el analisis de las configuraciones de diodos. Para aquellas situaciones donde se emplee el circuito equivalente aproximado, el sfrnbolo del diodo aparccera como se sefiala en la figura 2.11a para los diodos de silicio y de germanio. Si las condiciones son tales que el modele del diodo ideal se pueda emplear, el sfmbolo del diodo aparecera como se muestra en la figura 2.11 b.

2.3 Aproximaciones de diodos

Si

Ge

(al

(b)

Figura 2.11 (a) Notaci6n de modelo aproximado; (b) notacion de modelo ideal.

63

Si

+

E

Figura 2.12 Configuraci6n de diode en sene.

Figura 2.13 Determinacion del estado del diodo de la figura 2.12.

+ Vo-

Figura 2.14 Sustitucion del modelo equivalente para el diodo "encendido" de la figura 2.12.

64

2.4 CONFIGURACIONES DE DIODOS EN SERlE CON ENTRADAS DE DC

En esta seccion se utiliza el modelo aproxirnado para investigar Una varied ad deconfiguraciones de diodos en serie con entradas de de. EI contenido establceera los fundamentos para el analisis de diodos que so revisara en las secciones de los capftulos subsiguientes. De hecho, el procedimiento descrito se puede aplicar a las redes con cualquier mirnero de diodes dentro de una amp li a gama de configuraciones.

Para cada configuracinn debe determinarse, en primer lugar, eI est ado de cada diodo. l Cuales diodes estrin en "encendido" y cuales en "apagado"? Una vez que se deterrnina esto, el equivalente apropiado, como se muestra en la seccion 2.3, puede sustituirse y pueden determinarse los parametres restantes de la red.

En general, un diodo Sf enruenzm en el estado "enccndido" si la corricnte establecida por las [uentes aplicadas es tal que su direcci6n concuerda con la de la flecha en el stmbolo del diodo, y V D ~ 0.7 V para el silida y V D ~ 0.3 V para el gennania.

Para cada configuracion, se reemplazarsn menta/mente los diodos con elementos resistivas y se observara Ia direccion de la corriente resultante como la establecen los voltajes aplicados C'presion"), Si la direcci6n resultante "coincide" con la flecha del sfrnbolo del diodo, Ia conduccion a traves del diodo ocurrira y el dispositivo estara en eI estado "encendido", La descripcion anterior es, por supuesto, dependiente de que Ia Fuente proporcione un voltaje mayor que el voltaje de "encendido" (VT) de cada diodo.

Si el diodo se encuentra en el estado "encendido", se puede colocar la cafda de 0,7 V a traves del elernento, 0 se puede dibujar nuevamente la red con el circuito equivalente Vr como se definio en la tabla 2. I. Con el tiempo probable mente se preferira simplemente incluir la cafda de 0.7 V a traves de cada diodo "encendido" y dibujar una linea a traves de cada diodo en el estado "apagado" 0 abierto, Sin embargo, al principia, el metodo de sustitucion se utilizani para asegurar que se determinen los niveles de voltaje y de corriente correctos.

EI circuito en serie.de .lafigura 2. 12 que se describe con rnayordetalle en Ia secci6n 2.2 se utilizara para demostrar el enfoque descrito en parrafosanteriores. EI estado del diodo se deterrnina primero por el reemplazo mental del diodo con unelemento resistive como 10 dernuestra la figura 2.13. La direcci6n resuuante de I coincide con la flecha en eI sfrnbolo del diodo, y dado que E > VT el diodo se encuentra en eI estado "encendldo". La red entonces se dibuja nuevamente como se demuestra en Ia figura 2.14 con el modelo equivalente apropiado para el diodo de silicio en polarizackin directa, Para refcrencia futura, observe que la polaridad de VD es la misma que resultarfa si el diodo, de hecho, fuera un elernento resistivo, EI voltaje y los niveles de corriente resultantes son los siguientes:

(2.4)

(2.5)

(2.6)

En la figura 2.15eI diodo de Iafigura 2.12 se invirtio. Mentalmente, el reemplazo del diodoporun elementoresistivo,comolo muestra Ia flgura 2.16, revelaraqu, Iadireccion de Ia corriente resultante no coincide con Ia flecha en el sfmbolo del diodo. EI diodo esta en el cstado "apagado", 10 que da como resultado el circuito equivalente de la figura 2.17. Debido al circuito abierto, la corriente del diodo es 0 A Y eI voltaje a traves de la resistencia R es el siguiente:

EI hecho de que VR =; 0 V estableceni E volts a traves del circuito abierto como 10 define Ia ley


Figura 2.15 Inversion del diodo de la figura 2.12.

de voltaje de Kirchhoff. Tener en cuenta siempre que bajo cualquier circuns~ancia (~a!~~e~f~nstantaneos de de, de ac, pulsos, etcetera), [debera satisfacerse la ley de voltaje de Kirc 0 .

Figura 2.16 Determinacion del estado del diodo de la figura 2. 15

Para la configuracion de diodos en serie de la figura 2.18, determine VD, VR e 10,

Soluci6n

Dado que eI voltaje apIicado establece una corriente en direcci6n de las ,~aneciIIas ,?eI reloj para coincidir con Ia flecha del sfmbolo y que el diodo esta en el estado encendido",

VD = 0.7 V

VR = E - VD = 8 V - 0.7 V = 7.3 V

10 = IR = ~R = 2~; k~ ~ 3.32 rnA

Repita.el ejemplo 2.6 con el diodo invertido,

E]EMPLO 2.6

+ Vo

~t-~r--ltIR

+JJ~~, 1

E 8 V R 2.2 kO VR

+

Figura 2.18 Circuitc del cJemplo 2.6.

Soluci6n

Al remover eI diodo, encontramos que Ia direccion de I ~s opuesta a Ia flech~ en el simbolo del diodo y que el equivalente del diodo es el circuito abierto sm lmport~r cuaI ~s e.1 mod,elo

ue se utiIiz6. EI resultado es Ia red de la tigura 2.19, donde ID = 0 ~ debld~ al circuito abler-

q V I R V - (O)R - 0 V Al aplicar Ia ley de voltaje de KIrchhoff alrededor

to. Dado que R:::: R, R - - •

del lazo cerrado resulta:

y

E - Vo - VR = 0

V[) E VR = E - 0 = E = 8 V

Observe, particularmente en eI ejemplo 2.7, eI alto voltaje a traves de~ diod~ a .pes,a~ de

t d "a agado" La corriente es cero pero eI voltaje es significativo.

que se encuentra en es a 0 p . _ .. . . '

Con prop6sitos de repaso, tenga en cuenta el analisis siguiente:

1. Un circuito abierto puede tener cualquier voltaje a traves de sus terminales, pero lacorrien-

te es siempre 0 A. .

2. Un circuito cerrado tiene una cafda de 0 V a traves de sus terminales, pero la comente cstara Iimitada unicamente por Ia red que Ia rodea.

En el siguiente ejemplo la notacion de la figura 2.20 se empleara para eI volt~je ~plicado. Bsta es una notacion corruin en la industria, con la q~e el lector debe fam~hanzarse. Tal notacion y otros niveles definidos de voltaje se trataran con mayor profundidad en el capitulo 4.

2.4 Configuraciones de diodos en serie con entradas de DC

E]EMPLO 2.7

ltIR=OA +

R 2,2 kO VR

Figura 2.19 Determinacion de las cantidadcs desconocidas para el ejernplo 2.7.

65

E=+ lOVo

l+IOV ........,_ E I lOY

E= -5 VO

Notacicn de la fuente

E]EMPLO 2.8

Para la configuracion de diodos en serie de la FIgura 2.21, determine VD• VR e ID•

Solucion

Figura 2.21 Circuito del diodo en sene para eI ejemplo 2.8.

A pesar de que la "presion" establece una corriente con la misma direcci6n que la del sfrnbo- 10 de la flecha, el nivel de voltaje aplicado resulta insuficiente para "encender" el diodo de silicio, El punto de operaci6n sobre las caracterfsticas se rnuestra en la figura 2.22 y establece el equivalente del circuito abierto como la aproximacion apropiada, Por 10 tanto, el voltaje y los niveles de corriente resultantes son los siguientes:

y

ID. = OA

VR"'" IRR"" IvR""(O A)I.2 kfl= 0 V VD = E = 0.5 V

10

Figura 2.22 Punto de operadon con E = 0.5 V

/0.7V Vo =0.5 V

o

E]EMPLO 2.9

Determine Va e ID para el circuito en serie de la figura 2.23.

66


Figura 2.23 Circuito para el ejemplo 2.9.

Solucion

Un procedimiento similar al que se aplic6 en el ejemplo 2.6 revelara que la corriente resultante tiene la misma direccion que las puntas de flechas de los sfmbolos de ambos diodos y que la red de la figura 2.24 es el resuItado debido a que E = 12 V> (0.7 V + 0.3 V) I V. Observe que la fuente dibujada nueva mente es de 12V y la polaridad es de Vo a traves de la resistencia de 5.6 kQ. EI voltaje resultante

12 V - 0.7 V

0.3 V = 11 V

e

1.96 rnA

Figura 2.24 Determinacion de las canridades desconocidas para el ejemplo 2.9.

Determine I[)o VD, Y Vo para el circuito de la figura 2.25.

E]EMPLO 2.10

Figura 2.25 Circuito del ejernpia 2.10.

Soluclon

Al eliminar los diodos y aI determinar la direccion de Ia corriente resuitante leI resultado sen\ el circuito de la figura 2.26. Existe una coincidencia en la direcci6n de la corriente para el diodo de silicio, mas no para eI de germanio. La combinacion de un circuito cerrado en serie con un circuito abierto siempre dara como resultado un circuito abierto e ID = 0 A, como 10 muestra la figura 2.27.

Figura 2.26 Determinacion del estado de los diodes de la figura 2.25.

Figura 2.27 Sustituci6n del estado equivalente para el diode abierto.

La pregunta que queda por contestar es, Gque sustituir en lugar del diodo de silicio? Para el analisis siguiente, tanto en este como en los capitulos subsiguientes, simple mente se tienen que recordar, para el diodo practice real que cuando ID = 0 A, V D = 0 V (y viceversa), como

2.4 Configuraciones de diodos en serie con entradas de DC

67

se describio para la situacion de no polarizacion en el capitulo I. Las condiciones descritas por/o 0 A Y VD, 0 V se indican en 13 figura 2.28.

Figura 2.28 Deterrrunacion de canudades desconocidas del circuito de! ejcrnplo 210.

y

V D, Vmcuito abierto £ 12 V

Al aplicar la ley de voltaje de Kirchhoff en la direcci6n de las manecillas del reloj resulta £ VD, - VD, - v, = 0

Y VD• t: VD, Vo = 12 V 0 _. 0

12 V

con

E]EMPLO 2.11

Determine I, VI' V2 Y Vo para la configuraci6n de de en serie de la figura 2.29.

Si

+ R2 2.2 kG V2

E2,,-5V

Figura 2.29 Circuito para el ejernplo 2.11.

Soluci6n

Las fuentes se dibujan y la direcci6n de la corriente se indica en la figura 2.30. EI diodo se ~ncuentra en el estado "encendido" y la notaci6n que aparece en la figura 2.31 se incluye para indicar este estado. Observe que el estado "encendido" se identifica mediante el V D ::: 0.7 V adicio~~1 en la figura. Esto elimina la necesidad de volver a dibujar la red y cvita cualquier confusion que pueda resultar debido a la aparici6n de otra fuente. Como se indico en la introduccion a esta seccion, este sera probablemente el camino y la notacion que se tomara cuan-

-._

\j'V'\10' ',v

", . ..... --_ 0

2.2 kQ Eillolv

_ E215V

- ~

+ v, -

+ 0.7 v-

-I-

2.2 kQ R2 t',

E'IIOV

~

Figura 2.30 Determinacion del estado del dioda de la figura 2.29,

Figura 2.31 Determinacion de las cantidades desconocidas para la red de la figura 2,29.

68


do se tenga un nivel de confianza mayor en el analisis de conflguraciones del diodo. Con el tiernpo, el anal isis completo se desarrollara simple mente mediante la referenda a la red original. Recuerde que un diodocon polarizacion inversa puedeser sirnplemente indicado mediante una linea a traves del dispositive.

La corricnte resultante a traves del circuitoes,

c-._*-<

14.3 V 6.9kn

4.7 kfl + 2.2 kn

== 2.072mA

y los volrajes son

IRI = (2.072 rnA)(4.7 kfl) 9.74 V

V2 = IR2 (2.072 rnA)(2.2 kfl) 4.56 V

Mediante la aplicacion de la ley de voltaje de Kirchhoff a la secci6n de salida en direcci6n de las manecillas del reloj, resultant

- £2 + V2 -- Vo = 0

V2 -- £2 = 4.56 V -- 5 V'" -0.44 V

y

EI signa de menos indica que Vo tiene una polaridad opuesta a la que aparece en la figura 2.29.

2.5 CONFIGURACIONES EN PARAlElO YEN SERIE-PARAlElO

Los metodos aplicados en la seccion 2.4 se pueden extender al analisis de las configuraciones enparalelo y en serie-paralelo. Para .cada area de aplicacion, simple mente se hacen coincidir las seriessecuenciales de pasos aplicados con las configuraciones de diodos en serie.

Determine Vo, It. ID, e ID, para la conflguracion del diodo en paralelo de la figura 2.32.

E]EMPLO 2.12

II 0.33 kQ
-!>-.
VDI VD2 +
R
E 10V DI Si D2 Si Vo Figura 2.32 Red para el ejemplo 2.12.

Soluci6n

Para el voltaje aplicado la "presion" de la fuente espara establecer una corriente a traves de cada diodo en 1a misma direccion que la que se muestraen la figura 2.33. Dado que la direccion de la corriente resultante coincide con la flecha de cada sfrnbolo del diodo y que el voltaje aplicado es mayor que 0.7 V, ambos diodos se encucntran en el estado "encendido", EI voltaje a traves de los elementos en paralelo es siempre el mismo y

V, = 0.7 V

La corriente

VR £-VD 10V 0.7V

II = Ii = --R- = 0.33 kfl = 28.18 rnA

2.5 Configuraciones en paralelo y en serie-paralelo

69

Figura 2.33 Determinacion de 1.1s camidades dcsconocidas para la red del ejemp!o 2.12.

Si suponernos diodes de caracteristicas similares, tenemos

!J. = ~~~_~~

2 2

14.09 rnA

EI ejemplo 2.12 dernostro una raz6n para coloear diodos en paralelo. Si la corriente nominal de los diodos de la figura 2.32 es s610 de 20 rnA, una corriente de 28.18 rnA danana a un solo dispositive en la figura 2.32. Mediante la coloracion de dos en paralelo, la corriente esta lirnitada a un valor segura de 14.09 rnA con el mismo voltaje en las terminates.

E]EMPLO 2.13

Determine la corriente I para la red de la figura 2.34.

51

R

Figura2.]" Red para el ejemplo 2,13.

E1=20V 2.2kO

5i

Soluci6n

Al dibujar de nueva cuenta la red como se sefiala en la figura 2.35, se demuestra que la direcci6n de corriente resultante es tal que puede encender el diodo DI y apagar el diodo D2. La corriente resultante I es entonces

E, - E, Vv 20 V - 4 V - 0.7 V

1= ----- =: == 6.95 rnA

R 2.2 k!1

Figura 2.35 Determinacion de las cantidades desconocidaspara lared del ejemplo 2.13

E]EMPLO 2.14

Determine el voltaje de Vo para la red de la figura de 2.36.

Soluci6n

Inicialmente pareceria que el voltaje aplicado "encenderla" a ambos diodos. Sin embargo, si ambos estuvieran "encendidos", la caida de 0.7 V a traves del diodo de silicio no coincidiria

70


can los 0.3 V a traves del diode de germanio como se rcquiere por el hecho de que el voltaje a traves de los elementos en paralelo debe ser el mismo. La acci6n resultante se puede explicur solo con notar que cuando la fuente se enciende se incrernentara de 0 V a 12 V en un instante, aunque este quiza pueda rnedirse en milisegundos. En el in stante durante elincremento ell que se establece 0.3 Va traves del diodo degermanio, estevprendera" y rnantendra un nivel de OJ V EI diodo de silicic nunca tendril la oportunidad de capturar sus 0.7 V requeridos, y por tanto perrnanecera en su estado de circuito abierto como se muestra en la figura 2.37. EI resultado:

12 V 0.3 V

11.7 V

r-S

O~ t VT 0.3 V

~1

Si

+-----0 V"

Figura 2.37 Determinacion de Vo para la red de la Figura 2.36.

oil\,

I -

S,

Figura 2.36 Red del cJemplo 2.14.

Determine las corrientes 110 12 e I[)"para la red de la figura 2.38.

E]EMPLO 2.15

Soluclon

EI voltaje aplicado (presion) es tal que enciende a ambos diodes, como se observ6 por las direcciones de corriente resultantes en la red de la figura 2.39. Observe que el uso de la notacion abreviada para los diodos "encendido" y la solucion, se obtienen a traves de una aplicacion de

las tecnicas aplicadas para las redes de de en serie-paralelo. E

0.7 V

=: -- = 0.212 rnA 3.3kfl

VTI

+ 0.7 V-

t 1o,

+

0.7 V RI 3.3 Hi

E

Figura 2.39 Determinacion de las cantidades desconocidas del ejemplo 2.15.

5.6 kG - V2 +

Al aplicar la ley de voltaje de Kirchhoff alrededor de la malla indicada en direcci6n del sentido de las manecillas del reloj resulta:

y

V2 + E - Vr, - Vr, = 0

V2 = E - Vr, Vr, = 20 V - 0.7 V - 0.7 V = 18.6 V

2.5 Configuraciones en paralelo y en serie-paralelo

S.6kQ

Figura 2.38 plo 2.15

Red para el ejern-

71

Si

(II E=IOVO--~~

I D,

Si

(0)

o V2O- ---/ilIOf--+---o Yo D2

Figura 2.40 Cornpuerta OR de logica positiva,

con

18.6 V

" = 3.32 rnA 5.6ku

En Ia parte inferior del nodo (a).

e

ID, + II 12

ID, = 12 II 3.32 rnA 0.212 rnA 3.108 rnA

2.6 COMPUERTAS AND/OR

Las herramientas para el analisis estan ahora a nuestra disposicion, y Ia oportunidad de invcstigar una configuraci6n de computadora es una de las que nos demostraran la gama de aplicaciones de este dispositive relativamente sencillo. Estc analisis estara limitado a deterrninar los niveles de voltaje y no incluira una discusion detallada acerca del algebra boolean a 0 de la 16- gica positiva y la negativa.

La red que se analizara en el ejemplo 2.16 es una compuerta OR de logica positiva. Esto es, que el nivel 10 V de la figura 2.40 se asigna al "I" del algebra booleana mientras que la entrada 0 V se asigna al "0" Una compuerta OR es tal que el nivel de voltaje de salida sera de 1 si alguna 0 ambas entradas es un 1. La salida es un 0 si ambas entradas estan en el nivelO.

El analisis de las cornpuertas AND/OR se lIeva a cabo de forma mas facil, en cuanto a medici ones se refiere, mediante el em pl eo del equivalente aproximado para un diodo, en lugar del ideal, debido a que puede estipularse que el voltaje a traves del diodo debe ser de 0.7 V positivo para el diodo de silicio (0.3 V para Ge) para carnbiar al estado de "encendido".

En general, el mejor enfoque es simplemente el de establecer un sentido "intuitive" para el estado de los diodos mediante la observaci6n de la direcci6n y de la "presion" establecidas por los potenciales aplicados. El analisis entonces verificara 0 negara los supuestos iniciales,

E]EMPLO 2.16

Determine Vopara la red de la figura 2.40.

+

Figura 2.41 Red redibujada de la figura 2.40.

72

Soluci6n

Observe en primer lugar que existe s610 un potencial aplicado; 10 V en la terminal 1. La terminal 2 con una entrada de 0- V es esencialmente un potencial de tierra, como se muestra en la red nuevamente dibujada de la figura 2.41. La figura 2.41 "sugiere" que 01 esta probablemente en el estado "encendido" debido al 10 V aplicado, mientras que de O2 con su lado "positivo" en 0 Vesta posiblemente en "apagado". La suposici6n de estos dos estados dara por resultado la configuraci6n de la figura 2.42.

EI siguiente paso es s610 para verificar que no existe contradicci6n en nuestras suposiciones.

Esto es, observe que la polaridad a traves de 01 es suficiente como para encenderlo y que la polaridad a traves de O2 cs suficiente como para apagarlo. Para 01 el estado "encendido" estable-

lkr!

Figura 2.42 Estados supuestos

.". del diodo para la figura 2.40.


ce Vo cuando Va = E - V D = to V 0.7 V = 9.3 V. Con 9.3 V en ellado del catodo H de 0: y con 0 V en ellado del anodo (+), O2 se encuentra definitivamente en el estado "apagado". La direcci6n de la corriente y Ia.trayectoria continua resultante para la conduccion, confirma nuestro supuesto de que 01 csta conduciendo. Nuestras suposiciones parecen confirmarse con la corricnte y los voltajes resultantes y puede asumirse que nuestro analisis.inicial es correcto. El nivel de voltaje de salida no es de 10 V como se defini6 para la entrada de 1, pero 9.3 V es suficientemente grande como para ser considerado nivel l. La salida, par tanto, se encuentra en el nivel I con 5610 una entrada, 10 que sugierc que la compuerta es una compuerta OR. Un analisis de la misma red con dos entradas 10 V dara como resultado que ambos diodos se encuentren en el estado "encendido" y que la salida sea de 9.3 V. Una entrada de 0 V en ambas entradas no proporcionara el nivel 0,7 V que se requiere para encender los diodos, y la salida sera de 0 debido al nive! de salida 0 V. Para la red de la figura 2.42 el nivel de corriente esta determinado por

E lOY O.7V

I R 1 ki1 9.3 rnA

Determine el nivel de salida para la compuerta 16gica AND positiva de la figura 2.43.

E]EMPLO 2.17

Soluci6n

Observe que en este caso una fuente independiente aparece en la terminal conectada a tierra de la red. Debido a las razones que pronto seran obvias, se clige en el mismo nivel que el del nivel 16gico de entrada. La red se vuelve a dibujar en la figura 2.44 con las suposiciones iniciales relacionadas con el estado de los diodos. Con 10 V en ellado del catodo de 01 se asume que 01 se encuentra en el estado de "apagado" a pesar de que haya una fuente de 10 V conectada al anodo de D[ a traves de la resistencia. Sin embargo, hay que recordar 10 que se mencion6 en la introduccion de esta seccion en !o referente a que el uso del modelo aproximado serfa una ayuda en el analisis. Para 0" i,de d6nde provendran los 0.7 V si los voltajes de entraday la fuente se encuentran en el misrno nivel y crean "presiones" opuestas? Se asume que 02se encuentra en el estado "cnccndido" debido al bajo voltaje enellado de! catodo y la disponibilidad de la fuente de 10 V a traves de la .resistencia de 1 kil.

Para la red de la figura 2.44 el voltaje en Vo es de 0.7 V debido al diode O2 que esta polarizado directamente. Con 0.7 V en el anodo de 01 y 10 V en el catodo, 01 esta definuivamente en el estado de "apagado". La corriente I tendni la direccion indicada en la figura 2.44 y una magnitud igual a

E - V[)

1=--=

R

10 V - 0.7 V

1 ki1 = 9.3mA

Figura 2.44 Sustirucion de 10$ estados supuestos para los diodes de la flgura 2.43.

Par 10 tanto, el estado de los diodos se confirma y nuestro anal isis anterior fue correcto.

Aunque no existieron 0 V como se definio anticipadamente para el nivel 0, el voltaje de salida es suficientemente pequefio como para ser considerado un nivel O. Para la cornpuerta AND, por tanto, una sola entrada resultara en un nivel 0 de salida. Los estados restantes de los diodos para las posibilidades de dos entradas y ninguna entrada se examinanin en los problemas al final del capitulo.

2.6 Cornpuertas AND/OR

(1) s:
E, = IOV I D,
(0) Si
E2=OV Yo
2 D2
R I Hl E I IOV -e-

Figura 2.43 Compuerta logica AND positiva

73

74

2.7 ENTRADAS SENOIDALES; RECTIFICACION DE MEDIA ONDA

El analisis del diode se ampliara para incluir funciones con variaci6n en el tiernpo, tales como Ia forma de onda senoidal y la onda cuadrada. No hay duda de que el grado de dificultad se incrementara, pero una vez que algunas maniobras fundamentales se entiendan, el analisis sera Irancamente directo y seguira un procedimiento cormin.

Las redes mas sencillas para examinar bajo una sefial con variacion en el tiempo aparecen en la figura 2A5. Por el momento usarernos el modele ideal (observese la ausencia de la etiqueta del Si 0 del Ge para denotar al diodo ideal) para asegurar que el entoque no se empane debido a la complejidad maternatica adicional.

+

+

-.

Figura 2.+5 Rectificador de media onda,

Sobre un ciclo completo, definido por el periodo Ten la figura 2A5, el valor promedio (la suma algebraic a de las areas por encirna y por debajo del eje) es cero. EI circuito de la figura 2A5, llamado rectificador de media onda, generara una forma de onda Vo que tendra un valor promedio de uso particular para el proceso de conversion de ac a de, Cuando un diodo se emplea en el proceso de rectificacion, es corruin referirse a el como rectificador. Sus valores nominales depotencia y corriente son, porlo corruin, mucho rnasultos que aquellos diodos ernpleados en otras aplicaciones, tales como los. sistemas de compute yde cornunicacion,

Durante el intervalo t zx 0 ~ T12 de la figura 2.45 la polaridad del voltaje aplicado Vi es tal como para establecer "presion" en la direccion indicada y encender el diodo con la polaridad que aparece arriba de lSI. Al sustituir el diodo ideal por la equivalencia de circuito cerrado dara como resultado el circuito equivalente de la figura 2.46, don de es muy obvio que la sefial de salida es una replica exacta de la sefial aplicada, Las dos terminales definen el vcltaje de salida y estan conectadas directarncntc a la serial aplicada mediante la equivalencia de circuito cerrado del diodo.

+
+ + -~" Vo
.J V,II
Vi R Vo
0 t
'=' '::" 2 Figura 2.46 Region de conduccion (0 __ T/2).

Para el periodo T12 ~ T, la polaridad de la entrada Vi es como 10 demuestra la figura 2.47 y la polaridad resultante a traves del diodo ideal produce un estado "apagado" con un equivalente de circuito abierto. El resultado es la ausencia de una trayectoria para el flujo de carga y que Vo ::: iR ::: (O)R ::: 0 V para el periodo T12 -> T. La entrada Vi y la salida Vo se dibujaron juntas en la figura 2.48 con el proposito de establecer una comparaci6n. Ahora, la sefial de salida Vo tiene un area neta positiva arriba del eje y durante un periodo complete, y un valor promedio determinado por


+

~ '"

.Rf. vo~ov~

-:;r

+

+

Vo _..,._ t'i

Figura 2.4 7 Region de no conduccion (T12 -- T).

Figura 2.48 Senal rectificada de media onda,

,t"

1 1 1 1 1 1 1

1 1

- - _I Vdc = 0.318 V",

o

media onda

(2;7)

EI proceso de eliminacion de un medio de la sefial de entrada para establecer un nivel de de ticne el nombre idonco de rectificacion de media onda.

EI efecto del uso del diode de silicio con VT = 0.7 V se demuestra en la figura 2.49 para la region de polarizacion directa. La seiial aplicada debe ser ahora al menos de 0.7 V antes de que el diodo pueda "encenderse", Para nivcles de Vi menores que 0.7 V, el diodo aun se encuentra en un estado de circuito abierto y Vo::: 0 V como se muestra en la misma figura, Cuando se encuentran en estado de conduccion, la diferencia entre v, Y Vi es un nivel fijo de VT::: 0.7 V Y Vo = Vi - V T como se rnuestra en la figura. El efecto neto es una reduccion en el area por encima del eje, 10 cual reduce naturalmente el nivel de voltaje de resultante, Para las situaciones en doncle V", » VT, la ecuacion 2.8 puede aplicarse para deterrninar el valor promedio con un nivel relativamente alto de precision.

(2.8)

+ vT-

ro-JT+

~ R %

.,..

; 11 T

I !1"2

<::

Desplazamiento debido a VT

Figura 2.49

Efecto de VT sabre la serial rectificada de media onda.

2.7 Entradas senoidales: rectificaci6n de media onda

75

De heche, si VIII f:lera suficienternente mayor que Vr, la ecuacion 2.7 se aplicarfa mas frecuentemente como pnmera aproximaci6n a Vae.

E]EMPLO 2.18

o T 2:

\

20V-O.7V= 19.3V

Figura 2.52 Efecto de V,. en In salida de [a figura 2.51.

76

(a) Dibuje 13.sal!da raY determine cl nivel de de de la salida para la red de la figura 2.50. (b) Repita el inciso (a) 51 el diodo Ideal sc reemplaza por un diodo de silicio.

(c) Repita los incises (a) y (b) si Vm se incrementa a 200 Y Y compare las soluciones mediante las ecuaciones (2.7) Y (2.8).

V;

V,

T t

Figura 2.50 Red del ejernplo 2.18.

Solucion

(a) En esta situacion el diodo conducira durante la parte negativa de la entrada como 10 muestra la figura 2.51, y Vo aparecera como tambien 10 sefiala Ia misma figura. Para el periodo complete, el nivel de de es

VdC' == -0.318Vm == -0.318(20 V) = -6.36V

EI signo negativo indica que la polaridad de la salida esopuesta a lapolaridad definida de la figura 2,50.

Vi ~ VO
02kQ +
Vi Vo
T 0
+ Figura 2.51 Vo resultante para el cirruito del ejernplo 2.18.

(b) Al utilizar un diodo de silicio, la salida tiene el aspecto de la figura 2.52 y Vdc == -0.318(Vm - 0,7 V) = -0.318(19.3 V) == -6.14 V La cafda resultante en el nivel. de de es de 0.22 Y 0 aprox.imadamente 3.5%.

(c) Ecuacion (2.7): Vdc =-0.318Vm = -0.318(200V)= -63.6V

Ecuacion (2.8): Vdc = -0.31 8(Vm - Vr) = -0.318(200 V - 0.7 V)

= -(0.318)(199.3 V) == -63.38 V

Lo cual es una diferencia que puede ser ignorada para la mayorfa de las aplicaciones. Para Ia parte c, la cafda y el desplazamiento en la amplitud debido a VT no serfa discernible en un osciloscopio tipico si el patron cornplcto se desplegara.


PlY (PRY)

EI valor nominal del voltaje pico inverso (PIY)[ 0 PRY (voltaje pico en reversal] del diodo tiene una importancia primordial en el diseiio de sistemas de rectificacion. Es indispensable recordar que este es el valor nominal del voltaje que no debera excederse en la region de polarizacion jnversa 0 eldiodo entraria en la region de avalanche Zener, EI valor nominal que se requiere de PlY para el rectificador de media onda se puede determinar scgiin lu figura 2.53, la cual muestra el diodo con polarizacion inversa de la figura 2.45 con cl voltaje maximo apIicado. Al aplicar la ley de voltajc de Kirchhoff, es obvio que el valor nominal del PlY del diodo debe igualar 0 exceder el valor pica del voltaje aplicado. Por tanto,

(2.9)

_ V (PIVI +

~~=~ot --0

v", J R Vo=IR=(O)R=OV

Figura 2.53 Determinacion

del valor nominal del PlY requendo para el rectificador de media onda.

+

+

2.8 RECTIFICACION DE ONDA COMPLETA

Puente de diodos

EI nivel de de obtenido de una entrada senoidal se puede mejorar un 100% mediante la utilizacion de un proceso llamado rectificacion de onda completa. La red mas familiar para desarrollar tal funcion aparece en Ia figura 2.54 con sus cuatro diodos en una configuracion de puente. Durante el periodo t = 0 a T/2, la polaridad de la entrada es Ia que muestra la figura 2.55. Las polaridades resultantes a traves de los diodos ideales tam bien se muestran en ·Ia figura 2.55 para dernostrar que D2 y D3 estrin conduciendo, mientras que D, Y D4 se encuentran en el estado "apagado". EI resultadoneto es la configuracion de la figura 2.56, con su corriente y polaridad indicadas a traves de R. Dado que los diodes son ide ales, el voltaje de carga es Vo = V, como se rnuestra en la misma figura.

Para la region negativa de la entrada, los diodos conductores son Dl y D4, con 10 que se produce Ia configuracion de la figura 2.57. EI resultado importante es que la polaridad a tra-

+

o

Vi

Figura 2.54 Puente rectificador de onda completa.

I'i_

of~· Tr

: "2

Vi +
/~Vm Vi
0 T
2: Figura 2.56 Trayectoria de conducci6n para la region positive de Vi'

2.8 Recttflcacion de onda completa

+

+

"encendido"

,,:apagado"

Figura 2.55 Red de la figura 2.54 par" el periodo 0 ~ T/2 del voltaje de entrada Vi.

77

ves de In rcsistencia de carga R es la rnisma que en la figura 2.55, al establccer un segundo pulso positive como 10 sefiala la figura 2.57. Sobre un ciclo complete los voltajes de entrada y de salida aparcceran como 10 muestra la figura 2.58.

Figura 257 Traycctoria de conduccion pan la rcgil'm neg~ni\J. de Vi'

I Va

/>: /?'''\~1I

~ [2 - I

I

Figura 2.58 Formas en onda de entrada y de salida para un recr.flcador de onda completa.

Dado que el area par encima del eje para un ciclo completo es ahara el doble de 10 obteniclo para un sistema de media onda, el nivel de de se ha duplicado tarnbien y

Vde == 2(ecuaci6n 2.7) == 2(0.318VII1)

o

IVdC == O,636Vin I ondHCmpl"~

(2.10)

Si en lugar de los diodos ideales se ernplean desilicio como 10 muestra la figura2.59, la aplicaci6n de la ley de voltaje de Kirchhoff dana como resultado

v, - VT Vo - Vr '" 0

y

el valor del pico del voltaje de salida Vo es par tanto:

VOm" == VIn 2VT

Para situaciones donde V", » 2 V" puede aplicarse la ecuacion (2.1 I) para el valor pro media con Ull nivel relativarnente alto de precision.

(2.1 I)

De nuevo, si V", es suficienterncnte mayor que 2Vr. entonces Ia ecuaci6n (2.10) se apliea de manera frecuente como una primera aproxirnacion para Vae.

78

Capitulo 2 Aplieaciones de diodos

Figura 2.59 Determinacion de V"mjx para diodos de silicic en la configurad6n de puente.

PIV

El PlY requerido para cada diode (ideal) puede determinarse par rnedio de la figura 2.60 obtenidaenel pica de la regi6n positiva de la serial de entrada. EJ voltaje maximo para la rnalla indicada a traves de R es Vm Y el valor nominal de PlY se define por

(212)

Transformador con derivaci6n central

Un segundo rcctificador popular de onda completa apareee en la figura 2.6 I can unicamente dos diodes pero con el requerimiento de un transformador con derivacion central (CT del inglcs center-tapped) para establecer la senal de entrada a traves de cada seccion del secundario del transformador, Durante la parte positiva de Vi aplicada al primario del transformador, la red apareceria como se sefiala en la figura 2.62. D, asume el equivalente de cireuito eerrado y D2 el equivalente de circuito abierto, como 10 deterrninan los voltajes secundarios y las dirccciones de corriente resultantes. El voltaje de salida aparece como se muestra en la figura 2.62.

+

Figura 2.61 Rcctificador de onda completa con transforrnaclor con dcnvacion central.

Vi

o

T 2'

Figura 2.62 Condiciones de red para la region positiva de Vi.

Durante la parte negativa de la entrada, la red aparece como se muestra en la figura 2.63, al invertir las funciones de los diodos pero rnanteniendo la misma polaridad para el voltaje a traves de la resistencia de earga R. EI efecto neto es la misma salida que aparece en la figura 2.58 can los misrnos niveles de de.

Vi Vij
I~\ ,~\ Vm
I \ I \
I I I If
0 T 01 T T
2' 2'
'J Figura 2.63 Condiciones de la red para la region negauva de Vi'

2.8 Recrificacion de onda completa

Figura 2.60 Detcrminaci(n

P[V requcrido 1<1 cunfigurJ-

de puente: rcctihcadcr.

