GRAPHENE DAN APLIKASINYA PADA DIVAIS ELEKTRONIKA

Latar belakang

Graphene adalah susunan atom karbon dalam kerangka heksagonal serupa sarang lebah yang
membentuk satu lembaran setipis satu atom. Penemuan graphene secara eksperimental terjadi tahun
2004 oleh Andre Geim dan Konstantin Novoselov. Setelah itu, banyak dilakukan penelitian baik untuk
memodelkan berbagai sifat dari graphene maupun untuk membuat dan mengaplikasikannya. Graphene
memiliki keunggulan sifat dibanding material yang lain. Hasil-hasil penelitian para ilmuwan
menyebutkan bahwa graphene memiliki konduktivitas listrik yang baik, konduktivitas panas yang baik,
mobilitas pembawa muatan yang tinggi, sangat transparan karena setipis satu atom. Sifat lain dari
graphene yaitu celah pita energi (band gap) yang bernilai nol. Keunggulan sifat yang dimiliki graphene
inilah yang menyebabkan graphene sangat berpotensi diaplikasikan pada berbagai piranti elektronik
termasuk sel surya, layar sentuh, laser, dan lain-lain.

Graphene merupakan material dengan ketebalan satu atom yang tersusun atas atom- atom karbon
membentuk kisi heksagonal. Graphene pertama kali dapat dibuat oleh A. Geim dan K. Novoselov pada
tahun 2004 [1] dimana keduanya merupakan ilmuwan pada Universitas Manchester Inggris. Sejak
graphene dapat dibuat, berbagai kajian teoritis maupun eksperimen telah banyak dilakukan oleh
ilmuan-ilmuan di seluruh dunia, sehingga pada tahun 2010 kedua ilmuan tersebut memperoleh Nobel
Prize di bidang Fisika [2]. Graphene menjadi material yang menarik untuk dikaji karena memiliki
berbagai sifat yang unik seperti sifat mekanik, optik, thermal dan listrik.

Rumusan Masalah

1. Bagaimana Struktur Atom Graphene ?

2. Bagaimana Struktur Pita Energ ?
3. Apa keuntungan Divais berbasis GNR ?

Konsep dan Hipotesis

Struktur Atom Graphene

Lapisan tunggal graphene memiliki struktur bukan termasuk kisi Bravais tetapi dapat dipandang sebagai
kisi triangular dengan basisnya terdiri dari dua atom tiap sel satuan. Atom-atom ini kita namakan atom A
dan atom BStruktur graphene yang berbentuk heksagonal, menyebabkan graphene memiliki sifat yang
baik antara lain mobilitas muatan yang tinggi (230,000 cm2/V·s) dengan 2.3% kemampuan penyerapan
cahaya, konduktivitas termal yang tingi (3000 W/m·K), kekuatan tarik tertinggi (130 GPa), dan luas
permukaan terbesar (2600 m2/g) (Singh dkk, 2011).

Struktur dan Morfologi graphene

 Satu lapis atom karbon yang tersusun dalam kisi heksagonal

 Jarak antar karbon-karbon aC‒C = 1,44 Å.
 karbon memiliki konfigurasi elektron [He] 2s2 2p2
 Ikatan kimia antar atom karbon disebabkan oleh posisi dari orbital 2s dengan 2px dan 2py yang
membentuk ikatan σ, mempengaruhi pada energi ikatan dan sifat elastis
 Orbital 2pz menghasilkan ikatan π dan dengan atom di sebelahnya, mempengaruhi sifat
elektronik .

Metode Sintesis Graphene

Berbagai metode telah dikembangkan untuk membuat graphene. Metodemetode ini terbagi menjadi
dua, yaitu pembelahan grafit menjadi lapisan-lapisan graphene (top down) dan penumbuhan graphene
secara langsung dari atom-atom karbon (bottom up). Yang termasuk metode top down adalah metode
pengelupasan sadangkan metode bottom up adalah reduksi Graphene Oksida, dispersi dalam cairan,
dan pertumbuhan epitaksial.

Berikut penjelasan lebih rinci mengenai berbagai macam metode pembuatan

graphene :

A. Pengelupasan

Metode pengelupasan merupakan metode yang digunakan oleh Andre Geim dan Konstantin Novoselov
(penemu graphene). Dalam metode pengelupasan, selotip direkatkan pada grafit lalu dikelupas sehingga
di selotip tersebut ada lapisan tipis grafit. Perekatan selotip dilakukan berkali-kali sampai didapat satu
lapisan graphene. Andre Geim dan Konstantin Novoselov menemukan graphene dengan tidak sengaja.
Mulanya, beliau sedang bekerja di laboratorium kemudian melihat peneliti seniornya yang sedang
meneliti grafit. Peneliti seniornya tersebut menempelkan selotip ke grafit dan mengelupasnya dengan
tujuan membersihkan grafit lalu membuang selotip tersebut ke tempat sampah. Andre Geim dan
Konstantin Novoselov tertarik dengan lapisan grafit yang ada di selotip tersebut. Ternyata setelah
mereka kaji dan dilakukan karakterisasi, lapisan grafit yang menempel di selotip ini lebih memiliki sifat
unggul dari pada grafitnya.

