BAB I

Pedahuluan
Transistor merupakan komponen dasar untuk sistem penguat. Untuk bekerja sebagai
penguat, transistor harus berada di daerah kerja aktif. Hasil bagi antara sinyal output
dengan sinyal input inilah yang disebut faktor penguatan, yang sering diberi notasi A atau
C.Ada 3 macam konfigurasi dari rangkaian penguat transistor yaitu : Common-Base (CB),
Common-Emitter (CE) dan Common-Collector (CC). Konfigurasi yang paling banyak
dipakai sebagai penguat adalah Common-Emitter, karena mempunyai penguat arus (AI)
dan penguatan tegangan (AV) yang tinggi.Untuk menentukan penguatan teoritis-nya,
terlebih dahulu akan kita hitung resistansi input dan outputnya.

Penguat Common Emiter sering dirancang dengan sebuah resistor emitter (RE).
Resistor tersebut menghasilkan bentuk dari umpan balik negatif yang dapat digunakan
untuk menstabilkan titik operasi DC dan penguatan AC.

Penguat Common Collector juga disebut dengan pengikut emitter karena tegangan
sinyal keluaran pada emitter hamper sama dengan tegangan sinyal masukan pada basis.
Penguatan tegangan penguat ini selalu lebih kecil dari 1, tetapi mempunyai penguatan arus
yang tinggi dan biasanya digunakan untuk mencocokkan sumber dengan impedansi tinggi
ke beban yang impedansinya rendah. Penguat impedansi masukan besar dan impedansi
keluaran kecil.

Transistor adalah alat semikonduktor yang dipakai sebagai penguat, sebagai sirkuit
pemutus dan penyambung (switching), stabilisasi tegangan, modulasi sinyal atau sebagai
fungsi lainnya. Transistor dapat berfungsi semacam kran listrik, dimana berdasarkan arus
inputnya (BJT) atau tegangan inputnya (FET), memungkinkan pengaliran listrik yang
sangat akurat dari sirkuit sumber listriknya.

1
 BAB II

Pembahasan

Pengertian Transistor

Pada umumnya, transistor memiliki 3 terminal. Tegangan atau arus yang dipasang di satu
terminalnya mengatur arus yang lebih besar yang melalui 2 terminal lainnya. Transistor
adalah komponen yang sangat penting dalam dunia elektronik modern. Dalam rangkaian
analog, transistor digunakan dalam amplifier (penguat). Rangkaian analog melingkupi
pengeras suara, sumber listrik stabil, dan penguat sinyal radio. Dalam rangkaian-rangkaian
digital, transistor digunakan sebagai saklar berkecepatan tinggi. Beberapa transistor juga
dapat dirangkai sedemikian rupa sehingga berfungsi sebagai logic gate, memori, dan
komponen-komponen lainnya.

Cara Kerja Transistor

Dari banyak tipe-tipe transistor modern, pada awalnya ada dua tipe dasar transistor, bipolar
junction transistor (BJT atau transistor bipolar) dan field-effect transistor (FET), yang
masing-masing bekerja secara berbeda.

Transistor bipolar dinamakan demikian karena kanal konduksi utamanya menggunakan

dua polaritas pembawa muatan: elektron dan lubang, untuk membawa arus listrik. Dalam
BJT, arus listrik utama harus melewati satu daerah/lapisan pembatas dinamakan depletion
zone, dan ketebalan lapisan ini dapat diatur dengan kecepatan tinggi dengan tujuan untuk
mengatur aliran arus utama tersebut.

FET (juga dinamakan transistor unipolar) hanya menggunakan satu jenis pembawa muatan
(elektron atau hole, tergantung dari tipe FET). Dalam FET, arus listrik utama mengalir
dalam satu kanal konduksi sempit dengan depletion zone di kedua sisinya (dibandingkan
dengan transistor bipolar dimana daerah Basis memotong arah arus listrik utama). Dan
ketebalan dari daerah perbatasan ini dapat dirubah dengan perubahan tegangan yang
diberikan, untuk mengubah ketebalan kanal konduksi tersebut. Lihat artikel untuk masing-
masing tipe untuk penjelasan yang lebih lanjut.

