Universidade Estadual Paulista

Faculdade de Engenharia de Guaratinguetá

MODELO E CARACTERIZAÇÃO DE AMPLIFICADOR COM

TRANSISTOR BIPOLAR DE JUNÇÃO (BJT)

Rafael da Silva Pascoal 08139-3

Thiago de Macedo Lima 08173-3

Guaratinguetá
Abril de 2010
A figura 3.2(a) mostra a configuração mais utilizada para polarizar um transistor
amplificador quando se dispõe apenas de uma fonte de tensão. A técnica consiste em
alimentar a base do transistor com uma fração da tensão VCC através do divisor de
tensão de RB1 com RB 2 , com RE ligado ao emissor.

A Figura 3.2(b) mostra o mesmo circuito com divisor de tensão substituído pelo
equivalente de Thévenin.

Equacionamento do circuito de polarização

A corrente I E pode ser determinada pela fórmula:

VBB − VBE
IE =
RE + RB /( β + 1)

Para que I E seja insensível as variações de β devemos ter:

RB
VBB >> VBE e RE >>
( β +1)

Há dois métodos que podem ser empregados na análise da configuração de divisor de

tensão.

1-Análise exata

Utilizando a fig. 3.2, obtemos as seguintes conclusões:

R2
RTH = RB1 // RB 2 e ETH = .VCC
R1 + R2

Utilizando a malha inferior da fig. 3.2(b), obtemos:

 VBB − VBE
IE = , como I c =αI e podemos calcular também VCE que é dado
RE + RB /( β + 1)
por:

VCE =VCC − I C ( RC + RE )

2-Análise aproximada

Consideramos Ri a resistência de entrada entre a base e o Terra. Tem-se que:

Ri = ( β + 1) R E ≅ βRE
A condição que define se o método aproximado pode ser aplicado é a seguinte:

βRE ≥10 R2
Como:

R2
VB = .VCC , teremos VE =VB −VBE
R1 + R2
Para que I E seja insensível as variações de β e da temperatura, são feitas as seguintes
considerações de projeto:

RB
VB >> VBE e RE >>
( β +1)

Um valor elevado de VB significa que RE .I E deve ser elevado. Interessa também que
VCE seja elevado para proporcionar uma grande excursão do sinal. Interessa ainda que
I C RC seja elevado para se ter um grande ganho de tensão.
A forma de se conciliar esses três requisitos é de tal forma que:

VCE ≈ I C RC ≈ 0.5VCC

Análise de pequenos sinais

Utilizando o modelo re para pequenos sinais e analisando o circuito nota-se que as

tensões e resistências de entrada e saída são dadas pelas fórmulas a seguir:

V0 = −RC .βiB e VIN = βre iB

VT
com re =
IE
Rin = ( R1 // R2 ) // βre e Rout = Rc

Supomos no circuito que r0 tem valor muito elevado.

Portanto o ganho de tensão fica:
v − RC
Av = 0 =
vin re

Análise pré-Laboratório
Analisando o circuito de Thevenin e considerando I C = βI B , temos que:

VTH = RTH .I B + 0,7 + RE .I E e assim:

VTH − 0,7
IC = β
RTH + ( β + 1) RE

Considerando dois valores de corrente que passa pelo coletor, I C1 e I C 2 quando se

tem β1 e β2 , substituindo-os na fórmula acima e dividindo I C 2 por I C1 .
Remanejando o sistema, teremos:

I C 2 β2  RTH + ( β1 + 1).RE 
=  
I C1 β1  RTH + ( β2 + 1).RE 

Característica transistor npn BC547B

Na análise DC, tomando:

1 VCC −VCE
VCE = VCC e IC =
2 RC + RE
Vcc =12 V

Encontramos I C = 5,48 mA , portanto teremos re considerando VT = 25mV:

25 .10 −3
re = =5 Ω
5.10 −3

Considerando a curva característica de um transistor BC547B, tomando

Av = −10 V / V e RC =1kΩ, segue os cálculos para encontrar RE :
Fazendo a análise AC, o ganho será:

V0 ic RC − iC .RC
AV = =− , temos então: − 10 =
VIN βreib + ie RE βre ib + i E R E

Portanto, fazendo as devidas substituições:

RE =100 Ω

Encontrando RB1 e RB 2

Considerando as máximas dispersões de ± 7,5% em I CQ e ± 50% em β, podemos

fazer os cálculos das resistências:

1,075 I C 1,5β  RTH + 0,5βRE 

=  
0,925 I C 0,5β  RTH + 1,5βRE 

Encontramos assim: RTH = 2523 ,00 Ω

Temos também que:
VTH = 0,7 + 100 * 5,5.10 −3 = 1,25 V
Pelo divisor de tensão:
RB 2 RB1.RB 2
1,25 = 12 . e 2523 =
RB1 + R B 2 RB1 + RB 2

Desmembrando as equações, chegamos a:

RB1 = 24725 ,40 Ω e RB 2 = 2809 ,7 Ω

Dimensionando os capacitores de acoplamento

1
Como X C = 2πfC e considerando X C = 0,01 Rin , teremos:

RTH + ( βre + βRE )

Rin = . Encontramos, portanto:
RTH + βre + βRE

C1 = 7,01 µF e C2 =15 ,92 µF

Procedimento Experimental

Montado o circuito da Fig. 3.2(a) no qual as resistências e tensões têm valores:

RE =103 ,00 Ω, Rc =988 Ω, RB1 = 24 ,26 kΩ e RB 2 = 2,75 kΩ

VCE = 6,53 V , VBE = 0,67 V , VE = 0,49 V , VRB 1 =11 ,18 V , VRB 2 =1,16 V

Tensão experimental Vcc =11 ,92 V

VCC −VCE
IC = =5,46 mA
RC
Comparando com o calculado no pré-Laboratório, nota-se que este valor se aproxima
bastante do teórico.

Gerador de sinais

Ajustando o gerador de sinais para 200mV com uma freqüência de 1kHz verificamos a
tensão de saída dada pela figura abaixo:
Sendo CH1 = Entrada
CH2 = Saída

Analisando os dados acima, é possível calcular o ganho de tensão para o circuito.

v
Av 0 = out
vs
Experimentalmente,
vout = 1,82V
v s = 200mV
Logo, Av 0 = 9,1 V/V

Agora ajustando novamente o gerador de sinais, só que agora para 100mV de entrada,
teremos o gráfico abaixo:

Sendo CH1 = Entrada

CH2 = Saída

Analisando os dados acima, é possível calcular o ganho de tensão para o circuito.

 vout
Av 0 =
vs
Experimentalmente,
vout = 900mV
v s = 100mV
Logo, Av 0 = 9,0 V/V

Divisor resistivo

Experimentalmente, a resistência de entrada pode ser medida ligando-se entre a entrada

do circuito amplificador e a fonte do sinal de entrada um potenciômetro. Medindo-se as
tensões de entrada e sobre o potenciômetro sabe-se, pela regra do divisor de tensão, que
quando esta for a metade da de entrada, fica estabelecida a relação:
RIN = RPS
Onde R PS representa a resistência medida no potenciômetro.
Colocando em prática este conceito, medimos o valor do potenciômetro, no qual obteve:

Rin = 2,13 kΩ
De modo semelhante, pode-se obter a resistência de saída usando um potenciômetro
como carga e aplicando a regra do divisor de tensão para a tensão de saída.
Medindo, tem-se o resultado:
Rout =1,02 kΩ

Nota-se que as resistências de entrada e saída se aproximam muito da calculada pela

teoria, não havendo, portanto, variações significativas.