79

Figura 2.64 Determinacion del nivel del PIV para los diodes del transformad.n- con derivacicn central rectilicador de onds

PlV

La red de la figura 2.64 nos ayudara a determinar el PlY neto para cad a diodo de este rectificador de onda completa. Al aplicar el voltaje maximo para el voltaje secundario y para V m como 10 establece la rnalla adjunta, dara como resultado:

PIV V",cuneiano + V R

y

transformador CT, ""''''G'OO' 00 onda complete

(2.13)

Determine la forma de onda de salida para la red de la figura 2.65 y calcule el nivel de dc de la salida y el PlY requerido para cada diodo.

+

Figura 2.65 Red de puente para el ejernplo 2.19.

T t

Soluci6n

La red aparecera como 10 sefialala figura2.66 para la region positiva delvoltaje de entrada. Al dibujar de nuevo la red el resultado sera la confizuracidn de lafigura 2 67· donde v =' lv.

, _ i _ 1 . ': ',' -- " -.' 0." -, - " -, .' 0 2 I

o VO".,,- '2 Vim." = z( 10 V) = 5 V, como 10 muestra la figura 2.67. Para la parte negativa de la entrada, las funciones de los diodos se intercambianin y Va aparecera como 10 muestra la figura 2.68.

~~ + +
V Vi
t
2" Figura 2.66 Red de la figura 2.65 para la region V positiva de Vi'

Figura 2.67 Redibujo de la red de la Iigura 2.66.

T T

2:

Figura 2.68 Salida resultante para el ejcmplo 2.19.

80

Elefecto de la elirninacionde dos diodos de la configuracion de puente fue la reduccion del nivel de de disponible al siguiente:

Vdc = 0.636(5 V) = 3.18 V

o el clisponi~le de un rectificador de media onda con la misma entrada. Sin embargo, el PIV como se denva de la figura 2.60, es igual al voltaje maximo a traves de R, el cual es de 5 V o la mitad de 10 requerido para un rectificador de media onda con la misma entrada. '


2.9 RECORTADORES

Existe una gran variedad de redes de diodes Hamad as recortadores que tienen la habilidad de "recortar" una porcion de la sefial de entrada sindistorsionar la parte restante de la forma de onda altemante. EI rectificador de media onda de la seccion 2.7 es un ejemplo d~ la forma mas simple de recortador de diodo (una resistencia y un diode). Dependiendo de la orientacion del diode, la region positiva 0 negativa de la sena! de entrada cs "recortada".

Existen dos categorias generales de recortadores: en serie y en paralelo. La configuracion en serie se define como una donde el diodo esta en serie con la carga, mientras que la variedad en paralelo tiene el diodo en una rarna paralela a la carga.

En series

La respuesta de las configuraciones en serie de la figura 2.69a ante una variedad de formas de onda alternantes la proporciona la figure 2.69b. Aunque prirnero se introdujo como recti ficador de media onda (para formas de onda senoidales), no hay Ifmites en el tipo de sefiales que se pueden aplicar a un recortador. La adicion de una fuente de de tal como la que se muestra en la figura 2.70 puede tener un gran efecto sobre la salida de un recortador, Nuestra discusion inicial estara limitada a los diodos ideales, con el efecto de V T reservado para un ejernplo concluyente.

No hay un procedimiento general para analizar las redes como las del tipo de la figura 2.70, pero hay algunos aspectos para tener en mente conforme usted trabaja en busca de una solucion,

1. Haga un esquema mental de la respuesta de la red bas ado en la direcd6n del diodo y de los niveles aplicados de voltaje.

Para la red de la figura 2.70, Ia direccion del diodo sugiere que la sefial Vi debe ser positiva para encenderlo. La fuente de de adernas requiere que el voltaje Vi sea mayor que V volts para eneender el diodo. La region negativa de la serial de entrada esta "presionando" al diodo hacia el estado de "apagado", apoyado adernas por la fuente de de. En general, par 10 tanto, podemos estar seguros de que el diodo esun circuito abierto (estado "apagaclo")por la region negativa de la sefial de entrada.

(a)

Figura 2.69 Recortador en serie.

T

--

(b)

R

i-,

Figura 2.70 Recortador en sene con una fuente de de.

2.9 Recortadores

81

2. Determine el voltajc aplicado (voltaje de transicion) que causarii Wl cambio ell eI estado de! diodo.

Para el diode.ideal la transition entre los estados ocurrira en el punto sobre las caracteristicas donde Vd '" 0 Y e i" '" b A',Al aplicar la conciici6n,i" = 0 Y I'd '" Oa la red de la [igura' 2.70 dara como resultado la configuracion de la 2.71. donde se reconoce qucel nivel de Vi que causani una transicion en el estado es:

Vi = V

(2.14)

Figura 2.71 Determinacion del de rransicion para el circuito de ia figura 2.70,

R

Para un voltsje de entrada mayor que V volts, cl diodo se encuentra en el estado de circuito cerrado, mientras que para los voltajes de entrada menores que V volts este esta en el estado "apagado" 0 de circuito abierto.

3. Estar concientes continuamente de las tenninales deJinidas y de la polandad de v., Cuando el diodo esta en el estado de circuito cerrado, como 10 muestra la figura 2.72, el voltaje de salida v, se puede deterrninar mediante la aplicacion cle la ley de voltaje de Kirchhoff en fa direeci6n de las rnanecillas del reloj:

Vi - V - V" '" 0 (direcci6n de las manecillas clel reloj)

V;

Figura 2.72 Determinacion de v".

o

-+--'--i"'-'!>-' ---"r-~ '2

Figura 2.73 Determinacion de los niveles de VO'

y

(2.15)

v

4. Puede serutil dibujar la Sflial de entradaporencimC! de la de. salida y determiililr la salida a valores instantaneos de la entrada.

Es entonces posible que el voltaje de salida pueda dibujarse can base en los puntas de datos resultantes de Vo como se demuestra en la figura 2.73. Tener en mente que para un valor instantaneo de Vi> la entrada puede tratarse como una fuente de de de aquel valor y el correspondiente valor de de (el valor instantaneo) de la salida determinada. POl' ejemplo, en Vi = Vm para la red de la figura 2.70, la red a analizar aparece en la Figura 2.74. Para Vm> Vel diodo se encuentra en el estado de circuito cerrado y Vo = V", - V, como 10 dernuestra la figura 2.73.

En Vi = V los diodos carnbian de estado; en Vi = -V"" VO = 0 Y; Y la curva completa para Vo puede dibujarse como 10 demuestra la figura 2.75.

--

R

Figura 2.74 Determinacion de Vo cuando Vi = Vm. Figura 2.75 Dibujo de VO'

EjEMPLO 2.20

Determine la forma de onda de salida de la red de la figura 2.76.

82

Solucion

La expericncia pasada sugiere que el diodo se encontrara en el estado "encendido" para la regi6n positiva de Vi especialmente cuando notarnos eI efccto de ayuda de V = 5 Y. La red en-


v,

V=5V o---Jf----~---<) +

R

tonces aparecera como se rnuestra en la figura 2.77 Y v" \'i + 5 Y. Al sustituir id = 0 en I'd =

o para los niveles de transicion. obtenernos la red de la figura 2.78 y V; = - 5 Y.

o--f f---<>--<>----<p-----<> +- +

5V

V;

R

V

~~o--~--o

+ +

"n

Figura 2.77 v" con cl diode en e] estado "encendido"

Figura 2.78 Deterrninacior; del nivel de transicion para el recortador de la Iigura 2.76.

Para Vi mas negatives que -5 Y el diodo entrani en Sll estado de circuito abierto. rnientras que para voltajes mas positivos que -5 Y, el diodo se encontrara en el estado de circuito cerrado. Los voltajes de entrada y de salida aparecen en la figura 2.79.

Vi + 5 V = 20 V + 5 V = 25 V

v,,=OV+5V=SV ---4----~--~--

o

T \ T

:2

v" = -5 V + 5 V = 0 v

Figura 2.79

Dibujo de Vo para el ejemplo 2.20.

EI analisis de las redes recortadoras con entradas de onda cuadrada, es real mente mas facil que para entradas senoidales debido a que s610 se deben considerar dos niveles de voltaje, En otras palabras, la red se puede analizar como si tuviera dos entradas de de con la salida resultante Vo graficada dentro el marco apropiado de tiempo,

Repita el ejcmplo 2.20 para la entrada de onda cuadrada de la figura 2.80.

20

o

Figura 2.80 Sena! aplicacla para el ejemplo 2.21

2.9 Recortadores

83

Soluci6n

Para Vi = 20 V (0 --> T12) resultara la red de la tigura 2.81. EJ diodo se encuentra en el estado de circuito ccrrado y v., = 20 V + 5 V = 25 V. Para Vi = -10 V resultara laredde la figura 2.82, mediante la colocaciondel diode enel estado "apagado" y Vo = iRR (O)R = 0 V. EI voltaje de salida resultante aparece enla figura 2.83.

R Vo OV

Figura 2.81 v" cuando Vi + 20 V.

Figura 2.82 v, cuando Vi ~ -[0 V.

+

Figura 2.83 Esquernauzacton

de Vo el cjernplo 2.21.

Observe en el ejernplo 2.21 que el recortador no s610 recorta 5 V de la amplitud total sino que levanta el nivel de de de la sefial por 5 V.

En paralelo

La red de la figura 2.84 es la mas simple de las configuraciones de diodos en paralelo con las salidas para las rnisrnas entradas de la figura 2.69. EI analisi, de las configuraciones en paralela es rnuy similar a las aplicadas a las configuraciones en serie, como 10 demuestra el siguiente ejemplo.

+

Vi

--

o

-V •

o

-V _.

Figura 2.84 Respuesta de un rccortador en paralelo.

--

84

E]EMPLO 2.22

Determine v, para la red de la figura 2.85.


Figura 2.85 Ejernplo 2.22.

o--i>J---

Soluci6n

La polaridad de la fuente de de y 13 direcci6n del diodo sugieren fuertemente que el diodo estara en el estado "encendido" para la region negativa de la scfial de salida. Para estaregi6n la red aparecera como se sefiala en la tigura 2.86,donde las tcrminales definidas para v,, requie-

rertque VO =V 4 V. .

R

+

V,

t.. v_' _I.__4_V_

Figura 2.86 v, para la region negi.1tiva de Vi'

EI cstado de transiei6n se puede de terminal' a partir de la figura 2.87, donde la condicion id:= 0 A cuando Vd = 0 V ha sido impuesta. EI resultado es v, (transicion) = V:= 4 V.

Dado que la fuente de de obviamente se encuentra "presionando" al diodo para permaneeel' en el estado de circuito cerrado, el voltajc de entrada debe ser mayor que 4 V para que el diodo se encuentre en el estado de "apagado", Cualquier voltaje de entrada menor que 4 V dara como resultado un diodo en circuito cerrado.

Para el estado de circuito abierto, la red aparecera como se muestra en la figura 2.88, donde v, := Vi' Al completar el dibujo de v, resulta la forma de onda de la figura 2.89.

+

+

+

V -1 4V

Figura 2.87 Determinacion del nivel de transicion para e1 ejcmplo 2.22.

Figura 2.88 Determinacion de Va para el estado abicrto del diodo.

o

T "2

T

Figura 2.89 Dibujo de va para el ejernplo 2.22

Para examinar los efectos de VI' en el voltaje de salida, el siguiente ejemplo especificara, en lugar de un diodo ideal equivalcnte, un diodo de silicio.

2.9 Recortadores

85

EJEMPLO 2.23

Repita el ejernplo 2.22 empleando un diodo de silicic con VT = 0.7 V.

Solucion

EI voltaje de transicion sc puede determiner primeroaplicando Ia condicion id = 0 A cuando Vel = V D = 0.7 V y obteniendo la red de la figura 2.90. AI aplicar la ley de voltajc de Kirchhoff alrededor de la malla de salida en direccion de las manecillas de! reloj, cucontramos que:

Vj + Vr V 0

y

3.3V

0.7 V

I'R = iRR idR (0) R = 0 V II

+

Figura 2.90 Determinacion del nivcl de transicior: para la red de: [a figura 2.85

Para los voltajes de entrada mayores que 3.3 V. el diodo sera un circuito abierto y v" = v,.

Para los voltajes de entrada men ores que 3.3 V, el diodo estara en estado "encendido" y dara como resultado la red de la figura 2.91, donde

Vo = 4 V - 0.7 V = 3.3 V

Figura 2.91 Dcterminaclon de Vo el diode de la figure 2.85 en cstado "encendido".

La forma de onda de salida resultante esta en la figura 2.92. Observe que eI unico efecto de V T fue el de la cafda del nivel de transicion de 4 V a 3.3.

16 V 3.3 V o

T "2

T

Figura 2.92 Dibujo de para cl ejernplo 2.23

No hay dudade que al incluir los efectos de VT cornplicanarnos un poco el analisis, pero una vez que el analisis se ha entendido con el diodo ideal, el proccdimientojncluycndo los efectos de V T, no habra tal dificultad.

Resumen

Una variedad de rccortadores en serie y en paralelo, con la salida resultante para la entrada senoidal se proporciona en la figura 2.93. En particular, observen la respuesta de la ultima configuracion, can Sll habilidad para recortar una secci6n positiva y una negativa como 10 determina la magnitud de his fuentcs de dc.

86

Capitulo 2 Aplicacioncs de diodes

Rccortadores simples en serie (diodos ideales)

POSITIVOS

Recortadorcs polarizados en serie (diodes idcales)

~~

-(~-V)

Yj

Recortadores simples en paralelo (diodes idcales)

Rccortadores polarizados en paralelo (diodes idcales)

f

+ R + V

~o 'V'

- I - /_v.

o 0 m

Y

+ R +

;.- v1.;-:

o .. .~.

Figura 2.93 Circuitos recortadores.

NEGATIVOS

p

+ + v,.

==Co \

_,.

I

t

; ~ ~ R i ;: k----l_+_V)L-_

Y

~

Yj "t va 0

_ V T _-V

o 0

2.9 Recortadores

87

c

Figura 2.95 Diodo "cncendido" y el capacitor cargando a V volts.

Figura 2.96 Dctcnninacion de v, con el diodo "apagado'',

-~~tr

I I I I I

va :

o

Figura 2.97 Dibujo de v" para la red de la figura 2.94.

88

2.10 CAMBIADORES DE NlVEl

La red cambiadora de nivel es aquella que "cambia" una sefial a un nivel diferente de de. La red debe tener un capacitor, un diodo y un elernento resistive, pero esta puede tambien ernplcar una fuente independiente de de para introducir un desplazamientn adicional. La magnitud de R y C debe elegirse de tal modo que la constante de tiempo r,= RC sea 10 suficientemente grande como para asegurar que el voltaje a traves del capacitor no se descargue significativamen. te durante el intervalo en que el diodo no esta conduciendo, A traves del analisis supondremos que para todos los propositos practices el capacitor cargara 0 descargara completamente en cinco constantes de tiempo.

. La red de la figu:u 2.94 carnbiara de nivel la sefial de entrada al nivel cero (para diodos ideales). La resistencra R puede scr la resistencia de carga 0 una combinacion en paralelo de la resistencia de carga y una resistcncia disefiada para proporcionar el nivcl deseado de R.

Vi C
V ltr r-t~
Vi ~~ ~R
+ 0 ~
Figura 2.9+ Cambiador de
R VO -V nivel. +

Durante el intervale 0 ..... T/2 la red aparecera como 10 muestra la figura 2.95, con el diodo en el estado "encendido" efectivamente pone en "corto circuito" la resistencia R. La cons tante de ticmpo RC resultante es tan pequefia (R se determina por la resistencia inherente de la red) q~e el capacitor carga~a a V volts rapidamente. Durante este intervalo el voltaje de salida esta directamente a traves del corto circuito y Vo = 0 V.

eu.and? la e~trada cambia al estado -v, Ia red sera Ia de Ia figura 2.96, conel equivalente de ctrcuito abierto para el diodo determinado por Ia sefial aplicada y el voltaje almaccnado a traves del capacitor -ambos- "presionando" la corriente a traves del diodo del catodo al anodo. ~hora que R regres6 a la red la constante de tiempo determinada por el producto RC es su~clentemente grande como para establecer un periodo de dcscarga 5", mucho mayor que el penodo T/2 --+ T, Y puede asumirse sobre una base aproximada que el capacitor manticne toda su carga y, por tanto, al voltaje (dado que V:::: QIC) durante este periodo,

. Debido a qu~ ~ ~ esta en ~aralelo con el diodo y con la resistencia, tarnbien se puede dibUJar. en una. POSICIon alternativa como 10 muestra la figura 2.96. Al aplicar la ley de voltaje de KIrchhoff alrededor de la mall a de entrada dara como resultado:

V - V - va = 0

R v ..

y

Va = -2V

E.I signo negativo resulta del hecho de que la polaridad de 2 V es opuesta a la polaridad definida para va' La forma en onda de resultante en la salida aparece en la figura 2.97 junto con la se~al de enl.rada. La se~~1 de salida se cambia de nivel a 0 V para el intervale 0 a TI2 pero mantiene la nusma excursion de voltaje total (2 V) de la misma forma que la entrada.

Para la red cambiadora de nivel:

La excursion total de la salidaes igual a la excursion total de la selial de entrada.

Este hecho es una herramientaexcelente de verificaci6ndel resultado obtenido.

En general, los pasos siguicntes pueden ser utiles cuando se analizan redes cambiadoras de nivel:

1. ~omenzar el analisis de redes cambiadoras de nivel considerando la parte de la se-

nal de entrada que polarizara directamente al diodo.

EI enunciado anterior puede requerir del saltarse un intervalo de la serial de entrada (como se demuestra en el ejemplo siguiente), pero el analisis no se extendera mediante una medida innecesaria de investigacion.

Capitulo 2 Aplicaciones de dicdos

2. Durante el periodo en que d diodo eslf en el estado "cnccndido", s!(poner que el capacitor cargara instantaneamente al nive! de voltaje detenninado porIa red.

3. Suponer que durante el periodo en quee! diodoestd en el estlldo "apagado"el capacitor mantendrasunivel de voltaje establecido.

4. A traves de! analisis mantener unn concieucic continua dt: '(1 localizaci6n y de la polaridad de reierencui para 1'0 para asegllrar que los nivcles apropiados para va Sf obtienen.

5. Tener en mente la regIa general de que la amplitud dt: la salida total debe wincidiy con la amplitud de la selial de entrada.

Determine Va para la red de la figura 2.98 para la entrada indicada,

EjEMPLO 2.24

f = I(X)() Hz

C = IJ.l.F r---1~--~--~--~

10

IIJ2

-20 --T-"'i

o

R IOOkn ':

V

5V

Figura 2.98 Serial aplicada y red del ejeraplo 2.24.

Soluci6n

Observe que la frecuencia es de 1000 Hz, con loque se provoca un periodo de I ms y un intervalo de 0.5 ms entre niveles, EI analisis empezara con el periodo Ii --+ 12 de la sefial de entrada, dado que el diodo esta en su estado de circuito cerrado como 10 recomendo el comentario I. Para este intervalo la red aparecera como se muestra en la figura 2.99. La salida esta a traves de R, pero esta se encuentra tambien directamente a traves de la baterfa de 5 V si usted sigue la conexi6n directa entre las terminales definidas para v, y las terminales de la baterfa. El resultado es Vo = 5 V para este intervalo. AI aplicar la ley de voltaje de Kirchhoff alrededor de la rnalla de entrada dara como resultado:

-20 V + Vc

5V

o

y

Vc = 25 V

EI capacitor, por tanto, cargara a 25 V, como 10 afirrna el comentario 2. En este caso 1'1 resistencia R no se encontrara en corto circuito a causa del diodo, pero un circuito Thevcnin equivalente de tal porcion de la red que incluye la baterfa y la resistencia resultara en R.,o = 0 n con ETh = V = 5 V. Para el periodo 12 --+ 13 la red aparccera como 10 muestra la figura 2.100.

EI equivalente de circuito abierto para el diode evitara que la batcria de 5 V ejerza algiin efecto sobre V". Alaplicar la ley de voltaje de Kirchhoff alrededorde la mallaexterior de la red resultara en

y

+lOV + 25 V

Vo = 35 V

o

La constante de tiempo de la red de descarga de la figura 2.100 se determina por el producto RC y tiene la magnitud:

T = RC = (IOOkD)(O.1 JLF) = 0.01 s = lOms EI tiempo total de descarga es por 10 tanto 5, = 5(10 ms) = 50 ms,

2.10 Cambiadores de nivel

C ~{~+,-~--~-~

Vc

20 V

+

Figura 2.99 Determinacion de Vo Y V c con el diodo en el estado "encendido",

KVL

Figura 2.100 Determinacion de Vo con el diodo en el estado "apagado".

89

Dado que el intervale [2 --+ 13 solo durara 0.5 ms, este es cicrtamente una buena aproximacion de que el capacitor mantendni su voltaje durante el pcriodo de descnrga entre los pulses de la serial de entrada. La salida resultante aparece en la figura 2.1 0 I con la sefial de entrada. Observe que la arnplitud de salida de 30 V coincide con la amplitud deentrada como se advierte en el paso 5.

Y, Vo
35 1 r-r- T
~ !
I, 30 Y
30Y 1
_l I
:r L ____ ;
Figura 2.101 .
biador de nivel II 12 'J '4 I EJEMPLO 2.25

Figura 2.102 Determinacion de v, y V C con el diode en el estaclo "encendido".

90

Soluci6n

Repita el ejernplo 2.24 ernpleando un dicdo de silicio con Vr = 0.7 V

Para el estado de circuito cerrado la red ahora toma el aspecto de la figura 2.102 Y v, se podra deterrninar por la ley de -voltaje de Kirchhoff en la seccion de salida.

y

+5 V ~0.7V ~ Yo =0 v, = 5 V - 0.7 V = 4.3 V

Para la sec cion de entrada, la ley de voltaje de Kirchhoff dara como resultado: -20 V + Vc + 0,7 V - 5 V = 0

y

Vc = 25 V - 0.7 V = 24.3 V

Para cl periodo 12 --+ 13 la red ahora tendni el aspecto de la figura 2.103, con el iinico cambio del voltaje a traves del capacitor. Al aplicar la ley de voltaje de Kirchhoff resulta:

y

+ 10 V + 24.3 V - Va = 0 Va = 34.3 V

La salida resultante aparece en la figura 2.1 04, con 10 que se confirma el enunciado de que la amplitud de salida y de entrada son las mismas.

lOY

Figura 2.103 Determinacion de Vo con cl diodo en estado abicrto.

Capitulo 2 Aplieaeiones de diodos

34.3 Y

o

Figura 2.104 el cambiador de

~f I' :

VI

- -

Ol------+-VI

J'-l"

, . 2V

L J

30 Y

Un gran mimero de circuitos carnbiadores de nivel y su efecto sobre la serial de entrada se muestran en Ia figura 2.105. A pesar de que todas las formas de onda que aparecen en la figura 2.105 son ondas cuadradas, las redes cambiadoras de nivel trabajaran igualmente bien para las sefiales scnoidales. De heche, un enfoque del analisis de las redes cambiadoras de nivel con entradas senoidales es cl de reemplazar la sefial senoidal por una onda cuadrada de los mismos valores pico. La salida resultante tendra una forma envolvente para la respuesta senoidal como 10 muestra la figura 2.106 para una red que aparece en la parte inferior derecha de la figura 2.105.

~ ¥ f' :

VI

- -

Figura 2.105 Circuitos cambiadores de nivel con diodos ideales (5, = 5RC ;p TI2).

2.10 Cambiadores de nivel

+

91

Figura 2.108 Rcgulador basico Zener.

R

+ V

Figura 2.109 Detennlnacion del est ado del cliodo Zener.