2
Jenis-Jenis Transistor

PNP P-channel

N-
NPN
channel

BJT JFET

Simbol Transistor dari Berbagai Tipe

Secara umum, transistor dapat dibeda-bedakan berdasarkan banyak kategori:

• Materi semikonduktor: Germanium, Silikon, Gallium Arsenide

• Kemasan fisik: Through Hole Metal, Through Hole Plastic, Surface Mount, IC, dan
lain-lain
• Tipe: UJT, BJT, JFET, IGFET (MOSFET), IGBT, HBT, MISFET, VMOSFET,
MESFET, HEMT, SCR serta pengembangan dari transistor yaitu IC (Integrated
Circuit) dan lain-lain.
• Polaritas: NPN atau N-channel, PNP atau P-channel
• Maximum kapasitas daya: Low Power, Medium Power, High Power
• Maximum frekwensi kerja: Low, Medium, atau High Frequency, RF transistor,
Microwave, dan lain-lain
• Aplikasi: Amplifier, Saklar, General Purpose, Audio, Tegangan Tinggi, dan lain-
lain

1. BJT (Bipolar Juntion Transistor)

Penguat pada rangkaian elektronika komunikasi sering diklasifikasikan sebagai

penguat sinyal kecil. Pada penguat sinyal kecil, sinyal masukan dan sinyal keluarannya
cukup kecil/lemah sehingga karakteristik dari penguat ini bisa digambarkan secara linier.
BJT (bipolar Junction Transistor) mempunyai 2 karakteristik saat diberikan bias
atau arus, yaitu karakteristik input dan output. Karakteristik input adalah karakteristik dari
tegangan base dan emitter/ VBE sebagai fugsi arus base/ IB dengan VCE dalam keadaan
konstan.

3
 Sedangkan karakteristik output adalah karakteristik dengan tegangan VCE sebagai
fungsi arus kolektor (IC) dengan arus base/ Ib yang harus ditentukan untuk bermacam –
macam harga yang tetap.

Untuk memperkenalkan karakteristik dari transistor bipolar dipergunakan rangkaian

emitter bersama (common-emitter), yang mana kaki emitter dimiliki oleh gerbang input
dan gerbang output. Gerbang be (basis-emitter) adalah gerbang masukan (input port) dan
gerbang ce (collector-emitter) adalah gerbang keluaran (output port).

Jika kita berikan suatu tegangan tertentu pada gerbang be, maka akan mengalir

arus , yang mempunyai karakteristik seperti pada komponen dioda (karena memang
transistor bipolar bisa dianggap sebagai komponen yang mengandung dua dioda/ karena

dua pn-junction yang dimilikinya). yang mengalir sebagai fungsi dari tegangan
dikatakan sebagai karakteristik masukan dari transistor.
Rangkaian pengganti sebuah transistor bipolar:

Gambar. 2.1

Resistor mempunyai besar 10 ohm. r esistor ini menggambarkan kerugian dari

semikonduktor yang menyusun struktur kaki basis dari transistor

4
Resistor

dengan : Gain arus transistor basis ke kolektor

: Arus DC pembias pada kolektor

: Muatan elektron
k: Konstanta Boltzmann
T: Temperatur

Pada temperatur T = 290 K, Volt

Resistor adalah resistor kolektor ke emitter (besarnya sekitar 50kΩ)

Resistor adalah resistor kolektor ke basis (besarnya beberapa MΩ)

adalah transkonduktansi dari transistor

pada T = 290 K

Pada rangkaian elektronika sering kali sinyal yang diproses harus diperbesar level
dayanya sampai mencapai suatu besar tertentu. Untuk melakukan hal ini diperlukan
rangkaian penguat (amplifier) yang di dalamnya terdapat suatu komponen tertentu yang
mampu melakukan hal ini. Komponen itu dinamakan komponen aktif, contohnya transistor
bipolar, transistor efek medan (FET). Secara skematis proses penguatan digambarkan di
bawah ini

Gambar. 2.2

5
 Sinyal keluaran memiliki daya yang lebih besar dari sinyal masukan, sehingga
dikatakan adanya penguatan. Supaya hal ini mungkin terjadi, haruslah ada daya lain yang
masuk ke dalam rangkaian penguat ini, yang akan ‘mengangkat’ level daya sinyal keluaran
ke atas. Daya ini diambil dari sinyal DC yang digunakan untuk meletakkan titik kerja dari
transistor tersebut di titik yang optimal, sehingga terjadi penguatan ini.

A. Common Base

Penguat dengan basis bersama terlihat di samping ini, yang mana kaki basis
dipergunakan secara bersama oleh gerbang masukan dan keluaran.

Gambar. 2.3

Rangkaian pengganti dari gambar tersebut diperlihatkan di atas. Penguatan tegangan dari
rangkaian penguat basis bersama:

Rangkaian pengganti dari gambar tersebut diperlihatkan di atas. Penguatan tegangan dari
rangkaian penguat basis bersama:

dengan

Penguatan arus dari rangkaian penguat basis bersama

Impendasi masukan:

6
dan impedansi keluaran

Gambar. 2.4

Gambar. 2.5

Penguatan tegangan:

Penguatan arus:

7
Impedansi masukan:

Impedansi keluaran:

B. Common Emittor

Penguat Common Emitter sering dirancang dengan sebuah resistor emiter (RE)
seperti ditunjukkan dalam Gambar 1.5. Resistor tersebut menghasilkan bentuk dari umpan
balik negatif yang dapat digunakan untuk menstabilkan titik operasi DC dan penguatan
AC.

