1

TUGAS MATA KULIAH

RANGKAIAN TERINTEGRITAS

Dosen Pengampu :
Ceri Ahendyarti, S.T., M.Eng.

Disusun oleh :
TITO ROBBY PARYOGO
NPM.3332170072

JURUSAN TEKNIK ELEKTRO

FAKULTAS TEKNIK
UNIVERSITAS SULTAN AGENG TIRTAYASA
2019
 2

DAFTAR ISI

TUGAS 1 …………………………………………………………… 3
TUGAS 2 …………………………………………………………… 10
 3

Nama : Tito Robby Paryogo

NPM : 3332170072
Matakuliah : Rangkaian Terintegritas
Dosen : Ceri Ahendyarti, S.T., M.Eng.
Keterangan : Tugas 1

Pendahuluan

Integrated circuit, terkadang disebut ASIC, IC, or hanya sebuah chip, adalah
serangkaian transistor yang diletakkan pada potongan kecil dan rata yang biasanya
terbuat dari silikon. IC sebenarnya adalah platform untuk transistor kecil yang
merupakan chip kecil yang dapat beroperasi lebih cepat daripada transistor besar kuno
yang digunakan pada generasi sebelumnya. Mereka juga jauh lebih tahan lama dan jauh
lebih murah untuk diproduksi yang memungkinkan mereka menjadi bagian dari banyak
perangkat elektronik yang berbeda. fabrikasi alat semikonduktor dan penemuan
eksperimen yang menunjukkan bahwa alat semikonduktor dapat melakukan fungsi
yang dilakukan oleh tabung vakum. Pengintegrasian transistor kecil yang banyak
jumlahnya ke dalam sebuah chip yang kecil merupakan peningkatan yang sangat besar
bagi perakitan tube-vakum sebesar-jari. Ukuran IC yang kecil, tepercaya, kecepatan
"switch", konsumsi listrik rendah, produksi massal, dan kemudahan dalam
menambahkan jumlahnya dengan cepat menyingkirkan tabung vakum. Munculnya
sirkuit terpadu merevolusi industri elektronik dan membuka jalan bagi perangkat
seperti ponsel, komputer, pemutar CD, televisi, dan banyak peralatan yang ditemukan
di sekitar rumah. Selain itu, penyebaran chip membantu membawa perangkat
elektronik canggih ke seluruh penjuru dunia [1].

Sejarah dan Perkembangan IC (Integrated Circuit)

Awal dari IC benar-benar dimulai dengan keterbatasan yang melekat pada tabung
vakum, perangkat besar yang mendahului transistor yang akhirnya mengarah ke
microchip. Tabung vakum berfungsi sebagai sirkuit elektronik, tetapi mereka
 4