92

+30

~~~~~r-~~+ .C

R

o

!O V -

lOY +

-20 V

Figura 2.106 Red cambia dora de ruve! con una entrada senoidal,

2.11

DIODOS ZENER

EI analisis de las redes que emplean los diodos Zener es muy similar a aquel que se aplico al analisis de los diodos semlconductores en las secciones previas, En primer lugar, el estado del diodo debe determinarse seguido por una sustitucion del modelo apropiado y una determinacion de las demas cantidades desconocidas de la red. A rnenos que otra cosa se espccifique, el modelo Zener a emplearse en el estado "encendido'' sera como el que muestra la figura 2.l07a, Para el estado "apagado" como 10 define un voltaje menor que Vz pero mayor que o V con la polaridad indicada en la figura 2.107b. el equivalente del Zener es el circuito ablerto que aparece en la misma figura.

(Vz > V > OV)

Figura2.10t Equivalentcs del diodo Zener para el estado (a) "encendido'' y el(b) "apagado".

"encendido"

"apagado'

(a)

(b)

Vi Y R fijas

Las redes mas simples con diodo Zener aparecen en Ia figura 2,108, El voltaje de de aplicado es fijo, como 10 es la resistencia de carga. EI analisis puede fundamental mente dividirse en dos etapas.

RL 1. Determinar el estado del diodo Zener mediante su eliminaci6n de la red y par me-

dio del calculo del voltaje a traves del circuito abierto result(lItte.

Al aplicar el paso I a la red de la figura 2.108 dara como resultado la red de la figura 2.109, donde una aplicaci6n de la regia del divisor de voltaje resultara en:

RLV, V=V ---'L - R + RL

(2.16)

Si V):Vz, el diodo Zener esta en "encendido" y el modelo equivalente de la figura 2.107a puede sustituirse, Si V <Vz, el diodo esta en "apagado" y la equivalencia de circuito abierto de la figura 2;107b es sustituida.

RL 2. Sustituir el circuito equivalente apropiado y resolver para las inc6gnitas deseadas.

Para la red de la figura 2.108, el estado "enccndido'' dara como resultado la red equivalente de la figura 2.110. Dado que los voltajes a traves de los elementos paralelos deben ser los mismos, encontramos que:

(2.17)


La corriente del diodo Zener se debe determinar por una aplicaci6n de la ley de corriente de Kirchhoff, como sigue:

e

Vi

(2.18)

donde

e

La potencia disipada por cl diodo Zener se deterrnina por:

(2.19)

Ia cual debe scr menor que la PZN/ especiticada para el dispositive.

Antes de continuar es particularmente importante notar que el primer paso se emple6 so- 10 para determinar el estado del diodo Zener. Si el diodo Zener esta en el estado "encendido", el voltaje a traves del diodo no es de V volts. Cuando el sistema se enciende, el d~odo Zener "encendera'' tan pronto como el voltaje a traves del diodo Zener sea de V z volts. Este entonces "se bloqueara'' en este nivel y nunca alcanzara el nivel mas alto de V volts.

Los diodos Zener se utilizan mas frecuentemente en redes reguladoras 0 como un voltaje de referenda. En la figura 2.108 aparece un regulador sencillo disefiado para mantener un nivel de voltaje fijo a traves de la carga RL. Para valores del voltaje aplicado mayores que los requeridos para "encender'' cl diodo Zener, el voltaje a traves de la carga se mantendra en Vz volts. Si el diodo Zener se emplea como un voltaje de referenda, este proporcionara un nivel para comparaci6n contra otros voltajes.

Figura 2.110 Sustitucion del cquivalcnte Zener para la

de "encendido

(a) Para la red de diodoZenerde la figura 2.111, determine VL, VR, lz Y Pz· (b) Repita el inciso (a) con RL", 3 kn.

E]EMPLO 2.26

1 kYn~!z

Vi-;=-16Y Vz=IOY~~

+ RL~1.2kn VI

PZM=30mW

Figura 2.111 Regulador del diode Zener para el ejemplo 2.26.

Soluci6n

(a) Siguiendo el procedirniento sugerido, la red se vuelve a dibujar como 10 muestra la figura 2.112.

Vi

Figura 2.112 Determinacion de V para el regulador de la figura 2.111.

+

2.11 Diodes Zener

93

t z (rnA)

Figura 1.113 Punto resulrante para la red flgura 2.111.

94

Aplicando la ecuacion (2.16) resulta RLV

v

8.73 V

Dado que V 8.73 V es menor que Vz = 10 V, el diodo esta en el estada "apagado" como 10 muestran las caractensticas de la figura 2. III Al sustituir e! equivalente de circuito abierto dara como resultado la misrna red de la figura 2,112, donde encontramos que:

Vz

VL V 8.73 V

VR VI VL 16 V 8.73 V = 7.27 V

lz OA

y Pz Vzlz = Vz(O A) = 0 W

(b) Aplicando la ecuacion (2.16) ahora resultara en:

V

3 kD(16 V) lkD+3kD

12 V

Dado que V = 12 V es mayor que Vz 10 V, el diodo estri en estado "encendido'' y resultara la red de la figura 2.114. Aplicando la ecuacion (2.17) resulta:

VI. = Vz = 10 V

y

10 V = 6 V

con

VL 10 V

IL = RL = 3 Hl = 3.33 rnA

VR 6 V

Iii Ii = I kfl = 6 rnA

lz = IR- IdEcuaci6n(2.18)] 6 rnA - 3.33 mA

= 2.67 rnA

e

asi que

Potencia disipada,

Pz = Vzlz = (10 V)(2.67 mA) = 26.7 rnW

10 cual es menor que la especificacion PZM = 30 mW.

A

1 kQ

Figura 2.114 Red de la Iigura 2.111 en el estado "encendido".

Vi fija, RL variable

Debido al voltaje Vz, existe un rango especffico de valores de resistencia (y por tanto de corriente de carga) que asegurara que el Zener se encuentre en el estado "encendido". Una resistencia de carga RL demasiado pequefia ocasionara un voltaje VL a traves de Ia resistencia de carga menor que Vz, y el dispositivo Zener estara en el estado "apagado",


Para deterrninar In resistencia minima de carga de la figura 2. I 08 que cncendera el diode Zener, simplcmcnte se calcu!a el valor de RL que ocasionnra un voltaje de carga VI. = Vz. Esto es,

RLV; RL + R

Resolviendo para RI.. tcncrnos

(2.20)

Cualquier valor de resistencia de carga mayor que R[ obtenido de la ecuacion (2.20) asegurafit que el diode Zener se encuentre en el estado "encendido" y que el diodo se puecla reemplazar por su fuente Vz equivalente.

La condicion definida por la ecuacion (2.20) establece la RL minima pero a cambio especifica la lt. maxima como

(2.21)

Una vez que el diodo se encuentra en el estado "encendido", el voltaje a traves de R pennanece fijo en

(2.22)

e I R permanece f jo en

(2.23)

La corriente Zener

(2.24)

dando como resultado un l r minima cuando I L es un maximo y un Iz maximo cuando l t. es un valor rnfnimo dado que IR es constante.

Dado que Iz esta lirnitado a IZM como sc proporciona en la hoja de datos, afectara el rango de RD y por tanto h. Sustituyendo IZM por l z se establece la It. minima como

(2.25)

y la resistencia de carga maxima es

(2.26)

(a) Para 1a red de Ia figura 2.115, determine el rango de RL yde lt. que ocasionan que VRL se mantenga en 10 V.

(b) Determine el valor nominal maximo de la potencia en watts del diodo.

Soluci6n

(a) Para determinar el valor de RL que encendera el diodo Zener, se aplica Ia ecuacion (2.20):

.::_(I_k_!1.:_:)(_lO_V_:...) = _IO_k_D = 250 n

50 V - 10 V 40

2.11 Diodos Zener

E]EMPLO 2.27

95

I kQ

Figura 2.115 Regulador de \'ollajc para el ejcrnplo 2.27.

+

R

v, ~ sov·

Vz= 10 V Il.\{= 32 rnA

El voltaje a traves de la resistencia R esta entonces determinado por la ccuacion (2.22):

VI? Vi - Vz = 50 V - 10 V 40 V

Y la ecuacion (2.23) proporciona la magnitud de I R:

VR 40V

Ii = I kn = 40mA

EI nivel mmimo de l t. esta determinado entonces por Ia ecuacion (2.25):

fL,,, 1R fZAt = 40 rnA 32 rnA 8 rnA

con la ecuacion (2.26) se deterrnina el valor maximo de RL:

Vz 10 V

Rl = - = = 1.25 kfl

Om" I t.; 8 rnA

Una grafica de VL en funcion de RL aparece en [a figura 2.116a y una para VL en funcion de lt: en la figura 2.116b.

(b) Pm" = Vzlzw

(10 V)(32 rnA) = 320mW

10 V r--------,

I I

I 1 1

10V

o 2500

1.25 kQ

o 8mA

40 rnA

(a)

(b)

Figura 2.116 VL enfunci6n de I'L e II. para el regulador de la figura 2.115.

RL fija Y Vi variable

Para los valores fijos de RL en la figura 2.1 08, el voltaje Vi debe ser suficienternente grande como para encender el diodo Zener. EI voltaje minima de encendido Vi = Vi min se determina par

RLVi VL = Vz

RL + R

y

(2.27)

El valor maximo de Vi esta Iimitado par la corriente Zener maxima !zlf. Dado que 1 ZM =1 R - h,

(2.28)

96


Dado que l i. esta fija en VzIRL e lat es el valor maximo de Iz, 13 Vi maxima se define por

(2.29)

Determine el rango de valores de Vi que mantendra el diode Zener de la figura 2.117 en el estado "encendido".

E]EMPLO 2.28

R

2200

Figura 2.117 Regulador para el ejemplo 2.28.

+

+

Vz=20V 17M =60 rnA

Soluci6n

(Rio + R)Vz (l200n + 220D)(20V)

V = = = 23,67 V

'm'" R/ 1200 D

VL Vz 20 V

II = - = - = --. -. = 16,67 rnA

RL RL 1.2 kD .

Ecuacion (2.28): l«: = 1ZM + IL = 60 rnA + 16.67 rnA

Ecuacion (2.27):

== 76.67 rnA

Ecuacion (2.29): Vi",,, = IR",",R + Vz

= (76.67 rnA)(0.22 kD) + 20 V == 16.87V + 20V

== 36.87 V

En la figura 2.118 se proporciona una grafica de V Len funcion de Vi'

Los resultados del ejemplo 2.28 revclan que para la red de la figura 2.117 con una RL fija, el voltaje de salida pennaneceria fijo en 20 V para un rango del voltaje de entrada que se extienda de 23.67 a 36.87 V.

De hecho, la entrada podrfa aparecer como se muestra en la figura 2. U 9 Y la salida deberra permanecer constante a 20 V, como 10 demuestra la figura 2.118. La forma de onda que aparece en la figura 2.119 se obtiene al filtrar una salida de media onda 0 de onda completa rectificada; un proceso descrito a detalle en el siguiente capitulo. EI efecto neto, sin embargo, es el establecimiento de un voltaje de dc estable (para un rango definido de V;l tal como 10 muestra la figura 2.118 de una fuente senoidal con un valor promedio de O.

2.11 Diodos Zener

20 V

o

Figura 2.118 VI. ell fllnc;6n de Vi para cl regulador de 121 Figura 2.117.

97

o

Figura 2.119 forma de onda nor una sella! recnflcada y filmda .

2.12 CIRCUITOS MULTIPUCADORES DE VOLTAJE

Los circuitos multiplicadores de voltaje se emplean para rnantener el voltaje pica de un transformador reIativamente bajo, rnientras se eleva el voltaje de salida pi co hasta dos, tres, cuatro, o mas veces el voltaje pica rectificado.

Doblador de voltaje

La red de la figura 2.120 es un doblador de voltaje de media onda. Durante el medio ciclo de voltaje positivo a traves del transforrnador, el diodo del secundario D, conduce (y eI diodo D2 esta en corte), rnientras carga al capacitor C1 hasta el voltaje pica rectificado (V",). El diodo D, es idealmente un circuito cerrado, corto, durante este medio ciclo, y el voltaje de entrada carga al capacitor C1 hasta V", con fa polaridad que se rnuestra en Ia figura 2.121a. Durante el medio cicIo negativo del voltaje secundario, el diodo D, esta en corte y el diodo D2 se encuentra conduciendo y cargando al capacitor C2. Dado que el diodo D2 aetna como un circuito cerrado durante el medio ciclo negative (y el diodo D, esta abierto), podemos surnar los voltajes alrededor de la mall a exterior (ver figura 2.121b);

-V",-Vc,+Vc, 0 V", - V", + V c, = 0

de la cual

Vc, == 2VII/

no conductor

(a)

(b)

98


Figura 2.120 Doblador de volta]e de media onda.

21"

+

Figura 2.121 Operaci6n doble, indicando cada media cido de operaci6n (a) medio cido positivo; (b) medio cido negativo.

En el siguiente rnedio ciclo positive, cl diodo D2 no esta conduciendo y el capacitor C2 descargara a traves de la carga. Si ninguna carga esta conectada a traves del capacitor C2• ambos capacitores permaneceran cargados: C1 a Vm Y C2 a2V",. Si, como se pudiera csperar, hay una carga conectada a Ia salida del doblador.de volraje. el voltaje a traves del capacitor C2 caera durante el media ciclo positivo(a la entradajy el capacitor se recargara hasta2Vm durante el media ciclo negativo. La forma de onda de salida a traves del capacitor C2 es la de una senal de media onda filtrada por un fiitro capacitor. EI voltaje de pica invcrso a traves de cada diode es 2 Vm.

Otro circuito doblador es el doblador de onda cornpleta de la figura 2.122. Durante el medio cicIo positive del voltaje del secundario del transforrnador (vel' tigura 2.1233) el diodo D, conduce cargando al capacitor C] hasta un voltaje pico Vm• El diodo D2 no esta conduciendo en este momento.

+

cl;"

Figura 2.122 Doblador de voltaje de onda completa.

./ No conduciendo r-~~~--~~---,

I

c,:+ = v",

,I

I

,

:+

c2::r: V,II ,-

I

I

_* .J

D2 ~NO conduciendo

~C2+V,,,

<,

D2 ~ Conduciendo

(a)

(b)

Durante el medio cicIo negativo (ver figura 2.l23b) el diodo D2 conduce, cargando al capacitor C2, mientras que el diodo D, no esta conduciendo. Si la carga no consume corriente del circuito, el voltajc a traves de los capacitores C] y C2 es de 2V rn- Si Ia carga consume corrientc del circuito,el voltaje a traves de los capacitores Ct Y C2 esel mismo que a traves de un capacitor alimentado por un circuito rectificador de onda complete. Una diferencia es que la capacitancia efectiva sera lade C,y C2en serie, que es menor a la capacitancia de C, y C2 independientes. El valor menor del capacitor ofrecera una acci6n de filtrado mas pobre que el circuito de filtro con un solo capacitor.

EI voltaje pico inverso a traves de cada diodo es de 2 V m asi como 10 es para el circuito de filtro de capacitor. En resumen, los circuitos dobladores de voltaje de media onda 0 de onda completa proporcionan a su salida el doble del voltaje pico del transformador secundario, y no se requiere de un transformador con derivaci6n central sino iinicamente un valor nominal PlV de 2 V", para los diodos.

2.12 Circuitos multiplicadores de valtaje

Figura 2.123 Medics ciclos altcrnos de opcracion para cl doblador de volraje de onda cornplcta.

99

Triplicador y cuadriplicador de voltaje

La figura 2.124 muestra una extension del doblndor de voltaje de media onda, el cual desarrolla treso cuatro veces el voltaje picode cntradaRcsultara obvio a partir del patron de la conexion del circuito, la forma en que diodos y capacitores adicionales se pueden co nectar de tal forma queel voltaje de salida puede ser de cinco, seis, stele, y as! sucesivamente; veces el voltaje pico basico (lim)'

Figura 2.124 Triplicador y cuadriplicador de voltaje

Durante la operacion el capacitor C[ se carga a traves del diodo D[ hasta un voltaje pico Vm durante el rnedio cicio positivo del voltaje secundario del transformador. El capacitor C2 se carga hasta el doble del voltaje pico 2 Vm desarrollado por la suma de los voltajes a traves del capacitor C [ Y del transforrnador, durante el medio cicio negative del voltaje secundario del transformador.

Durante el medio ciclo positivo.el diodo D, conduce y el voltaje a traves del capacitor C2 carga al capacitor C) ,al rnismo voltaje pico de 2 Vm. En el medio cielo negative, los diodos D2 y D4conducen con el capacitor C3, cargando C4a 2 Vm.

E! voltaje a traves del capacitor C2 es 2 V"" a traves de C t Y C3 es de 3 V"" Y a traves de C2 y C4 es de 4 V",. Si se utilizan seeciones adicionales de diode y de capacitor, cad a capacitor cstara cargado a 2Vm. La medici6n desde la parte superior del devanado del transformador (figura 2.124) proporcionara multiples impares de V", a In salida, mientras que la medicion del voltajc de salida desde la parte inferior del transformador ofrecera miiltiplos pares del voltaje pico V",.

EI valor nominal del voltaje de salida del transformador es solarnente Vm, a 10 maximo, y cada diodo en el circuito debe tener un valor nominal de 2 Vm PlY. Si la carga es pequefia y los capacitores tienen poca fuga, pueden dcsarrollarse voltajes de de extrernadamcnte altos mediante este tipo de circuito, utilizando muchas secciones con el fin de incrementar el voltaje de de.

2.13 APLICACIONES pRACTICAS

La garna de aplicaciones practicas para los diodes es tan amplia que seria virtual mente imposible considerar todas las opciones en una secci6n. Sin embargo, para desarrollar algiin interes por el uso del dispositivo en redes cotidianas, se presentan algunas de las areas mas comunes de aplicacion. En particular, observe que eluso de los diodos se extiendcrnucho mas alla de la irnportante caracteristica de conrnutacion que fue introducida anteriormenteen este capitulo.

Rectificacion

Los cargadores de batena son una parte de equipo dornestico cormin utilizado para cargar todo tipo de artfculos desde baterfas para linternas pcquefias hasta las batenas marinas de larga duracion. Dado que todas ellas se conectan a una salida de ac de 120 V como las encontradas en el hogar, la construccion basica de cad a una ellas es mu y similar. En cualquier sistema de carga se debe incluir un transformador para reducir el voltaje de ac a un nivel apropiado pa-

100


ra el nivel de de que se requiere. Un arreglo de diodos (ta~bien llama do recti!icadar) debe incluirse para convcrtir el voltaje de ac, que varia con el trempo a un nivel fijo de dc como el que se describio en este capitulo. Algunos cargadores de de incluiran tambien un regulador para proporcionar un nivel de de mas adecuado (que VIDe rnenos con el tie~po oIa carga). Dado queelcargador de baterfa de un auto es uno de los mas cornunes, sera descrito en los

siguientes parrafos. ..." ..,

El aspecto externo y la construccion intern a del Cargador de Bateria Manual Sears 6/_

AMP se muestra en la ftgura 2.125. Observe que en la figura 2.125 el transformador (como en la mayona de los cargadores) ocupa la mayor parte del :spa~~o interne. El espacIO libre adicional y los huecos en la cubierta son para asegurar la disipacion del calor que se desarrollara debido a los niveles de corriente resultantes.

Figura 2.125 Cargador de bate ria: (3) aspecto cxterno. (b) construccion interna.

2.13 Aplicaciones pracncas

101

EI esquema de la figura 2.126 incluye todos los componentes basicos de! cargador. Observe prirnero que los 120 V de! enchufe se aplican directamente a traves del prirnario del transforrnador. Un valor de carga de 6 A 0 de 2 A se selecciona por medio de un interruptor, que simplemcnte controla cuantos devanados del primario habra en el circuito para el valor de carga selcccionado. Si la baterfase encuentra cargando al nivel de2 A, el primario cornpletose conectara en el circuito y la relacion de las vueltas en el primario a las vueltas de! secundario sera maxima. Si est a Se encuentra cargando al nivcl 6 A, rnenos vueltas del prirnario se conectaran en el circuito, y la proporci6n caera. Cuando se estudian los transform adores, se encuentra que eI voltaje en el prirnario y en el secundario esta relacionado directamente con la relacilin de vueltas. Si la proporcion clel primario a! secundario se reduce, entonces el voltaje tarnbien. EI efecto inverso ocurre si las vueltas en el sccundario exceden a las del prirnario.

Pico 18 V

v

/

+

Concctor positivo del cargador

";:;:::::"' .1~-

Interrupter autornatico Mcdidorde " , , '

.de circuito corriente Con ector negative

del cargador

Figura 2.126 Esquema elect rico del cargador de baterias de la figura 2.125.

EI aspecto general de las formas de onda se muestran en la figura 2.126 para el nivel de carga de 6 A. Observe que hasta ahora el voltaje de ac mantiene la misrna forma de onda a traves del primario y el secundario. La iinica diferencia esta en el valor pico de las formas en onda. A continuaci6n, los diodos convierten la forma de onda de ac, la cual tiene un valor promedio de cero (la forma de onda superior es igual a la forma de onda inferior), a una que posee un valor promedio (todo sobre el eje) como 10 muestra Ia misma figura. Por el momento hay que reconocer simplemente que los diodos son dispositivos electronicos que permiten que s610 corriente convencional fluya a traves de ellos en la direccion indicada por la flecha en el sfmbolo, Aunque las formas de onda resultantes de la accion del diodo tienen un aspecto de pulso con un valor pico de cerca de 18 V, este cargara la baterfa de 12 V mientras su voltaje sea mayor que e! de la bateria, como 10 muestra el area sombreada. Por debajo del nivel de 12 V la baterfa no puede descargarse a traves de la red de carga debido a que los diodos permiten el flujo de corriente en una sola direcci6n.

En particular, observe enla figura 2.215b la granplaca metalica que conduce la corriente de la configuracion de reciificacion (diodes) ala terminal positiva de carga dela baterfa. Su proposito principal es proporcionar un disipadorde caior(concentra el calory 10 disipahacia el aire circulante) para la configuracion de diodos. De otra forma los diodos eventual mente se derretirfan y autodestruirfan debido a los niveles de corriente resultantes. Cada componente de la figura 2.126 se ha etiquetado cuidadosamente en la figura 2.125b para referencia.

Cuando primeramente se aplica corriente a una baterfa a una carga nominal de 6 A, el con sumo de corriente como 10 indica el medidor en la parte frontal del cargador se puede clevar hasta 7 A 0 casi 8 A. Sin embargo, el nivel de corriente se reducira a medida que la baterfa se cargue hasta Jlegar a un nivel de 2 A 0 de 3 A. Para unidades como esta que no cuentan con

102


un apagador automatico. es importante desconectar el cargador cuando se llega al nivel de car" ga complete; de otra forma, la baterta se podrfa sobrecargar y dafiar, Una bateria que se encuentra en un nivel de carga de 50% puede to mar hasta 10 horas para cargarse, asf que no esperc que sea una operacion de 10 minutes. Ademas, 5i la bateria se encuentra en muy malas condicionespresentando un voltajernasbajo queel normal, la corrientc inicial de.carga podria ser demasiado alta para el disciio. Como proteccion para tales situaciones. el interruptor automatico de circuito se abrira y detcndra eJ proceso de carga. Debido a los altos niveles de corriente, es importante que las instrucciones proporcionadas con el cargador se lean y apliquen cuidadosamentc.

En un esfuerzo por comparar cl mundo teorico con el mundo real, se aplicn una carga (un reflector) al cargador para podcr observar la forma de onda real del voltajc de salida. Es importante observar y recordar que un diodo a traves del cual no circula corriente no mostrara sus capacidades rectificadoras. En otras palabras, la salida de! cargador de la figura 2.125 no sera una seoul rectificada a menos que sc aplique una carga al sistema, para que circule una corriente a traves de los diodos. Recordar de las caracteristicas del diode que cuando If) '" 0 A, VI) '" 0 V.

Sin embargo, al aplicar el reflector como una carga, una corrieute suficiente circula a traves del diodo, para que se comporte como un interrupter y convierta a la forma de oncla de ac a una de de pulsante como se muestra en la figura 2.127 para la opci6n de 6 A. Observe que la forma de onda esta ligeramente distorsionada por las caracterfsticas no lineales del transformador y por las caracterfsticas no lineales que presenta el diodo a corrientes bajas. La forma de onda, sin embargo, esta cercana a 10 que se espera cuando la comparamos con los patrones teoricos de la figura 2.125. EI valor pico se determina a partir de la sensibilidad vertical como

Vpiw = (3.3 divisiones)(5 V/divisiones) = 16.5 V con un nivel de de de

Vdc = 0.636 Vpico = 0.636( 16.5 V) = 10.49 V

Un medidor de de conectaclo a traves de la carga registra 10.41 V, 10 que es muy cercano al nivel prornedio teorico (de) de 10.49 V.

f 5 Vldiv

Figura 2.12 7 Respuesta pulse del cargadar de I. figura 2.126 ante 1a aphcacion de un reflector como una carga

21l1sldiv

Se puede especular a cerca de como un cargador que tiene un nivel de de de 10.49 V puede cargar una baterfa de 12 V a un nivel tlpico de 14 V. Es simplemente cuesti6n de darse cuenta de que (como 10 muestra la figura 2.127) durante la mayor parte de cada pulso, el voltaje a traves de Ia baterfa sera mayor que 12 V Y que la baterfa estara cargando -un proceso llamado carga Ienta. En otras palabras, Ja carga no ocurre durante el cicIo completo, s610 cuando el voltaje decargaes mayor que el voltaje de la baterfa.

Configuraciones para protection

Los diodos se usan en una gran variedad de formas para proteger elementos y sistemas de voltajes 0 corrientes excesivos, inversiones de polaridad, formaciones de arco y cortos circuitos, por mencionar algunos. En la figura 2.128a, el interruptor de un circuito simple R-L se ha cerrado, y la corriente se elevara a un nivel determinado por el voltaje aplicado y por la resistencia en scric R como 10 muestra la grafica. Los problemas pueden surgir cuando el interruptor se abre rapidamcnte como en la figura 2.128b para "decir" esencialmente al circuito que la corriente debe caer a cero casi instantaneamente. Sin embargo, usted recordara de SlIS cursos basicos de circui-

2.13 Aplicaciones practicas

103

---------~~-----

(b)

(a)

Figura 2.128 (a) Fase transitona de un eireuito R-[_ simple, (b) areo que resulta traves del interrupter cuando esra abierto en serie con un circuito R-L

tos que la bobina, el inductor, no permitira un cambio instantaneo en la corriente. Por 10 tanto, resultara un conflicto en la forma de un area a traves de los contactos del interruptor cuando la bobina trata de encontrar una trayectoria de descarga. Tambien recuerde que el voltaje a traves del inductor esta directamente relacionado a la tasa de cambio en la corriente a traves del devanado (VL = L diL/dt). Cuando el interruptor se abre trata de hacer que la corriente cambie casi instantaneamente, causando que se desarrolle un voltaje muy alto a traves de la bob ina que despues aparecera a traves de los contactos para establecer el arco. Ya que se pueden desarrollar niveles de voltaje en magnitudes de millares de volts a traves de los contactos del interruptor, estos seran muy pronto, si noinmediatamente, daiiados y por 10 tanto tambien el interruptor.EI efecto se conoce como "impulse inductivo". Observe tarnbien que la polaridad del voltaje a traves de la bobina durante la fase de "construccion" esopuesta a la que existe durante la fase de "liberacion". Esto se debe al hecho de que la corriente debe mantcner la rnisma direcei6n antes y despues de que el interruptor se abre. Durante la fase de "construccion", la bobina aparece como una carga, mientras que durante la fase de liberacion, esta tiene las caracterfsticas de una fuente. En general, por 10 tanto, siempre hay que tener en mente que

tratar de cambiar la corriente a rruves de un elcmento induetivo demasiado rapido puede dar como resllitado un impulso induetivo y esto pllede daiiar a los elementos cireundantes 0 al sistema mismo.

En la figura 2.129a 1a red simple anterior puede estar controlando la accion de un relevador. Cuando el interruptor se cierra, la bobina se energizara, y el nivel de corriente en estado de equilibrio se establecera. Sin embargo, cuando el interruptor se abre para apagar la red, tenemos el problema que se presento anterionnente debido a que el electromagneto que controla la acci6n del relevador apareceni como un devanado para la red. Una de las formas mas eco-

R

II=:

Relevador

lie

Relevador

~~

C=O.OI~F (e)

(a)

(b)

Figura 2.129 (a) Caractertsticas inductivas de un relevador; (b) protecei6n de amortiguador para la eonfiguraei6n de la figura 2.129 a; (e) proteeei6n capacitiva para un interruptor.

104


nomicas perc mas efectivas de proteger el sistema de interrupci6n es la de colocar un capacitor (llarnado "amortiguador") a traves de las terminales de la bobina. Cuando el interrupter se abre, el capacitor inicialmente aparecera como un corto para la bobina y proporciona una trayectoria de "desvfo" para In corriente de In bobina, la fuente de dcy el interrupter. EI capacitor tiene las caracterfsticasde un corto (muy baja resistencia) debido alas caracterfsticas de alta frecuencia del voltaje de sobrecarga como 10 muestra la figura 2.128b. Recuerde que la reactancia de un capacitor se deterrnina por Xc = 112 rc!C, de forma que entre mayor es la frecuencia, menor es la resistencia. Normalmente, debido a los altos voltajes de sobrecarga y a su relarivo bajo costo, se utilizan los capacitores de ceramica de cerca de 0.01 )1F. Usted no deseara utilizar gran des capacitores debido a que el voltaje a traves del capacitor se acumularia muy lentamente y retrasarfa esencialmente el desernpefio del sistema. La resistencia de 100 n en serie con el capacitor sc introduce solamente para lirnitar la corriente de sobrecarga que resulta cuando un cambio de estado la dernanda. Muchas veces, la resistencia no aparece debido a la resistencia interna de la bobina que se establece mediante muchas vueltas de alambre fino. En ocasiones, usted puede encontrar el capacitor a traves del interruptor como se rnuestra en la figura 2.129c. En este caso, las caracteristicas de corto del capacitor a altas frecuencias libraran de la corriente a los contactos del interruptor 10 que extendera su vida. Recuerde que el voltaje a traves del capacitor no puede carnbiar instantiineamente.

En general, por tanto, los capacitores en paralelo con elementos inductivos 0 a traves de interruptores estan generalmente ahi para actuar como elementos de proteccion, no como unos elementos capacitivos tipicos de red.

Finalmente, el diodo se usa muchas veces como un dispositivo de protecci6n para situaeiones como las anteriores. En la figura 2.130, un diodo se ha colocado en paralelo con el elemento inductivo de un relevador. Cuando el interruptor se abre 0 la fuente de voltaje se desacopla rapidameme, la polaridad del voltaje a traves de la bobina es tal que encendera el diodo y conducira en la direcci6n indicada. EI inductor tiene ahora un camino de conducci6n a traves del diodo en lugar de a traves de la fuente y del interruptor, protegiendo por tanto a ambos. Dado que lacorriente que se establecio a traves de la bobinaahora debe circular directamente a traves' del diodo, este debe ser capaz desoportar el mismo nivel de corriente que circulabaa traves de la bob ina antes de que el interruptor se abriera, El ritrno al cual la corriente se colapsa la controlaran la resistencia de la bobina y el diodo. Este puede reducirse si se coloca una resistencia adicional con el diodo. La ventaja de la configuracion del diodo sobre la del amortiguador es que la reaccion y el comportamiento del diodo no son dcpendicntes de la frecuencia. Sin embargo, la protecci6n ofrecida por el diodo no funcionara si el voltaje aplicado es alterno como el caso de ac 0 el de una onda cuadrada, debido a que el diodo s610 conducira para una de las polaridades aplicadas. Para tales sistemas alternantes, el arreglo del "amortiguador" podrfa ser la mejor opci6n.

r-Diode de protecclon

Figura 2.130 Proteccion por diodo para un circuito R-L

En el capitulo siguiente encontraremos que la uni6n base-a-emisor de un transistor esta polarizada directamente. Esto es, el voltaje VEE de la figura 2.131a sera de cerca de 0.7 V positivo. Para prevenir una situaci6n en la que la terminal del emisor pudiera hacerse mas positiva que la terminal de la base por un voltaje que podria dafiar al transistor, se afiade el diodo mostrado en la figura 2.131a. EI diodo evitara que el voltaje de polarizaci6n inverso VEE exceda a 0.7 V. Ocasionalmente, us ted podra encontrar tambien un diodo en serie con la terminal del colector de un transistor como 10 muestra la figura 2.131 b. La accion normal del tran-


105

V;

Vi

I V

--_\/

o

-900 mY

c

B

Transistor npn

+

VEE \lEE

LfmiteJ +

a 0.7 V '-----~ E

E

Figura 2.131 (a) Proicccion por diode para lin 'tar 01 volujc de de un

transistor; (b) proreccion por diodo para prevent: una inversion la corrientc colcctora.

sistor requicre que el colee tor sea mas positive que la terminal de la base 0 del ernisor para poder establecer una corriente de colector en la direccion rnostrada. Sin embargo, si sc pre" senta una situacion donde la terminal del ernisor a de la base se encuentren a un potencial rna" yor que el de la terminal del colector, cl diodo evitara la conduccion en la direccion opuesta. En general, par tanto,

los diodos se utilizan muehas veees para evitar que el voltaje entre dos puntos exceda a 0.7 V 0 para impedir la conduccion en una direccion en particular.

Como se muestra en la figura 2.132, los diodos son frecuentemente utilizados en las tcrminales de entrada de sistemas tales como amplificadores operacionales (capitulo 14) para li-

0.7 V +

alta impedancia de entrada

I V

:>

700mV Ilf\

I V\J

Figura 2.132 Control por diodo de la amplitud de entrada para un amplilicador operacional 0 para una red de alta impedancia de entrada.

106

Capitulo 2 Aplicacianes de diodos

(a)

IOV

(b)

Figura 2.133 (a) Aspectos alternativos para la red de la figura 2.132;

(b) Iijacion de niveles aleatorios de control por medio de fuentes de de separadas.

mitar la amplitud del voltaje aplicado. Para el nivel de 400 m V la serial pasara sin problema a las terminales de entrada del amplificador operacional. Sin embargo, si el voltaje salta a un nivel de I V, los picos positivos y negativos seran recortados antes de que se presenten en las terrninales de entrada del amplificador operacional. Cualquier voltaje recortado se presentara a traves de la resistencia en serie R;

Los diodos para control de la figura 2.132 se pueden dibujar tambien como 10 muestra la FIgura 2.133 para controlar la serial que aparece en las terminales de entrada del amplificador operacional. En este ejemplo los diodos acuian mas como elementos conformadores que co" rna Iirnitadores como 10 muestra la FIgura 2.132. Sin embargo, el punto es que

la colocacion de los elementos puede cambiar, pera suJunci6npuede seguir siendo la misma. No espere que todas las redes se presenten exactamente como listed las estudia por primerll vez.

En general, par tanto, no asuma simplemente que siempre los diodos se utilizan como interruptores. Existe una amplia variedad de usos para el diode ya sea como dispositivo de proteccion 0 como limitador.

Aseguramiento de polaridad

Existen numerosos sistemas que son muy sensibles a la polaridad del voltaje aplicado. Por ejemplo, en la figura 2.134a, se asume por el momento que existe un pieza de equipo muy


107

cara que podria dafiarse si se aplica una polaridad incorrecta. En la figura 2.34b se muestra la aplicacion correcta de la polaridad a la izquierda. Como resultado de esto, el diodo esta en polaridad inversa,y el sistema trabaja bien --el diodo no tiene efecto. Sin embargo, si Ia polaridad incorrecta se aplica como se muestra en la figura 2.134c, el diodo conducira y aseguraraque no se presentaran mas de 0.7 V a traves de las terminates del sistema- protegiendolo de los voltajes excesivos de una polaridad incorrecta. Para cualquier polaridad, la diferencia entre el voltaje aplicado y el voltaje de la carga 0 del diodo, aparecera a traves de la fucnte en serie 0 de la resistencia de la red.

Diodo de proteccion de polaridad (a)

Diodo abierto

(b)

(e)

Figura 2.134 (a) Protccdon de polaridad para una picza de equipo sensible y cara; (b) polaridad correctamente aplicada: (c) aplicacion de la polaridad incorrecta.

En la figura 2.135 un medidor sensible de movimiento no puede soportar voltajes de polaridad err6nea mayores a I V. Con este simple disefio el dispositive sensible de movimiento esta protegido de los voltajes en polaridad err6nea de mas de 0.7 V.

.. £ POl3.ridad dcfinida para movuruento

~ sensible

.... 4-J ..

L Diodo de proteeci6n

Figura 2.135 Proteccion para un medidor sensible de movirnieruo.

Respaldo de baterias controlado