Gambar. 2. 7. Penguat Common Emitter dengan RE

(http://www.elka.brawijaya.ac.id/praktikum/analog/analog.php?page=1)

Karakteristik transfer tegangan dari rangkaian CE

vO = vCE = VCC – RCiC

vI = vBE < 0,5 V → transistor cutoff.

0 < vI < 0,5 V, iC kecil sekali, dan vO akan sama dengan tegangan catu VCC (segmen XY
pada kurva)
VCC −VCEsat
I Csat =
RC
• vI > 0,5 V → transistor mulai aktif, iC naik, vO turun.

8
 • Nilai awal vO tinggi, BJT bekerja pada mode aktif yang menyebabkan penurunan
yang tajam pada kurva karakteristik transfer tegangan (segmen YZ), Pada segmen
ini:

iC ≅ I S e v EB VT

= I S e vI VT

vO = VCC − RC I S e vI VT
Mode aktif berakhir ketika vO = vCE turun sampai 0,4 V di bawah tegangan base
(vBE atau vI) → CBJ ‘on’ dan transistor memasuki mode jenuh (lihat titik Z pada kurva).
Pada daerah jenuh kenaikan vBE menyebabkan vCE turun sedikit saja. vCE = VCEsat
berkisar antara 0,1 – 0,2 V. ICsat juga konstan pada harga:

VCC −VCEsat
I Csat =
RC

Pada daerah jenuh, BJT menunjukkan resistansi yang rendah, RCEsat antara
collector dan emitter. Jadi ada jalur yang mempunyai resistansi rendah antara collector dan
ground, sehingga dapat dianggap sebagai saklar tertutup. Sedangkan ketika BJT dalam
keadaan cut off, arus sangat kecil (idealnya nol), jadi beraksi seperti saklar terbuka,
memutus hubungan antara collector dan ground. Jadi keadaan saklar ditentukan oleh harga
tegangan kendali vBE.

C. Common Collector
Common collector adalah keadaan di mana kaki collector di pakai bersama. Pada
rangkaian Common Emittor ini sebenarnya prinsip kerjanya sama seperti pada rangkaian
Common Emitter, karena kedua kaki tersebut sama – sama mempunyai daerah yang luas
dan juga punya hole banyak (untuk P-N-P) ataupun elektron banyak (untuk N-P-N).

Ada dua jenis transistor yaitu Transistor Bipolar atau BJT (bipolar junction
transistor) dan Transistor unipolar seperti misalnya FET (field-effect transistor).
Dibandingkan dengan FET, BJT dapat memberikan penguatan yang jauh lebih besar dan
tanggapan frekuensi yang lebih baik. Pada BJT baik pembawa muatan mayoritas maupun
pembawa muatan minoritas mempunyai peranan yang sama pentingnya. Terdapat dua
jenis kontruksi dasar BJT, yaitu jenis n-p-n dan jenis p-n-p. Untuk jenis n-p-n, BJT terbuat
dari lapisan tipis semikonduktor tipe-p dengan tingkat doping yang relatif rendah, yang
diapit oleh dua lapisan semikonduktor tipe-n. Bagian di tengah disebut “basis” (base),
salah satu bagian tipe-n (biasanya mempunyai dimensi yang kecil) disebut “emitor”
(emitter) dan yang lainya sebagai “kolektor” (collector).
Pengoperasian transistor jenis n-p-n :