Cálculo da distorção de vout

Aumentou-se a tensão de entrada pelo gerador de sinais até observar a tensão de saída
sofrer distorção, a curva pode ser observada pelo gráfico abaixo:
Sendo CH1 = Entrada
CH2 = Saída

Portanto quando a tensão de entrada vs = 660 mV a curva da tensão de saída inicia sua
distorção com vout = 4,88V

Ganho com uma carga RL acoplada na saída

Montado o circuito da Fig. (3.1), calculamos a tensão de saída, dada abaixo.

RL =1kΩ
Sendo CH1 = Entrada
CH2 = Saída

Analisando os dados acima, é possível calcular o ganho de tensão para o circuito.

v
Av 0 = out
vs
Experimentalmente,
vout = 940mV
v s = 200mV
Logo, Av 0 = 4,7 V/V

Freqüência de corte do amplificador sem carga

Primeiramente aumentou-se a freqüência até vout atingir a voltagem de 650 mV, neste
momento anotou-se a freqüência, dada:

f cs =1,13 MHz

Sendo esta a freqüência de corte superior do amplificador.

Após abaixou-se a freqüência até vout atingir 0,707 do seu valor máximo sem carga, ou
seja, 650 mV, anotou-se então o valor seguinte:

f ci = 5,34 Hz

Sendo esta a freqüência de corte inferior do transistor.

A banda Passante (BW) corresponde a f cs − f ci .

Portanto o produto do Ganho pela Banda Passante é dado por:

GBW = 10 .200 .000

Freqüência de corte do amplificador com carga RL =1kΩ

Primeiramente aumentou-se a freqüência até vout atingir a voltagem de 346,5 mV,
neste momento anotou-se a freqüência, dada:

f cs = 2,713 MHz

Sendo esta a freqüência de corte superior do amplificador.

Após abaixou-se a freqüência até vout atingir 0, 707 do seu valor máximo com carga,
ou seja, 346,5 mV anotou-se então o valor seguinte:

f ci =10 ,98 Hz

Sendo esta a freqüência de corte inferior do transistor.

A banda Passante (BW) corresponde a f cs − f ci .

Portanto o produto do Ganho pela Banda Passante é dado por:

GBW = 13 .300 .000

O produto não permanece constante pelos cálculos.

Utilizando o PSpice

0
V 2

1 2 V d c

R 3 R 1
2 4 . 2 6 k 9 8 8

C 2

1 0 u
Q 1
C 1

R 5
1 0 u
V 1 B C 5 4 7 B
1 0 0 m V a c 1 k
0 V d c

R 4 R 2
0
2 . 7 5 3 k 1 0 3

Tabela de dados (PSpice)

Dados Sem carga Com carga

I C (mA) 14,08 14,08
I B (uA) 4,70 4,70
 β 334 334
AV (V/V) 9,00 9,00
f cs (MHz) 67,00 112,88
f ci (Hz) 6,98 13,54

Comentários e Conclusões

As formas de onda do amplificador mostraram as características do ganho da

amplificação. Com a manipulação do sinal de entrada, puderam-se verificar as
alterações no sinal de saída, aprimorando o entendimento do funcionamento do circuito
e da polarização de um transistor.
As medidas realizadas no circuito montado mostraram-se coerentes com o projeto
anteriormente calculado. Isso validou não somente os cálculos feitos, como também as
fórmulas para manipulação do projeto do amplificador de um transistor.

Dado Teórico Experimental Simulado δ % exp δ % sim

I C (mA) 5,48 5,41 4,70 1,3 14,2
I B (uA) 25 19,2 14,08 23,2 43,6
β 219 243,7 334 11,2 57,0
AV (V/V) -10 -9,2 -9,0 8,9 10,0
VCE (V) 6 6,53 6,5 8,8 8,3

Referências Bibliográficas

SEDRA, Adel S.; SMITH, Kenneth C. Microeletrônica. 4. edição. São Paulo, Makron
Books Ltda.
Roteiro de laboratório PROJETO DE UM AMPLIFICADOR EM CONFIGURAÇÃO
EMISSOR COMUM.
http://docentes.fam.ulusiada.pt/~d1095/Cap3_Elec_0607.pdf