membutuhkan pemanasan sebelum dapat beroperasi. Ditambah lagi, mereka cukup

rentan untuk dirusak atau dihancurkan bahkan oleh benturan kecil. Dengan
keterbatasan dalam pikiran, insinyur Jerman Werner Jacobi mengajukan paten pada
tahun 1949 untuk semikonduktor yang beroperasi mirip dengan sirkuit terintegrasi saat
ini. Jacobi membariskan lima transistor dan menggunakannya dalam pengaturan tiga
tahap pada amplifier. Hasil yang diakui Jacobi adalah kemampuan mengecilkan
perangkat seperti alat bantu dengar dan membuatnya lebih murah untuk diproduksi.
Terlepas dari penemuan Jacobi, tampaknya tidak ada minat segera. Pada tahun
1952 Geoffrey Dummer yang bekerja untuk Royal Radar Establishment sebagai bagian
dari Kementerian Pertahanan di Inggris mengusulkan ide yang sepenuhnya dipahami
pertama untuk sirkuit terpadu. Namun, meskipun memberikan ceramah tentang ide-
idenya, ia tidak pernah berhasil membangunnya. Pada bulan September 1957, Dummer
mempresentasikan model untuk menggambarkan kemungkinan teknik rangkaian padat
— flip-flop dalam bentuk blok padat bahan semikonduktor, yang diolah dengan tepat
dan dibentuk untuk membentuk empat transistor. Empat resistor diwakili oleh jembatan
silikon, dan resistor dan kapasitor lainnya diendapkan dalam bentuk film langsung ke
blok silikon dengan intervensi film isolasi. Namun gagasan Dummer tetap belum
terealisasi dan relatif tidak dikenal, karena militer inggris gagal memahami persyaratan
operasional untuk IC, dan perusahaan inggir tidak mau mengivestasikan uang mereka
sendiri. Fakta yang jelas adalah bahwa tidak ada yang mau mengambil risiko [2].
Dan Amerika lagi-lagi lebih cepat dan mengambil pertaruhan finansial. ketika
gagasan membuat wafer keramik kecil yang masing-masing berisi satu komponen
pertama kali diusulkan oleh Jack Kilby yang bekerja untuk Angkatan Darat AS. Idenya
mengarah ke Program Micromodule yang cukup menjanjikan. Namun, ketika proyek
untuk mengembangkan ide ini mulai mendapatkan daya tarik, Kilby terinspirasi untuk
membuat desain lain yang lebih maju yang menjadi IC yang kita kenal sekarang.
Prototipe Kilby adalah primitif menurut standar saat ini, tetapi itu berhasil dan idenya
benar-benar bertahan ketika ia meninggalkan tentara dan pergi bekerja untuk Texas
Instruments. Pada tanggal 12 September 1958, Kilby mendemonstrasikan IC yang
berfungsi pertama dan mengajukan paten pada tanggal 6 Februari 1959. Deskripsi
 5

Kilby tentang perangkat tersebut adalah hasil kerja dari rangkaian elektronik yang
benar-benar terintegrasi menyebabkan terciptanya istilah sirkuit terintegrasi.
Mungkin tidak mengherankan, pelanggan pertama untuk penemuan Kilby adalah
Angkatan Udara AS. Tidak lama kemudian banyak perangkat elektronik umum
dirancang dengan mempertimbangkan IC. Untuk bagiannya dalam menciptakan sirkuit
terintegrasi sejati pertama, Kilby memenangkan Hadiah Nobel pada tahun 2000.
Sembilan tahun kemudian, karyanya diberi label tonggak sejarah oleh IEEE.

a) Pengembangan dan Produksi

Meskipun Kilby's IC revolusioner, itu bukan tanpa masalah. Salah satu yang
paling meresahkan adalah IC atau chip-nya dibuat dari germanium. Sekitar enam bulan
setelah Kilby's IC pertama kali dipatenkan, Robert Noyce, yang bekerja di Fairchild
Semiconductor menyadari keterbatasan germanium dan membuat chip sendiri yang
dibuat dari silikon. Pada saat yang sama, Jay Last, yang memimpin tim pengembangan
di Fairchild Semiconductor, bekerja untuk memproduksi sirkuit terintegrasi planar
pertama. Alih-alih versi tunggal, itu akan menggunakan transistor dalam dua pasangan
sehingga mereka dapat beroperasi secara terpisah. Sebuah alur dibuat di antara
transistor sehingga mereka dapat beroperasi dengan baik. Meskipun ide revolusioner
Last dan kesuksesan prototipe, bos-bos di Fairchild tidak memahami atau mengenali
karyanya, jadi ia dilepaskan. Fairchild maju dan membuat chip IC untuk digunakan di
pesawat ruang angkasa Apollo yang menuju ke bulan. Program ini bersama dengan
menggunakan chip untuk satelit yang menyebarkan IC dari aplikasi militer ke pasar
komersial. Itu juga menurunkan harga IC secara drastis yang membuatnya sempurna
untuk digunakan di banyak perangkat elektronik.
Noyce, yang tinggal di Fairchild, menggunakan ide dari Kurt Lehovec, yang
bekerja di Sprague Electric, untuk membuat isolasi persimpangan p-n. Ini adalah
konsep baru yang berharga untuk IC karena memungkinkan transistor ditempatkan di
dalam untuk bekerja secara independen satu sama lain. Ini membuka kemungkinan
baru untuk chip dan itu tidak lama sebelum Fairchild Semiconductor mengembangkan
gerbang self-aligned yang merupakan apa yang semua chip komputer CMOS gunakan
 6