En numerosas situaciones un sistema debe tener una fuente de alimentaci6n de respaldo para asegurar que el sistema seguira operando en caso de perdida de potencia. Esto es especial mente cierto para sistemas de seguridad y sistemas de iluminaci6n que deben encenderse durante una falla del suministro. Es tarnbien importante para cuando un sistema como una cornputadora 0 un radio se desconectan de su fuente de conversion de potencia de ac-a-dc para 10- grar una forma portatil. En la figura 2.136 el radio de autom6vil de 12 V que opera a partir de la fuente de alimentaci6n de 12 V, tiene un sistema de respaldo con una baterfa de 9 V en un pequefio compartimiento en la parte trasera de la radio, lis to para tomar la funci6n de guardar el modo del reloj y los canales almacenados en las memorias cuando el radio se retira del carro. Con los 12 V disponibles de! carro, D I se encuentra conduciendo, y el voltaje en el radio sera aproximadamente de 11.3 V. D2 esta en polaridad inversa (circuito abierto), y la bateria de respaldo de 9- V dentro del radio esta desconectada. Sin embargo,cuando el radio se

108


Figura 2.136 Sistema de respaldo disenado para prcverur la perdida de memoria en un radio de automovil cuando el radio se retira del aUIO.

retira del carro, DI ya no conducira mas, debido a que la fuente de 12 V ya no esta disponible para polarizar directamente al diodo. No obstante, D2 se encontrara polarizado directamente por La bateria de9 V, y el radio continuara recibiendo cerca de 8.3 V para mantener la memoria que alrnacena losmodos del reloj i la selcccion de canales.

Detector de polaridad

A traves del uso de LEDs de difercntes colores, la red sencilla de la figura 2.137 puede utilizarse para verificar In polaridad en cualquier punto de una red de de: .Cuando la polaridad es como In indicada para los 6 V aplicados, la terminal supenor es posiuva, D I cOll;luclra a travcs del LEDI, y encendera una luz verde. Tanto D2 como el LED2 se encontraran en ~olanzacion inversa para la polaridad anterior. Sin embargo, si la polaridad en la entrada se mvierte, D] y el LED2 conduciran y encendera una 11iZ roja, definiendo a,la terminal. superior como la terminal con el potencial negative. Parccerfa que la red trabajaria sm los diodos DI Y D] Sin embargo, por 10 general, no es bueno polarizar en forma inversa a los LED, debido a la scnsibilidad que adquieren en su fabricaci6n durante el proceso d~ dop~clo. Los dlOd~s DI y D, ofrecen una condici6n de circuito abierto en serie que proporclona cierta proteccion a los LEDs. En el estado de polarizacion directa, los diodos adicionales DI y D2 reducen el voltaje a (raves de los LEOs hasta niveles de operaci6n mas comunes.

Verde (+)

DI II.

Figura 2.137 Detector de polaridad mediante diodes y LEDs.

+....,_--I\J\JP\r--. 6V

Oferta de larga vida y durabilidad

Algunas de las principales preocupaciones con el US() de bombillas de luz clectricas en. I~~ senaIes de salida son su vida lirnitada (requiriendo reemplazo frecueritcmcnte); su sensibilidad al calor, fuego, etcetera; su factor de durabilidad cuando ocurren accidentes catastr?~cos, y su alta demanda de voltaje y potencia. Por esta razon, los LEDs son rnuchas veces utilizados para proporcionar un periodo de vida mas largo, nivelcs de durabilidad mas a~t?s y un~ dernanda de niveles de voltaje y de potencia mas baja (especialmente cuando se utiliza el Sistema de respaldo de de de baterfas).

En la figura 2.138 una red de control determina cuando una sefial de EXIT (sefial en inglcs

para indicar la salida) debera encenderse. Cuando se encuentra en~end!da, todos I?s LEDs e.n Serie estaran encendidos, y el aviso de EXIT estara completamente iluminado. Obviamente. SI uno de los LEDs se funde 0 sc rompe, la sccci6n completa se apagani. Sin embargo, esta situaci6n puede mejorarse mediante la simple colocaci6n de LE?S en paralelo entre ca~a, dos puntos. Si se funde uno, aun se tendril la otra ruta paralela. Los diodos en paralelo reduciran, por supuesto, la corriente a traves de cada LED, pero dos a un nivel bajo de corriente pueden tener una lu-

I

E

Figura 2.138 Letrero de EXIT (SAUDA) utili zan do LEDs.


109

miniscencia similar a la de uno doble de corriente. A pesar de que el voltaje aplicado es de ac. 10 que signifies que los diodes encendcran y apagaran al oscilar el voltajc a 60 Hz entre positivo yncgativo.Ja persiste~cia de los LEOs proporcionara una Iuz estable para la serial.

Fijacion de los nivelesde voltaje de referenda

Los diodos Y los Zeners se puedcn utilizar para fijur niveles de referencia como se muestra en la figura 2.139. La red, a traves de! uso de dos diodes y un diodo Zener, esta proporcionando tres diferentes niveles de voltaje.

R ~---,---C 7,4V

+ + ~.6V - +

06,7 V

12 V

6V

Figura 2.139 Suministro de diferent-s niveles de referenda utiliz.mdo diodes.

Establecimiento de un nivel de voltaje insensible a la corriente de carga

Como un ejemplo que claramente muestre la diferencia entre una resistencia y un diodo en una red de divisor de voltaje, considere la situaci6n de la figura 2.140a, donde una carga requiem cerea de 6 Y para operar apropiadamentc, pero una bateria de 9 Y es todo 10 que tenemos disponible, Por el momento asumirernos que las condiciones de operacion son talesque la carga tiene una resistencia interna de I kQ, Utilizando la regia del divisor de voltaje, podemos facilmente dcterminarquc.la resistcnciaen serie debe ser de470 Q (valor cornercialmente disponible) como se muestra en la figura 2, 140b. El resultado es un voltaje a traves de la carga de 6.1 Y, una situacion aceptable para la mayorfa de las cargas de 6 Y. Sin embargo, si las condiciones de operaci6n de la carga cambian y la carga ahora tiene una resistcncia interna de s610 600 Q, el voltaje de carga caera a cerca de 4.9 Y, Y el sistema no operara correctamente. Esta sensibilidad a la resistencia de la carga puedc eliminarse conectando cuatro diodes en serie con la carga como sc rnuestra en la figura 2.140(, Cuando los cuatro diodos conducen, el voltaje de la carga sera de

R

+

I k!1 VII,,= 1 kH(9 V) ,,6 I V

I k!1+470n '

(a)

(b)

+0,7 V- +0.7 V- +0.7 V- +0,7 V-

+

6,2 V (con RL = I kfl o 600!1)

(e)

Figura 2.140 (a) ICOmo manejar una carga de 6 V can una Iuente de 9 Vi; (b) mediante un valor de resistencias Iijas: (e) mediante una cornbinacion de diodes en serie.

110

Capitulo 2 Aplicactones de diodos

cerca de 6.2 Y, independicntemente de la irnpedancia de carga (dentro de los hrnitcs del dispositivo, por supuesto); la scnsitividad a las caracterlsticas de la carga cambiante ha sido eliminada.

Regulador de AC y Generador de Ondas Cuadradas

Dos .Zeners conectados con polaridades opuestas. respecto al voltaje de alimentacion, pueden rambien usarse como 1I1l regulador de ac como se muestra en 1'1 tigura 2.14Ia. Para la senal senoidal Vi el circuito aparccera como muestra In figurn 2.141b en el instante en que v, '" to Y. La region de operacion de cad a diodo se indica en In figura adjunta. Observe que 2/ se encuentra en una region de impedancia baja, mientras que la impedancia de Z2 es muy grande, correspondiendo con la representacion de circuito abierto. EI resultado es que v,, = Vi cuando Vi = 10 Y. La entrada y la salida se continuara "siguicndo" hasta que Vi alcanza -20 V. ~ entonees se "eocendera" (como un diodo Zener), mientras que Zt se encontrara en una regi6n de conducci6n con un nivel de resisrencia suficientemente pequefio, comparado con la resistencia en serie de 5 kQ, como para ser considerado un circuito cerrado, La salida resultante para el range completo de Vi se proporciona en la figura 2,141 a. Observe que la forma de onda no es puramente senoidal, pero su valor rrns es mellor que el asociado con una serial de pica complcta de 22 Y. La red efectivamente limita el valor rms del voltaje disponible. La red de la figura 2.141a puede extenderse hacia la de un simple generador de ondas cuadradas (debido a la acci6n recortadora) si la senal Vi se incrementara a quiza un pi co de 50 Y COIl Zeners de 10 Y como 10 rnuestra la figura 2.142 con la forma de onda resulrantc.

Vi \.'0
+ 5kQ +
z,
Vi 20V< VO
COl Zeners CO/
Z,
V
(a) v

(b)

Figura 2.141 Regulaci6n senoidal de ac: (a) regulador de ac sencidnl de 40 V pica a pICO; (b) opcracion del circuito cuando Vi = 10 V.

+ 5kQ + +
IOV\ lOY
Vi Yo
2it COl Zeners . -10 V Figura 2.142 Gencrador simple de ondas cuadradas.

2,13 Aplicaciones practicas

III

2.14 RESUMEN

Conclusiones y conceptos importantes

I. Las caracterfsticas de.undispositivo no son alteradas por la red cilia quccste se emplea. La red simplementederermina elpunto de operaciondcl dispositivo.

2. EI punto de operacion de una red se determine por la lntersecclon de la ecuaci6n de 13 red y de una ecuaci6n que define las caracterfsticas del dispositive.

3. Para la mayorfa de las aplicaciones, las caractensticas del diodo pueden definirse simplemente por el voltaje de umbral en la region de polarizaci6n directa y por un circuito abierto para voltajes aplicados men ores que el valor del umbral.

4. Para determinar el estado de un diodo s610 piense en el lniclalruente como una resistencia, y encuentre la polaridad del voltaje y la direccion de la corriente convencional a traves de el. Si el voltaje que se Ie aplica tiene una polaridad directa y la corriente tiene una direcci6n que coincide con la flecha en el sfmbolo, el diodo se encuentra conduciendo.

S. Para determinar el estado de los diodos empleados en una compuerta logica, primero hag a una estimaci6n razonable aeerca del estado de los diodos y despues pruebe sus suposiciones. Si su estimacion es incorrecta, reffnela e intente nuevamente hasta que el analisis verifique las conclusiones.

6. La reetificaei6n es un proeeso en donde una forma de onda aplicada que cuenta con un valor promedio cera es cambiada a una que tiene un nivel de dc. Para sefiales aplicadas de mas de algunos volts, la aproximaci6n del diodo ideal puede ser normalmente aplicada.

7. Es muy importante respetar el valor nominal PIV del diodo que se selecciona para una aplieaci6n en particular. Simplemente determine el voltaje maximo a traves del diodo bajo condiciones de polarizaci6n directa, y comparelo con el valor nominal de las caracterfstieas. Para la media onda tfpica y para los rectificadores tipo puente de onda cornpleta, este es el valor pica de la sefial aplicada. Para el rectificador de onda compieta que utiliza un transformador con.derivacion central; CT, este es el doble del valorpico (el cual puede !legar a ser muy alto),

8. Losrecortadores son redes que "recortan" parte de la sefial aplicada ya sea para crear un tipo especffico de sefial 0 para limitar el voltaje que puede ser aplicado a una red.

9. Los cambiadores de nivel son redes que "cambian" la serial de entrada a un nivel diferente de de. En cualquier caso, la amplitud "pico a pico" de la sefial aplicada perrnanecera siendo la misma.

10. Los diodos Zener son diodos que hacen uso efieaz del potencial de ruptura Zener de la caracterfstica de una uni6n ordinaria p-n con el objetivo de proporcionar un dispositive de gran importancia y aplicaci6n. Para la conducci6n Zener, la direcci6n del flujo convencional es opuesta a la flecha en el slmbolo, La polaridad bajo la conducci6n es tambien opuesta a la del diodo convencional.

II. Para determinar el estado del diodo Zener en una red de de, simple mente elimine el Zener de la red, y determine el voltaje de circuito abierto entre los dos puntos donde el diodo Zener se encontraba eoneetado originalmente. Si €ste es mayor que el potencial Zener y tiene la polaridad correcta, el diodo Zener se encuentra en el estado de "encendido".

12. Un duplicador de voltaje de onda eompleta 0 de media onda emplea dos eapacitores; un triplieador, tres eapacitores, y un cuadruplicador, cuatro capacitores. De hecho, para cada uno de estos, el mimero de diodos es igual al mimero de capacitores.

Ecuaciones

Aproximado:

Silieio: VT = 0.7 V;

I D se detennina por la red. ID se determina por la red.

Germanio: VT = 0.3 V;

Ideal:

Iv se determina por la red.

112


Para la conduccion:

Reetificador de media onda:

Rectificador de onda completa:

Vdc = 0.636Vm

2.15 ANAuSIS POR COMPUTADORA PSpice para Windows

CONFIGURACION DE DIODOS EN SERlE

EI PSpice para Windows se aplicara ahora a la red de la figura 2.29 para perrnitir una comparaci6n con la solucion ealculada a Olano. Como se describio brevemente en el capftulo I, la aplicaci6n del PSpice para Windows rcquiere que primero se construya la red en la pantalla de representaci6n esquernatica. En los siguientes parrafos examinarernos las bases para la configuracion de la red en la pantalla, asurniendo que no existe una experiencia previa de este proceso. Puede ser uti I hacer referencia a la red eompleta de la figura 2.143 al tiempo que progresamos en la discusion.

Figura 2.143 Analisis mediante PSpice para Windows de una configuracion de diodos en serie.

En general, es mas facil dibujar la red si Ia cuadrfcula aparece en la pantalla y se estipula que todos los elementos estrin sobre la cuadrfcula. Esto asegurara que todas las conexiones se hagan entre los elementos. La pantalla puede ser configurada inicialmente mediante la elecci6n de la funci6n Options (Opciones) en la parte superior de la pantalla esquernatica, seguida pOI' Display Options (Opciones de DespJiegue). El cuadro de dialogo Display Options Ie permitira efectuar todas las opciones neeesarias de aeuerdo con el tipo de despliegue deseado. Para nuestros prop6sitos escogerernos Grid On (Cuadricula visible), Stay on Grid (Apegarse a Cuadrfcula), y Grid Spacing (Espaciamiento de la Cuadricula) a 0.1 pulgadas.

R

La resistencia R sera la primera en scr coloeada. Mediante un clie sobre el ieono de Get New Part (el icono en la parte superior derecha del area con los binoculares) seguido por Libraries (Bibliotecas), podemos eseoger la biblioteca Analog.slb de elementos basicos, Podemos entonces desplazar la lista de partes (Part) hasta encontrar R. Haciendo clie sobre la R seguido por OK aparecera el euadro de dialogo Part Browser Basic el eual reflejara nuestra elecei6n de un elemento resistivo. Al seleccionar Ia opci6n Place & Close colocaremos el elemento resistivo en lapantalla y cerraremos el cuadro de dialogo. La resistencia aparccera de forma horizontal, locual es perfecto para la R, de la figura 2.99 (observe la figura 2.143). Mueva la resistencia a una locaIizaci6n logica, y haga clie en el bot6n izquierdo del rat6n, con 10 eual, la resistencia R j estara en su Ingar, Observe que esta se ajusta a la estructura cuadriculada, La resistencia R2 se debe colocar a la derecha de RI. Con simplemente mover el rat6n ala derecha, la segunda resistencia aparecera, y R2 se podra colocar en ellugar apropiado con un cIic subsiguiente del rat6n. Dado que la red tiene s610 dos resistencias, el dep6sito de las resistencias pucde terminarse mediante un clie dereeho del rat6n. La resistencia R2 se puede rotar presionando las teclas Ctrl y R simulnineamcnte 0 mediante la eleccion de Edit en la barra del menu, seguido pOI' Rotate.


113

EI resultado de 10 anterior son dos rcsistencia, con Ius etiquetas correctas pero con valores erroneos. Para carnbiar un valor, haga doble clie en el valor de la pantalla (primero Rl ). Aparecera un cuadro de dialogo llamado Set Attribute Value (Estableccr Valor del Atributo). Teclee en ella elvalorcorrecio, y rnandeel valor a la pantalla con un OK. Los 4.7 kil aparewan dentro de un cuadro quepuede ser movido mediante un simple clic sobre el pequeiio cuadro y mientras sosticne el boron, mueva los 4.7 kD a la localizacion deseada. Libere el boton y la etiqueta de 4.7 kD permaneceni don de fue ubicada. Una vez colocada, un clic adicional en cualquier parte de la pantalla eliminara los cuadros y terminara con el proccso. Si usted desea mover los 4.7 Hl en el futuro, simplemente haga un solo die sobre el valor y los cuadros reapareceriin. Repita 10 anterior para el valor de la rcsistencia R2.

Para eliminar (recortar) un clemente, simplernente hag a die sobre el (para establecer el rojo (J color activo), y despues haga clie en el ieono scissors (tijeras) 0 utilice la secuencia Edit-Delete (editar-borrar).

E

Las fuentes de voltaje se estableeen mediante la biblioteca source.slb del Library Browser y mediante la eleccion de VDC. AI hacer clic sobre OK aparecera un sfrnbolo de la fuente en el esquema. Este sfrnbolo puede ubicarse como se requiera, Dcspues de colocarlo en el Ingar apropiado, aparecera una etiqueta VI. Para cambiar la etiqueta a El simple mente haga dos veces clic en VI y un cuadro de dialogo llamado Edit Reference Designator (Editar Indicativo de Referencia) aparecera. Cambie la etiqueta a El y haga clic en OK, y entonees E1 aparecera en la pantalla dentro de un cuadro. EI cuadro puede moverse de la misma forma que las etiquetas de las resistencias. Cuando usted tenga la posicion correeta, simple mente haga clic una vez mas y coloque el E1 como se desee.

Para establecer el valor de E" haga clic sobre el valor dos veces y aparecera el Set Atribute Value. Fije el valor a 10 V Y haga clic sobre OK. EI nuevo valor aparecera en el esquema. EI valor puede fijarse tarnbien haciendo clic en el simbolo de baterfa dos veces, despues de 10 cual aparecera 1111 cuadro de dialogo ctiquetado como E1 PartName: VDC. Mediante la eleccion de DC = 0 V, DC y Vahle, apareceran en las areas designadas en la parte superior del cuadro de dialogo, Con I~ ayuda del raton traiga el marcador al cuadro de Value y c,\I11- bielo a.IO V. Despues haga clic en SaveAttr, (Guardar Atributo) paraestarseguros y grabar el nuevo valor, y despues un OK resultarri en £1 eambiado a 10 V. £1 puede estableccrse ahora, pero este seguro de girarlo 1800 con las operaciones apropiadas,

DIODO

EI diode se encuentra en la biblioteca EVAL.slh del cuadro de dialogo Library Browser.

Al selcccionar el diodo D1N4148 seguido por un OK y un Close & Place se colocara el sfrnbolo del diodo en la pantalla. Mueva el diodo a la posici6n correcta, coloquelo con un clic izquierdo, y finaliee la operaci6n con un die dereeho del rat6n. Las etiquetas D1 y D1N4148 apareceran cerca del diodo. Al hacer un die en cualquier etiqueta se proporcionaran los cuadros que permitinin el movimiento de las etiquetas.

Daremos un vistazo a las especificaciones del diodo mediante un clic en slrnbolo del diodo una vez, seguido por la secuencia Edit-Model-Edit Instance Model (Editar Modelo ejernplo). Por el momento, dejaremos los parametres como estrin listados. Ell particular, observe que Is = 2.682nA y la capacitancia terminal (irnportante cuando la freeuencia aplicada se convierte en factor) es de 4pF.

IPROBE

Una 0 mas corricntes de una red pueden desplegarse mediante la insercion de un IPROBE, ensayo, en la trayectoria deseada. IPROBE se .. encuentra en la biblioteca SPECIAL.slb y aparece como la caratula de un medidor en la pantalla. EI IPROBE respondera con una respuesta positiva si la corriente (convencional) ingresa al simbolo al final con el arco representando la escala. Dado que estamos bus cando una respuesta positiva en esta investigacion. IPROBE se debe instalar como 10 mucstra la figura 2.143. Cuando el simbolo aparece por primera vez, se eneuentra 1800 fuera de fase con la corriente deseada. Por tanto, es necesario utilizar la secucncia Ctrl-R dos veees para rotar el sfmbolo antes de finalizar su posici6n. De la misma forma que con los elementos deseritos anteriomlente, una vez que este se encuentra colocado, un solo clic colocara el medidor y un clie COil el boton derecho cOlllpletara el proeeso de insercion.

114


LINEA

Los elementos ahora necesitan ser conectados mediante la eleccion del ieono con In linea delgada y un lapiz 0 por la secucncia Draw-Wire (Dibujar-Cable). Aparecera un lapiz que puede dibujar las conexiones deseadas de la siguiente forma; rnueva el lapiz al principio de la linea y haga clic en el baton Izquierdo del. raton, EI lapiz ahora esui Iisropara dibujar, Dibuje la linea deseada (eonexi6n). y haga elk en el bot6n izquierdo nueva mente cuando la conexi6n este eompleta. La linea aparecera en rojo, esperando por otro die aleatoric del raton 0 por Ia insercion de otra linea. Estu se volvera verde para indicar que se encuentra en memoria. Para las lfneas adicionales, simplemente repetir el procedimiento. Cuando este terminado, simplemente haga clic en lado derecho del rat6n.

EGND

EI sistema debe contar con tierra para servir como punto de referencia para los voltajes nodales. La tierra (EGND, por su terrnino en inglcs Earth GmuND) parte de la biblioteca PORT.slb y puede colo carse de la misrna forma que los elementos descritos anteriormente.

VIEWPOINT

Los voltajes nodales pueden desplegarse sobre el diagrama despues de la simulacion utiIizando VIEWPOINTS (puntos de vista), el cual se encuentra en la biblioteca SPECIAL.slb. Sirnplcmente coloque la flecha del sfrnbolo VIEWPOINT donde se desee conocer el voltaje con respccto a la tierra. Un VIEWPOINT puede colocarse en cualquier nodo de la red si es necesario, aunque solo tres estrin ubieados en la figura 2.143. La red csta ahora completa, como 10 muestra la figura 2.143.

ANAuSIS

La red esta ahora lista para ser analizada. Para acelerar el proceso se oprime Analysis (Analisis) y se elige Probe Setup (Configuracion de la Prueba). Mediante la seleccion de Do not auto-run Probe (no autoejecutar la prueba) se ahorran pasos intermedios que son inapropindos para estc analisis.cs una opcion que sera discutida mas tarde en este capitulo. Despues de OK, ir a Analysis y seleccionar Simulation. Si la red estuvo apropiadamente instalada, un cuadro de dialogo PspiceAD aparecera y mostrara que los puntos de polarizaci6n (de de) han sido calculados, Si salimos del cuadro mediante un clic en la pequena x en la parte superior de la esquina derecha, obtendremos los resultados que aparecen en la figura 2.143. Observe que el programa ha proporcionado autonuiticamcnte cuatro voltajes de de de la red (ademas de los voltajes VIEWPOINT). Esto ocurrio debido a una opci6n habilitacla dentro de analisis. Para analisis futuro> querernos controlar 10 que se despliega por tanto siga el camino a traves de Analysis-Display Results on Schematic y pase sobre el cuadro adjunto Enable. Haciendo elie sobre el cuadro Enable se rernovera la marca, y los voltajes de de no aparcceran automaricamente, Estos aparecertin ahora solamerite donde se inserten los VIEWPOINTS. Un camino mas directo para controlar la apariencia de los voltajes de de es el de usar el icono de la barra clel menu con la letra V. Al hacer clic en ella y dejarla activada 0 desactivada, usted puedc controlar si los niveles de de de la red apareceran 0 no. EI icono con la letra I pcrrnitira que todas las corrientes de de de la red se muestren si se desea, Para practicar, haga c1ie para activarla y desactivarla y observe el efecto en el esquema. Si usted de sea eliminar los voltajes de dc seleccionados del esquema, simplemente haga clic sobre el voltaje nodal de interes, despues haga clic sobre el ieono con la letra mas pequefia V en el rnisrno grupo, Al hacer clie una vez se rernoveran los voltajes de de seleccionados. Lo mismo se puede haeer para las eorrientes scleccionadas con el icono restante del grupo. Para el futuro se debera observar que un analisispuede tambien seriniciado mediante el simple die sobre el icono de Simulation (simulacion) que tiene el fondo amarillo y las dos forrnas de onda (onda cuadrada y senoidal).

Observe tambien que los resultados no coinciden exaetamente con aquellos obtenidos en el ejemplo 2.11. EI voltaje VIEWPOINT en el extremo derecho es de -421.56 en vez de -454.2 m V obtenido en el ejernplo 2.11. Ademas, la corriente es de 2.081 en lugar de 2.066 mA que se obtuvo en elmismo ejemplo, Es mas, el voltaje a traves del diodo es de 281.79 mV + 421.56 m V =: 0.64 V en lugar que el 0.7 V asumido para todos los diodos de silicio, Todo esto es el resultado de nuestra utilizaci6n de un diodo real con una larga lista de variables que definen su operacion. Sin embargo, es importante recordar que el analisis del ejemplo 2.11 fue un aproximado, y por 10 tanto, es de esperarse que los resultados sean s610 cercanos a la respuesta rea!.

2.15 Analisis por computaclora

115

Por otra parte, los resultados obtcnidos para el voltaje y la corriente nodal son muy cercanos. Si se ternan hasta una exactitud de decimales, las corrientes (2.1 mAl coinciden exactarnente.

Los resultados obtenidos en la figura 2,143 se pueden mejorar (en el sentido deque ellos coincidiran mas cercanamente con la solucion realizada a mano) mediante un clic .en el diodo (para colorearlo de rojo)y el uso de la secuencia Edit-Model-Edit Instance Model (Text) para obtener el cuadro de dialogo Model Editor. Escoja Is = 3.5E-15A (un valor determinado por prucba y error), y borre todos los dernas parametres del dispositive. Despues, prosiga con el icono OK-Simulate para obtener los resultados de la figura 2.144. Observe que el voltaje a traves del diode ahora es de 260,17 mV + 440,93 mV = 0,701 V, 0 casi exactamente 0,7 V. EI voltaje VIEWPOINT es de -440,93 V, 0 nuevamente, una coincidencia casi perfecta con la soluci6n rcalizada a mano de -0.44 V. En cualquier caso, los resultados obtenidos son muy cercanos a los valores esperados, Uno de ellos es mas preciso en cuanto al dispositive real se refiere, mientras que el otro proporciona un ajuste casi perfecto con la solucion realizada a mano. Uno no puede esperar una coincidencia perfecta para todos los diodes de la red mediante la simple fijacion de T, a 3.5E-15A. En la medida en que la corriente a traves del diodo cambia, el nivel de Is debe carnbiarse tambien si se desea obtener una coincidencia exacta con la solucion efectuada a mano, Sin embargo, en lugar de preocuparse por la corriente en cada sistema, se sugiere que T, = 3.5E-15A se emplee como valor estandar si se desea que Ia solucion de PSpicc coincida mas cercanamente con la solucion realizada a mano, Los resultados no seran siernpre perfectos, pero en la mayorfa de los casos seran mas cercanos que si los paramctros del diodo se dejan en sus valores implfcitos, por "default". Para los transistores, en los capftulos siguientes, se fijara a 2E-15A para obtener una coincidencia apropiada con la soluci6n realizada a mano. Observe tambien que el Bias Current Display (Despliegue de la Corriente de Polarizacion) se encontraba habilitada para mostrar que la corriente es de hecho la misma en cualquier parte del circuito.

110.00\1 R1 (260,17m\1 01 -44Q,_93mV

~ 4;7k j2072mAlg;N4148 ~93m\1 R2l2,2k

1~

E2 --=- 5V

~J

E1~10V 112,072mAl

Figura 2.144 EI circuito de la figura 2,143 reexaminado can I, fijada en 3.SE-ISA.

Los resultados se pueden ver tambien en forma tabulacla regresando a la funci6n Analysis y eligiendo Examine Output (Analizar la Salida). EI resultado es el largo listado de la figura 2.145. La funci6n Schematics Netlist describe a la red en terminos de nodos numerados. EI 0 se refiere ul nivel de tierra, con la fuente de 10 V del nodo 0 al 5, La fuente E2 va del nodo 0 al 3, La resistencia R2 est! conectada del nodo 3 al 4 y asi sucesivarnente. Desplazando hacia abajo el documento de salida, encontramos al Diode MODEL PARAMETERS (Parametros del Modelo para el Diodo) que claramente muestra que Is esta fijo en 3.5E-15A yes el iinico panimetro listado, La siguiente es la SMALL SIGNAL BIAS SOLUTION (Soluci6n a sefia I pequefia con polarizaci6n) 0 solucion de dc, presentando los voltajes en varios nodos. Adernas, se muestra la corriente a traves de las fuentes de la red, EI signo negative indica que esta reflejando ladireccion del flujo de electrones (a la terminal positiva). La disipaci6n total de potencia delos elementos es de Jl. 1 mW. Finalmente, el OPERATING POINT INFORMATION (informaci6n del punto de operaci6n) revela quela corriente a traves del diodo es de 2,07 rnA y que el voltaje a traves del diodo es de 0,701 V.

Ahora el analisis esta completo para el circuito del diodo de interes. Sin embargo, no hemos tocado todas las vias alternas disponibles de PSpice Windows, pero se ha cubierto 10 suficiente como para examinar cualquiera de las redes cubiertas en este capitulo con una fuente de de, Para practicar, los otros ejernplos deben ser examinados usando el enfoque de Windows dado que los resultados se proporcionau por comparacion. Lo mismo puede decirse para los ejercicios de rnimero impar al final de este capitulo.

116

Capitulo 2 Aplicacioncs de diodos

CtRCU!T DESCR!?T::O~1

.,.* * '" *. "'., * .. ,. .*_* "'., * •• * •. * "' •.• * ** *.·fIo._.* *.* ,. •• *.'" "' •••••••••••• ,. .. * ••• * ..

.. Sche:Il'Jatic:s xee t+s c ..

R.Jtl $!L0002 .$!LOOOl 4.7<

VJ2 0 S!L0003 5V

!U'2 'tiI __ OOCl $N_0004 2.2<

v:» '!LOOOS 0 10V

D_')1 '!L0001 $!L0004 Dl,,4148 -xz

v __ Vl $" __ 0005 $N_0002 0

Diode MODEL PARAMETERS

D1N'148~x2

IS 3.500000g-15

SMi\L,L SIGNAL BIAS SOL!JTIOU

TEMPERATURE =- 27.000 DEG C

... iII ", 'ji" .* _.*' *".* •. '** 1Ii-_"'.'. * •• '",.<it "' * •••

NODE VOLTAGE

NODE VOLTAGE

NODE VOLTAGE

N'CD2 VOLTAG-B

('!L0001) ,2602

($!LODO» '5.0000

(S!LOOOS) 10,OCOO

('!LOOOl) 10,0000

('!L00C4) - .440'

VOLTAGE SOURCE CURREm:'S

NAME C1lRRENT

V_E2 ·2.072E·03

V &1 ,2.012E·03

v:V3 2.072E·03

TOTAL POWER DISSIPATION ) .11E- 02 WATTS

OPERATING POTh"T INFORMATION

TEMPERATURE ~ 27 .000 DE!; C

............. ' *. t ,*;" 11: _ * * t ••• t ••• ** * * *,""" 'III"" *.*.* '" ** II""

.U. CIODES

NAME PJl1

MODEL 01N414B'X2

ID 2,078-03

VD 7.01E·01

REO 1.2S!NOl

CAP 0.008+00

CARACTERiSTICAS DEl mODO

Las caracterfsticas del diodo DIN4148 usadas en el analisis anterior, sc obtendran ahora utilizando algunas rnaniobras algo mas sofisticadas que aquellas empleadas previamente. Primero sc eonstruye la red de la figura 2,146 usando los procedimientos descritos arriba, Observe, sin embargo, el Vd que aparece por encima del diode Dl. Un punto en la red (representando el voltaje del anode a tierra para cl diode) se ha identiflcado como un voltaje en particular mediante un doble clic en el cable de encima del dispositivo y tecleando V d en el Set Attribute Value en la etiqueta (LABEL). EI voltaje resultante Vd es, en este caso, el voltaje a travcs del diodo.

Luego, elija el AnalysisSetnpya sea haciendo die en el icono de Analisis Setup (en la esquina superior izquierda del esquema que tiene una barra horizontal azul y los dos pequefios cuadrados y rectangulos) ousando la secuencia Analysis-Setup. Dentro del recuadro Analysis Setup active el recuadro de DC Sweep (barrido de DC) (el unico necesario para este ejercicio), seguido por un solo clic del rectangulo del DC Sweep. EI recuadro de DC Sweep aparecera con varias preguntas. En este caso, planee barrer el voltaje fuente de 0 a IO V en incrementos de 0,0 I V, asf que el Swept Var. Type (tipo de variable a barrer) sera la Fuente de Voltaje, el Sweep Type (tipo de barrido) sera lineal, el Name (nombre) E, y el Start Value (valor de inicio) 0 V, el End Value (valor final) 10 V, Y el Increment (incremento) 0,01 V. Despues, con un OK seguido par un Close del Analysis Setup, csta preparado para obtcner la solucion. EI analisis que


Figura 2,145 El archivo de salida para el analisis de PSpice Windows del circuit» de la

2.144.

R

L~>~~ IVd

E'-'OV 01 SZ D1N4148

I

Figura 2.146 Reel para obtcner las caractertsticas del dioclo DlN4148.

117

se realizara obtendra una solucion cornpleta para la red para cada valor de E desde 0 a lOY en incrementos de O.Ot Y. En otras palabras, la red se analizar.i 1000 veces y los datos resultantes almaccnados para la grafica que obtenga. El analixis se desarrolla por la secuencia AnalysisRun Probe, seguida por la inmediata aparicion de la grafica I\ilicroSim Probe quemuestra solo lIll eje horizontal del voltaje fuente E con valores de 0 a 10 V.

Dado que hi gnifica que se requiere es la de ID en lugar de Vl). tenernos que cambiar el horizontal (eje x) a I'D' Esto sc logra con la opcion Plot (grafica) y despues X-Axis Settings (configuration del eje x) para obtener cl cuadro de dialogo de X Axis Settings. Despues, hacemos die sobre la opcion Axis Variable (eje variable) y seleccionamos V(Vd) del listado. Despues de presionar OK, regresarnos al cuadro de dialogo para fijar la esc ala horizontal. Selcccione User Defined, despues ingrese () Y a I Y dado que este es el intervalo que interesa de Y d con una escala lineal, Linear. Haga die en OK y encontrara que el eje horizontal es ahora Y(Yd) con lin range de 0 a 1.0 Y. EI eje vertical tiene ahora que configurarse para I[) seleccionando primeramente la opcion Trace (trazo) (0 con el icono Trace, e! cual tienc una onda roja con dos picos y lin par de ejes) y despues Add (agregar) para obtcner Add Traces. Seleccionando 1(D1) y haciendo clic en OK tendremos como resultado la gratica de la figura 2.147. En este caso, la grafica resulranre se extiende de 0 alOmA. EI rango puede reducirse 0 expandirse mediante Plot-Yaxls Setting (configuracion de la grafica del eje Y) y definiendo el range de interes,

Figura 2.147 Caractensticas del cliodo DlN4H8

OA4----- ~~---'-~~-'" ---~.'

ov O.2V O.4V

o I (01)

Q,6V

_.- -------,---

O.BV

--·1

1.011

___ --' "tVd)

En cl analisis previo, el voltaje a traves del diodo fue de 0.64 Y, correspondiente a una corriente de aproximadamente 2 mA en Ia grafica (recuerde la solucion de 2.07 rnA para la corrientel. Si Ia corriente resultante hubiera estado cerca de 6.5 mA, el voltaje a traves del diodo habrfa sido de cerca de 0.7 Y Y la solucion de PSpice estarfa mas cercana a la de la solucion realizada a mano, Si Is se hubiera estab!ecido a 3.5E-15A y todos los dermis parametres se hubieran eliminado del listado del diodo, la curva se habria desplazado a la derecha y se hubiera obtenido una intersection de 0.7 V y 2.07 mA.

Electronics Workbench

EI procedirnicnto para ingresar un circuito dentro de EWB sera descrito ahora para la verificacion de los resultados del ejcmplo 2.15 el cual contiene do, diodos en configuracion de scrie-paralelo.

Primero, se sclecciona el icono Multisim y el cursor se coloca sobre el bot6n del deposito de partes fuentes (Sources). Haciendo die con el boron izquierdo del raton, aparecera una lista de las fuentes entre las cuales se encontrara el sfrnbolo de fuente de voltaje de de, Una vez seleccionado este, un simbolo de Fuente de dc aparecera en el esquema con tres rectangulos, AI mover el raton se permitira mover la fuente hacia cualquier punta en la pantalIa. Despues de seleccionar una posicion en algiin lugar a In mitad de la pantalla, haga un clic adicional con el

us


boron izquierdo. y la fuente se e stablecera con una etiqueta como Vi y 12 V. EI valor implicito, por default, de Ia fuente es 12 Y, pero este voltaje puede carnbiarse can un doble clic sobre cl simbolo de la fuente de voltaje para obtcner el cuadro de dialogo de Battery(bateria). Scleccione Value (valor) en la pane superior, y cambie a 20 Y para nuestro ejernplo. Haga die sobre OK, y 20V apareceraal lado de la bateriaen el esquema como 10 muestra lafiguru 2.148. Si Ilarndrarnos al cuadro de dialogo Battery nuevarnente y seleccionararnos Label, podriarnos cambial' la etiqueta de Y I a E para que coincidiera con nuestro ejernplo. Finalmente, etiquctax se pueden colocar en cualquier lugar alrededor de! sfrnbolo de baterfa simplemente mediante un clic sobre la etiqueta 0 el valor de in teres y despues, mientras se sosticne el bot6n del raton, moverlo hacia el lugar deseado. Las resistencias se pueden establecer ahora mediante la selecci6n del boron Basic Parts Bin (deposito de partes basicas) y, cuando la barra de herrurnicntas aparezca, seleccione Virtual Resistor para que los val ores puedan establecerse.

Al seleccionar la opcion de la resistencia directa, se desplegani un listado de resistencias fabricadas. Entonees proceda de la misma forma en que se procedi6 con Ia baterfa para colocar la resistencia y establecer la etiqueta y el valor. Para el caso de los diodos, seleccione el sfrnbolo del diodo y debajo del cuadro de dialogo Component Browser escoja el diode IN4446 y coloquclo COIIIO se sefialo arriba, Si usted selecciona el diodo Virtual, se limitara a un diodo ideal. Finalmente, regrese al bot6n Source parts bin, y seleccione la tierra de la parte superior de la barra de hcrramientas y coloquela en un lugar apropiado. Por Ultimo, los medidores 0 indicadores deben estar colocados para poder obtener las cantidades que querernos del analisis.