9
1. Sambungan emitor berpanjar maju, dengan efek dari tegangan panjar V EB terjadi
penurunan tegangan penghalang pada sambungan emitor dan memberi kesempatan
pada elektron melakukan injeksi ke basis dimana pada daerah ini miskin elektron
(minoritas).
2. Sambungan kolektor berpanjar mundur sebagai efek dari pemasangan tegangan
panjar V CB akan menaikkan potensial penghalang pada sambungan kolektor. Karena
daerah basis sangat tipis, hampir semua elektron yang terinjeksi pada basis tersapu ke
kolektor dimana mereka melakukan rekombinasi dengan lubang yang “disediakan”
dengan pemasangan baterai luar.
3. Sebagai hasilnya terjadi transfer arus dari rangkaian emitor ke rangkaian kolektor
yang besarnya hampir tidak tergantung pada tegangan kolektor-basis.
Dasar pengoperasian BJT, untuk kasus saat sambungan kolektor-basis berpanjar
mundur dan sambungan emitor-basis berpanjar maju. Arus emitor sebagai fungsi dari
tegangan emitor-basis untuk transistor n-p-n, dimana V T = 25 mV pada temperatur ruang.
Io berasal dari pembawa muatan hasil generasi termal, sehingga secara kuat
merupakan fungsi temperatur, dan harganya hampir berlipat dua untuk setiap kenaikan
10oC. Harga I0 sangat bervariasi dari satu transistor ke transistor yang lain walaupun untuk
tipe dan pabrik yang sama. Arus emiter berdifusi ke daerah basis dan menghasilkan arus
kolektor, dimana harganya lebih besar dari arus basis. Dimana β merupakan parameter
transistor terpenting kedua, dan disebut sebagai penguatan arus (current gain – sering
dinyatakan dengan simbul hfe atau hFE untuk kasus tertentu). Harga β sangat bervariasi
dari satu transistor ke transistor lain walaupun untuk tipe yang sama. Untuk transistor tipe
2N3055 (biasanya digunakan untuk arus besar), hFE untuk arus 4 A dapat berharga dari 20
– 70. Harga h FE mengalami perubahan terhadap harga arus kolektor, naik dari 32 pada 10
mA ke maksimum 62 pada arus 3A, dan selanjutnya jatuh ke harga 15 untuk arus 10A.
Untuk transistor tipe LM394C (biasa digunakan untuk arus rendah), hFE untuk arus 1 mA
berubah dari 225 ke harga lebih dari 500. Harga hFE dapat naik dari 390 pada arus 1 mA
ke harga 800 pada arus 10 mA Disebut konfigurasi basis bersama karena basis digunakan
untuk terminal masukan maupun keluaran. Karena sambungan emitor-basis seperti diode
berpanjar maju, maka karakteristik masukan rangkaian ini mirip dengan karakteristik
diode. Efek dari tegangan kolektor-basis vCB cukup kecil. Dengan vCB berharga positif
dan emitor hubung terbuka, iE = 0 volt dan bagian basis kolektor berpanjar mundur. (vCB
berharga negatif akan membuat sambungan kolektor-basis berpanjar maju dan akan
mengalir iC berharga negatif). Untuk iE=0, iC ≅ ICBO , karakteristik kolektor mirip
dengan karakteristik diode pada kuadran tiga. Untuk iE = - 5 mA, arus kolektor meningkat
sebesar - α iE = + 5 mA dan menampakkan bentuk kurva. Karena faktor α selalu
lebih kecil dari satu ( β/(β + 1)), maka secara praktis konfigurasi basis-bersama tidak baik
sebagai penguat arus. Konfigurasi emitor-bersama lebih sering digunakan sebagai penguat
arus. Sesuai dengan namanya emitor dipakai bersama sebagai terminal masukan maupun

10
keluaran. Arus input dalam konfigurasi ini adalah iB , dan arus emitor iE = -(iC + iB),
karenanya besarnya arus kolektor
(http://www.electroniclab.com/index.php?action=html&fid=48)

Rangkaian dasar penguat common-emitter terlihat pada gambar. 2.8.

– Tegangan masukan total vI (bias + sinyal) dipasang di antara base dan
emitter (ground)
– Tegangan keluaran total vO (bias + sinyal) diambil di antara collector dan
emitter (ground)
– Resistor RC mempunyai 2 fungsi:
• Untuk menentukan bias yang diinginkan pada collector
• Mengubah arus collector, iC, menjadi tegangan keluaran vOC atau
vO
– Tegangan catu VCC diperlukan untuk memberi bias pada BJT dan untuk
mencatu daya yang diperlukan untuk kerja penguat.

11
 BAB III
Penutup
1. Kesimpulan
• transistor mempunyai beberapa fungsi tergantung pada kondisi bias yang diberikan.
Seperti saaat bias berfungsi sebagai sakalar tertutup, sakalar terbuka, amplifier yang
baik maupun amplifier yang buruk.
• Transistor mempunyai beberapa konfigurasi yaitu common base, common
collector, dan common emitter, dimana common collector dan emitter punya
karakteristik yang sama.

2. saran
• Sebaiknya, gunakanlah transistor sesuai dengan kebutuhan, dan sesuaikanlah
karakteristik transistor pada kebutuhan anda masing - masing

12
 DAFTAR PUSTAKA

http://www.elka.brawijaya.ac.id/praktikum/analog/analog.php?page=1

http://www.electroniclab.com/index.php?action=html&fid=48

http://www.komputer-masyarakat.com/wiki/index.php/Main_Page

http://telecom.mercubuana.ac.id/mudrik/elka/_03PenguatSinyalKecil.htm

13