saat ini. Tahun 1960-an juga didominasi oleh banyak tuntutan hukum antara
perusahaan saingan yang telah mengembangkan versi microchip mereka sendiri ketika
sedang diperbaiki untuk berbagai jenis perangkat elektronik. Namun, itu akan menjadi
komputer yang melihat manfaat terbesar. Pada 1950-an, komputer adalah perangkat
besar yang nyaris tidak bisa menampung beberapa megabyte. Penggabungan chip
terintegrasi yang dikombinasikan dengan inovasi lain memungkinkan komputer
menyusut dalam ukuran saat mendapatkan dalam memori.
Saat ini, IC masih menjadi bagian penting dari berbagai jenis perangkat
elektronik. Itu diakui sebagai salah satu penemuan paling penting dari abad ke-20 dan
telah menyebabkan peningkatan Jack Kilby dan Robert Noyce untuk dianggap sebagai
penemu chip terintegrasi. Sementara Kirby adalah yang pertama, Noyce menambahkan
elemen yang tepat untuk membuat IC berfungsi dengan baik dan memberinya potensi
yang telah ditunjukkannya selama beberapa dekade.

Perkembangan Generasi dan Pengelompokkan.

Sirkuit terpadu pertama hanya berisi beberapa transistor. Disebut "Small-Scale

Integration" (SSI), mereka menggunakan sirkuit yang berisi penomoran transistor
dalam jumlah puluhan. Sirkuit SSI sangat penting untuk proyek kedirgantaraan awal,
dan sebaliknya. Baik program rudal Minuteman dan Apollo membutuhkan komputer
digital yang ringan untuk komputer penerbangan yang dipandu secara inersial;
komputer petunjuk Apollo memimpin dan memotivasi teknologi sirkuit terpadu,
sementara rudal Minuteman memaksanya untuk diproduksi secara massal.
Program-program ini membeli hampir semua sirkuit terintegrasi yang tersedia
dari tahun 1960 hingga 1963. (dan hampir sendirian memberikan permintaan yang
mendanai perbaikan produksi untuk mendapatkan biaya produksi dari $ 1.000 / sirkuit
(dalam dolar 1960) menjadi hanya $ 25 / sirkuit (pada tahun 1963 dolar) . Mereka mulai
muncul dalam produk konsumen pada pergantian dekade, sebuah aplikasi khas menjadi
pemroses suara antar-pembawa FM di penerima televisi). SSI adalah IC yang berskala
 7

kecil yaitu hanya terdiri dari beberapa Transistor didalamnya. Berikut gambar dari IC
SSI.

Gambar 1 IC SSI

Langkah selanjutnya dalam pengembangan sirkuit terintegrasi, diambil pada

akhir 1960-an, memperkenalkan perangkat yang berisi ratusan transistor pada setiap
chip, yang disebut "Medium-Scale Integration" (MSI). Mereka menarik secara
ekonomi karena walaupun biayanya sedikit lebih mahal untuk diproduksi daripada
perangkat SSI, mereka memungkinkan sistem yang lebih kompleks untuk diproduksi
menggunakan papan sirkuit yang lebih kecil, lebih sedikit pekerjaan perakitan (karena
komponen terpisah lebih sedikit), dan sejumlah keunggulan lainnya. MSI terdiri dari
ratusan Transistor dalam sebuah kemasan IC. IC ini lebih ekonomis dibandingkan
dengan IC SSI.

Gambar 2. IC MSI
 8

Pengembangan lebih lanjut, didorong oleh faktor ekonomi yang sama, mengarah
ke "Large-Scale Integration" (LSI) pada pertengahan 1970-an, dengan puluhan ribu
transistor-per-chip. Sirkuit LSI mulai diproduksi dalam jumlah besar sekitar tahun
1970, untuk memori utama komputer dan kalkulator saku.