EI programa Electronics Workbench es una simulacion muy cercana a la expcriencia en el laboratorio en el sentido de que es posible utilizar medidores por medio del icono Instruments (instrumentos) en la parte superior de la barra de herramientas. Una vez sclcccionado, once diferentes medidores apareceran en una barra de herrarnientas horizontal de la cual sc puede seleccionar el multimeter (multfmetro) con 10 que nos permitira la eleccion.de un amperfrnetro, un voltimetro, 0 de un ohmetro: Para este ejemplo se selecciono un amperfmetro (A) junto con la barra horizontal para indicar la lectura de de. Una vez que el multimetro, (multimeter), se ha seleccionado, dos mcdidores apareceran en el esquema, uno para la red y otro para la presentacion de resultados. Otra opcion para obtener los nivelcs de voltaje 0 de corriente es seleccionar indicators (indicadores) de la barra de herramientas en ellado Izquierdo de la pantalla. Seleccione la quinta opci6n de la parte inferior que parece algo similar a una pantalla de 8 segrncntos de cristal liquido LCD. Una vez que las opciones aparecen, escoja A para el amperfmetro, y las opciones se presentan sobre como debeni colocarse el meclidor. Los indicadores apareceran como 10 rnuestra la figura 2.148 para el am perf metro y el voltfrnetro.


U9

PROBLEMAS

+ Vo Si

Er

R 0.33 in VR

(a)

Figura 2.149 Problemas 1, 2.

120

Los componcntes se pueden conectar usando Automatic Wiring (cableado automatico).

Cuando el cursor se coloca al final del clerncnto seguido por un clic del boron izquierdo del raton, el resultado es una x al final de cualquier eomponente. Entonces, muevala al final del otro clemente y apriete elboton izquierdo del raton nuevamente: el cable aparecera con la ruta mas directa entre los elementos. Durante el proceso final, los elementos y los cables tendran que. moverse.Simplemente haga clic sabre el clemente 0 elcuble y mientrasmantiene apretado el boron muevalo hacia III nueva ubicacion.

Finalrneme se le debe decir al paquete de software que desarrolle el analisis, uu proceso que puede iniciarse de diversas formas. Una opcion es la de seleccionar Simulate (simular) en la parte superior de la barra de herramientas seguida por Run/Stop. Otra cs la de seleccio[Jar el cuarto boron de la izquierda de la barra de Design la cual se ascmeja a una enramada de una red con diodes. Nuevamente la opcion Run/Stop aparecera la cual iniciara el analisis, Una vez que la opcion se eligio, los resultados apareceran como en la figura 2.148. Cuando e! analisis este cornpleto. debemos asegurarnos de apagar el proceso mediante el regreso a la opcion Simulate y la seleccion de Run/Stop nuevamente (terrninar la prueba).

Los resultados obtenidos son muy cercanos a la solucion obtenida en cl ejernplo 2.15. Las difcrencias resultan del hecho de que aquf no se hizo la aproximacion de 0.7 V para los diodes de silicio en el estado de "encendido"; estos son diodos reales con voltajes terminates que son sensible, a la corriente. Usted notara en la figura 2.148 que los numeros de los nodes estan definidos por los elementos y por Ia red. La red tiene un total de cinco nodos debido a los instrumentes aiiadidos. Si elirnina los instrumentos, el mimero cae a tres. La ctiqueta de ]05 nodos puede borrarse con ir a EDIT/User Preferences/Circuit y al elirninar la seleccion de Mostrar el nombre de los nodos.

§ 2.2 Analisis de la recta de carga

1. (a) Utilizando las caracterfsticas de Ia figura 2.149b, determine [D, VI) Y VR para el circuito de Ia figura 2. 149a.

(b) Repita el incise (al empleando el modelo aproximado del diodo y compare resultados. (e) Repita el incise (a) empleando el modele ideal del. diodo y compare resultados.

LL

+

+

(b)


2. (a) Empleando las caracterfsticas de la figura 2.149b, determine If) Y V" para el circuito de la figu-

ra 2.150.

(b) Repita el incise (a) can R 0.47 kn. (e) Repita el incise (a) con R = 0.18 kn.

(d) [Elriivel de Vo es relativamente cercano a 0.7 Y en cada caso?

i.ComO.le comparan 10.1 niveles resultantes de [u? Comcnte.

3. Determine el valor de R para el circuito de la figura 2.150 que ocasionara una corrientc en el diodo de 10 mA si E '" 7 V. Uti lice las caractcrfsticas de la figura 2.149b para el diodo,

4. (a) Empleando las caracterfsticas aproximadas del diodo de Si, determine el nivel de VI), To Y VR para el circuito de la figura 2.15t.

(b) Desarrollo el rnismo analisis del incise (a) utilizando el modele ideal del diodo.

(e) [Los resultados obtenidos en los incises (a) y (b) sugieren que el modele ideal puede propercionar una buena aproxirnacion para la respuesta real bajo ciertas condiciones?

§ 2.4 Configuraciones de diodos en serie con entradas de DC

5. Determine la corriente [para cada una de las configuraciones de la Figura 2.152 empleando el modelo equivalente aproximado del diode.

~i

"-

f

12 V .!~ +

(a)

Figura2.152 Problema 5.

+8V

(a)


20V

+

IOn

(b)

i.,

1.2 kn

4.7kn

(b)

20V o

*7. Determine el nivel de Vo para cada red de la figura 2.154.

Si

~

(a)

Figura 2.154 Problema 7.

-'"

E. __ 5 V

R~ 2.2kO

Figura 2.150

y 3.

E

2.2 HI

Figura 2.1SI Problema

+

Si

lOY

IOn

Si

4.7kn

-2V

6. Determine Vo e ID para las redes de la figura 2.153.

ID

-~:

...

(b)

Problemas

(c)

121

18. Determine Vo e It) para redes de b Figura ~.155.

t IOmA

~

22 kn L2kn

(a)


+2~_5V

6.8 kn 5i

(b)

"9. Determine VOl Y Vo, para las redes de la figura 1.156.

Si

Ge

(a)


Go Si

-10 V ~---i'a--O--..JV'II\r""'_'--<>

3.3 kn

(b)

10. Determine Vo e If) para las redes de la figura 2.157.

§ 2.5 Configuraciones en paralelo y en serte-paralelo

+20 V

4.7 kn

Si

Si

(a)

Figura 2.157 Problemas 10. 50.

122


15 V

Si

s:

2.2kn

-5 V

(b)

II. Determine Vo e I para las redes de la figura 2.158.

+lOV +l6V
I 51 t
__._
s: Go 5i 5i 1 kfl

4.7 kfl

l2 V


(a)

(b)

12. Determine VOl' V .. " e J para la red de la figura 2.159. "13. Determine Vo e ID para la red de la figura 2.160.

\.

+10 V


Si

§ 2.6 Compuertas AND/OR

Figura 2.160 Problemas 13. 51.

14. Determine Vo para la red de la figura 2.40 con 0 V en ambas entradas.

15. Determine Vo para la red de la tigura 2.40 con 10 V en am bas entradas,

16. Determine Vo para la red de la tigura 2.43 can 0 V en ambas entradas.

17. Determine Vo para la red de la figura 2.43 con 10 V en ambas entradas.

18. Determine Vo para la cornpuerta OR de logica negativa de la figura 2. t61.

19. Determine Vo para la compucrta AND negativa de 16gica de la figura 2.162.

20. Determine el nivel de Vo para la compuerta de Ia figura 2.163.

21. Determine Vo para la configuracion de Ia figura 2.164. -5 V

lOY
Si
Si
OV
v, lOY
Si
Si
2.2 kfl Ikfl
-5 V IOV
Figura 2.162 Problema 19. Figura 2.163 Problema 20. 5V

Si

Ge


Problemas

-5 V

~

Si

OV

~-tl • ..--t---o v, Si

IkG


123

§ 2.7 Entradas scnoidales: rectificacion de media onda

0----- .. 1-"='--.,.---0 V"C 2 V 22. Asumiendo un diodo ideal, dibuje Vi. I'd e id para el rectificador de media onda de la figura 2.165.

La entrada es una forma de onda senoidal con una frecuencia de 60 Hz.

23, Rcpita el problema 22 con un diode de silicic IVr= 0.7 V).

24. Repita el problema 22 con una carga aplicada de 6,8 H2 como lomuestra la figure 2,166. Dibuje e iI.

25. Para la red de la figura 2.167. dibuje Vo Y determine V,'e'

Figura 2.165 Problemas 22, 23,24.

124

+ I'd

Ideal Vee = 2 V

Vi o----1II>I--~-O-=;-t iL

id !

-~P>

2,2k!l

+

+

[deal

2.2 kfl

V; = 110 V (rms)

Figura 2,166 Problema 24.


* 26. Para la red de la figura 2.168, dibuje Vo e iR.

/ IOV

+

+ ~IOkQ Vo

o


*27. (a) Dado Pm', '" 14 mW para cada diodo de la figura 2.169, determine el valor nominal maximo

de la corriente de cada diodo (usando el modele equivalente aproximado). (b) Determine lm" cuando Vim'" = 160 V.

(c) Determine la corriente de cada diodo a Vim'" usando los resultados del inciso (b).

(d) Si s610 un diodo estuviera presente, determine la corriente del diodo y comparela con el valor nominal maximo.

Vi Si i.:
-
+
Vi Si 4.7 kQ 56kQ Figura 2.169 Problema 27.


§ 2,8 Rcctificacinn de onda completa

28. Un rectificador de onda completa tipo puente can una entrada senoidal de 120 V rrns tiene una resistencia de carga de 1 ka.

(a) Si se emplean diodes de silicic, Lcual es el voltaje de de disponible en 13 carga? (b) Determine el valor nominal de PIV requerido para cada diode.

(c) Encuemre la corriente maxima a traves de cada diodo durante la conduccicn. (d) GCual es el valor nominal de potencia requerida por cad a dioda?

29. Determine Vo Y el valor nominal requerido de PIV para cada diodo de la configuraci6n de la figura 2.170.

+

Diodes ide ales

V,

+

<r-----------¥

2.2 krl


*30. Dibuje Vo para la red de la figura 2.171 y determine el voltaje de de disponible.

+

Diodes ideales

)-----.--0 V,

+

2.2 kQ

2.2 kQ

2.2W


*31. Dibuje Vo para la red de la figura 2.172 y determine el voltaje de de disponible.

+

Vi


Problemas

125

§ 2.9 Recortadores

32. Determine Vo para cadu red de 10 figura 2.173 para 1£1 entrada rnosrrada.

v,

20 V

-20 V

Figura 2.173 Problema

Si

~ ~H<fO

0--- -c

5 V Ideal

0---11 ~ 1

+ "

~_±

33. Determine Vo para cada red de la figura 2.174 para la entrada mostrada.

Figura 2.174 Problema 33,

(b)

*34. Determine Va para cada red de la figura 2,175 para la entrada mostrada.

o

":'5 V


126

2V Ideal
0----1
+ +
Vi IkO \'0 (a)


Ideal

V~"

',. ..

+5V

(b)

"35. Determine l'" para cad a red de la t1gura 2,176 para Ia entrada mostradu

·,gV

Figura 2.176 Problema

(a)

4V

Vi~r

Si

.".

(b)

36. Dibuje iR Y v" para la red de 1£1 figura 2.177 para 1'1 entrada mostrada.


V

10kO

+

Si

_L

o~ 5~.~3~V __ J[~ __ ~7~.3~V~~~+-, __ o

§ 2.10 Cambiadores de nivel

Si

37. Dibuje Vo para cada red de la figura 2.178 para la entrada mostrada,

t1~0 V. ',----'---"

L_J

-20 V


c ~I(-~-~--<:+

V, Ideal

R

(a)

(b)

Problemas

127

128

38. Dibuje v,, para cada red de la figura 2.179 para la entrada mostrada. LSeria una buena aproxirnacion considerar al diodo ideal para ambos configuraciones", Lpar que?

Vi C
0---1( "1 f' ;
120 V +
\T Vi
0
(al Figura 2.179 Problema 38.

'39. Para la red de la figura 2.180: (a) Calcule 5T.

(b) Compare 5T con la mitad del periodo de la sefial aplicada, (e) Dibuje v".

Vi C
+10 e>---j
+ 0.1 flF +
Si
v/ R 56kQ \',j
2V -10 t= I kHz


C

0------4 (---'-__""-_"__--<> +

Si

R

E

20 V

(b)

*40. Disefie un cambiador de nivel que realice la funci6n indicada en la figura 2.18!.

Vi

Diodos ideales

20Y

+

Disefio

-20 V


Capitulo 2 ApIicaciones de diodos

+

+30 V

o

-lOY

* 41. Disefie un cambiador de nivel que realice la funcion indicada en la figura 2.182.

Diodes de silicic

lOY

2.7 V

+

+

-10 V

-17.3 V

Figura 2.182 Problema 41

§ 2.11 Diodes Zener

*42. (a) Determine VL, h, lz e IR para la red de la figura 2.183 si RL = 180 n. (b) Repita el inciso (a) si RL = 470 n.

(c) Determine el valor de RL que establecera las condiciones de potencia maxima para el diodo Zener.

(d) Determine el valor mfnimo de RL para asegurar que el diodo Zener se encuentra en el estado de "encendido",

Rs

+ ---0- 220Q , R

Vz'" 10 V PZmdi." 400 rhW

RL

20V

V L


*43. (a) Disefie la red de la figura 2.184 para mantener a VL en 12 V ante una variacion de carga (h) de o a 200 mAo Luego determine Rs Y V z-

(b) Determine PZm" para el diodo Zener del incise (a).

*44. Para la red de la figura 2.185, determine el rango de Vi que rnantendra a VL en 8 V Y que no excedera el valor nominal de potencia maxima del diodo Zener.

45. Disefie un regulador de voltaje que mantendra un voltaje de salida de 20 V a traves de una carga de 1 kn con una entrada que varian! entre 30 y 50 V. Esto es, determine el valor apropiado de Rs y de la corriente maxima IZM•

46. Dibuje la salida de la red de Ia figura 2.142 si la entrada eS una onda cuadrada de 50 V. Repitapa-

ra una onda cuadrada de 5 V. .

§ 2.12 Circuitos rnultiplicadores de voltaje

47. Determine el voltaje disponible del doblador de voltaje de la figura 2.120 si el voltajc secundario del transfonnador es 120 V (rrns).

48. Determine los niveles nom in ales PIV de los diodos de la figura 2. I 20 en terminos del voltaje secundario pico Vm•

Problemas

f(s

1

...


Rs


129

§ 2.15 Anal isis por computadora

49. Desarrolle lin analis;s de la red de Ia figura 2.153 utilizando PSpice para Windows. 50, Desarrolle un de lared de la ficura utilizando PSpice para Windows. 51. un.analisi, de il la 2.160 utilizando PSpice para Windows.

52. Desarrolle un amliisis gener:d de la red Zener de fa Figura 2.185 utilizando PSpiee para Windows.

53. Rcpita el problema 49 utilizando Electronics Workbench.

54. Repita eI problema 50 utilizant'o Electronics Workbench.

55. Repita e! problema 51 utiliz.indo Electronics Workbench.

56. Repita cl problema 52 utili/audo Electronics Workbench.

Los asteriscos indican problemas de mayor diticultud.

130

Capitulo 2 Aplieaciones de diodos

Transistores bipolares de

. "

uruon

CAPiTULO

3.1 INTRODUCCION

Durante el pcriodo de 1904 a 1947, el tubo al VUclO 0 bulbo fue, sin duda, el dispositive electronico de mayor interes y desarrollo. EI diodo de tubo al vacfo fue present ado por J. A. Fleming en 1904. Poco tiernpo despues, en 1906, Lee De Forest le anadio un tercer elemento al diodo al vacfo, denorninado rejilla de control, con 10 que se origin6 el primer amplificador; el triodo. En los arios siguicntes, la radio y la television proporcionaron un gran estirnulo a la industria de los bulbos. La producci6n crecio, de cerca de un mi1l6n de bulbos en 1922 hasta aproximadamente 100 millones en 1937. A principios de los alios treinta los tubos al vacio de cuatro y cinco elementos (tetrodo y pentodo, respectivamente) cobraron gran importancia en la industria. de los bulbos. En los afios siguientes, la industria se convirti6 en una de las mas importantes y se lograron rapidos avances en cuanto al disefio, a las tecnicas de fabricaci6n, alas aplicaciones de alta porencia yalta frecuencia,y ala miniaturizacicn.

Sin embargo, el 23 de diciembre de 1947, la industria de la electr6nica experiment6 la llcgada de un campo cornpletarnente nuevo en el interes y en el desarrollo. En la tarde de ese dta, Walter H. Brattain y John Bardeen demostraron la accion de amplificacion del primer transistor en los laboratories Bell Telephone. El transistor original (un transistor de punto de contacto) se presenta en la figura 3.1. Las ventajas de cste dispositive de est ado solido de tres tcrminales sobre el bulbo se rnanifestaron de inmcdiato: era mas pequeno y ligero, no tenia requerimientos

Figura 3.1 El primer transistor. (Cortesia de los Laboratorios Bell Telephone.)

Coinventores del primer transistor en los laboratories

Bell: Dr. William Shockley (sentadol; Dr. John Bardeen (izquierda); Dr. Walter H. Brattain. (Cortesia de los archives de AT&T)

Dr. Shockley Nacido en Londres, [nglaterra en 1910; PhD de Harvard en 1936

Dr. Bardeen Nacido en Madison, Wisconsin en

1908; PhD de Princeton en 1936

Dr. Brattain Nacidoen Atnoy, China en 1902; PhD de la Universidad de Minnesota en 1928

Todos elias compartieron el Premia Nobel en 1956 par esta contribucion.

131

(a)

(b)

Figura 3.2 Tipos de transistores: (a) pnp;(b) npn.

132

de calentamiento 0 disipacion de calor, tenia una construcci6n resistente y era mas cficientc debido a que el mismo dispositive absorbia menor potencia. Tenia una disponibilidad de uso inmediata ya que no requeria de un periodo de calentamiento. Ademas se conseguian menores voltajes de operacion. De la presentacionanterior se puede deducir,que este esel primer capitulo donde se aborda el analisis de dispositivos con treS 0 mas terminales. El lector vera que todos los arnplificadores (dispositivos que incrernentan el voltaje, la corriente 0 el nivel de potencia) tienen por 10 menos tres terrninales, donde una controla el flujo de corriente entre las otras dos terminales.

3.2 CONSTRUCCION DEL TRANSISTOR

El transistor es un dispositive semiconductor de tres capas que consta de ya sea dos capas de material tipo n y una capt tipo p, 0 bien de dos capas de material tipo p y una tipo n. Al primero se lc denornina transistor npn mientras que al segundo transistor pnp. Ambos se muestran en la figura 3.2 con la polarizaci6n de dc adecuada. En el capitulo 4 usted vera que la polarizaci6n de de es necesaria para establccer la regi6n de operaci6n adecuada para la amplificaci6n de ac. La capa del emisor se encuentra fuerternente dopada, la de la base ligcramente dopada y la del colector s610 muy poco dopada. Las capas exteriores tienen espesores mucho mayores que los del material tipo p 0 tipo n centrales. Para los transistores que se muestran en la figura 3.2 la proporcion del espesor total con respecto al espesor de la capa central es de 0.150/0.001 = 150: 1. El dopado de la capa central es tarnbien mucho menor que el dopado de las capas exteriores (casi siempre 10: 10 menos), Este bajo nivel de dopado disminuye la conductividad (incrementa la resistencia) de este material allimitar el ruimero de portadores "Iibres''.

En la polarizacion que se muestra en la figura 3.2 se indican las terminales mediante las literales E para el emisor, C para el colector y B para la base. Se apreciara rnejor la elecci6n de esta notaci6n cuando se analice la operaci6n basica del transistor. La abreviatura BJT, de Transistor Bipolar de Union (del ingles Bipolar Junction Transistor), suele aplicarse a este dispositivo de tres tcrrninales. EI termino bipolar refleja elhecho de que tantohuecos como electrones participan en elproceso de inyecci6n hacia el material polarizado enformaopuesta. Si s610 se utiliza un portador (electr6n 0 hueco), se considera entonces un dispositivo unipolar. EI diodo Schottky, del capitulo 19, es uno de estos dispositivos,

3.3 OPERACION DEL TRANSISTOR

Ahara se describira la operaci6n basica del transistor empleando el transistor pnp de la figura 3.2a. La operaci6n del transistor npn es exactamente la misma que si se intercambian los papeles desernpefiados por el electron y el hueco. En la figura 3.3 se dibuj6 de nuevo el transistor pnp sin la polarizaci6n base-colector. Observe las similitudes entre esta situaci6n y aquella del diodo con polarizacion directa del capitulo 1. EI espesor de la region de agotamiento se redujo debido a la polarizaci6n aplicada, 10 que da como resultado un flujo muy considerable de portadores rnayoritarios desde el material tipo p hacia el material tipo n.

Figura 3.3 Union de un transistor pnp can polarizacion directa.

+

Capitulo 3 Transistores bipolares de union

Ahora eliminaremos la polarizacion base-ernisor del transistor pnp de la figura 3.2a, como sc muestra en la figura 3.4, Considere las similitudes entre esta situacion y la del diode con polarizacuin inverse de la seccion 1,6. Recuerde que elflujode los portadoresmayoritarios es cero, con 10 que se ocasiona solarnenteun flujodeponadores minoritarios, como se indica en la figura 3.4. En resumen, por tanto:

Una union p-n de un transistor Sf ellCltentra en polarizaci6t1 ill versa, micntras que la otra Sf encuentra en polarizaci6n directa.

En la figura 3.5 ambos potenciales de polarizaci6n se aplicaron sobre un transistor pnp, con el flujo de portadores mayoritarios y minoritarios resultante indicado. Observe en la figura 3.5, los espesores de las regiones de agotamiento que indican clar~mente cual union se encuentra en polarizacion directa y cual en polarizacion inversa. Como se indica en la flgura 3.5, u~~ gran cantidad de portadores mayoritarios se difundiran a traves de la union P-Il en polarizacion dlrecta hacia el material tipo n. La cuestion ahora cs si estos portadores contribuiran de forma directa con la corriente de base III 0 si pasaran directamente hacia el material tipo p. Debido a que el material de tipo n del centro es muy delgado y tiene una baja conductividad, un n.umero muy pequeiio de estos portadores tornara esta trayectoria de alta resistencra hacia la terminal d.e la base. La magnitud de la corriente de base tfpicamente se encuentra en el orden de los microamperes, comparado con los miliarnperes para las corrientes del ernisor y del colector ', La mayor cantidad de estos portadores mayoritarios se difundini a traves de la uni6n en ~olanzacion inversa, hacia el material tipo p conectado a la terminal del col ector, como se indica en la figura 3.5. El motive de esta facilidad relativa con la que los p~~ador~s mayoritarios pueden

_ atravesar la union en polm1zaci6n inversa se comprende con facilidad SI se considera que para el diodo en polarizaci6n inversa, los portadores mayoritarios inyectados apareceran como portadores minoritarios en el material tipo n. En otras palabras, tuvo lugar una inyecci6n de portadores minoritarios hacia el material de la region de la base de tipo 11. Combinando esto con el hecho de que todos los portadores minoritarios en la regi6n de agotamiento atravesanin la uni6n en polarizacion inversa de un diodo, es posible explicar el f1ujo que se indica en la figura 3.5.

+ Portadores mlnoritarios ---J>o-

~--,-=

c

Regi6n de agotamiento

Region de agotarniento

+

£f

('c

Figura 3.4 Union en polarizati6n inversa para un transistor pnp.

Figura 35 Flu]o de portadores mayoritarios y mmoruanos en un transistor pnp.

Al aplicar Ia ley de corriente de Kirchhoff al transistor de la figura 3.5, como si se tratara de un node solo, se obtiene

(3.1 )

y se observa que la corriente del emisor es la suma de las corrientes del colector y de la base. Sin embargo, la corriente del colector esta formada por dos componentes: los porta~ores mayoritarios y los rninoritarios, como se indica en la ~gura 3.:. Al componente de cornente minoritaria se le denomina corriente de fuga y se Ie asigna el sfmbolo leo (comente Ie con la terminal del emisor abierta). Por tanto, la corriente del col ector se determina en su totalidad mediante la ecuaci6n (3.2).

(3.2)

3.3 Operacion del transistor

133

B

IE EO------,

,----{)c

B (b)

Figura 3.6 Notacion y simbo-

los con la configura-

cion base comun: (a) transis-

tor pnp; (b) transistor "pn.

134

Para transistores de proposito general. Ie se rnide en rniliamperes. mientras que leo se mide en microamperes 0 en nanoamperes.Lj-, al igual que I, para un diode en polarizacion inversa, es sensible a la temperatura y debe analizarse cuidadosarnente cuando se consideren aplicaeiones con intervalos amplios de tcrnperaturaSicsro no se considera apropiadarnentc. puede afectar de manera importante la estabilidad de un sistema a una temperatura alta. Las mejoras en las tecnicas de fabricacion han provocado niveles significativamente mas bajos de leo, a tal grado que casi es posible omitir su efecto.

3.4 CONFIGURi\.CION DE BASE COMUN

La notacion y los simbolos empleados junto con el transistor en Ia mayorfa de los textos y manuales que sc publican actual mente, se rnuestran en la figura 3.6, para Ia configuracion de base cornun con transistores pnp y npn. La terminologfa de base conuin se deriva de! hecho de que 1£1 base cs cormin tanto para la parte de entrada como para la de salida de la configuracion. Ademas, par 10 regular la base es la terminal mas cercana a, 0 que se encuentra en, el potencial de tierra. A 10 largo de este libra todas las direccioncs de corriente se refcriran al flujo convencional (huecos) en lugar de aI flujo de electrones. Esta decision se baso, principalmente, en el hecho de que una gran cantidad de literarura disponible en instituciones educativas e industriales emplea el flujo convencional, y las flee has en todos los sfrnbolos electronicos poseen una direccion definida par esta convencion, Recuerde que la flecha en el simbolo de! diodo define la direcci6n de la conduccion para la corriente convencional, Para el transistor:

La jlecha ell el simbolo gr(ijico define la dircccii5n de la corriente del emisor ([luja convencianal) a traves del dispositivo.

Todas las direcciones de corriente que aparecen en In Figura 3.6 son las direcciones rcalcs, como las define Ia eleccion del tlujo convencional. Observe, en cada caso, que IE = I c + I B' Observe tambien que la polaridad apIicada (fuentes de voltaje) es tal que permite establecer una corricnte en la direccion que se indica para cadarama. Es decir, compare la direccion de Ire con la polaridadde VEE para cada configuracion y la direccion de Iccon polaridadde V CCo

Para describir completamente el comportamiento de un dispositive de Ires terrninales, como eI caso de los amplificadores de base comun de la Figura 3.6 se requicre de dos conjuntos de caractensticas: uno para el punta de excitacion 0 parametres de entrada y el otro para la parte de la salida. Como se rnuestra en Ia Figura 3.7, el conjunto de entrada, para el ampliticador de base comun relaciona la corriente de entrada (IE) con un voltaje de entrada (Vlld para distintos nivelcs de voltaje de salida (V Cll).

El conjunto de salida relaciona una corriente de salida (Iel con un voltajc de salida (Ven) para distintos niveles de corriente de entrada (IE), scgun se muestra en la Figura 3.8. EI conjunto de caracterfsticas de salida 0 del colector cuenta con trcs regiones basicas de interes, como se

IE (rnA)

Figura 3.7 Carartcristicas de entrada 0 de excitacion para un amplilicador de silicio de base cornun.

o

VBE (V)

0.6

0.8

Capitulo 3 Transistores bipolarcs de uni6n

Ie (mA)

6 mA

5 mA

4111/\

3 ru.A

o

-I

5

15

20

10

o

de

indica en la Figura 3.8: la region activa, la de corte y la de saturacion. La region activa es la region que por 10 general se utiliza para los amplificadores lineales (sin distorsion). En particular:

Ell la regi6n activa la union base-e1l1isor se ellowltra polarizada de forma directa, mientras qilC la union colector-base se encuentra polarizacla de fanna illversa.

La region activa se define mediante los arreglos de polarizacion delafigura 3.6.En la parte inferior de la region activa, la corriente del ernisor (If;) es cero; la corricnte del coIector simplernente es igual, debido a In corriente de saturacion inversa leo, como 10 seiiala la Figura 3.9. La corrientc leo es tan pequcna en magnitud (microamperes) en comparacion con la escala vertical de lc (miliampercs) que aparece virtual mente sobre la misma linea horizontal que Ie = O. Las condiciones del circuito que cxisten cuando Ie = 0 para la configuracion de base cormin se muestran en la Iigura 3.9. La notacion que con mas frecuencia se utiliza para leo en las hojas de cspccificaciones y datos es l cno. como se indica en la Figura 3.9. Gracias a las mejoras en las tecnicas de fabricacion, el nivel de ICBO para transistores de propos ito general (especiaImente los de silicio) en ranges de potencia baja y median a, es por 10 regular tan bajo, que su efccto puede ignorarse. Con todo, para unidades de mayor potencia, lcso todavfa se prcsentara en el rango de los microamperes. Ademas, recuerde que tanto lcso como I" para el diodo (ambas corrientes de fuga inversas) son sensibles a la temperatura. A rnayores ternperaturas el efecto de l cno puede convertirse en un factor importante debido a que aumenta rapidarnente con la temperatura.

Observe en Ia figura 3.8 que a medida que la corriente del emisor se incrementa por encirna de cero, la corriente del coleetor se incrementa hasta una rnagnitud esencialmente igual a aquella de la corriente del ernisor, como se determina por las relaciones basicas de corriente en el.transistor. N6tese tam bien, el efecto casi imperceptible de VcIisobre Ia corrientedelcolector para la regi6n activa, Las curvas clararnente indican que una primera aproximacionpara la relacion entre h e Ie en la .. region activo esta dada pot:

Como se deduce de su nombre, la region de corte se define como la region donde la corriente del coIector es 0 A, como 10 indica la figura 3.8. Adernris:

Ell la regi6n de corte, tClI1to la uni6n base-emisor como la uni6n colector-base de un tral1- sisto,' se encuClltran en polarizaci6n inversa.

3.4 Configuraci6n de base cornun

Figura 3.8 Caracte nsricns de lida 0 del colcctor para un arnpliIicador de transistor

cornun.

E 0-----0 y; C

I[ =0 ./"-

/ (\

. B 1!' Emisor

abierto Colector a base

Figura .3.9 Corricntr de s.uuracion invcrsa.

(3.3)

135

2

Ir (rnA)

....---Cualquicr Vell

La region de salUraci6~ se define como aquella region de las caracterfsticas a la izquierda de VCB = 0 V. La escala horizontal en esta region se expandio para rnostrar con claridad el cambio dramatico de las carac~eristicas en esta region. Observe el incremento exponencial en la comente del colector a medida que el voltaje Vcs se incrementa hacia 0 V.

En la rcgi6nde 5atllraci6n, tanto la unil)n base-cl11isor como la union colee tor-base Sf encuenrrun en polarizaci6n dirccta.

Las caractensticas de entrada de la figura 3.7 I~uestran que para valores fijos del voltaje del colector (V ce). conforme se Incrementa el voltaje base-emisor, la corriente del emisor aumenta en una forma muy similar a las caractcrfsticas de! diodo. De heche, los niveles crecientes de, V CB tienen u~ efecto tan pequ~fio sobr~ las caracteristicas, que como una primera aproximaCIon, se pueden 19norar los carnbios ocasionados por VeB Y dibujar sus caracterfsticas como se ilustra en la figura 3.1 Oa, Si se aplica el enfoque de segmentos lineales. tendremos las caracterfsticas que se presentan en la figura 3.1 Ob. Si avanzamos un paso mas e ignoramos la pendiente de la curva y, por tanto, la resistencia asociada con la uni6n en polarizacion directa, se obtendran las caract.erfsticas de la figura 3.1 Oc. Para el anal isis posterior en este texto, se ernpleara el mOd.elo equivalcnte de la figura 3.1 Oc para todos los analisis de de de redes de transistores. Es decir, una vez qu~ el tr.ans.istor se encuentre en el estado "encendido", se asumira que el voltaje base-ernisor sera el siguiente:

VBE = 0.7 V

(3.4)

En otras palabras, el efecto de las variaciones ocasionadas por V CB Y par la pendiente de las caracteristicas de entrada se omitira mientras sea posible analizar las redes de transistores de una forma tal que proporcione una buena aproximacion a la respuesta real, sin involucrarse dernasiado en las variaciones de los parametros de menor importancia.

VBf (V)

o I 0.2 0.4 0.6 0.8 (a)

(b)

(e)

Figura 3.10 Desarrollo del modelo equivalente que se urilizara para la region base-emisor de un amplificaclor en condiciones de dc.

136

Es import,ante apreciar en su totalidad la aseveracion que establece las caractensticas de la figura 3.IOc. Estas establecen que cuando el transistor se encuentra en el estado "encendido" 0 estado activo, el voltaje de la base al emisor sera de 0.7 V para cualquier nivel de corriente del emi:or co~t~olado me~iante la red ~~terna. De hecho, desde el primer encuentro con cualquier c~nhguraclOn de tra~sJstor en condiciones de de, es posible especificar de inmediato que el voltaje de la base .a! emlso~ sera de 0.7 V si el dispositivo se encuentra en la regi6n activa, 10 eual es una conclusion muy rmportante para el siguiente analisis de de.

Capitulo 3 Transistores bipolares de uni6n

(a) Mediante las caracterfsticas de la figura 3.8, determine la corriente resultante del colec tor si h= 3 rnA y V C8 = 10 V.

(b) Mediante las caractertsticas de la figura 3.8, determine 13 corriente resultante del colector si hpermanece en 3 rnA pero VeB se reduce a 2 V.

(c) Mediante las caracteristicas de las figuras 3.7 y 3.8, determine VHF si Ie = 4 rnA y VCB = 20V.

(d) Repita el inciso (c) utilizando las caractensticas de las figuras 3.8 y 110c.

Soluci6n

(a) Las caracterfsticas indican con claridad que Ic == h = 3 rnA.

(b) EI efecto del cambio de VeB es despreciable e Ie continua siendo 3 rnA.

(c) A partir de la figura 3.8, fo == Ie 4 rnA. En Ia figura 3.7 el nivel resultante de VBE es

aproximadamente de 0.74 V.

(d) Nuevamente a partir de la figura 3.8, Io == Ie = 4 rnA. Sin embargo, en la figura 3.lOc, VBE es 0.7 V para cualquier nivel de corriente del emisor.

Alfa (a)

En condiciones de de los niveles de Ice IE debidos a los portadores mayoritarios se encuentran relacionados por una cantidad denominada alfa y que se define por la siguiente ecuacion:

~ ~

(3.5)

donde Ice h son los niveles de corriente en el punto de operaci6n. Incluso aunque las caracterfsticas de la figura 3.8 podrfan sugerir que a = 1, para los dispositivos reales, el nivel de alfa suele extenderse de 0.90 a 0.998, con lamayorparte aproximandoseal extremo alto del intervalo. Debido a que alfa unicamente se define para los portadores mayoritarios, la ecuacion (3.2) se convierte en

(3.6)

Para las caracterfsticas de la figura 3.8 cuando lt: = 0 rnA, Ic sera por 10 tanto igual a ICBO; no obstante, como se mencion6 antes, el nivel de l ceo es con frecuencia tan pequefio que virtualmente es imposible detectarlo en la grafica de la figura 3.8. En otras palabras, cuando li: = 0 rnA, en la figura 3.8, Ic tambien parecera ser de 0 rnA para el intervalo de valores de VeB'

Para condiciones de ac donde el punta de operaci6n se desplaza sobre la curva caracterfstiea, una alfa de ac se define mediante

(3.7)

De manera formal, el alfa de ac se denomina como factor de amplificacion de base comun de "corto circuito" por razones que resultaran mas obvias cuando se analicenloscircuitos equiva!entes paratransistores en el capitulo 7. Por el momento, se debe cntender que laecuacion (3.7) establece que un cambia relativamente pequefio en la corriente del colector se divide entre el cambio correspondiente en IE con el voltaje colector-base constante. Para la mayona de las situaciones, las magnitudes de aue Y ade son muy cercanas entre sf, 10 cual permite utilizar la magnitud de una para la otra. EI empleo de una ecuaci6n como la (3.7) se demostrara en la secci6n 3.6.

Polarisacion

La polarizaci6n correcta para la configuraci6n de base comun en la regi6n activa se puede determinar rapidamente, si se utiliza 1a aproximacion I e ~ 10 y se asume, por el momento, que

3.4 Configuraci6n de base comun

EjEMPLO 3.1

137

E

c

Figura 3.11 Lstablecirmcnto de la poianzacion correcta para un transistor pnp de base cornun en la regi()n

III "" 0 f1A. EI resultado sera la configuracion de la figura 3.11 para el transistor pnp. La flecha del simbolo define Ia direccion del flujo convencional para lt: "" I.: Luego se insertan las fuentes de de con una polaridad wi que respaldaran la direccion resultante de In corriente. Para el transistor npn las polaridadcs se invertinan.

Algunos estudiantes piensan que puedcn recordar si In flecha del simbolo del dispositive se encuentra apuntando hacia dentro 0 bacia fuera, mediante hacer coincidir las literales del tipo de transistor con las Iitcrales adecuadas de las frases "apuntando hacia adentro" 0 "no apunlando hacia adentro". Por ejemplo, existe una coincidencia entre las Iiterales npn y las literales italicas de no apuntando hacia adentro y las literates pnp con apuntando hacia adentro.

3.5 ACCION AMPLIFICADORA DEL TRANSISTOR

