NCN

www.nanohub.org  

ECE606:  Solid  State  Devices  

Lecture  39:  Reliability  of  MOSFET  
Muhammad  Ashraful  Alam  
alam@purdue.edu  

Alam    ECE-­‐606  S09   1

Outline  

1.  IntroducDon  

2.  NegaBve  Bias  Temp.  Instability  

3.  Gate  Dielectric  Breakdown  

4.  RadiaBon  Induced  Damage  

5.  Conclusion  

Alam    ECE-­‐606  S09   2

 Warranty,  product  recall  and  other  facts  of  life  

…  because  the  ICs      

In  this  course,  you     …    therefore  the  properBes  of  the  
operate  in  incredibly    
are  learning  to     MOSFET  keep  changing.    
harsh  condiBons,  
analyze/design   Eventually,  S/D    can  be  shorted,  the  
turning  on  and  off  
MOSFETs    that  go   gate  oxide  can  break,  etc  ….  
trillions  of  Bme  
in  an  IC  …  
during  its  lifeBme  ….  

Alam    ECE-­‐606  S09   3

SiO  and  SiH  Bonds  

Broken Si-H bonds

Negative Bias Temperature Instability (NBTI)
Hot carrier degradation (HCI)

Broken Si-O bonds

Gate dielectric Breakdown (TDDB)
Electrostatic Discharge (ESD)
Radiation induced Gate Rupture (RBD)

Alam    ECE-­‐606  S09   4

 NegaBve  Bias  Temperature  Instability  Defined  

4  
before  stress  
15  

%  degradaDon  
3  
ID  (mA)  

10   Spec.  
2  
aZer  stress  

Warranty  
1   5  

0  
 0                1                  2                  3                  4     101        103          105      107        109  
VD  (volts)   Stress  Time  (sec)  
Alam    ECE-­‐606  S09   5
NBTI  defined  …  

   n  ~  0.25    
   Ea  ~  0.5  eV  
   A  depends  on  Eox  

Alam    ECE-­‐606  S09   6

Diffusion  Distance  

t1<  t2  <  t3  

x  ~  (Dt)0.5  
x  
Alam    ECE-­‐606  S09   7
Si substrate NIT  with  H  diffusion  

Si H

Poly
H
Si H H
Si H HH
NH

Combining  these  two,  we  get    

Alam    ECE-­‐606  S09   8

SiO  Bonds  

Broken Si-H bonds

Negative Bias Temperature Instability (NBTI)
Hot carrier degradation (HCI)

Broken Si-O bonds

Gate dielectric Breakdown (TDDB)
Electrostatic Discharge (ESD)
Radiation induced Gate Rupture (RBD)

Alam    ECE-­‐606  S09   9

Outline  

1.  IntroducBon  

2.  NegaBve  Bias  Temp.  Instability  

3.  Gate  Dielectric  Breakdown  

4.  RadiaBon  Induced  Damage  

5.  Conclusion  

Alam    ECE-­‐606  S09   10

Time-­‐dependent  Bulk  Trap  

C/Cox  

Ideal  VT  
VG  
Actual  VT  

Alam    ECE-­‐606  S09   11

Dielectric  Breakdown  

6   VG1>VG2>VG3   VDD  
4  
2  
0  

ln(-­‐ln(1-­‐F))  
-­‐2  
Gate  Current  

Breakdown  
-­‐4  
-­‐6  
-­‐8  
-­‐10  
ln  (Bme)   -­‐2        0      2        4        6      8      10  
log(TBD)  

Alam    ECE-­‐606  S09   12

 Anode  Hole  InjecBon  for  Dielectric  Breakdown  

NBD   Je  -­‐  Electron  current  density    

k   Jea  Tp   a  -­‐  Impact  IonizaBon  Rate  
(probability  that  a  hole  will  be  created  
by  an  incoming  electron)  
Anode  
Tp  -­‐  Transmission  Rate  
h   (probability  that  the  hole  will  travel  
through  the  oxide  layer)  

OXIDE    k  -­‐  Trap  GeneraBon  Efficiency  

(probability  that  the  hole  will  create  a  
e   percolaBon  defect)  

Cathode   NBD  -­‐  Density  of  percolaBon            

defects  at  breakdown  
Alam    ECE-­‐606  S09   13
Anode  Hole  InjecBon  Theory  of  TDDB  

Jh=JeαTp  
Je  =  A  exp(-­‐B/E)  
α =  1-­‐2  
Tp  ~  const    
ln(TBD)  ~  1/R  ~  1/E    
B   A  

V~low  
Je  ~  f(E)  
A   <αTp>  ~    M  exp(DV)                
ln(TBD)  ~  1/R  ~  V    
B  

Alam    ECE-­‐606  S09   14  

 PercolaBon  Model  for  Dielectric  Breakdown  

M   Prob.  of  a  filled  column:  p  =  qM  

Prob.  of  filled  cell:  q=(ata/NM)  

Prob.  of  exactly  1  BD   6   VG1>VG2>VG3   VDD  

4  
P1=    NC1  [p  1]  [(1-­‐p)  (N-­‐1)  ]           2  
0  

ln(-­‐ln(1-­‐F))  
P1  =  (χ) exp(-χ)
-­‐2  
-­‐4  
with χ=(t/η)β and β=Mα
-­‐6  
-­‐8   100  /million  
F1  (χ)=  1  -­‐  Po (χ) -­‐10  
-­‐2        0      2        4        6      8      10  
ln  [  -­‐ln  (1-­‐F1)  ]~β ln  t   log(TBD)  
Alam    ECE-­‐606  S09   15
Outline  

1.  IntroducBon  

2.  NegaBve  Bias  Temp.  Instability  

3.  Gate  Dielectric  Breakdown  

4.  RadiaDon  Induced  Damage  

5.  Conclusion  

Alam    ECE-­‐606  S09   16

RadiaBon  Induced  Damage  

50  Mrad(Si)  8MeV  elec   177  MeV  Cl  ion  

Geant4  –  high  energy  parBcle  physics  based  toolkit  

Used  for  the  ionizaBon  and  energy  relaxaBon  (~10eV  –  keVs)  

Alam    ECE-­‐606  S09   17

RadiaBon  Induced  Charge  Buildup  

C/Cox  

Ideal  VT  
VG  
Actual  VT  

Alam    ECE-­‐606  S09   18

 Summary    

1)  Reliability  is  a  serious  concern  for  scaling  of  MOSFETs.    

2)  There  are  many  different  types  of  degradaBon  
mechanisms  that  needs  careful  modeling  to  predict  the  
lifeBme  of  a  MOSFETs.  
3)  At  present,  NBTI  in  PMOS  transistors  is  the  most  difficult  
reliability  problem,  followed  by  HCI,  TDDB,  and  RadiaBon  
effects.    

Alam    ECE-­‐606  S09   19