Gambar 3. IC LSI

Langkah terakhir dalam proses pengembangan, dimulai pada 1980-an dan berlanjut,
adalah "Very Large-Scale Integration" (VLSI), dengan ratusan ribu transistor, dan
seterusnya (melewati beberapa juta pada tahap terakhir). Untuk pertama kalinya
menjadi mungkin untuk membuat CPU pada satu sirkuit terintegrasi, untuk membuat
mikroprosesor. Pada tahun 1986, chip Random Access Memory (RAM) pertama
megabit diperkenalkan, yang berisi lebih dari satu juta transistor. Chip mikroprosesor
yang diproduksi pada tahun 1994 berisi lebih dari tiga juta transistor.
Langkah ini sebagian besar dimungkinkan oleh kodifikasi "aturan desain" untuk
teknologi CMOS yang digunakan dalam chip VLSI, yang membuat produksi perangkat
kerja jauh lebih dari upaya sistematis.
 9

Gambar 4. IC VLSI

Untuk mencerminkan pertumbuhan kompleksitas yang lebih jauh, istilah ULSI yang
merupakan kepanjangan dari "Ultra-Large Scale Integration" diusulkan untuk chip
dengan kompleksitas lebih dari 1 juta transistor. Namun, tidak ada lompatan kualitatif
antara VLSI dan ULSI, maka biasanya dalam teks teknis istilah "VLSI" mencakup
ULSI juga, dan "ULSI" dicadangkan hanya untuk kasus-kasus ketika perlu untuk
menekankan kompleksitas chip, mis. dalam pemasaran [3].

Gambar 5. IC ULSI
 10

Nama : Tito Robby Paryogo

NPM : 3332170072
Matakuliah : Rangkaian Terintegritas
Dosen : Ceri Ahendyarti, S.T., M.Eng.
Keterangan : Tugas 2

FABRIKASI IC

Struktur IC sangat kompleks baik dari sisi topografi permukaan maupun

komposisi internalnya. Masing-masing elemen pada suatu piranti mempunyai
arsitektur tiga-dimensi yang harus dapat diproduksi secara sama untuk setiap
rangkaian. Masing-masing komponen merupakan struktur yang terdiri dari banyak
lapisan, masing-masing memiliki pola yang spesifik. Sebagian lapisan tertanam dalam
silikon dan sebagian lagi menumpuk di atasnya. Proses pabrikasi IC memerlukan
urutan kerja yang persis dan diperlukan desain rangkaian yang cermat. Pada saat ini,
sebuah IC dapat berisi jutaan komponen. Komponen-komponen tersebut sedemikian
kecilnya sehingga keseluruhan rangkaian hanya menempati luas area kurang dari 1
cm2.
Wafer kristal silikon sebagai bahan awal, berdiameter sekitar 10 cm sampai 30
cm sehingga pada permukaan wafer ini dapat dibuat puluhan sampai ratusan rangkaian
lengkap. Untuk produksi massal bahkan ratusan wafer dapat sekaligus digunakan
dalam suatu proses pabrikasi secara bersamaan. Serangkaian proses pengujian berbagai
langkah produksi harus dilakukan dengan cermat. Secara garis besar, proses pembuatan
silikon kristal wafer dapat dijelaskan sebagai berikut.
 11

Gambar 6. Silicon Manufacturing Process

Pada awalnya, silikon kristal wafer diproduksi sendiri oleh perusahaan pembuat
IC sampai dengan pembuatan circuit di atasnya. Tetapi saat ini hampir semua
perusahaan pembuat IC membeli silikon kristal wafer dari pihak ketiga (supplier).

Gambar 7. IC Manufacturing

Saat ini pabrik atau lab pembuat IC telah banyak berkembang, diantaranya
MOSIS yang berada di USA, TMC yang berada di Taiwan, TIMA berada di Perancis,
NEC di Jepang, Samsung di Korea, MIMOS ada di Malaysia, dan masih banyak yang
lainnya. Umumnya perusahaan-perusahaan tersebut mengawali proses dari Wafer
Fabrication, yaitu proses pembuatan circuit pada silikon kristal wafer yang masih utuh.
 12

Water Fabrication
A) Cleaning
Silikon wafer harus senantiasa bersih (tidak terkontaminasi partikel organik
maupun logam) dalam setiap tahapan proses Wafer Fabrication. Adapun yang paling
banyak digunakan adalah metode RCA Clean.