Ahora que se ha establecido la relacion entre lc e IE en la seccion 3.4, se puede presentar la accion basica de amplificacion del transistor bajo un nivel superficial mediante la red de la figura 3.12. La polaridad de de no aparece en la figura ya que nuestro interes se lirnita a la respuesta en ac. Para la configuracion de base conuin, la resistencia ac de entrada determinada por las caracterfsticas de Ia figura 3.7 es muy pequena y tfpicamente varia entre 10 y 100 D. La resistencia de salida-segrinse determine por lascurvas de la figura 3.8, es .muy alta (mientras mas horizon tales sean las curvas, mayor sera In resistenciajy tipicarnente varia entre 50.kD y I M!1 (100 kDpara el transistor. de la figura 3.12). La diferenciaen laresistenciase debea.la union en polarizacion directa en Ia entrada (base a emisor) y a la union en polarizacion inversa en la salida (base a colector). Utilizando un valor corrnin de 20 n para Ia resistencia de entrada, tenemos que:

200mV

20 Sl = 10 mA

Si asumirnos par el momenta que Cl'O( = I (Ie

y

IL I, = 10 mA

VL = ILR

(10 mA)(5 kSl) SOV

+

+

V; = 200 mV ,\".

e;

- R 5kr.l VL

ioo rn

Figura 3.12 Acci6n basica de amplificaci6n de voltaje de la configuraci6n base comun,

138

Capitulo 3 Transistores bipolares de uni6n

EI voltaje de amplificacion es

50 V 200mV

250

Losvalores tipicos de laamplificacicn de voltaje para la.configuracion de base cormin varian entre 50 y 300. La amplificacion de corriente (le/IE) es siempre menor que 1 para la configuracion de base cormin. Esta ultima caracterfstica debe ser obvia debido a que Ie = exh Y ex cs siempre menor que 1.

La accion basica de arnplificacion se produjo mediante la transferencio de una corriente I desde un circuito de baja resistencia a uno de alta resistencia. La cornbinacion de los dos terminos en iuilicas (transferencia y resistencia), da como resultado el terrnino transistor; esto es,

trallsferencia

resistor -4 transistor

3.6 CONFIGURA CION DE EMISOR COMUN

La configuracion de transistor que se encuentra mas frecuentemente apareee en la figura 3.13 para los transistores pnp y npn. Se le denomina configuracion de emisor comlin debido a que cl ernisor es corrnin 0 relaciona las terminales tanto de entrada como de salida (para este case, sen! conuin tanto a la terminal de base como a la de col ector). Una vez mas, se necesitan dos conjuntos de caracterfsticas para describir completamente el cornportamiento de Ia configuraci6n de ernisor-cornrin: uno para el circuito de entrada 0 de base-emisor y otro para el circuito de salida 0 de colector-emisor: Ambos se muestran en la figura 3.14.

Vee

Ie -

c

c

18 B --

B

E

E

(a)

(b)

Las corrientes de ernisor, colector y base sc rnuestran ensu direccion.convencional real para la corriente.Tncluso aunque carnbio la configuracion del transistor, las relaciones decorriente que se desarrollaron antes para la configuracion de base cornun contiruian siendo aplicables. Es decir, IE = Ie + Is e Ie = exh.

Para la configuracion de emisor cormin, las caracteristicas de salida representan una grafica de la corriente de salida (I d en funciorr del voltaje de salida (VeE) para un rango de valores de corriente de entrada (In). Las caracterfsticas de entrada representan una grafica de la corriente de entrada (In) en funci6n del voltaje de entrada (VnE) para un rango de valores de voltaje de salida (VeE)'

3.6 Configuraci6n de emisor comun

Figura 3.13 Notacion y strubolos empleados con la configuracion de ernisor cornun: (a) transistor npn: (b) transistor pnp.

139

It; (mA)

(Region de saturacion)

Vcr 1 V VCE= lOY

Vcr=20V

100 90 80 70 60

(a)

(b)

Figura 3.14 Caractensncas de un transistor de silicio en la configuraci6n de emisor com un: (a) caractertsticas del colector; (b) caracteristicas de la base.

Observe que en las caracteristicas de la figura 3.141a magnitud de In se encuentra en microamperes, en comparaci6n can los miliamperes de Ic. Considere tarnbien que las curvas de In no son tan horizontales como las que se obtuvieron para IE en la configuracion de base cormin, 10 cual indica que el voltaje colector-ernisor tendra influencia sobre la magnitud de la

corriente del colee tor. .

La regi6n activa para la configuraci6n de emisor cormin es la parte del cuadrante superior derecho que tiene la mayor linealidad, es decir, la regi6n en la que las curvas de In son casi rectas e igualmente espaciadas. En la figura 3.l4a esta regi6n se presenta a la derecha de la linea punteada en VeEsa, Y por arriba de la curva de In igual a cero. La region ala izquierda de V CEo

se denomina regi6n de saturacion, sat

En la region activa de un amplificador de emisor comun, la union base-emisor se encuentra en polarizacion directa, mientras que la union colector-base se encuentra en polarizacion inversa.

Recuerde que estas son las mismas condiciones que se presentaron para la region activa de la configuracion de base cormin, La region activa de la configuraci6n de emisor cormin puede emplearse para una amplificaci6n de voltajc, corriente 0 potencia.

La region de corte para la configuracion de emisor cormin, no se encuentra tan bien definida como para la configuraci6n de base cormin, Observe en las caracterfsticas del colector de la figura 3.14 que Ie no es igual a cero cuando IB es cero. Para la configuraci6n de base cormin, cuando la corriente de entrada hera igual acero, lacorriente del colector eraequivalente solo ala corriei1te de saturacion inversa leo- por 10 que la curva le = 0 y el eje de voltaje, para propositos practicos, eran unomismo.

La razon para esta diferencia en las caracterfsticas del colector puede derivarse mediante el manejo adecuado de las ecuaciones (3.3) y (3.6). Esto es,

Ecuaci6n (3.6): le = alE + leBO

La sustitucion arroja Ecuaci6n (3.3): le == a(Ic + lB) + lCBO

ia, leBO

le=--+-I - a 1 a

Al acornodar nuevamente los terrninos

(3.8)

140


Si considerarnos el caso descrito antes, donde I[J = 0 A, y se sustituye un valor tipico de a como de 0.996, la corriente resultante del colector es la siglliente:

ICiiO

= -~ = 2S0IClIO

0.004

Si lcno fuera de I p..A, la corrienre resultante del colector con IE = 0 A seria de 250(1 p..A) = 0.25 rnA como se refleja en las caracterfsticas de la figura 3.14.

Como futura referenda, a la corriente del colector definida por la condicion la = 0 p..A se

le asignara la notaci6n que indica la e(uacion (3.9).

(3.9)

En la figura 3.15 se demuestran las condiciones que rodean a esta corriente recien definida junto con su direcci6n de referencia asignada.

Para prop6sitos de amplificaci6n lineal (de menor distorsion), el corte de la configlLraci611 de emisor com un se definirct mediante Ie = lao·

En otras palabras, la region por debajo de IE = 0 }LA debe evitarse si se busca una serial de salida sin distorsion.

Cuando se utiliza como un interruptor en los circuitos 16gicos de una cornputadora, el tran-

sistor tendril dos puntos de operacion de interes: uno en la region de corte y otro en la regi6n de saturacion, La condicion de corte deberia ser idealmente I C = 0 rnA para el voltajc selecc!Onado V CEo Debido a que ICED tfpicamente es bajo en su magnitud para materiales de silicio, para fines de conmutacion el corte se presentarti wando In = O}J.,A 0 cuando Ie", lceo- solamente para los transistores de silicio. Sill embargo, para el caso de los transistores de gemranio, el corte para propositos de conmutaclon se definira mediante aquellas condiciones ~lle se presentencuanda I C = I ClIO' Por 10 regular, dicha condici6n sc pued~ lograr para los transistores d~ ~ermamo mediante la polarizaci6n inversa de la union base-ernisor empleando unas cuantas decimas de v~lt.

Recuerde que para la configuraci6n de base corrnin se realizo una aproximacion del conjunto de caractcrlsticas de entrada mediante un equivalente de linea recta, que dio como resultado V tst: = 0.7 V para cualquier nivel de IE mayor que 0 rnA. Es posible emple~r el mismo e~foque para la configuraci6n de emisor cormin, 10 cual dara por resultado el equivalente aproxln:ado de ln figura 3.16. EI resultado apoya la conclusi6n anterior con respccto a que para un transistor en la regi6n de "encendido" 0 region activa el voltajc base-cmisor sera de 0.7 V. En este caso, el voltaje se encuentra fijo para cualquicr nivel de corriente de la base.

Figura 3.16 Equivalente de segmentos lineales para las caracteristicas del diode de la figufa 3.14b.

Figura 3.15 Condiciones del circuito relativa a [CEO-

0.7 \

3.6 Configuraci6n de emisor comun

141

EJEMPLO 3.2

142

(a) Mediante las caractensticas de la tigura 3.14, determine Ie cuando In =30 !LA Y VCE= 10 Y. (b) Mediante las caractcnsticas de 1<1 figura 3.14, determine Ie cuando V8E ::: 0.7 V Y VeE 15 V.

Solucidn

(a) En la interscccion de IB::: 30 !LA con Va 10 V, Ie = 3.4 mAo

(b) Mediante In figura 3.14b, Is 20 fJ-A cuando VBE = 0.7 V. A partir de la figura 3.14a encontramos que Ie = 2.5 mA en la interseccion de 111= 20 fJ-A con VCE = 15 V.

Beta (f3)

En el modo de de, los niveles de Ie y de IB se relacionan entre sf mediante una cantidad denorninada beta que se define par la ecuacion siguiente:

(3.10)

donde Ice III se detcrrninan para un punto de operacion en particular sobre las caracterfsticas. Para los dispositivos reales, el nivel de {3 suele tener un fango aproxirnado entre 50 y 400, con la rnayorfa de ell os dentro del rango medio. De la rnisrna forma que para a, {3 muestra la magnitud relativa de una corriente con respecto de otra. Para un dispositive con una {3 de 200, la corriente del colector sera 200 veces la magnitud de la corriente de base.

Por 10 regular, en las hojas de especificaciones se incluye {3cle, como hP/i', donde la h proviene de un circuito equivalente hibrido que se presentara en el capitulo 7. Los subindices FE provicnende las palabras: amplificacionde corriente directa ({del inglesforward) yde laconfiguracion de emisorconnin.respectivarnentc.

Para condiciones de' ac, se define una beta de ac, como sigue:

Mel

f3 =~-

ac 11 I B V CF: == constante

(3.11)

EI nombre formal para {3ae esfactor de amplificaci6n de corriente directa en emisor comun. Ya que, por 10 general, la corriente del colector es la corricnte de salida para una configuraci6n de emisor cormin, y la corriente de base es la corriente de entrada, el termino amptificacion se inc1uye en la nomenclatura anterior.

La ecuaci6n (3.11) es similar en cuanto al formato a la ecuaci6n para aae de la seccion 3.4, EI procedimiento para obtener aac a partir de las curvas caracterfsticas no se present6 debido a la dificultad para medir realmente los cambios de lee IE sobre las caracterfsticas. Sin embargo, la ecuaci6n (3.11) puede describirse con cierta c1aridad, y de hecho, el resultado puede utilizarse para encontrar aac empleando una eeuaei6n que se obtendra mas adelante.

En las hojas de especificaciones por 10 regular {3ae se indica como hJe. Observe que la iinica diferenciaentre la notaci6n que se utiliza parala beta de dc,especificamente {3de = hfE, radica en el tipo de literal que se emplea para cada cantidad setialada como subfndice. La literal mirnisculas continua haciendo referencia al circuito equivalentehfbrido que se describira en el capitulo 7 y lafe a la ganancia de corriente directa (por las siglas en ingles deforward) en la configuracion de ernisor cormin.

El usa de la ecuaci6n (3.11) se describe mejor mediante un ejemplo numerico utilizando un conjunto real de caracterfsticas, como las que aparecen en la figura 3.14a y que se repiten en la figura 3.17. Deterrninemos {3ac para una regi6n de las caracteristicas definida por un punta de operacion en IIJ = 25 !LA Y VCE = 7.5 V, como se indica en la figura 3.17. La restricci6n de VeE = constante, requiere que se dibuje una linea vertical a traves del punto de operacion en


Ie (mAl
9
8
JL/~: .>;~r,~"_t :
80 f!;\
7
1< [/:=~ ~#"",-'-:'T-~" 70 ~:"
I""
6"'i;lt ~/", ~,-,+"-"r'"" "
lV: ",""'~' ' 50~;\ .
5 l~i"~"-" 1-'"'' ., "
""f"'""~ f"""'C" 1,1;\
,,,,,,,,"
4 ~/'t;."-,, "2 • , ",'
: , \
31 '¥i/: ~)
, .. " ', .. " .J_ ,_ .~
: .. , ,_, -,,' Punto Q h i u.
:f.: /' 1
2 C~7' "hi .. I.
IJ , .
lfiti:, I " : ! " " , , ,
If " I x 'x ,if )I:'~
01 5 / 10 15 20 25 Vo ,eV)

VeE =7.5 V

Figura 3.17 Determinacion de {3", y de {3d, para las caractertsticas del colecror.

VeE = 7.5 V. En cualquier lugar de esta linea vertical el voltaje VCE es 7.5 V, una con stante. EI cambio en III (MIJ) como aparece en la ecuacion (3.11) se define entonces al seleccionar dos puntos a cada lado del punto Q a 10 largo del ejc vertical y a distancias sirnilares a cada lado del punto Q. Para esta situacion las curvas de 18 = 20 !LA Y 30 !LA eumplen el requisite de no extenderse muy lejos del punto Q. Elias tarnbien definen niveles de 18 facilmente definidos en lugar de tener que interpolar el nivel de In entre las curvas. Debe mencionarse que la mejor determinaci6n suele hacerse al mantener el MIJ que se seleccion6 tan pequefio como fue posible. En las dos intersecciones de 18 y el eje vertical, pueden determinarse los dos niveles de Ie mediante el trazo de una linea horizontal sobre el eje vertical y leyendo los valores resultantes de Ie. La {3ae resultante para la region se puede determinar mediante

Mel

f3ae = --

LlI8 VCE'''''constante

3.2 rnA ~ 2.2 rnA [rnA

=--.-

30 f.LA 20 IOf.LA

100

La solucion anterior muestra que para una entrada de ae en la base, la corriente del colee tor sera de aproximadarnente 100 veces la magnitud de la corriente base.

Si determinamos la beta de de en el punto Q:

Ie 2,7 rnA

f3 ' = - = -- = 108

de 18 25 f.LA

3.6 Canfiguraci6n de emisar comun

143

Aunque los niveles de f3i.'" y de f3uc· no son exactamente iguales, se encuentran razonablemente cercanos y a menudo se pueden utilizar indistintamente. Es decir, si se conoce el nivel de f3ac, se supone que sera de la misma magnitud aproximada que f3dc, yvicevcrsa. Tenga en cuenta que dentro del misrno lore, el valor def3ac variar.i en alguna medida entre un transistor v el siguientc.aunque ambostenganel rnismo niimero de codigo.Es probable que la variacionno sea signiflcativa para la rnayona de las aplicaciones, por 10 que sera suficiente para validar cl enfoque aproxirnado anterior. Generalmente, mientras mas bajo sea el nivel de ICEO, seran mas cercanas entre sf las magnitudes de las dos betas, Debido a que In tendencia se dirigc hacia lograr nivelcs mas y nUls bajos de I CEO, Ia validez de la aproxirnacicn anterior se sustenta aun mas,

Si las caracterfsticas tuvieran la apariencia de aquellas que aparecen en la figura 3.18. el nivel de f3ac scrta el mismo para todas las regiones de las caractensticas. Observese que el incremento en Iff se encuentra fijo en 10 }.LA, y que el espacio vertical entre las curvas es cl mismo en cada punto de las caractensticas, es decir, 2 m A. EI calculo de f3ac en el punto Q indicado dara por resultado

Mel

.6.IB Y'Cfi""'CoT1stantc

9rnA 7mA 2 rnA

----.-- = _- = 200

45,uA - 35,uA [O,uA

Al determinar beta de dc en el mismo punto Q dan! por resultado

Ic 8 rnA

f3dc = - = ---.- = 200

Ia 40,uA

10 cual revela qLle si [as caracterfsticas cuentan con la apariencia de la figura 3. I 8, las magnitudes de f3ac y de f3dc serdn las mismas para cada punto de las caracteristicas. En particular, observe que lCEO = 0 }.LA.

A pesar de que un conjunto de caracterfsticas reales de un transistor nunca tendra la apariencia exacta de la figura 3.18, esta proporciona un conjunto de caracterfsticas para poder compararlas con las que se obtienen por rnedio.de un trazador de curvas (que se describira en breve),

9 f--- - - - - - - - - - - - - - - - tpunto Q 10 = 40 ~A

81-"------ .. _ .--------

7f------------------

: 18 = 30 ~A

61--------------~~--,--------~~~

sf- I
4 IB=20~A
I
3f- IB", !O ~A
2 I
le- i /B = 0 /A 'Jceo= 0 ~A)
I I
0 10 15 20 Va Figura 3.18 Caracrertsucas don de la /3" es la misma para cualquier lugar y donde /3" /3dc'

Para el analisis siguiente el submdice de de 0 de ac no se incluira con la f3 para evitar la confusion que se present a por las expresiones que tienen etiquetas innecesarias, Para las situaciones de dc simplemente se reconocera como f3dc> y para cualquier analisis en ac como f3a,' Si se especifica un valor de f3 para una configuracion particular de transistor, normalmente se utilizara tanto para los calculos de de como para los de ac.

144

Capitulo3 Transistores bipolares de union

Es posible establecer una relacion entre f3 y ex a traves del uso de las relaciones basicas presentadas hast a ahora. A[ utilizar f3 = Icils se tiene que I/J = Iclf3 y a partir de ex = lei IE sc tiene que Ir = I cia , AI sustituir en

IE Ie + III
Ie t, + Ic
tenemos
ex f3 y dividiendo ambos lados de fa ecuaci6n entre lc tendremos

1 +-

a {3

o

f3 = af3 + a

(f3 + I la

por 10 que

(3.l2b)

(3,]23)

o

Adernas, recordemos que

ICBO Icw = --t a

pero empleando la equivalencia de

1 --=f3+ I I-a

derivado de 10 anteriortenemos

IeEO = (f3 -+ i )ICBO

(3.13)

o

como se indica en la figura 3, 14a, Beta es un para metro particularmente importante porque proporciona un vinculo directo entre cJ nivel de corricnte del circuito de entrada y el de salida, para una configuraci6n de emisor cornun. Es decir,

(3.14)

y dado que

IE Ie + In = f3In + In

(3,15)

tenemos

Las dos ecuaciones que se muestran arriba desernpefian un papel muy importante para el analisis' que serealizara en el capitulo 4.

Polarizacion

La polarizacion adecuada de un amplificador de emisor cormin puede determinarse de rnanera similar a la que se presento para la configuracion de base cormin. Supongamos que se presenta un transistor npn como el que se muestra en la figura 3.19a y se debe aplicar la polaridad correcta para colocar al dispositivo en la region activa.

EI primer paso consiste en indicar la direcci6n de h segun 10 establece ia flecha en el simbolo del transistor, como se muestra en la figura 3. 19b, Despues, se introducen las otras corricn-

3,6 Configuraci6n de emisor cornun

145

.,

(h)

(e)

Figura 3.19 Detcrmin:«:i. n del polarizacion

una configur ClOD transistor npn de errusor cornun.

Figura 3.20 Simbolos y notacion utilizados can la configura. cion de colector comun: (a) transistor pnp; (b) transistor npn.

146

tes como se indica. tomando en cuenta la ley de la corriente de Kirchhoff: Ie + II! IE' Por ultimo. se introduccn las fuentes con las polaridades que proporcionaran las direcciones resultantes de lc Y de Ill. seg(in se mucstra en la figura 3.19c para completar el diagrama. Pucde aplicarse el rnisrno enfoque a los transistores pnp, Si el transistor cle la figura 3.19 fuera un transistor pnp se invertirfan todas las corrientes y polaridades cle la figura 3.19c.

3.7 CONFIGURACION

DE COLECTOR COMUN

La tercera y ultima configuracion de transistor es la configuracion de co/ector coll1lin, que se rnuestra enla figura 3.20,junto con las direcciones adecuadas de corriente y su notaci6n de voltaje. La configuracion de colector comun seutiliz« principalmente para propositos del acoplamiento de irnpedancias.iya-que cucnta con una alta impedancia de entrada y una baja impedancia de salida, de forma contraria a las irnpedancias de las configuraciones de base cormin y a las de emisor cormin.

E

.s.

Bo--':__-I

III Bo-~_::_--I

c

c

(a)

(b)


En It! figura 3.21 sc proporciona una configuracion de circuito de coke tor cornun, can la resistencia de carga conectada del ernisor a la tierra. Observe que el colector se encuentra ('0- nectado a la tierra aunque el transistor esta conectado de una manera similar a la configuraci6n de ernisor corrnin. Desde un punto de vista de disefio, no se requiere de un conjunto de caracterfsticas de colector cornun para scleccionar los parametres del circuito de lafigura 3.21. Puede discfiarse utilizando las caractertsticas de ernisor cormin de la seccion 3.6. Para propositos pnicticos, las caracterjsticas de salida para la configuraci6n de col ector comun. son las misrnas que para la configuracion de ernisor comun. Para la configuraci6n de colector cormin las caracteristicas de salida se grafican como h en funci6n de V CE para una rango de valorcs de lli. La corriente de entrada pOI' tanto, sera la misma para ambas caractertsticas, de ernisor cormin y de colector cornun. EI eje horizontal del voltaje para la configuracion de colector comun se obtiene con s610 carnbiar el signo del voltaje del eolector al ernisor de las caracrertsticas cle ernisor cormin. Por ultimo, existira un cambio casi imperceptible en la escala vertical de l c de las caracteristicas de emisor cornun si I c sc recmplaza por ftc: para las caracterfsticas de colector comiin (debido a que a "" I). Para el circuito de entrada de Ia configuracion de coleetor cornun. las caracteristicas basicas de emisor cormin son suficientes para obtener la informacion que se requiere.

3.8 LIMITES DE OPERA CION

Para cada transistor existe una regi6n de operaci6n sobre las caracteristicas, que asegurara que no se excedan los valores maximos y que la sefia! de salida presente una distorsion minima. Esta regi6n se definio para las caracterfsticas del transistor de la figura 3.22. Todos los lfmites de operaci6n se definen en una hoja de especificaciones tfpica que se describira en la seccion 3.9.

Algunos de los lfrnites de operacion se explican por sf solos, como la corriente maxima del eolector (a la que normal mente se denomina en la hoja de especificaciones como corriente continua del colector) y cl voltaje maximo del colector al emisor (que a menudo se abrevia como V CEO 0 V(BR)CEO en la hoja de especificaciones). Para el transistor de la figura 3.22, lema, sc especifico como 50 mA y VCEOcomo 20 V. La linea vertical sobre las caractensticas que se define como VeEs"t especifica el VCE minimo que puede aplicarse sin caer en la regi6n no lineal denominada como region de saturacion. EI nivel de V CESa! suck eneontrarse tfpicamente cercano a los 0.3 V que se espccifican para este transistor.

Ic(mA)

Region de saturacidn

VCE (V)

Region de corte

3.8 Ltmites de operacion

Figura J.l1 Configuracicn colcctor com un de imprdancias

Figura 3.22 Definicion de In region lineal de opcracion (sin distorsion) de un transistor.

147

EI nivel maximo de disipacion se define por la ecuacion siguiente:

(JI6)

Para el dispositivode la figura 3.22, la disipacion de potencia del coleetor se especifico en 300 m W. POI' 10 que surge la cuestion sobre como graficar la curva de disipacion de potencia del colector espccificada pOl' el hccho de que

300mW

o

300mW

En cualquier punto sobre las caracterfsticas, el producto de VCE pm Ic debe ser igual a 300 mW, Si seleccionamos que Ie tenga el valor maximo de SO mA y se sustituyc en la relacion anterior. se obtiene

300mW

VcE(50 mA) = 300 mW

V. == 300mW = 6V

CE 50 mA

Como resultado, tenemos que si I C '" SO mA, entonees V CE = 6 V sobre la curva de disipaci6n de potencia, como se indic6 en la figura 3.22. Si ahora seleccionamos que V CE tenga su valor maximo de 20 V, el nivel de Ic sera el siguiente:

. (20 V)/c = 300 mW 300mW

Ic = -WV = 15mA

10 que define un segundo punto sobre la curva de potencia.

Si ahora se elige un nivel de Ic en el rango medio tal como 25 mA, y resolvernos para el nivel resultante de V CE, se obtiene

300mW

y

300mW

25 mA = 12 V

como tambien sc indica en la figura 3.22.

Por 10 regular, se puede dibujar un estimado aproximado de la curva real utilizando los tres puntos que se definieron antes. Desde luego, mientras mas puntos se tengan, mas exacta sera la curva, sin embargo, casi siemprc 10 iinico que se necesita es un calculo aproximado,

La region de corte se define como la regi6n por debajo de Ic =ICEO' Esta region tarnbien debe evitarse si se busca que la serial de salida tenga una distorsion minima. En algunas hojas de especificaciones s610 se incluye ICBO' Entonces, se debera utilizar la ecuacion ICED = PICBO para darse una idea del nivel de corte si no se dispone de las curvas caracteristicas. La operaci6n en la region resultante de la figura 3.22 asegurara una distorsion minima de la serial de salida al igual que niveles de corriente y de voltaje que no daiiaran al dispositive.

En caso de que no se cuente con las curvas caracterfsticas, 0 que estas no aparezcan en la hoja de especificaciones (cosa que suele ocurrir), s610 habra que asegurarse que Ie·, V CE, Y su producto Valc caigan dentro del ran go que aparcce en la ecuaci6n (3.17).

148


~ lc ~ lc.; ~ VeE ~ VeE"".

Vc£lc ~ r.:

(3.17)

Para las caracterfsticasde base com un, la curva de potencianiaxima se define por el siguienie producto de las cantidades de salida:

(3.18)

3,9 ROJA DE ESPECIFICACIONES DE TRANSISTORES

Debido a que la hoja de especificaciones es el enlace de comunicaci6n entre et fubricante y el usuario, es particularmente importante que la informaci6n proporcionada se reconozca y se entienda con claridad. Aunque no hernos prcsentado todos los parametres, ahora nos familiarizarcmos con casi todos. Los parametres restantes se presentaran en los capftulos siguientes. Entonces, se hani referencia a esta hoja de especificaciones para revisal' la forma como se presenta el parametro.

La informacion que se proporciona en la figura 3.23 se tom6 directarnente de la publicacion Small-Signal Transistors, FETs, and Diodes (Transistores de pequefia serial, FETs y diodos) preparada por Motorola Inc. EI 2N4123 es un transistor npn de proposito general cuya identificacion de encapsulado y de terminales se muestran en la esquina superior derecha de la figura 3.23a. La mayorfa de las hojas de especificaciones se dividen en valores nominates nUlximos, caracteristicos termicas y caracteristicas electricas. Las caracteristicas electricas se dividen a su vez en caractensticas de "encendido", "apagado" y de pequefia sefial. Las caracteristicas de "encendido" y de "apagado" se refieren a los lfmites de de, en tanto que las de pcquefia sefial incIuyen los parametres importantes para la operaci6n en ae .

Observe en la lista de valores nominales maximos que VCErna,= Vc£O= 30 V con/cm", '= 200 mAo La disipacion maxima del colector pCm•x = Po = 625 mW. El factor de reducci6n de disipaci6n bajo el valor maximo especifica que el valor maximo debera disminuirse en 5 m W por cad a aumento de 1° de temperatura por arriba de los 25°C. En las caracterfsticas de "apagado" lcno se especifica como SO nA y en las caracterfsticas de "encendido" VCE", = 0.3 V. EI nivel de hr[! tiene un rango de entre SO y 150 en Ic = 2 mA y V CE = I V, Y un valor minimo de 25 para la corriente mas alta de SO mA al mismo voltaje.

Ahora que hemos definido los limitcs de operacion para el dispositivo, estes se repiten a continuacion en el forrnato de la ecuacion (3.17) utilizando hF/; = 150 (limite superior) e ICED:; PICBO = (150)(50 nA) = 7.5 ~A. Ciertamente, para rnuchas aplicaciones los 7.5 ~A = 0.0075 mA pueden considerarse como 0 mA sobre una base aproximada.

Limites de operacion

7.5 /LA ~ Ie ~ 200 rnA 0.3 V ~ VCE ~ 30 V Veelc ~ 650 mW

En las caractensticas de pequeria serial se proporciona el nivel de hie (Pac) junto con una grafica que muestra la forma como varia con la corriente del colector en lafigura 3.23f. En la figura 3.23j se demuestra el efecto de la temperatura y de la corriente del colector sobre el nivel de hFE (Pac)' A temperatura ambiente (25°C), observe que hFE (J3dc) tiene un valor maximo de 1 en el area cercana a 8 mA. Conforme Ic se incrementa por arriba de este nivel, hFE disminuye a la mitad del valor, con Ic igual a SO mAo Tambien puede caer a este nivel si lc disrninuye hasta el nivel bajo de 0.15 m A. Como se trata de una curva normalirada. si se tiene un transistor con Pdc = hFE = 50 a temperatura ambiente, el valor maximo para 8 mA sera SO. Cuando Ic = SO mA este habra cafdo a 5012 = 25. En otras palabras, la normalizacion rcvela que el ni-

3.9 Hoja de especificaciones de transistores

149

vel real de hfE a cualquier nivel de Ie se dividio entre el valor maximo de h n: a esa temperatura y con Ie 8 mAo Observe tarnbien que la escala horizontal de la figura 3.23j es una escala logantmica. Las escalas logarftrnicas se analizaran con todo detalle en el capitulo 11. Es probable que el lector; desee regresar a las graficas dcesta scccion wando se encuentre revisando las primeras secciones del capitulo II.

2N·HlJ

Unldad

2N4123

ENCAPSULADO 19-04, TIPO I TO·92 (TO·226AA)

30

Vdc

40

Voe

5.0

Vdc

3 Colector

2~ Base ~

1 Emisor

TRANSISTOR DE PROp6SITO GENERAL NPN SILICIO

V(BRJC'BO 30 Vdc
Y(nR)CnO 40 Vde
Vde C\RACTERisTlC AS DE PEQUEN 4 SENAL

fT 250 MHz
Cooo 4.0 pF
CI-", 8.0 pF
c, 4.0 pF
" .. "". / •. ...• 2IJ()
<.
hrc 2.5
50 200
NF 6.0 dB Prcducto ganancia en corricnrc- ancho de banda lie ee 10 m.Adc. VCI' = 20Vdc, f= 100 MHz)

Capacitancia de salida

(VeA = 5.0Vdc.l" = Il.f= 100 MHz)

Capacitancia de entrada

(VIII' = 0.5 vee. Ie = 0, f= 100 kllz)

Capacitancia co lector-base

(IE = 0, VCA = 5,0 V, f = I(XlkHz)

.

Gaaancia de. comente en alta frecuencia

(Ic iOmAde. VcE=20Vdc,f= IOOMH,) (le = 2.0 mAde, VCE = 10 V, f = 1.0 kl'Iz)

Factor de -ruido

(Ie = iOO p.Adc. VeE = 5,0 Vdc, Rs = 1.0 k ohm, f = 1.0 kl-lz)

(1) Pulse de prueba: Amplitud del pulse ~ JOO J.Ls. Cicio de trabajo ~ 2,0%,

(a)

Figura 3.23 Hoja de espccificaciones del transistor,

150


Antes de coneluir con csta descripcion de las caractensticas, observe cl hecho de que no se proporcionan las caracreristicas reales del colector. De hecho, casi todas las hojas de especificaciones que presentan la mayoria de los fabricantes no proporcionan las caractcrfsticas conk pletas. Se espera que los datos que se proporcionan sean suficientes para utilizar de manera efical, el. dispositivocnel proceso de diseno.

Como se observe en la introduccion de esta seccion. no todos los parametres que se incluyen en la hoja de cspccificacioncs se analizaron en las sccciones 0 capitulos anteriores. Sin embargo. la hoja de especificaciones que se proporciona en la figura 3.23 se rncncionara continuamente en los capuulos que sigucn, a medida que se presenten los pararnetros. La hoja de espccificaciones puede ser una herramienta muy valiosa para el disefio 0 para el modo de analisis y debera esforzarse 10 necesario para conocer In importancia de cada parametro, y la forma en que este puede variar ante el cambio en los niveles de corriente, temperatura y dernas.

Figura 1 .- Capacitancia

to

r t+

1'''"-- r--. Cpo t-J--J--
~
)
1'--
c.: I'· "
._ ... -t I - .. -
i -.
I ~" -
Ii ,
0.1 0.20.3 0.5 0.71.0 2.0 3,0 5.0 7.0 10 203040 7.0

~ 5.0

1.0

Voltaje de polarizacion inversa (V)

(b)

Figura 2 - Tiempos de conmutacion

Ic, Corriente del colcctor (mA)

(c)

CARACTERisTICAS DE AUDIO EN I'EQUENA SENAL FACTOR DE RUIDO

(VeE" 5 Vdc, 7A = 25'C) Ancho de banda = 1.0 Hz

~ 2:
2·
c 0
-o -e
'2 '1'
u o
'0 ~
is E
t ~
u:
w:: w::
~ :;0 I. Frecueneia (kHz)

(d)

Figura 3.23 Continuacion.

Figura 4 -- Resistencia de fuentc

14

/= kHz 1,-+ I i t- r-'-
I II I
I / I / I ... j- ,-
Ie = I I)A / 1-'"
J II I
. =0. rnA / II
I'" 1/ 1/ .-- Ii L~
;~ \ I 1/ lie" ?OtlA
1/'" L 1-- ,--
./ /' '-.(
"- 1/' Ie IOO)lA ---
.... _ .. _- - r--J--~ -_ ... ~-
.
0 I 12

to

6

4

2

0.1 0.2 0.4

1.0 2.0 4.0

10 20 40

100

Rs, Rcsistencia de fuente (Hi)

(e)

3.9 Hoja de especificaciones de transistores

151

PAR.(:\IETROS II

VeE = 10 V,.f= I kHz, T, = 25°C

Figura 5 -- Ganancia de cotriente

Figura 6~. Tolerancia de salida

300 L I
20D - I
jJ
~~ ~- r~ j-- m
100
70 ~:_

50 1---. II.
I
30 11 0.1

0.2

0.5

1.0

5.0

10

2.0

10 Corriente del colector (rnA)

Ie, Corricnte del colector (mA) (g)

(I)

Figura 7 - Impedancia de entrada

Figura 8 -Relacion de retroalimentaci6n de voltaje

10 Corriente del colcctor (mA) (h)

10 Corriente del colcctor (mA) 0)

CARACTERISTICAS ESTATICAS

Figura 9 Ganancia de corriente en DC

2.0

IIII TJ +125°C -n I VCE= I V
r-- j--- - I I
--
I+-- ~
:-- .1 -55°C I"" j--
r-- I _.... i- f"-
~ r-- '" l'
1-- -I--
~ r::
1\.,
'\~
"" h\
I U Q

E 1.0

S

c .~

'E.g 0.7 c 13 u:::: 0.5

.g §

.~,o g-S 0.3

"'. e

o 0.2

"' "-

'"

O.

0.1 0.2 0.3 0.5 0.7 1.0

2.0 3.0 5.0 7.0 10

Ie, Corriente del colector (mA)

20 30

50 70 100

200

U)

Figura 3.23 Continuaci6n.

152


3.10 VERIFICACION DE TRANSISTORES

De manera similar .como ocurre con los diodos.existen tres "caminos" que pueden tornarse para verificar un transistor: trazador de clirvas. medidor digital y ohtnetro,

Trazador de Curvas

El trazador de curvas de la figura 1.50 generara la imagen de la figura 3.24 una vel. que todos los controles se ajusten de rnanera adecuada. Las pantallas mas pequefias a la derecha indican la escala que sc aplica a las caractcnsticas. La scnsibilidad vertical es de 2 mA/div, In que da por resultado Ia escala que se mucstra a la izquierda de! monitor. La scnsibilidad horizontal es de I V /div, 10 que da par resultado Ia escala que se muestra debajo de las caracterfsticas. La funcion de incremento indica que las curvas estan separadas por una difereneia de 10 /LA, empezando en 0 /LA para la curva de In parte inferior. E! ultimo factor de escala que se proporciona se puede utilizar para dcterminar con rapidez Ia Pac para cualquier region de las caracterfsticas, S610 multiplique el factor mostrado por e! mimero de divisiones entre las curvas la en la region de interes. Por ejemplo, determinernos Pac para un punto Q con I C 7 mA Y V CE = 5 V. En esta region de la pantalla, la distancia entre las curvas Ie es de -& de una division como se indica en Ia figura 3.25. Al utilizar el factor especificado, se encuentra que

9 (200)

f3ac = - div -d' == 180

10 IV

20mA

I ... r'" . ~
I 80 ItA
i
f----. -~ -+=
I - i 70 ItA
'.
II _.~ I 60 /lA 1
V 50 I!.(:_
1-' 40l/lA
r '30 ItA
20 JlA
10 ~A
OIJlA Vertical par div. 2mA

18mA

16mA

Horizontal por div,

I V

14mA

12mA

lamA

Par incremento 10M

SmA

6mA

{3o grn por div, 200

4mA

2 mA

OmA

OV IV 2V 3V 4V 5V

6V 7V 8V 9V lOY

Ic= 8 mA /

/PuntoQ

(Ie = 7 m A, VCE= 5 V)

IB]=30fJ.'::

-.

Ie = 6 mA

3.10 Verificacion de transistores

Figura 3.lt Respuesia del trazador de curvas ~ al transistor "P" 2]\3904.

Figura 3.23 Determmacion de {3" para las caractertsticas del transistor de la figura 3.24 cuando Ie = 7 mA y V CE = 5 V

153

Figura 3.26 ""crificact( tran-

(Cortcsta de CcmputroTechnology. Inc.)

Figura 3.27 vcrificacicn de la union base-crnisor en pc.arizacion directa para un transistor /lpn.

Ralta

iE?t _

l2~. '.~."C

\-""")0.. .

B

E

Figura 3.28 vcrificacion de la union base-colector en polarizadon inversa para un transistor /lpn.

154

Al utilizar la ccuacion (3.11) se obtiene

!J.lc I

!J.ln·1 V" -- constanre

1.8 mA IOf-LA

180

10 que verifica la determinacion anterior.

Medidores digitales avanzados

En cl mercado se encuentran disponibles actualmente rnedidores digitales avanzados como el de la figura 3.26 que son capaces de proporcionar el nivel de h ni. mediante el uso de los conectores para las terminalcs que se encuentran en Ia parte inferior izquierda de la perilla selectora. Observe la opcion de pnp 0 npn y la disponibilidad de dos bornes para el ernisor, esto para rnanejar la sccuencia de terminales, scgun sea el encapsulado. EI nivel de hrt: se detcrmina a una corriente de colector de 2 rnA para el modelo Testrnate 175 A, que tarnbien aparece en la pantalla digital. Observese que este versatil instrumento tambien puede verificar un diodo, medir la capacitancia y la frecuencia ademas de las funciones norm ales de medicion de voltaje, corriente y resistcncia,

De hecho, el modo de verificaci6n de diode se puede usar para verificar las uniones p-n de un transistor. Con el colector abierto, la uni6n base-emisor debe dar por resultado un voltaje bajo de aproximadamcnte 0.7 V, con Ia punta de prueba roja (positivo) conectada a Ia base y Ia punta de prueba negra (negativo) conectada al ernisor. Una inversi6n de las terrninalcs debe dar por resultado una indicaci6n OL que representa la union en polarizaci6n inversa, De forma similar; con el emisorabierto, es posible verificar Ioscstadosdcpolarizaciondirccta e inversa de

Iauni6n base-colector.· , .

Ohmetro