Keunggulan dari metode ini adalah graphene yang dihasilkan berkualitas tinggi (murni atau tidak
memiliki impuritas) karena diambil langsung dari grafit. Selain itu, kualitasnya tinggi karena tidak
digunakan pelarut saat mensintesisnya sehingga tidak ada sifat pelarut yang terbawa ke graphene yang
dihasilkan. Sedangkan kelemahan dari metode ini adalah hasil produksi dalam skala kecil, biaya produksi
tinggi, dan tebal graphene yang tidak rata. Metode ini cocok jika graphene yang dihasilan untuk
penelitian dimana jumlah produksi yang diinginkan memang skala laboratorium.Selotip tidak
mempengaruhi graphene yang terbentuk karena sifat graphene yaitu konduktivitas listrik yang baik
(disebabkan karena elektron bergerak sangat cepat dengan kecepatan relativistik karena massa dari
graphene sangat kecil sehingga dianggap nol), konduktivitas panas yang baik (disebabkan perbandingan
luas

B.Reduksi Graphene Oksida (GO)

Tahapan sintesisnya adalah Graphene Oksida (GO) dilarutkan dalam air. Karena GO bersifat hidrofobik,
lembaran-lembaran GO langsung terpisah dari kristal asalnya. Kemudian, untuk mendapatkan graphene,
GO diendapkan dan direduksi dengan hidrazin. Graphene yang dihasilkan ternyata tidak rata dan
memiliki konduktivitas yang rendah, yaitu 0,05 - 2 S/cm karena masih adanya atom impuritas yaitu sisa
pereduksi dan pelarut yang menempel pada graphene. Tetapi bukan berarti metode ini tidak bisa
diterapkan. Metode ini berguna jika graphene yang dihasilkan diaplikasikan untuk tinta, cat, dan
elektroda dimana tidak membutuhkan tingkat konduktivitas terlalu tinggi. Selain memiliki kekurangan,
metode ini juga memiliki kelebihan yaitu hasil produksi dalam jumlah besar dan biaya produksi murah.

C.Dispersi Dalam Cairan

Pada metode ini, cairan yang digunakan adalah larutan surfaktan SDBS (sodium dodecylbenzene
sulfonate). Saat dilarutkan, grafit terlepas dengan sendirinya karena sifatnya yang hidrofobik. Setelah
itu, dilakukan pengendapan dan pengeringan sehingga graphene dapat dikumpulkan. Jenis larutan yang
dapat digunakan untuk metode ini memiliki kriteria grafit tidak larut dalam pelarut tersebut. Namun
sampai saat ini, larutan yang digunakan adalah larutan surfaktan SDBS (sodium dodecylbenzene
sulfonate). Graphene yang dihasilkan memiliki tebal sekitar 150 nm, dan memiliki konduktivitas 1500
S/m. Nilai konduktivitas yang rendah ini disebabkan masih menempelnya molekul surfaktan sehingga
mengganggu jalannya elektron dan menurunkan konduktivitas. Walaupun demikian, cara ini memiliki
keunggulan bahwa memerlukan sedikit biaya dan hasil produksi cukup banyak. Metode ini sangat cocok
diterapkan jika graphene yang dihasilkan digunakan untuk elektroda transparan dan untuk sensor
dimana tidak membutuhkan tingkat konduktivitas terlalu tinggi.

D. Pertumbuhan Epitaksial

Metode pertumbuhan epitaksial adalah metode yang menggunakan substrat sebagai bibit
pertumbuhannya sehingga ikatan antara lembaran grafena bagian bawah dengan substrat dapat
memengaruhi sifat-sifat lapisan karbon2. Berdasarkan substratnya, pertumbuhan epitaksial dibedakan
menjadi penumbuhan dengan CVD Logam (Chemical Vapor Deposition) dan Penumbuhan dari Silikon
Karbida.

Kesimpulan

1. Lapisan tunggal graphene memiliki struktur seperti pada gambar 1. Struktur graphene bukan
termasuk kisi Bravais tetapi dapat dipandang sebagai kisi triangular dengan basisnya terdiri dari
dua atom tiap sel satuan. Atom-atom ini kita namakan atom A dan atom B.
2. Struktur pita energi pada graphene dapat ditentukan dengan menggunakan pendekatan tight
binding [3,4,5,6,7,8,9]. Hamiltonian tight binding untuk elektron-elektron pada graphene adalah
dengan tinjauan bahwa elektron dapat melompat dari suatu atom ke atom-atom lain yang ada
didekatnya (nearest neighbor).Dengan kata lain elektron-elektron pada atom A(B) dapat
melompat pada tiga atom B(A) yang merupakan atom-atom tetangga terdekatnya. Kita
meninjau bahwa setiap unit Sel pada graphene terdiri dari dua atom sehingga untuk fungsi eigen
Hamiltoniannya kita dapat menggunakan teorema Bloch. Fungsi eigen
3. Keuntungan nya adalah bahwa divais berbasis GNR bahkan sampai pada rangkaian
terintegrasipun dapat dibuat melalui proses tunggal dari material graphene.

Saran

Penulis berharap penelitian ini dapat dikembangkan dengan lebih baik, lebih luas, dan lebih lengkap.