B) Oxidation
Salah satu alasan utama mengapa silikon paling banyak dipilih sebagai bahan
semi-konduktor adalah karena silikon menawarkan berbagai kemudahan, antara lain
kemudahan untuk membentuk lapisan insulator berkualitas tinggi di atas
permukaannya melalui proses oksidasi. Yaitu terjadinya reaksi kimia antara silikon
dengan oksigen atau uap air pada temperatur antara 1000oC - 1200oC sehingga
membentuk lapisan film Silicon Dioxide (SiO2) pada permukaan wafer. SiO2 bersifat
stabil pada temperatur tinggi dan merupakan salah satu bahan insulator terbaik.

Gambar 8. Silicon Oxidation

C) Photolithography
Photolithography merupakan proses utama pada Wafer Fabrication, dimana pola
mikroskopik yang telah didesain dipindahkan dari masker ke permukaan wafer dalam
bentuk rangkaian nyata. Diawali dengan memberikan lapisan photoresist (cairan kimia
yang bersifat photosensitive) pada permukaan wafer.
 13

Gambar 9. Photoresist Coating Process

Kemudian pada silikon wafer yang sudah dilapisi photoresist tersebut diletakkan
di atasnya masker/reticle berbentuk lempengan kaca transparan yang telah dipenuhi
pola circuit (die) yang sejenis yang akan dibuat, lalu dipaparkan terhadap sinar UV
sehingga lapisan photoresist pada permukaan wafer yang terekspos langsung sinar UV
akan mudah dikelupas dengan bantuan cairan kimia khusus. Maka pada permukaan
wafer akan terlihat pola circuit seperti pola pada masker/reticle.

Gambar 10. Photolithography Process

 14

D) Ion Implantation
Dalam proses pembuatan IC, tahapan ini merupakan tahapan yang memerlukan
pengontrolan khusus. Ion implantation ialah proses menanamkan atom impuritas (ion)
ke dalam silikon wafer yang tidak tertutup oleh lapisan photoresist dengan bantuan
tegangan listrik (untuk mengatur kedalaman penetrasi ion) dan arus listrik (untuk
mengatur jumlah ion) Atom impuritas itu sendiri berfungsi untuk mengubah sifat
kelistrikan dari silikon wafer.

Gambar 11. Ion Implantation.

Teknik ion implantation ini lebih banyak digunakan walaupun sebenarnya ada
teknik lain untuk menanamkan atom impuritas ke dalam silikon wafer yang disebut
dengan teknik Difussion, yaitu teknik untuk menanamkan atom (dopant) pada silikon
wafer agar terjadi perubahan sifat resistivity-nya dengan bantuan temperatur tinggi
antara 1000oC - 1200oC. Proses difussion ini mirip dengan proses merambatnya tinta
yang diteteskan pada gelas berisi air bening. Pada saat silikon wafer dikeluarkan dari
temperatur tinggi ke temperatur ruangan, maka atom yang merambat tersebut akan
berhenti merambat (berada di posisinya yang terakhir).

E) Etching
Di tahun-tahun awal berkembangnya teknologi IC, teknik etching yang dipakai
adalah Wet Etching yaitu dengan menggunakan cairan kimia yang mampu menyebar
 15

ke segala arah dengan sama rata (isotropic) untuk meluruhkan lapisan SiO2 pada
permukaan silikon wafer. Kelemahannya adalah bagian lapisan SiO2 yang berada tepat
di bawah lapisan photoresist juga sebagian ada yang ikut luruh, sehingga akan menjadi
masalah tersendiri jika jalur polanya sangat tipis.

Gambar 12. Isotropic Etching versus Linewidth

Seiring perkembangan teknologi IC yang kemudian menggunakan material lain

seperti Silicon Nitride (Si3N4) dan Polysilicon dimana pada kedua material ini tidak
bisa menggunakan teknik Wet Etching maka pada saat ini teknik Wet Etching tersebut
sudah ditinggalkan. Sebagai penggantinya dikenalkan teknik Dry Etching yang
menggunakan gas (flourine, chlorine dan bromine) yang memiliki efek Anisotropic
yaitu kemampuan untuk meluruhkan dengan kecepatan penetrasi yang tidak sama rata.