Es posible utilizar un 6hmetro 0 las escalas de resistencia de un DMM (multfmetro digial) para verificar el estado de un transistor. Recuerde que para un transistor en la regi6n act iva, la uni6n base-ernisor tiene polarizaci6n directa y la union base-colector tiene polarizaci6n inversa. Por tanto, en esencia, la uni6n con polarizaci6n directa debora registrar una resistencia rclativamente baja, mientras que Ia uni6n con polarizacion inversa debcra mostrar una resistencia mucho mayor. Para un transistor npn, la uni6n en polarizaci6n dirccta (polarizada por la Fuente interna en el modo de resistencia) de la base al ernisor debera verificarse como se indica en Ia figura 3.27, y dara por resultado una lectura que, por 10 regular, caera en el rango desde 100.!1 a unos cuantos kilohms. La uni6n con polarizacion inversa base-colec tor (nucvarnente polarizada de forma inversa por Ia fuente interna) debe verificarse segun se muestra en Ia figura 3.28 con una lectura que tipicamente excede los 100 k.!1. Para un transistor pnp las terminales se invierten para cada union, Es obvio que una resistencia grande 0 pequefia en ambas direcciones (invirtiendo las terminales) para cada union de. un transistor npn 0 pnp indicaraun dispositivodafiado.

Si ambas uniones de un transistor generan las lecturas esperadas, es posible tambien determinar el tipo de transistor con s610 observar la polaridad de las puntas de prueba cuando se aplican a Ia uni6n base-emisor, Si Ia punta de prueba positiva (+) se conecta a la base y la negativa (-) al emisor, una lectura de baja resistencia indicara un transistor npn. Una lectura de alta resistencia indicara un transistor pnp. Aunque tambien puede utilizarse un 6hrnetro para detcrminar las terrninales (base, colector y cmisor) de un transistor se sup one que est a confirmaci6n puede hacerse con s610 observar Ia orientaci6n de los contactos en el encapsulado.

Capitulo 3 Transistorcs bipolares de uni6n

3.11

ENCAPSULADO DE TRANSISTORES

E IDENTIFICACION DE TERMINALES

Dcspues de que se ha fabricadoel transistor utilizando una de las tecnicasquc se describcn en el capitulo 12, seunen las terminales, que corminrnente son de oro, aluminio 0 niquel, y toda la estructura se encapsula en un contenedor como el que se rnuestra en el figura 3.29. Los que prcsentan una manufactura de trabajo pes ado son dispositivos de alta potencia, en tanto que los otros cuyo encapsulado es pequefio (como sombrero alto) 0 cuyo cucrpo es de plastico son dispositivos de baja 0 mediana potencia.

(a)

(b)

(c)

Figura 3.29 Diversos tipos de transistores: (a) Cortesia de General Electric Company; (b) y (e) Cortesia de Motorola Inc.; (d) Cortesla de International Rectifier Corporation.

En 10 posible, el encapsulado del transistor contara con algrin tipo de marca para indicar que terminales se encuentran conectadas al emisor, colector y base de un transistor. Algunos de los metod os que se utilizan con mayor frecuencia se indican en la figura 3.30.

E

B

E

c

E B C

Figura 3.30 Identificacion de las terminales del transistor.

En la figura 3.31 aparece la construccion interna de un encapsulado TO-92 de Ia linea Fairchild. Observe el tarnafio tan pequefio del dispositive semiconductor real. Cuenta con pequefios alambres de oro para conectar las terminales, una estructura de cobre y un encapsulado de resina epoxica.

Es posible encapsular cuatro transistores pnp individuales de silicio en el encapsulado de lfnea doble de 14 terminales, que aparece en Ia figura 3.32a. Las conexiones internas de las terminales se muestran en la figura 3.32b. De la misma forma que como ocurre con el encapsulado de diodos en IC, la muesca en la superficie superior indica Ia terminal I y la 14.

3.11 Encapsulado de transistores e identificaci6n de terminales

(d)

c

155

Inyeccion de de moldeo

Figura 3.31 Construccion inlerna de un transistor Fairchild en un encapsulado TO-92 (Cortcsta de Fairchild Camera and Instrument Corporation.)

(0)

Encapsulado epox ico

Lengbetas de fijacion

(b)

(a)

(Vista superior)

c

C

B

E NC E

B

c

B

E

NC

E

B

C

NC Sin conexioc interna

(a)

(b)

Figura 3.32 Transistor pnp cuadruple de silicic tipo Q2T2905 de Texas Instruments: (a) aspecto; (b) conexiones de terminales, (Cortesta de Texas instruments Incorporated.)

3.12 RESUMEN

Conclusiones y conceptos importantes

I. Los dispositivos semiconductores poseen las siguientes ventajas sobre los tubos de vacfo:

Son (I) mas pequefios; (2) mas Iigeros; (3) mas resistentes, y (4) mas eflcientes. Ademas, (1) no requieren periodo de calentamiento; (2) no tienen requisitos de disipaci6n de calor, y (3) tienen menores voltajes de operacion.

2. Los transistores son dispositivos de tres terminales con tres capas de semiconductor, siendo 1a capa central mucho mas angosta que las otras dos. Las dos capas exteriores son de tipo n 0 tipo p con el material opuesto en la capa central.

156

Capitulo 3 Transistorcs bipolares de union

3. Una de las dos uniones p-n del transistor se encuentra en polarization directs mientras que la otra esta en polarizacion inversa.

4. La corricnte del emisor en dc es sicmpre lamayor corriente de un transistor mientras que la corriente de Ia base es siempre la mas pcquefia. La corricnte del ernisor siempre es la sum a de las otras dos.

5. La corriente del colector esta compuesta por dos componentes: el componente mayoritario y III corricnte minoritaria (tambien llamada corriente de Juga).

6. La flecha en el sfrnbolo del transistor define la direccion del flujo de la corriente convencional para la corriente del emisor y por tanto define la direccion de las otras corrientes del dispositive.

7. Un dispositive de tres terminales requiere dos conjuntos de caracterfsticas para definir de forma cornpleta sus caracterfsticas.

8. En la region activa de un transistor, la union base-emisor se encuentra en polarizaci6n directa mientras que la union colcctor-base se encuentra en polarizacion inversa.

9. En la region de corte las uniones base-ernisor y colector-base de un transistor se encuentran ambas en polarizacion inversa,

10. En la region de saturacion las unioncs base-emisor y colcctor-base se encuentran en polarizacion directa.

11. En promedio, como una primera aproximacion, el voltaje base-ernisor de un transistor en operacion puede suponerse de 0.7V.

12. El parametro alfa (a) relaciona a la corriente del emisor con la del colector y es aproximadamente uno.

13. La impedancia entre las terminales para una union en polarizacion directa siempre sera relativamente pequefia mientras que la irnpedancia entre las terminales de una union en polarizacion inversa es generalmente muy grande.

14. La flecha en el simbolo de un transistor npn apunta hacia fuera del dispositive (no apunta adelltro), mientras que la flecha apunta bacia el centro del sfmbolo para un transistor pnp (apunta dentro).

15. Para propositus de amplificacion lineal, el corte para la configuracion de emisor comun estara definido por I c = I CEO,

16. EI pararnetro ({3) proporciona una importante relaci6n entre las corrientes de la base y el col ector y general mente se encuentra entre 50 y 400.

17. La beta en de se define por la simple relacien entre las corrientes de de en un punto de operaci6n, mientras que la beta en ac es sensible a las caracterfsticas en la region de interes. Para la mayorfa de las aplicaciones, sin embargo, ambas se consideran equivalentos como una primera aproximacion.

18. Para asegurar que un transistor so encuentra operando dentro de su valor nominal del nivel de potencia maximo, solamente calcule el producto del volta]e colector-emisor con la corriente del colector, y cornparelo con el valor de la especificacion.

Ecuaciones

Ir Ie + Is

t; = + I eoo,;oo",,;o

VBE = 0.7 V Ie

adc = 4

aac = ~~el

£ Veil

3.12 Ri:Rstrldii.

157

f3ac = !::d c_ I /j.IB Vee

f3

(1=---

f3+1

Ie pi B

II: = (p + 1)1 B

3.13 ANAuSIS POR COMPUTADORA

PSpice para Windows

Ya que en este capitulo se han presentado las caractertsticas del transistor, pareee apropiado ahora analizar el procedimiento para obtener esas caracterfsticas por medio de PSpice para Windows. Los transistores se encuentran contenidos en la biblioteca EVAL.sld y comienzan bajo la letra Q. Esta biblioteca contiene dos transistores npn y dos pnp. EI hecho de que los niveles In definan varias curvas, requerira que se efecuie un barrido de los valores de In dentro de otro barrido de los voltajes colector-emisor (barrido an/dado). Esto fue innecesario para el caso de los diodos, ya que s610 se genera una curva.

Primeramcnte se establece la red de la figura3.33 empleando elrnismo procedimicnto definido en el capitulo 2. EI voltaje Vee deterrninara el barrido principal, mientrasque el voltaje VBB determinarael batridoanidndo. Para futura referencia, observe el tablero en la parte superior derecha de la barra de menu con el control de dcsplazarniento de la pantalla cuando se construya la red. Esta opcion le permite recuperar elementos que se hay an empleado antes. Por ejernplo, si se coloco un resistor hace algiin tiempo, solamente regrese a la barra de desplazamiento y desplacela hasta que el resistor R aparczca, haga elie una vel y el resistor apareccra en la pantalla.

Luego, seleccione el icono de preparaci6n del analisis (Analysis Setup) y habilite la opci6n DC Sweep (barrido en DC), posteriormente seleccione las opciones Voltage Source y Linear. Teclee en cl campo de nornbre (Name) el voltajc Vec con un valor inicial (Start Value) de 0 V Y un valor final (End Value) de 10 V. Utilice un incremento (Increment) de 0.01 V para asegurar una grafica continua y detallada. En esta ocasion en lugar de hacer elic en OK debernos seleccionar la opci6n de barrido anidado (Nested Sweep) y aparecera un cuadro de dialogo barrido ani dado en de (DC Nested Sweep) el cual nos solicitara que repitamos las opciones que recien capturamos pew ahora para el voltaje Vnn. Nuevamente se seleccionan las opciones de Voltage Source y Linear, pero ahora el nombre se inserta como V en- EI valor inicial (Start Value) sera de 2.7 V que corresponde con una corriente inicial 20 IJ.A como 10 determina

VBB

Figura 3.33 Red utillzada para obtener las caractertsticas del colector del transistor Q2N2222.

158


RIJ

El incremento sera de 2 V, que eorresponde COIl un cambio en la corricntc de base de 20 )LA entre los nivelesde lB' EI valor final sera de 10.7 V, el cual corresponde con una corriente de 100 pA Antes de abandoner el cuadro de dialogo. asegurese de habcr habilitado el barrido anidado. Despues haga die en OK seguido de cerrar la opcion de Analysis Setup, con 10 cual nos encontramos listos para cfecruar el analisis. En esta ocasion cjecutaremos autornaticamente Run Probe despues de efeetuar el analisis selcccionando la opcion Analysis-Probe Setup seguido por la opcion Automatically run Probe alter simulation. Despues de haber seleccionado OK y el icono de simulacion (Simulation icon) (recuerde que este es el que presenta fondo amarillo con dos formas de onda), se dcsplcgara de forma autornatica la pantalla OrCAD MicroSim Probe con la sirnulacion. En esta ocasion, debido a que Vee es el voltaje colector-emisor, no hay necesidad de etiquetar el voltaje en el col ector. De hecho, ya que este aparece como el eje horizontal de la respuesta de la sirnulacion, no se requiere modificar en 10 absolute la configuracion del eje x (X-Axis Settings) si idcntificamos que Vee es el voltaje colecror-emiSOl'. Para el eje vertical acudimos a Trace-Add para obtener el cuadro de dialogo de agregar trazos (Add Traces), donde selcccionamos IC(QI) y OK para obtener las caracteristicas del transistor. Desafortunadamente estas se extienden de -10 a +20 mA sobre el eje vertical, 10 eual puede corregirse scleccionando Plot y luego Y-Axis Settings para obtener el cuadro de dialogo con la configuracicn del eje y, donde sed. posible delinir el nuevo rango de 0 a 20 lilA con una escala lineal presionando User Defined (definido por el usuario), Seleccione OK nueva, mente y se presentaran las caracteristicas del FIgura 3.34.

OA ----------- --._ "--1- -_.

ov 2V

c !C{Ql)

v vee

Figura 3.34 Caractensticas del colector del transistor de la figura 3.33.

Utilizando el icono Allf' de In barra de mend, es posible insertar losdistintos niveles de//3 junto con las etiquetas V CE e I C para los ejes. Solamente haga elie en el icono y aparecera un cuadro de dialogo solicitando los textos. Ingrese el texto deseado y haga clic en OK para que se muestren en la pantalla, posteriormente podn\n colocarse en el lugar deseado,

Si lu beta de ac se determina en la parte media de la grafica, vera que su valor es cercano a 190, incluso si Bf en la lista de especificaciones es de 255.9. Nuevarnente, como en el caso del diodo, los dermis parametres de los elementos estrin ejerciendo un efecto notorio sobre la operaci6n total. Sin embargo, si volvemos a las especificaciones del diodo mediante la secuencia Edit-Model-Edit Instance Model (Text), borramos los parametres del dispositive excepto


I

[159

25nl\:i

20M'~ Ir------- ..... - ... ------------------------~·~,:'------------------------------------~

lSmAi

1~'1,~---- ~ __ ~ .::_=C. . • . • ~ . • • _

v vee

Figura 3.35 Caracteristicas ideales de colector del transistor de Ia figura 3.33_

Bf = 255.9 (no olvide cerrar los parentesis al final de la lista) y continuamos can OK y Simulation, se desplegara un nuevo conjunto de curvas. Si se ajusta el rango del eje y a 0-30 rnA ernpleando Y-Axis Settings tendremos las caractensticas mostradas en la figura 3.35.

Primeramente observe que todas las curvas son casi horizon tales, 10 cual indica que el elemento no cuenta con elementoresistivo alguno, Ademas, el espaciadosimilarentre las curvas revela que la beta es la mismaen todolugar (como 10 especifican las caracteristicas de nuestro nuevo dispositivo). Empleando unadiferencia de 5 m.Acntre dos curvas cualquiera y dividiendo por la diferencia en In de 20 fJ.-A, tendremos una beta de 250, la cual es esencialmente la misrna que la que se especifico para el dispositivo.

PROBLEMAS

§ 3.2 Construccion del transistor

1. i,Que nombres se aplican a los dos tipos de transistores BJT? Dibuje Ia construcci6n basica de cada uno e identifique los diversos portadores minoritarios y mayoritarios de cada uno. Dibuje el sfrnbolo grafico junto a cada uno. i.Se altera alguna informacion al cambiar de una base de silicio a una de germanio?

2. LCual es la diferencia mas importante entre un dispositive bipolar y uno unipolar?

§ 3.3 Operaci6n del transistor

3. i.Como se deben polarizar las dos uniones del transistor para una operacion de amplificacion correcta del transistor?

4. i,Cuiil es la fuente de la corriente de fuga en un transistor?

5. Dibuje una figura similar a la figura 3.3 para la union en polarizaci6n directa de un transistor npn.

Describa el movimiento resultante del portador,

6. Dibuje una figura similar ala figura 3.4 para la union conpolarizacion inversade un transistor npn.

Describa el movimiento resultante del portador.

7. Dibuje una figura similar a la figura 3.5 para el flujo de portadores mayoritarios y minoritarios de un transistor npn. Describa el movimiento resultante del portador.

8. LCuaI de las corrientes del transistor es siempre la mayor? ~Cual es siempre la menor? ~Cm\les dos corrientes son relativamente cercanas en magnitud?

9. Si la corriente del emisor de un transistor es de 8 mA e IB es 11100 de lc. determine los niveles de Ie e lB'

160


3.4 Configuraci6n de base cornun

10. Dibuje de memoria el simbolo de un transistor pnp y de uno npn Y Iuego inserte direccion del

flujo convencional de cada corriente.' .

11. Mediante las caracteristicas deIa figura 3.7, determine VBE cuando IE" 5 rnA y cuando Veil = 1, 10 ,/20 V. i.Es razonable suponer sobre una base aproximada que VCR ejerce s610'LlI) ligero efecto

sobre la re1aei6n entre V BE e IE?

12. (a) Determine la resistencia prornedio de ac para las caracterfsticas de la tigura 3. lOb. .

(b) Para las redes en donde la magnitud de los elementos resistivos es tipicaI~ente de magnitudes de kilohms, i.es valida la aproximacion de la figura 3.IOc [con base en los resultados del inci-

so (a)J?

13. (a) Mediante las caracteristicas de la figura 3.8, determine la corriente del colector resultante si IE

= 4.5 rnA y VCB = 4 V.

(b) Repita el incise (a) cuando IE = 4.5 mA y VeB 16 Y.

(e) i.C6mo afecto el cambio en VClI al nivel resultante de Ie? .

(d) Sobre una base aproximacla y COIl base en el resultado anterior, (.c6mo se encuentran relacionados entre sf lEe Ie?

14. (a) Mediante las caraeteristicas de la figura 3.7 y 3.8. determine Ie si Ves = 10 V Y VBE = 800 mY.

(b) Determine VB! si Ie = 5 mA y Vcs = 10 Y.

(e) Repita el inciso (b) mediante las caracterfsticas de la figura 3.lOb.

(d) Repita el incise (b) mediante las caracteristicas de la figura 3.IOc. .' .

(e) Compare los resultados de VHE de los incises (b), (e) y (d). i.Puede ignorarse la diferencia st se

presentan niveles de voltaje mayores a unos cuantos volts?

15. (a) Dado un "de de 0.998 determine Ie si IE = 4 mA, (b) Determine "de si lt: = 2.8 mA e In = 20 pA

(c) Encuentre le si In = 40 p.A Y "de es 0.98. ,

16. De memoria y 5610 de memoria, dibuje la configuraci6n de un ~ran:~stor ~JT con base. com.un (tanto para un pnp como un npn) e indique la polaridad de In polarizacion aplicada y las direcciones de

corriente resultantes,

§ 3.5 Acci6namplificadora del transistor

17. Calcule la ganancia de voltaje (Av= VdV;) para la red de la figura 3.12 si V; = 500 mV y R = 1 kn. (Los dennis valores del circuito permaneeen iguales.)

18. Calcule la ganancia de voltaje (Av '" VdV;) para la red de la figura 3.12 si la fuente tiene una resistencia interna de 100 fl en serie con V;.

§ 3.6 Configuraci6n de emisor comun

19. Defina ICBO e ICED' i,En que son diferentes? i,C6mo se relacionan? i,Normaimente son cercanos en magnitud?

20. Mediante las caracterfsticas de la figura 3.14:

(a) Encuentre el valor de Ie que corresponde con VBE = +750 mV con Vee = +5 V.

(b) Encuentre el valor de V CE Y de V BE que corresponden con Ie = 3 mA e I B = 30 p.A. . ,

* 21. (a) Para las caracteristicas de la figura 3.14, eneuentra la beta de de para un punto de operacion de

VeE = +8 V Y de lc= 2 mAo

(b) Encuentre el valor de" gue corresponde con este punto de operaci6n. (c) Encuentre el valor de ICED correspondiente con V CE' = +8 V.

(d) Caleule el valor aproxiinado de IeBoempleando el valor de beta.obtenido.cn el inciso (a). * 22. (a) Utilizandolus caracteristicas de la figura 3.14a, determine l ceo euando V ce= 10 V. (bjDetertnine /3dcCliaIido hJ= 10 p.A Y VCE'O lOY.

(c) Mediante la /3de determinada en el inciso (b), calcule lcso-

23. (a) Mediante las caracterfsticas de la figura 3.14a, determine /3dO cuando IB= 80 p.Ay VCE'O 5 Y.

(b) Repita el inciso (a) para In = 5 p.A Y Vcc'O 15 Y.

(c) Repita el ineiso (a) para In = 30 p.A Y VCE" 10 Y.

(d) Al revisar los resultados de los incises (a) al (e), i.el valor de /3de cambia de un pun to a otro sobre las caracterfsticas? i,Donde se encontraron los valores ~as altos? i.Es pO~l~le desarrollar conelusiones generales acerca del valor de /3dc sobre un conjunto de caractertsticas como las pro-

poreionadas en la figura 3.14a?

Problemas

161

24. (a) Mediante las caracterfsticas de la figura 3.14a, determine {3oe cuando fn 80 /-LA Y Vel' = 5 V. (b) Repiia el incise (a) cuando 18 5 /-LA Y VeE = 15 V.

(c) Repita el inciso (a)cuando Ie 30 /-LAy VCE= 10 V.

(d) Revise los resultados de los incisos (a) a! (e), i.el valor de {3accambia de un punto a otro sobre las ~aracterfsticas? i.D6nde se encontraron 10$ valores mas altos? i,Esposibie desarrollar (00- clusiones generales acerca del valor de {3oc sobre un conjunto de caracteristicas del colector (e) Los p'untos sel~ccionad~s en este ejercicio son los misrnos que los ernpleados en el problema

23. SI se realizo el problema 23, compare los valores de {3" y de {3de para cada puruo y comente sobre la tendencia en la magnitud de cada cantidad.

25. Mediante las caracteristicas de Ia figura 3.14a, determine {3dc cuando f8= 25 /-LA Y VeE= 10 V. Luego caleu!e "de Y el nivel resultante de IE' (Utilice el nivel de ledeterminado por Ir > (3dJB')

26. (a) Dado que "de = 0.987, determine el valor de (3uv correspondiente. (b) Dado que {3dc = 120, determine cl valor de a correspondiente.

(e) Dado que {3oe 180 e lc= 2.0 rnA, encuentre ft·e fB•

27. D~ memoria y solo de memoria, dibuje la configuracion de emisor cormin (para un npn y un pllp) e mserte el arreglo de polarizacion adecuado con las direcciones de corriente para lB. Ie e IE.

3.7 Configuraci6n de colector comun

28. Se aplica un voltaje de 2 V rrns (rnedidos de la base a tierra) al circuito de la figura 3.21. Asumiendo que el voltaje del emisor sigue de forma exacta al voltaje de base y que VbeCrms) = 0.1 V calcule el voltaje de amplificacion del circuito (Av = VolVj) Y la corriente del emisor cuando RE ~ I HI.

29. Para e! transistor que tiene las caracterfsticas de la figura 3.14, dibuje las caracterfsticas de entrada y de salida para Ia configuraci6n de colector cormin.

3.8 Limites de operacion

30. Determine la region de operacion para un transistor que tiene las caractensticas de la figura 3.14 si Icm;, = 7 rnA, VCEm•x = 17 V Y PCmfa = 40 mw.

31. Determine la region de operacion para un transistor que tiene las caracteristicas de Ia figura 3.8 si Icm,x"' 6 rnA, VCBm" = 15 V Y PCEm,x = 30 mW.

§ 3.9 Hojade especificaciones de transistores

32. En referencia a Ia figura 3.23, determine el rango de temperatura para el dispositive en grados Fahrenheit.

33.

Mediante la informacion proporcionada en Ia figura 3.23 con respecto a PI V· I Y

VCE"" dibujc los lfmites de operaci6n del dispositive. Jmax, com,\x' cmax

Basese en los datos de la figura 3.23. i.CuuI es el valor esperado de ICEO, utilizando el valor pro medio de {3dC?

i.C6mO se compara el rango de hu, (figura 3.23j, norrnalizada a partir de hf'F = 100) con el ranco

de hre (figura 3.23(f) para el rango de Ie de 0.1 a 10 rnA? ' <>

Mediante las caracterfsticas de Ia figura 3.23b, determine si la capacitancia de entrada de la configuracion de base cormin se i~crementa 0 disminuye con los crecientes niveles de potencial de polarizacion mversa, /,Puede ex ph car por que?

Mediante las caructerfsticas de la figura 3.23f, determine que tanto ha carnbiado el nivel de hre a partir de su valor de I rnA hasta el de lOrnA. Observe que la escala vertical es una escala Iogarftmi-

ca que puede requerir referenciar la secci6n 11.2. i.EI cambio es tal que deba ser tomado en cuenta para Ia situacion de disefio?

• 38. Medi~nte las caracterfsticas de la figura 3.23j, determine el nivel de {3ue cuando Ie = 10 rnA para los tres niveles de te~peratura que aparecen en la figura. i.Es significativo el carnbio para el rango de temperatura especificado", /,es un elernento que deba ser considerado en el proceso de disefio?

34.

35.

36.

*37.

3.10 Verificacion de transistores

39. (a) Mediante las caracterfsticas de lafigura 3.24, determine (3ac cuando Ic = 14 rnA yVu;= 3 V. (b) Determine {3uc cuando I C = I mA y V CE = 8 V.

(c) Determine (3oe cuando Ie = 14 rnA y VeE = 3 V.

(d) Determine {3de cuando I C = I rnA y V CE = 8 V.

(e) i.C6mo se compara el nivel de {3dc y de {3" en cada region?

(f) Para este conjunto de caracteristicas, i,es valida Ia aproximaci6n de {3de == {3ae?

"Observar: Los asteriscos indican problemas can mayor dificultad.

162


Polarizaci6n de de para BJTs

CAPiTULO

~ _'7!

4.1 INTRODUCCION

EI analisis 0 disefio de un amplificador a transistor requiere conocimiento tanto de la respuesta del sistema en dc como en ac, A menudo, se pi ens a que el transistor es un dispositivo mdgico que puede elevar el nive! de una sefial de ac de entrada sin la ayuda de una fuente de energfa extema. En realidad, el nivel de potencia de la salida de ac mejorado es resultado de una transferenda de energfa proveniente de las fuentes de de aplicadas. Por esta razon, el analisis.o disefio de cualquier amplificador electr6nico posee dos componentes: la porci6n de dc y la pardon de ac. Por fortuna, es posible aplicar el teorcma de superposicion por 10 que eI analisis de las condiciones de de puede efectuarse de forma completamente independiente de Ia respuesta de ac. Sin embargo, se debe tener en cuenta que durante la etapa de disefio 0 de sfntesis, la seleccion de los parametres para los niveles de dc requeridos afcctaran la respuesta de ac y viceversa,

EI nivel de operacion de de de un transistor escontroladopor diversos factores, que incluyen al ran go de posibles puntos de operacion sobre las caracieristicas del dispositivo. En Ia seecion 4.2 se especifica el rango para el caso del amplificador BJT. Una vez que se definieron los niveles de de tanto de la corriente como del voltaje, se debera construir una red que establezca el punto de operacion deseado; en este capitulo sc analizaran varias redes de este tipo. Cada disefio tarnbien deterrninara Ia estabilidad del sistema; -10 que representa la sensibilidad que tiene el sistema hacia las variaciones de temperatura- el cual es otro tema que se revisara en Ia parte final de este capitulo.

No obstante que en este capitulo se analiza una cierta variedad de redes, existe una similitud cormin entre el analisis de cada configuracion, esto debido a la recurrente utilizacion de las siguientes relaciones basicas para un transistor y que son muy importantes:

VBE = 0.7 V

IE=(f3+I)IB=Ic

De hecho, una vez que el analisis de las primeras redes se ha entendido claramente, el camino hacia la solucion de las redes subsecuentes se tornara mas evidente. En la mayorfa de los casos, la primera cantidad que debera determinarse es la corriente de base l». Una vez que esta se conoce, sera posible aplicar las relaciones de las ecuaciones 4.1 ala 4.3 para encontrar las cantidades de interes restantes. Las similitudes en el analisis seran inmediatamente obvias a medida que avancemos a traves de este capitulo. Las ecuaciones para IB son tan parecidas entre las distintas configuraciones que es posible derivar una ecuacion de otra, simplemente me-

(4.1)

(4.2)

(4.3)

163

80 )lA

Si no se empleara la polarizaci6n, cl dispositive inicialmente se encontraria cornpletamente apagado, dando por resultado un punto Q en A, es decir, corriente cero a traves del dispositivo (y voltaje cero a traves de el). Dcbido a que es n.ecesariopolanzar un dispositive de manera que pueda responder ante el range complete de senates de entrada, el punto .4, por 10 tanto, no es.col1veniente. Para eI punto B, si una selial se aplica al circuito, el dispositiv.o variara en corriente y en voltaje a partir del punto de operacion, con 10 que permitira al dispositive reaccionar ante (y posiblernente arnplificar) las excursiones, tanto positivas como ncgarivas de la serial de entrada. Si la sefial de entrada es scleccionada cuidadosamente, el volraje y la corriente del dispositive variaran pero no 10 suficiente como para llevar al dispositive al corte a a la saturadon, EI punto C permitira cierta variacion positiva y negativa de la serial de salida, sin embargo, el valor pico a pica estara limitado por la proximidad de V CE = 0 Vel C := 0 mA, Por otro lado, la operacion en el punto C provoca cierta preocupaci6n debido a las no Iinearidades que se introducen par el hecho de que el espacio entre las curvas de ! B cambia rapidamente en esta regi6n. En general, es preferible opcrar donde la ganancia del dispositive es practicamente constante (0 lineal), para de esta forma, asegurar que la amplificaci6n sobre la amplitud completa de la sefial de entrada sea la misma. EI punto B es una region con un espaciado mas lineal y por 10 tanto, con una operaci6n mas lineal, como se rnuestra en la figura 4.1. EI punto D establece el punto de operaci6n del dispositivo cerca del voltaje y nivel de potencia maximos. La arnplitud del voltaje de salida en Ia direcci6n posit iva se encuentra de esta fo:ma limitada si el voltaje maximo no debe excederse. POl' 10 tanto, el punto B parece ser el mejor punto de operaei6n en terminos de ganancia lineal y de mayor excursion posible de corriente y de voltaje. Esta es, generalmente. la condici6n deseada para los amplificadores de pequefia serial (capitulo 8), pero cste no es necesariamente el caso para los amplificadores de potencia, como los que seran considerados en el capitulo 15. En este analisis, nos concentraremos principal mente en polarizar el transistor para una operaci6n de amplificaci6n a pequeiia seiia I.

Existe otro factor de polarizacion muy irnportante que debe ser considerado. Una vez que se seleccion6 y se polariz6 el BJT en un punto de operacion, el efecto de la temperatura tambien se debe tomar en cuenta. La temperatura causa que los parametres del dispositivo como la ganancia de corriente (/3ac) del transistor y [acorriente de fuga (Icto) del mismo, se modifiquen.Mayores temperaturas provocan un incremento en las corrientes de fuga del dispositive con 10 que se modi fica la condici6n de operaci6n establecida par la red de polarizacion. La coilsecuencia de esto es que el disefio de la red debera proporcionar tambien un grado de estabilidad en temperatura de manera que los cambios de temperatura provoquen las rnenores modificaciones en el punto de operaci6n. La conservacion del punto de operacion puede espccificarse mediante un/actor de estabilidad, S, el cual indica el grad~ de .cambio en el punto de operaci6n debido a una variaci6n de temperatura. Es deseable un circuito altamente estable por 10 que la estabilidad de algunos circuitos basicos polar.izados serti com~arada. . .

Para que un BJT pueda polarizarse en su regi6n lineal 0 activa, deben cumplirse las siguien-

tes condiciones:

diante la eliminacion 0 adicion de uno 0 dos terrninos. El principal proposito de este capitulo es desarrollar un nivel de familiaridad con el transistor BJT que permita realizar un anal isis de dc de cualquier sistema que pucda emplear un arnplificador BJT.

4.2 PUNTQ DE OPERACION

EI termino polantncion que aparece en el titulo de este capitulo es un termino muy amplio que cornprende todo 10 relacionado con la aplicaci6n de voltajcs de de para establccer un nivel fijo de corricnte y voltaje, Para los arnplificadores a transistor, la corriente de de y el voltaje resultames establecen un punto de operacion sobre las caracterfsticas que define la regi6n que sera ernpleada para la amplificacion de la serial aplicada. Debido a que el punto de operaci6n es un punto fijo sobre las caracterfsticas, se le denornina tambien como punto de reposo (se abrevia como punto Q, de! ingles: quiescent point). Por definici6n, reposo significa quieto, estarico, inactive, En la figura 4.1 se rnuestra la caractcrfstica general de la salida de un dispositivo, en la que se indican cuatro puntos de operaci6n. EI circuito de polarizncion pucde disefiarse para establecer la operacion del dispositive en cualquiera de estos puntos 0 en otros dentro de la region activa. Los valores maximos se indican en las caracterfsticas de la figura 4.1 con una linea horizontal para la corriente maxima del coleetor fc"'h y con una linea vertical para el voltaje maximo del colector-emisor La restriccion de maxima potencia se define por la curva P Cm,. enla rnisma figura. En el extreme inferior de las escalas, se encuentra la region de corte, que se define por Is :s 0 f.1.A, Y la region de saturacion, definida por V CE :s V CE ..

EI dispositivo BJT puede encontrarse polarizado para operar fuera de estos lf~rtes maximos, sin embargo, el resultado de tal operaci6n serfa el recorte de la vida uti! del dispositivo, 0 bien la destruccion del mismo. Limitandonos a la region activa, es posible selcccionar varias areas 0 puntos de operaci6n diferentes. Frecuentemente el punto Q seleccionado, dependera del uso que se piense dar al circuito. Aun asf, es posible considerar algunas diferencias entre los distintos puntos de operacion que se muestran en la figura 4.1 con el objetivo de presentar algunas ideas b:isicas sobre el punto de operacion y, pOI' consiguiente, del circuito de polarizacion.

Ie (mA)

l. La union base-emisor debe estar en polarizacion directa (voltaje de la region p mas positivo), con un voltaje resultante en polarizacion directa entre 0.6 y 0.7 V.

2. La union base-col ector debe estar en polarizaci6n inversa (voltaje de la region It mas positivo), con el voltaje de polarizacion inversa dentro de los Iimites maximos del dispositive.

o 1 VC£sat

10

15

20

VCIi(V)

[Observe que para la polarizaci6n directa, eJ voltaje a traves de la uni6n p-n es p-positivo, mientras que para la polarizaci6n inversa es opuesto (inverso) con n-positivo, Este enfasis en la letra inicial debera de servir como un medio para ayudar a memorizar la polaridadnecesaria del voltaje].

La operaci6nen las regionesde corte, de saturaci6n y lineal de las caracteristicas del BJT se proporcionan a continuaci6n:

I. Operacion en region lineal:

Uni6n base-cmisor en polarizaci6n directa U ni6n base-colector en polarizaci6n inversa

2. Opera cion en region de corte:

Uni6n base-ernisor en polarizaci6n inversa Union base-colector en polarizaci6n inversa

'1 A> 1

Corte

Figura 4.1 Distintos puntas de operacion dentro de los limites de operacion de un transistor.

164

Capitulo 4 Polarizaci6n de de para BJTs

4.2 Punto de operaci6n

165

3. Operacion en region de saturacion:

Union base-emisor en polarizacion directa Uni6n base-colector en polarizacion directa

Mana colector-emisor

En la figura4.5 se presenta la seccion colector-emisor de la red, junto con la direccion de Ia rriente 1 C indicada y la polaridad resultante sobre Rc. La magnitud de la corriente del

se encuentra relacionada directamcnte con In mediante

4.3 CIRCUITO DEPQLARlZACION FIJA

El circuito de polarizacion fija de la figura 4.2, proporciona una introducci6n rclativamente directa y simple al analisis de la polarizacion en dc de los transistores. Incluso aunque la red utiliza una configuraci6n de transistor npn, las ecuaciones y los calculos aplican de igual forma para las configuraciones del transistor pnp cambiando simplemente todas las direccioncs de corriente y las polaridadcs de voltaje. Las direcciones de corriente de la figura 4.2 son direcciones reales, y los voltajes estan definidos por la notaci6n estandar de doble submdice. Para el analisis de de, la red puede aislarse de los niveles de ac indicados reemplazando los capacitores con equivalentes de circuito abierto. Ademas, 13 fuente de de voltaje Vee puede dividirse en dos fuentes (solamente para propositos de analisis), como se rnuestra en la Figura 4.3, para permitir una scparacion de los circuitos de entrada de los de salida; esto tambien reduce la conexi6n entre las dos, con Ia corriente de base Ie. La separaci6n es sin duda valida como se observa en la figura 4.3, donde V cc se encuentra conectada directamente a Re yaRe, justo como en la figura 4.2.

Es interesante observar que debido a que la corriente de base cs control ada por el nivel de Ril y que lc esta relacionada con In por la constante /3, la magnitud de lc no es una funcion de la resistencia Re. EI cambio de nivel de Re no afectara el nivel de Is 0 lc siernpre y cuando se permanezca en la region activa del dispositive. Sin embargo, como veremos, el nivel de Rc determinant la magnitud de VeE, el cual es un parametro importante,

Si aplicamos la ley de voltaje de Kirchhoff en direccion de las rnanecillas del reloj alrededar de la mall a cerrada indicada en la figura 4.5, tendremos 10 siguiente:

y

Vee 0

Vee