Gambar 13. Isotropic versus Anisotropic Etching

F) Chemical Vapor Deposition (CVD)

Pada tekanan rendah dan temperatur tertentu gas atau uap kimia akan bereaksi
terhadap lapisan film pada permukaan silikon wafer
 16

Gambar 14. CVD Process.

Gas Ammonia (NH3) dan Dichlorosilane (SiHCl2) akan bereaksi untuk

menghasilkan lapisan film Silicon Nitride (Si3N4) yang solid dengan ketebalan
beberapa micron atau beberapa nanometer saja. Sedangkan gas-gas sisa reaksi berupa
Hydrogen Chloride (HCl), Chlorine (CL2), Hydrogen (H2) dan Nitrogen (N2) akan
dipompa keluar dari reaktor.

G) Sputter Deposition
Walaupun secara umum proses CVD lebih unggul dari pada sputtering tetapi
tidak semua logam yang diperlukan dalam proses pabrikasi IC bisa terbentuk pada
permukaan silikon wafer. Proses sputtering memanfaatkan medan listrik untuk
mengambil ion Argon positif agar membentuk lapisan logam tipis (film) pada target
yang berada di permukaan silikon wafer.

Gambar 15. Sputter Process

 17

H) Chemical Mechanical Planarization (CMP)

CMP adalah kombinasi penggunaan metode kimia (untuk melunakkan terlebih
dahulu lapisan material yang akan dibuang) dan mekanik (penggosokkan dengan
polishing slurry) untuk membuang material-material yang tidak diperlukan pada
permukaan silikon wafer sehingga hanya material-material yang dibutuhkan saja
(sesuai desain) yang masih menempel pada permukaan wafer.

Gambar 16. Chemical Mechanical Planarization

Dari semua proses yang sudah dijelaskan di atas dan dikombinasikan dengan
proses lainnya yang jumlahnya sangat banyak, salah satunya adalah Metallization
(untuk menghubungkan semua komponen yang terkandung (resistor, kapasitor,
transistor dll) sehingga membentuk rangkaian IC yang sesuai dengan desain yang
sudah direncanakan), maka hasil akhirnya adalah sejumlah IC (die) yang masih
menyatu pada sebuah silikon wafer.

I) Wafer Test
Die-die yang dihasilkan pada proses Wafer Fabrication tidak 100% berfungsi
dengan baik. Untuk mengetahui die mana saja yang rusak, diperlukan pengetesan awal.
Setiap jenis die yang diproduksi memiliki alat pengetesan tersendiri yang disebut probe
card. Alat spesial ini dibuat khusus untuk setiap jenis die yang berbeda, tetapi
semuanya telah dilengkapi dengan jarum kecil yang dirancang sedemikian rupa supaya
pas dengan posisi bond pad pada die yang akan dites.
 18

Gambar 17. Simple Probe Card

Silikon wafer yang akan dites kemudian dijepit pada alat penjepit yang terdapat
pada Wafer Prober. Wafer Prober sepenuhnya dikendalikan oleh Tester, yaitu sistem
komputerisasi yang bisa diprogram secara otomatis untuk menggerakan Probe Card
guna melakukan pengetesan berbagai sifat kelistrikan pada setiap die yang terdapat
pada permukaan silikon wafer kemudian menandai setiap die yang tidak berfungsi
dengan baik (rusak).

Gambar 18. Wafer Test Set-Up.

J) Packaging
IC Silicon yang sudah berbentuk die perlu penanganan yang hati-hati karena
mudah pecah walaupun sudah diberi lapisan pelindung khusus. Selain itu, bond pad-
nya memiliki ukuran yang sangat kecil sehingga sangat sulit untuk dihubungkan
dengan komponen lainnya pada sebuah rangkaian aplikasi elektronika. Untuk
melindungi die tersebut dan untuk memudahkan penanganan serta penyambungan
dengan komponen elektronika lainnya, maka diperlukan pengemasan/packaging.
- Silikon wafer yang sudah dites diletakkan di atas blue tape yang dibentangkan pada
logam yang permukaannya rata dengan bagian belakang yang tidak memiliki
circuit menempel pada permukaan blue tape tersebut. Kemudian dilanjutkan
 19