la cual establece en palabras que el voltaje a traves de la regi6n colector-emisor de un transistor en la configuraci6n de polarizaci6n fija es igual a la fuente de voltaje menos la cafda de voltaje en Re.

Como un breve repaso de la notaci6n de submdice sencillo y doble recuerde que

Vee

RIJ L

Sefial . IE

de ac de 0------) 1---+---<--1

entrada C, B +

Figura 4.4 Malia base-ernisor.

166

Adernas, ya que

Sefial f------o de ac de

Cz salida

donde V CE es el voltaje colector-emisor y: Ve Y VE son los voltajes del colector y del emisor a tierra respectivamente. Pero en este caso, dado que Ve= 0 V, tenemos

Figura 4.2 Circuito de polarizaci6n Iija.

Figura 4.3 Equivalente de de de la figura 4.2.

y como VB ::: 0 V, entonces

Polarizaclon direct a de base-emisor

(4.10)

Considere primeramente la malla del circuito base-emisor de la figura 4.4. AI escribir la ccuaci6n de voltaje de Kirchhoff, en direcci6n de las manecillas del reloj, obtenemos

Tenga en mente que los niveles de voltaje como V CE se determinan mediante la colocaci6n de la punta de prueba raja (positiva) del voltfrnetro en la terminal del colector, y la punta negra (negativa) en la terminal del emisor como se muestra en la figura 4.6. V c es el voltaje del colector a tierra y se mide como se muestra en la misma figura. En este caso, las dos lecturas seran identicas, pera en las redes que siguen, las dos pueden ser muy diferentes. Para la localizaci6n de fallas de las redes de transistores, es muy importante entender c1aramente la diferencia entre las dos mediciones.

Observe la polaridad de la caida de voltaje sobre Rn establecida por la direcci6n de 10 que se indica. Al resolver la ecuaci6n para la corriente IIJ el resultado es el siguiente:

(4.4)

La ecuaci6n 4.4 no es dificil de recordar si se toma en cuenta que la corriente de base es la corriente a traves de Rn. y de acuerdo con la ley de Ohm, esta corriente es igual al voltaje a traves de Ro divido entre la resistencia RB• EI voltaje a traves de Ril sera igual al voltaje aplicado en un extremo, menos la caida a traves de la union base-emisor (Vnd. Ademas, debido a que tanto el voltaje fuente Vee como el voltaje base-emisor VnE son constantes, la seleccion del resistor de la base Ro, establecera el nivel de la corriente de base para el punto de operaci6n.

) ~-{

)

(4.5)

figura 4.5 Malia errusor.

(4.6)

(4.7)

(4.8)

(4.9)

Figura 4.6 Mcdicion de V CE Y Vc,

E]EMPLO 4.1

Determine 10 siguiente para la configuraci6n de polarizaci6n fija de la figura 4.7. (a) lOa e ICQ'

(b) VeEQ.

(c) VB Y Ve· (d) Voc.

Capitulo 4 Polarizacirin de de para BJTs

4.3 Circuito de polarizaci6n Iija

167

Vee=+12V

lc

Ie

Q

'j Rc

2.2 kO

lc Cz

Salida +---It-( --de ac

+\ lO~F

VCE f3=50

I

IC~J! .;

REJ 240kO

_ C1

Entrad~ deae ~~--~--------~

lO~F

Figura 4.7 Circuito de de

--------------~

I VeE'vt VeE

polarizacion ejcmpl» 1

para e l

o

(h)

(a)

Soluci6n

Figura 4.8 Regiones de saturacion: (a) real: (b) aproximada

Vee VSf 12V - O.7V

Ino s, = - 240 kn = 47.08 p.A

Ico = {3IBQ = (50)(47.08 p..A) = 2.35 rnA

VCEQ = Vee IeRe

12 V - (2.35 mA)(2.2 kD) = 6.83 V

(a) Ecuaci6n (4.4):

Al aplicar los resultados al esquema de la red tendremos la configuracion de la figura 4.9.

Por tanto, y para el futuro, si existiera una nccesidad inmediata de conocer la corriente de colector maxima aproximada (nivel de saturacion) para un disefio particular, solamente se debe insertar un equivalente de corto circuito entre el colector y el emisor del transistor y calcular In corriente resultante del colector. En resumen, hay que establecer VeE = 0 V. Para la configuraci6n de polarizaci6n fija de la figura 4.10, se aplico el corto circuito, ocasionando que el voltaje a traves de Rc se convierta en el voltaje aplicado Vee. La corriente de saturaci6n resultante para In configuraci6n de polarizacion fija es

Ecuacion (4.5): (b) Ecuacion (4.6):

lIe""

.~

)' RCE =00

(v CE = 0 Y, Ie = lc )

sa

(c) VB =: VBE = 0.7 V V c = V CE = 6.83 V

(d) Al utilizar notacion de doble subindice tenemos

Vac = VB - Ve = 0.7 V - 6.83 V -6.13 V

Figura 4.9 Determinacion Ie"l"

(4.11)

r-------<r-<>V CC

el signa negativo revcla que la union se encuentra en polarizacion inversa, como debe ser para el caso de ampliflcacion lineal.

Saturacion del transistor

+

EI termino saturacion se aplica a cualquier sistema donde los niveles alcanzan los val ores rnaximos. Una esponja saturada es aquella que no puede absorber una gota mas de lfquido. Para el caso del transistor que opera en Ia regi6n de saturacion, la corriente es el valor maximo para el diseiio particular, Si se cambia el disefio, el nivel de saturacion correspondiente puede incrementar 0 disminuir. Desde luego, el nivel de saturacion mas alto 10 define la corriente maxima del colector y se presenta en la hoja de especificaciones,

Las condiciones de saturacion se evitan normalmente porque la union base-colector ya no se encucntra en polarizacion inversa y la sefial arnplificada de salida se distorsionara, En la figura 4.8a se describe un punto de operacion en la region de saturacion. Observe que se encuentra en una region donde las curvas caracterfsticas sc.unen y el voltaje colector-ernisor se encuentra.en 0 por debajo de V CE,,,,' Ademas, la corriente del colector es relativamente alta sobre las caractensticas,

Si aproximamos las curvas de la figura 4,8a con aquellas que aparecen en la figura 4,8b, se distingue de forma cvidente un metodo directo para deterrninar el nivel de saturacion, En la figura 4,8b, la corriente es relativamente alta, y el voltaje V CE se asume de cera volts, Al aplicar la ley de Ohm, la resistencia entre las terminales del colector y el emisor puede determinarse de la siguiente forma:

Figura 4,10 Determinacion de Ie,,, para la configuracion de polanzacion Iija.

Una vez que Ie", se conoce, tendremos una idea de la corriente del colector maxima posible para el disefio selcccionado y el nivel bajo cl cual debera permanecer si se espera una amplificacion lineal.

Determine el nivel de saturaci6n para la red de la figura 4.7,

EjEMPLO 4.2

Solucion

Vee 12 V

Ie = ~ = -- = 5.45 rnA

vu Re 2.2 kD.

168


169

4.3 Cireuito de polarizaci6n fija

EI diseno del ejernplo 4.1 dio por resultado Icc = 2.35 rnA, el cual se encuentra lejos del nivel de saturacion y cerca de la mitad del valor maximo para el diseno.

Analists por medio de Ia recta de carga

Hasta el mornento, el analisis se ha efectuado utilizando un nivclde f3 correspondicnte con el punto Q resultante. Ahora vercrnos la forma en que los parametres de la red dcfinen el rango posible de puntos Q y la forma en que se determina el punto Q actual. La red de la figura 4.11 a establece una ecuacion de salida que relaciona a las variables lc Y VCE de la siguiente forma:

(4.12)

Las caractensticas de salida del transistor tambien relacionan las mismas dos variables Ie Y VeE como se muestra en la figura 4.11 b.

Por 10 tanto, basicamente tenernos una ecuaci6n de red Y un conjunto de caracterfsticas que unlizan las misrnas variables. La soluci6n cormin de las dos sc presentara cuando las restricciones establecidas por cada una, se satisfacen de manera simultanea. En otras palabras, esto es similar a encontrar la soluci6n de dos ecuaciones simultaneas: una de ellas establecida por la red y la otra per las caractensticas del dispositive.

En la figura 4.11b se proporcionan las caracterfsticas del dispositivo de Ie en funcion de VCE• Ahora deberemos sobreponer la linea recta definida por la ecuaci6n 4.12 sobre las caracterfsticas. EI metodo mas directo para graficar la ecuacion 4.12 sobre las caracterfsticas de salida es utilizar el hccho de que una linea recta se encuentra definida por dos puntos. Si decidimos que Ie sea igual a 0 rnA enla ecuaci6n4.12, encontamos que

Y

(4.13)

que define un punto para la linea recta como se rnuestra en la figura 4.12.

(a)

Ie (rnA)
50 ~tA
40 ~.A
6 V
30 ~A
4
20~A
3 17
2 !O~A
.'
.f
VCE t IB=O ~tA
I I _L
t 10 15 VeE (V)
iCEO
(b) Figura 4.11

Analisis por medio de la recta de carga: (a) la red; (b) las caractertsticas del dispositive.

170


Recta de carga

o

Figura 4.12 Recta de carga en polarizacion Iija.

Si ahora seleccionomos V CE igual a 0 V, 10 que establece al eje vertical como la linea sobre la cual se definira el segundo punto, encontramos que Ie queda determinada por la siguiente ecuacion:

0= Vee - fcRc

e

(4.14)

de la forma en que aparece en la figura 4.12.

Al unir los dos puntos definidos por lasccuacioncsd.l J Y 4.14; es posible trazar la linea rectaestablecidapor la ecuacion 4,12. La linea resultante co la gnifica de la figura 4.12 se denomina recta de carga ya que esta definida por el resistor de carga Re. Al resolver para el nivel resultante de In, es posible establecer el punto Q real como se muestra en la figura 4.12.

Si el nivel de Ie se modifica al variar cl valor de R/J' entonces el punto Q se rnovcra hacia arriba 0 hacia abajo de la recta de carga como se rnuestra en la figura 4.13. Si Vee se manticne fijo Y Re cambia, la recta de carga se desplazara como se rnuestra enla figura 4.14. Si In se mantiene tija, el punto Q se moved como se aprecia en la misma figura. Si Rc se mantiene tija y Vec varia. la recta de carga sc desplazara como se muestra en la tigura 4.15.

Ie
Ie Vee
R;-
Vee
Re
Vee
R,
Vee
Rj Figura 4.l3

Movimiento del punta Q can niveles crecientes de rD'

~e 'tE

Figura 4.14 Electo del incremento en los niveles de Rc sabre la recta de carga y el punta Q.

4.3 Cireuito de polarizaci6u Iija

171

4.4 CIRCUITO DE POlARlZAOON ESTABlUZADO EN EMISOR

La red de polanzacion de de de la figura 4.17 conticne un resistor en el ernisor para mejorar el nivel de estabilidad de laconfiguracion en polarizucion fija. La mejora cn la estabilidad sera demostrada mediante un ejernplo numerico mils adclante en esta seccion, EI anal isis sc llevar.i a cabo examinando primcramentc la malla base-emisor y luego utilizarernos los resultados para investigar la mall a colector-emisor.

Vee

Figura 4.15 Efecto de los valores bajos de Vee sabre la recta de carga y el punta Q.

Figura 4.17 Circuito de 1'0- larizacion para BJT con resistor en emisor.

EJEMPLO 4.3

~

Vj 0-----1;1----+-----1

Ct

172

Dada la recta de carga de la FIgura 4.16 y el punto Q definido ell ella, determine los val ores de Veo Re y RB para la configuracion de polarizaci6n fija.

IC<mA)

10

15

20 VeE Figura 4.16 Ejemplo 4.3.

Soluci6n

De la FIgura 4.16,

y

v CE = Vee = 20 Vale == 0 rnA Vee

Ie = - a VeE = 0 V Re

Vee 20V

Re = I; == lOrnA == 2 kil

y

Malla hase-emisor

La malla base-emisor de la red de la figura 4.17puede volverse a dibujar como semuestra en lafigura 4, 18.AI utilizar laley de voltaje de Kirchhoff alredcdor dela malla indicada en el sen' tido de las manecillas del reloj el resultado sera la siguiente ecuaci6n:

(4.15)

Recuerdc del capitulo 3 que

Ie (f3 + I)IIJ

(4.16)

Al sustituir h en la ecuacion 4.15 tenemos

AI agrupar los terminos rcsulta 10 siguientc:

-Ie(RB + (f3 + I)Rd + Vee - VBE = 0 AI rnultiplicar por (-I) tenemos

IB(RB + (f3 + I)REl Vee + VeE = 0

IB(Re + (f3 + I )RE) Vee VnE

can

y al resolver para I B obtenemos

(4.17)

20 V 0.7 V

==772kil 25 {LA

Observe que la unica diferencia entre esta ecuacion para In y la obtenida para el caso de la configuraci6n en polarizaci6n fija es el terrnino ({3 + I)RE·

De la ecuaci6n 4.17 puede derivarse un resultado interesante si la ecuaci6n se utiliza para esquematizar una red en seric que resultaria en la misma ecuaci6n. Tal es el caso de la red en


4.4 Circuito de polarizacion estabilizado ell emisor

Vee

Figura 4.1B Malia bse·emisor.

173

Figura 4.21 Malia colcctorernisor.

174

Figura 4.20 Nivel de impedancia fef1ej3ciil de Rl_'

la Figura 4.19. Al resolver para la corriente IB tendrernos la misrna ecuacion obtenida anteriormente. Observe que adernas del voltaje base-cmisor VBE• el resistor RE se refleja de regreso al circuito base de entrada por un factor de ({3 + I). En otras palabras, el resistor del ernisor, que forma parte de la mall a colector-emisor, "aparece como" ({3 + 1) RE en la malla base-emisor. Dado que tfpicamcnte el valor de {3 es de 50 0 mas, el resistor del emisor aparenta ser mucho mayor en el circuito base. Por 10 tanto, en general, para la configuracion de la figura 4.20,

(4.18)

La ecuacion 4.18 resultara ser uti! en el analisis que sigue. De hecho, proporciona una forma bastante facil de recordar la ecuacion (4.17). A traves de la ley de Ohm, sabemos que la corriente a traves de un sistema es igual al voltaje del circuito dividido entre la resistencia del mismo. Para el circuito base-emisor, el voltaje neto es Vee - VBE. Los niveles de resistencia son RB mas RE reflejado por ({3 + I). El resultado es 1a ecuacion 4.17.

Vee

Malla colector-emisor

La mallacolector-emisor 5e vuelve adibujar enla figura 4.21. Despues de utilizar.la ley de voltaje de Kirchhoff, en el sentido de las rnanecillas del reloj, para la malla indicada tendrernos:

+IERE + VeE + fcRe - Vee:= 0 AI sustituir It "" Ie y agrupar los terminos obtenemos

VeE Vee + Ic(Re + R1J = 0

y

(4.19)

EI voltaje con subindice sencillo V E es el voltajc del emisor a tierra y se determina por Ve:= IeRe I

(4.20)

mientras que el voltaje del colector a tierra puede determinarse mediante VeE:= Ve - VE

y

(4.21)

o

(4.22)

EI voltaje en la base con respecto a tierra puede deterrninarse mediante

I VB = Vee - 18Rs I (4.23)

0 I Vn = VBe + VE I (4.24) Capitulo 4 Polarizaci6n de dc para BJTs

Para la red de polarizacicn en ernisor de la figura 4.22, determine: (a) lB'

(b) Ie. (e) VeE (d) v,

(e) Vi:

(I) VB' (g) VBC'

+20Y

430 kQ

Figura 4.19 Red derivada de ecuacicn

10 J1F Vi ----}I----+-----'!

Figura 4.22 Circuito de polartzacion estabilizado en ernisor del ejernplo 4.4.

Soluci6n

(a) Ecuacion (4.17):

Vee - VBE

IB = _--""::___C=-_

e, + (f3 + I)RE

19.3 V = 40.1 A

481 kD P.

430 kfl + (51)(1 kfl)

20 V 0.7 V

(b) t, := f3IB

== (50)(40.l/-LA) "" 2.01mA

(c) Ecuaci6n (4.19): VCE = Vee - Ic(Re + RE)

= 20 V (2.01 mA)(2 kfl + 1 k!l) = 20 V - 6.03 V

= 13.97 V

(d) Ve = Vee leRe

= 20 V (2.01 mA)(2 kfl) := 20 V 4.02 V

15.98 V

(e) VB:= Vc - Va

= 15.98 V 13.97 V

== 2.01 V

o VE I£RE""lcRE

= (2.01 mA)(1 kD) == 2.01 V

(f) VB == VBE+ VE

== 0.7 V + 2.01 V = 2.71 V

(g) Vse = VB - Vc

= 2.71 V - 15.98 V

== -13.27 V (con polarizacion inversa como se requiene)

4.4 Circuito de polarizaci6n estabilizado en emisor

E]EMPLO 4.4

175

Determine la corriente de saturacion de la red del ejemplo 4.4.

E]EMPLO 4.6

Estabilidad de polarizaci6n mejorada

La incorporucion del resistor del emisor para la polarizacion de de para el BJT, proporciona una mejora en la estabilidad. es decir, la corriente y el voltaje en polarizacion de perrnaneceran eercanes a losniveles establccidos par el cirrulto a pcsar de carnbios en las condiciones exteriores comola temperatura y la beta del transistor. Mientras se proporciona un analisis materuatico en la seccion 4.12, cs posible obtener un analisis comparative de la mejora como se dcmucstra en el ejernplo 4.5.

Solucion

I - ~-=.-=---c., - Rc + RE

20V

= --,,-~-"----

2kfl + I kfl

6.67mA

20V 3kfl

E)EMPLO 4.5

10 cual representa cerca de Ires veces el nivel de IeQ del ejemplo 4.4.

Vee

Figura 4.23 Determinacion de [CSal para el circuito de polarizacion estabilizada en ernisor.

176

Prepare una tabla y compare cl voltaje y las corrientes de polarizacion de los circuitos de las figuras 4.7 y 4.22 para el valor dado de [3 50 Y para el nuevo valor de [3 '" 100. Compare los cambios en lc Y VeE para el misrno incremento de [3.

Solucion

Analisis por medio de la recta de carga

El analisis por medio de la recta de carga de la red de polarizacion en ernisor es ligerarnente diferente del encontrado para el caso de III configuraci6n en polarizacion fija. EI nivel de IB como 10 deterrnina la eeuaci6n 4.17 define el nivel de IB sobre las caracterfsticas de la figura 4.24 (dcnotado como hJQ)'

Alutilizar los resultados calculados en el ejcmplo 4.1 y luego repctir para un valor de [3 ;;; 100 tendrernos 10 siguiente:

f3 I,,(}.LA) IdmA) V,,(V)
Ie
50 47.08 2.35 6.83
100 47.08 4.71 1.64
Vee
Re+ RE La corriente del colector del BJT cambia 100% debido al cambio de 100% en el valor de [3. IB se mantiene igual, y VeE disminuyo 76%.

Al utilizar los resultados calculados en el ejemplo 4.4 y luego repetirlos para un valor de [3 '" 100, tendremos 10 siguicnte:

f3 I,,(}.LA) Ic(mA) ViE (V) Figura 4.24 Recta de carga
50 40.1 2.01 0 Vee VeE para In eonfiguraei6n de polari-
13.97 zacion en emisor.
100 36.3 3.63 9. II La ecuacion de la malla colector-ernisor que define a la recta de carga es la siguiente:

VeE = Vcc /c(Re + RE)

Ahora, la corriente del colector del BJT se incremento 81 % debido al incremento del 100% en [3. Note que I/J disrninuyo, para ayudar a mantener el valor de I c, 0 al menos para reducir el carnbio global de Ie como consecuencia del cambio en [3. El cambio en VCE cay6 en cerca de 35%. La red de la figura 4.22 es por 10 tanto, mas estable que la de la figura 4.7 para elmismo cambio en [3.

Al seleccionar leO mA, tenemos

(4.26)

segun se obtuvo para la configuracion de polarizacion fija, Al seleccionar VeE'" 0 V tenemos

Nivel de saturaci6n

(4.27)

EI nivel de saturacion del colector 0 corriente maxima del colector, para un disefio de polarizacion en emisor puede deterrninarse al ntilizar el rnismo enfoque que se aplico' para la configuration de polarizacion fija: Aplicando un "corto circuito'' entre las terminales colector-emisor corno se muestra en la figura 4.23 y calcule lacorriente del colector como sc observa en lit figura 4.23:

como se muestra en la figura 4.24:Niveles diferentes de [nQ desplazaran.cornoes evidente,al punto Q hacia arriba 0 hacia abajo sobre la recta de carga.

(4.25)

4.5 POLARIZACION POR DIVISOR DE VOLTAJE

En las configuraciones de polarizacion previas, la corriente I cQ y el voltaje V CEQ de polarizacion eran funcion de la ganancia de corriente ([3) del transistor. Sin embargo, debido a que [3 es sensible a la temperatura, especial mente para el caso de los transistores de silicio, y a que el valor real de beta nonnalmente no se encuentra bien definido, seria muy descable desarrollar un cir-

La incorporaci6n del resistor del ernisor redujo el nivel de saturacion del col ector por debajo del que se obtuvo con una configuraci6n de polarizacion fija que utiliza el mismo resistor del colector.

Capitulo 4 Polartzacion de de para BJTs

4.5 Polarizacion pOl' divisor de voltaje

177

RTh: La fuente de voltaje se recmplaza por un cquivalcnte de corto circuito como se rnuestra en la figura 4.28.

(428)

ETh: La Fuente de voltajc Vce se reincorpora a la red y .se calcula el voltaje Thevenin de circuito abierto de la figura 4.29 como sigue:

Al aplicar la regla del divisor de voltaje:

(4.29)

Luego la red de Thevcnin se vuelve a dibujar como sc muestra en la figura 4.30, y se podrti dcterminar I EQ al aplicar primeramcnte la ley de voltaje de Kirchhoff en direcci6n de las manecillas de reloj para la malla que se indica:

ETh - leRTh - VEE - JERE 0= 0 AI sustituir hi = (f3+ 1 JIB Y resolver para III tencmos:

Figura 4.25 C:onfiguracion de polanzacion

per divisor volta]e.

Figura 4.26 Definicion del punta Q bajo la ccnliguracion de polarizacion de divisor de voltaje

(4.30)

cuito de polarizacion que sea menos depcndicnte, 0 de hecho, independicnte de la beta del transistor. La configuracion de polarizacion por divisor de voltaje de la figura 4.25 es una red que cumple con tales condiciones. Si esta se analiza sobre una base rigurosa, lasensibilidad a cambios en beta es rnuy pequefia, Si los pararnetros del circuito son seleccionados adecuadarnente, los niveles resultantes de ICQ y V CEQ llcgan a ser casi total mente independientes de beta. Recuerde de analisis anteriores que un punto Q se define pOI' un nivel fijo de ICQ y V CEQ como se muestra en la figura 4.26, EI nivel de 1l1Q se alterara con cambios en beta, pero el punto de operacion sobre las caracterfsticas definido por IcoY V CEQ puede permanecer fijo si se ernplean parametros apropiados.del circuito,

Como 5e indico antes, existen dos mctodos que puedcn aplicarsc para analizar la configuraei6n por division de voltaje. La raz6n para la eleccion de los nombres para esta configuracion sera obvia con el anal isis siguiente. EI prirnero que se dernostrara es el metodo exacto que pucde aplicarse en cualquier cont1guraci6n por division de voltaje. EI segundo se denomina metodo aproximado y puede aplicarse solarnente si sc satisfacen condiciones especfficas. EI metodo aproxirnado pennite un analisis mas directo que ahorra tiernpo y energfa. Adernas, es particularrnente uti! para la modalidad de dixcfio que se describira en una seeei6n posterior. En general, el enfoque aproximado puede aplicarse a la mayorfa de las situaciones por 10 que debora estudiarse con el mismo interes que el metodo exacto,

Aunque la ecuaci6n 4.30 inicialrnente parece diferente de aquellas que hernos elaborado antes, observe que nuevamente el numerador es Ia diferencia entre dos niveles de voltaje y que el denominador es la suma de la resistencia de base y el resistor del emisor reflejado por (f3 + 1),10 cualciertarnente es muy similar a la ecuacion 4.17.

Una vez que se conoce IB, las cantidades restantes de la red pueden encontrarse de la rnisrnaforma que la empleada para la configuracion con polarizaci6n en ernisor, Es decir,

(4.31)

lo cual es exactamente igual a la ecuaci6n 4.19. Las ecuaciones restantes para VB, Vc Y VB son tam bien las mismas que las obtenidas para la configuracion de polarizacion en emisor.

~~-o_ 1 .. 1 RTI;

":" "='

Figura 4.28 Dcttrmin~t(':l~)n de RT11>

F:~';

':'

Figura 4.29 Dcterminac ion de Erh.

Figura 4.30 lnsercion del circuuo cqulvalcnrc de Thcvenin.

Determine el voltaje de polarizacion de de V CE Y la corriente Ic para la configuracion por divisor de voltaje de la figura 4.31.

EjEMPLO 4.7

Soluci6n

Analisis exacto

La parte de la entrada en la red de la figura 4.25 puede vol verse a dibujar como se presenta en la figura 4.27 para el anal isis de de. La red equivalente de Thevenin para la red ala izquierda de la terminal de la base puede detcrminarse de la siguiente forma:

+22 V

. ,

Figura 4.27 Rcdibujo de la parte de entrada de la red de

Thevenin Ia figura 4,25.

Figura 4.31 Cireuito de bela estabilizada para cl ejemplo 4.7.

178

Capitulo 4 Polarization de de para BJTs

4.5 Polarizaci6n por divisor de voltaje

179

Ecuaci6n (4.28): RTh

RdlR2

(39 kO)(3.9 kn)

y R2 podran ser considerados elementos en serie. El volraje a traves de R2• que en realidad es el voltaje de base, puede determinarse mediante la regla del divisor de voltaje (de ahf el nombre de la configuracion). Esto es,

3.55 kH

39 kn + 3.9 k.n

(432)

Ecuacion (4.29):

ETh ""

RI + R,

(3.9 kO)(22 V)

-'- __ --'-__ = 2 V

39 kn + 3.9 kn

Debido a que R; (f3 + I )RE "" (3R£ la condicion que defmira SI el enfoque aproxima-

do puede aplicarse sera la siguiente:

Ecuacion (4.30)

(4.33)

RTh + (f3 + I)RE 2 V - 0.7 V

1.3 V

----

3.55 kn + 211.5 kn

En otras palabras, si f3 veces el valor de RE es al rnenos 10 veees el valor de Rlo es posible aplicar el enfoque aproximado con un alto grade de exactitud.

Una vez que VB se determin6, el nivel de VE puede scr calculado con

3.55 kfl + (141)(1.5 kfl) := 6.05 /LA

Ie = {3ln

= (140)(6.05 /LA)

(4.34)

y la corriente del ernisor se deterrnina a partir de

r..»: ~

(4.35)

= O.85mA

Ecuacion (4.31): VCE = Vcc - fc(Rc + RE)

= 22 V - (0.85 mA)(10 kfl + 1.5 kn)

= 22 V 9.78 V

= 12.22 V

e

(4.36)

El voltajecolector a emisor se determina par

VCE= Vee IcRe IERE

Analisis aproximado

La seccion de entrada de la configuracion por divisor de voltaje puede ser reprcsentada poria red de la figura 4.32. La resistencia R; es la resistencia equivalente entre la base y la tierra para el transistor can un resistor en el ernisor RIO' Recuerde que en la secci6n 4.4 (ecuacion 4.18) la resistencia reflejada entre la base y el emisor se define por R; = ({3 + 1) RE• Si R, cs mucho mayor que la resistencia R2, la corriente I/J sera mucho menor que 12 (la corriente siempre busca el camino con menor resistencia) e 12 sera aproximadamente igual a II. Si se acepta la aproximaci6n de que Iii es esencialmcnte cero amperes, comparada con 110/2, entonces II = 12 Y RI

pero dado que IE "" leo

(4.37)

Observe que en la secuencia de calculos desde la ecuacion 4.33 ala ecuaci6n 4.37, f3 no aparece y que In no fue calculada. El punto Q (segun se determin6 por ICQ y VCE) sera por 10 tanto independiente del valor de {3.

Repita el anal isis de la figura 4.31 utilizando ahora la tecnica de aproximacion, y compare las soluciones para IcQ y VaQ•

EJEMPLO 4.8

Soluci6n Probando:

+

(3RE 2: lOR2

(140)( 1.5 W) 2: 10(3.9 kn) 210kn2: 39 kn (satisfecha) R2Vee Vn=---

RI + R2

,

1 B -11-

-

Ecuacion (4.32):

R/ R/»Rz (/1 ;: 12)

Figura 4.32 Cireuito de polarizacion parcial para caleular el volta]e de base aproximado V/l.

(3.9 kn)(22 V) 39kn + 3.9W =2V

180

4.5 Polarizacion por divisor de voltaje

Capitulo 4 Polartzacion de de para BJTs

181

Observe que el nivcl de VB cs el misrno que el de RTh determinado en el ejernplo 4.7.

Esencialmente, por 10 tanto, la principal difcrencia entre las tccnicas exacta y aproximada cs el efecto de RTh en el caso del analisis exacto, el eual separa ETh y VB'

Ecuacion (4.34): VE = VB VeE

= 2 V - 0.7 V 1.3 V

AI tabular los resultados se obtiene:

(v)

f3

140 70

0.85

12.22 12.46

1.3 V

--_ = 0.867 rnA I.Skf1

Los resultados claramente muestran la insensibilidad relativa del circuito ante cambios en {3. Incluso cuando {3 se divide drasticamente a la mitad, de 140 a 70, los niveles de y VO:Q son escncialmente los mismos.

comparado con 0.85 rnA bajo anal isis exacto. Finalmente,

VCE" Vee - Ic{Rc + RE)

22 V - (0.867 mA)(IO kV + 1.5 kf!) 22 V - 9.97 V

12.03 V

Determine los niveles de IeQ Y VCEQ para la configuraci6n de divisor de voltaje de la figura 4.33 mediante las tecnicas exacta y aproxirnada y compare las soluciones, En este caso, las condiciones de la ecuacion 4.33 no scran satisfechas, sin embargo, los resultados revelar.in la diferencia en las soluciones si el criterio de la ecuacion 4.33 se ignora.

contra 12.22 V obtenido en el ejemplo 4.7.

Los resultados de ICQ y VC£Q son ciertamente muy cercanos, y considerando las variaciones reales en los val ores de los parametres. puede considerarse uno tan precise como el otro. Mientras mayor sea el nivel de R, comparado con Rz, mas cercana se encontrara la solucion aproxirnada a la ex acta. EI ejemplo 4.10 comparara las soluciones bajo un nivel muy por debajo de la condicion cstablecida por la ecuacion 4.33.

18 V

E]EMPLO 4.9

Repita el analisis exacto delcjemplo 4.7 si f3 sc reduce a 70 Y compare las soluciones para IcQY VCEQ'

Figura 4.33 Conliguracion de divisor de volia]e para cI ejcmpJo 4.10.

182

Soluci6n

Este ejemplo no presenta una comparacion entre los metodos cxacto y aproximaclo sino una prueba acerca de cuanto se rnovera el punto Q si el nivel de f3 se divide a la mitad. RTfz yEn, son los rnismos:

RTh = 3.55 kn,

ETh VilE

II] = -.--.----

RTh + (f3 + I)RE

2 V - 0.7 V

---- = --------

3.55 kf2 + (71)(1.5 kD)

= 11.81}LA

lcu = f31/J

= (70)( 11.81 }LA) == 0.83 rnA

VCEQ = Vcc - Ic(Rc + RE)

= 22 V - (0.83 mA)(lO kfl + 1.5 kD)

Soluci6n

1.3 V

Por analisis exacto

3.55 kH + 106.5 kH

Ecuacion (4.33): f3RE;:O: 10R2 (50)(1.2 kfl) ;:0: 10(22 kn)

60 kfl 'it 220 kf1 (no satisfeeha)

RTh = RdlR2 82 kf11122 ki1= 17.35 kn

R2Vec 22kf1(18V) =3.81V

ETh = R + R = 82 kD + 22 kD

I 2

3.81 V - 0.7 V = ~~ == 39.6 A

17.35 kil + 1)(1.2 kil) 78.55 kf1 }L

== 12.46 V

Capitulo 4 Polarizaclon de de para BJTs


183

{3JB == (50)(39.6/.LA)

y

(4.39)

1.98 rnA

Vee _ JdRc + R£)

18 V (l.98 rnl\)(5.6 kn + 1.2 kfl)

4.54 V

(4.40)

Por analivis aproximado

VB = ETh VE VB

3.81 V

VBl: 3.81 V _ O.7V = 3,1 I V

3.11 V

El nivcl de J B es. dcsde luego, detcrminado por una ecuacion diferente para las configuraciones de polarizacion por divisor de voltaje y de polarizacion en emisor.

1.2 kfl

2.59 rnA

Veto Vee IdRc + RE)

18 V (2.59 mA)(5.6 kn + 1.2 k(l) = 3.88 V

Mathcad

EI poder y la utilidad de Mathcad pueden dernostrarse ahora para el caso de la red del ejcmplo 4.7. Cuando se utiliza Mathcad, no hay necesidad de preocuparse sobre emil metodo (exacto 0 aproximado) debera de emplearse para la red de polarizaci6n por divisor de voltaje; ya que Mathcad siernprc proporcionara los resultados mas precis as posibles para los datos capturados.

Como se muestra en la figura 4.34. primero se capturan todos los parametres (variables) de la red, sin necesidad de incluir las unidades de medici6n. Aunque el listado aparece como el mostrado en la figura 4.34, en el alrnacenarniento (disco duro intemo 0 disco flexible) es posible modificar los parametres en cualquier momenta con una actualizacien inmediata de los resultados. Todas las ecuaciones luego se introducen en un orden que pcrmita utilizar los resultados para caleular la siguiente cantidad de interes. Esto es, las ecuaciones se deberan capturar de izquierda a derecha y hacia abajo de la pantalla, En este ejernplo, III se dctermina primero ya que sera utilizada para encontrar Ie en la siguiente lfnea.

Mediante Mathcad, los resultados obtenidos corresponden exactamente para el caso de III e IC y sonligeramente difercntes para VeE debido a que eI nivel de precision para IC que maneja Mathcad para la solucion es mayor. La grandiosa ventaja de mantener esta secuencia de calculos alrnacenada, es que puede ser recuperada en pantalla para cualquier red de divisor de voltaje, y que es posible obtener los resultados de forma nipida y precisa, cambiando simplernente las magnitudes de variables especfficas,

Tabulando los resultados tenernos:

lc" (rnA) (V)
Exarto 1.98 4.54
Aproximado 2.59 3.88 Los resultados revelan las diferencias entre las soluciones exacta y aproximada. lees casi 30% mayor con elaualisis aproximado, mientras que VeE es cerca de 10% menor. L~s resultados son notoriamente diferentes en magnitud, pero inclusoaunque {3R" es s610 eerca de tres veces mayor que R2, los' resultados son aun relativamente cercanos entre sf. En el futuro, sin embargo, nuestro analisis sent estipulado por la ecuacion 4.33 para asegurar una sirnilitud cercan a entre las soluciones exacta y aproximada.

Saturacion del transistor

Rl :=39.103

EI circuito de salida colecto-emisor para la configuracion del divisor de voltaje posce la misma apariencia que la del circuito de polarizacion en emisor analizado en la seccion 4.4. La ecuacion resultante para la corricnte de saturacion (donde Veli se hace cero volts en la grafica) es por tanto, la misrna que se obtuvo para la configuracion de polarizaci6n en ernisor, Esto es,

VCC :=22

beta := 140

VI3E :=0,7

RTh:=Rl'~ (Rl+R2)

(4,38)

IB :===E_T_h;:--_(_VB--:cEc-;) =:{RTh+ (belat-.I )·RE)

IB = 6045.10-6

IC:= beta·m

-4 IC = 8.463'10

Amilisis por medio de la recta de carga

Las similitudes con el circuito de salida de la configuracion de polarizacion en ernisor provocan las mismas intersecciones para la recta de carga de Ia conliguraci6n del divisor de voltaje. POl' 10 tanto, la recta de carga tendni la misma apariencia que la de la figura 4.24, con

VCE :=VCC-IC(RC+ RE)

VCE" 12.267

Figura 4.34 Verifiracion de los resultados del ejernplo 4.7 mediante Mathcad.

184

Capitulo 4 Polarizaci6n de de para lUI's


185

4.6 POLARlZACION DE DC CON RETROAUMENTACION DE VOLTAJE

Mana base-emisor

con In ausencia de R' de la configuraci6n de polarizacion fija, R' = R£ para la contiguracion de polarizacion en emisor (con (f3 + I) == f3), Y R' = Rc + RE para el arreglo de retroalirnentacion del colector, El voltaje V' es la diferencia entre losdos niveles de voltaje.

Ya que Ie = f3I s.

{3V'

Rs + f3R'

En general, mientras mas grande sea (3R' comparada con Rn, menor sera la sensibilidad de I cQ ante variaciones en 13 beta. Obviamente, si f3R' P R8 Y Rs + (3R' == (3R', entonces

{3V' V'

I - =-

Co - Rs + {3R' _ {3R' R'

La figura 4.36 muestra la malla base-ernisor para la configuracion de retroalirnentacion de voltajc. AI aplicar la ley de voltaje de Kirchhoff alrcdedor de esta malla en Ia direccion de las rnanecillas de reloj tenemos el siguiente resultado

Vee - IeRe IlJRS - V8E - hR[ = 0

Es po sible obtenerun rnejor nivel de estabilidad al introducir una trayectoria de retroalimentaei6n desde cl colector a Ia base. como semuestra en la figura 4,35. A pesar de que el puntoQ no es cornpletarnente independiente de Ia beta (incluso bajo condiciones de aproximacion), la sensibilidad ante cambios en la beta 0 a variaciones de temperatura es normalmente menor que la que se encuentra en las configuraciones de polarizacion fija 0 de polarizacion en emisor. EI analisis nuevamente se cfectuara comenzando por analizar la rnalla base-ernisor con los resultados aplicados Iuego a Ia malla colector-ernisor.

Figura 4.35 Circuito de polarizaci6n de de con retroalimentaci6n de volta]e.

e I cQ es independiente del valor de beta. Debido a que norrnalmente R' es mayor para la configuracion de retroalimentacion de voltaje que para la configuracion de polarizacion en emisor, la sensibilidad a variaciones de (3 cs menor. Desde Iuego, R' es igual a cero ohms para la configuracion de polarizacion fija y es por tanto muy sensible ante las variaciones en beta.

Mana colector-emisor

La malla colector-emisor para la red de la figura 4.35 se proporciona en la figura 4.37. AI aplicar la ley de voltaje de Kirchhoff alrededor de esta, en sentido de las manecillas de reloj, el resultado es

IERE + VeE + leRc - Vee 0

Dado que Ie = Ie y que IE = fe, tencrnos

fe(Re + RE) + VeE - Vee = 0

y

(4.42)

Figura 4.36 MalIa base-emisor para la red de la figura 4.35.

el cual es exactamente el obtenido para las configuraciones de polarizacicn en ernisor y de divisor de voltaje.

Figura 4.37 MalIa colcctor-emisor para la red de la figura 4.35.

Determine los niveles de reposo de leQ Y VeEQ para la red de la figura 4.38.

E]EMPLO 4.11

Es importante observar que la corricnte a traves de Rc no es Ie sino Ie (siendo Ie = Ie + IB), Sin embargo, los niveles de lee Ie exceden por mucho al nivel de I B por 10 que la aproximacion

Ie = Ie es normalrnente utilizada. Al sustituir I~, = Ie {3IB e IE = fe resultara

Vee - {3IaRe - laRa - VilE - (3IBRE := 0

Al agrupar los terminos tenemos

Vee - VBI' - f3IB(Rc + RE) - IBRa == 0 y al resolver para Is resulta

Soluci6n

Ecuaci6n (4.41):

Vec - VBE

I a == __ .;;.;c__-",=--_

R8 + f3(Re + RE)

10V-0.7V

250 kfl + (90)(4.7 kfl + 1.2 kfl)

9.3 V

9.3 V

(4.41)

------- - --_

250 kfl + 531 kn 781 kfl

11.91 J./,A

IcQ={3IB == (90){11.91 J./,A) = 1.07 rnA

VCEQ = Vee - fe(Re + RE)

10 V (1.07 mA)(4.7 kfl + 1.2 kfl)

lOY - 6.31 V

= 3.69 V

EI resultado es rnuy interesanteen cuanto a quesu formato es muy similar al de las ecuaciones paraIB obtenidas para configuraciones anteriores. Nuevamente elnumerador es la diferencia entre los niveles de voltaje disponibles, mientras que el denominador es igual a la resistencia de la base mas los resistores del colector y del ernisor reflejados por beta. En general, par tanto, la trayectoria de retroalimentacion da por resultado un reflejo de la resistencia Rc de regreso hacia el circuito de entrada, de la rnisma forma que el reflejo de RE•

En general, Ia ecuaci6n para Is ha tenido el siguiente forrnato:

V'

I ----B - R8 + {3R'

186

Capitulo 4 Polarizaclon de de para BJTs

lOY

Figura 4.38 Red del ejeruplo 4.11.

4.6 Polarizacton de de can retroalimentaci6n de voltaje

187

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