dengan pemotongan silikon wafer menjadi potongan-potongan die dengan

menggunakan pisau khusus (bermata berlian) yang berkecepatan tinggi. Potongan-
potongan die akan tetap menempel pada permukaan blue tape.
- Potongan die yang bagus (telah lolos pengujian awal) dicabut dari blue tape dan
dipindahkan ke atas leadframe (komponen yang terbuat dari tembaga yang
berfungsi sebagai kaki-kaki pada IC) dan direkatkan dengan epoxy kemudian
dipanaskan agar epoxy mengeras dan die tidak terlepas dari leadframe. Proses
pencabutan dari blue tape dan pemindahan ke atas leadframe dilakukan oleh mesin
secara otomatis.
- Wirebonding, yaitu proses dimana kaki-kaki leadframe dihubungkan ke bond pad
yang terdapat pada die dengan menggunakan benang emas (gold wire). Pekerjaan
ini juga dilakukan oleh mesin secara otomatis.
- Molding, yaitu menutup leadframe dengan menggunakan compound yang dipress
pada temperatur dan tekanan udara tertentu sehingga die dan benang emas yang
semula terbuka akan tertutup oleh compound.
- Solder Platting, yaitu proses penyepuhan kaki-kaki IC dengan timah sehingga
kaki-kaki yang terbuat dari tembaga tersebut berwarna perak.
- Marking, yaitu proses pemberian label tipe IC , part number, nama perusahaan,
tanggal dan lain sebagainya untuk memudahkan identifikasi selanjutnya.

Gambar 19. Plastic Packaging Process

Teknik molding seperti yang diuraikan di atas, menyebabkan kemasan luar IC

lebih besar daripada ukuran die di dalamnya. Efeknya, sinyal frekuensi tinggi dari IC
 20

sedikit terganggu. Untuk menanggulangi kelemahan tersebut, saat ini telah

dikembangkan teknologi yang memungkinkan untuk memproduksi IC dengan ukuran
kemasan yang hampir sama besar dengan ukuran die di dalamnya. Teknik ini juga telah
berhasil memperbaiki kualitas sinyal frekuensi tingginya. Teknik tersebut diberi nama
Flip Chip. Pada teknik ini, terlebih dahulu dibuat bond pad yang merupakan pasangan
untuk connecting pad yang terdapat pada die yang akan dikemas. Kemudian pada bond
pad yang telah disiapkan tersebut diberi timah yang membentuk bola-bola kecil
(bump). Setelah semua bond pad terisi oleh bump, selanjutnya dipasangkan dengan
connecting pad pada die untuk kemudian dipanaskan sehingga keduanya menyatu oleh
timah yang meleleh.

K) Final Test
Selama proses packaging ada kemungkinan die mengalami kerusakan atau proses
packaging yang kurang sempurna. Pengujian akhir dilakukan terhadap semua IC yang
sudah selesai dikemas dengan tujuan agar IC yang mengalami kerusakan selama proses
packaging tidak ikut terkirim bersama-sama dengan IC yang bagus. Metode pengujian
akhir ini hampir sama dengan pengujian awal terhadap silikon wafer, bedanya IC yang
sudah jadi tidak memerlukan lagi Wafer Prober tetapi menggunakan Handler. Handler
juga sepenuhnya dikendalikan oleh Tester guna melakukan pengetesan berbagai sifat
kelistrikan pada setiap IC sekaligus memilah-milah kualitas dari masing-masing IC.

Gambar 20. Final Test System [4]

 21

DAFTAR PUSTAKA

[1] anysilicon, "The History of the Integrated Circuit," 27 March 2017. [Online].
Available: https://anysilicon.com/history-integrated-circuit/. [Accessed 02
February 2020].
[2] History-Computer.com, "Integrated Circuit," [Online]. Available: https://history-
computer.com/ModernComputer/Basis/IC.html. [Accessed 20 Februari 2020].
[3] New World Encyclopedia, "Integrated Circuit," [Online]. Available:
https://www.newworldencyclopedia.org/entry/Integrated_circuit. [Accessed 20
Februari 2020].
[4] "PROSES FABRIKASI IC," pp. 01-10.