RINGKASAN PERKULIAHAN

KLASIFIKASI SEMIKONDUKTOR

Berdasarkan murni atau tidak murninya bahan, semikonduktor dibedakan

menjadi dua jenis, yaitu semikonduktor intrinsik dan ekstrinsik.

4.1 Semikonduktor Intrinsik

Suatu kristal Silikon yang murni, dimana setiap atomnya adalah atom

Silikon saja, disebut sebagai semikonduktor intrinsik. Untuk kebanyakan

aplikasi, tidak terdapat pasangan elektron-hole yang cukup banyak didalam

suatu semikonduktor intrinsik untuk dapat menghasilkan arus yang berguna.

Semikonduktor intrinsik merupakan semikonduktor yang terdiri atas

satu unsur saja, misalnya Si saja atau Ge saja. Pada Kristal semikonduktor Si,

1 atom Si yang memiliki 4 elektron valensi berikatan dengan 4 atom Si

lainnya, perhatikan gambar 1.

Gambar 4.1 Struktur Kristal 2 dimensi Kristal Si

 Gambar 4.2 Ikatan kovalen pada semo konduktor intrinsik (Si)

Pada kristal semikonduktor instrinsik Si, sel primitifnya berbentuk

kubus. Ikatan yang terjadi antar atom Si yang berdekatan adalah ikatan

kovalen. Hal ini disebabkan karena adanya pemakaian 1 buah elektron bersama

oleh dua atom Si yang berdekatan. Menurut teori pita energi, pada T = 0 0K

pita valensi semikonduktor terisi penuh elektron, sedangkan pita konduksi

kosong. Kedua pita tersebut dipisahkan oleh celah energi kecil, yakni dalam

rentang 0,18 - 3,7 eV. Pada suhu kamar Si dan Ge masing-masing memiliki

celah energy 1,11 eV dan 0,66 eV.

Energi yang diperlukan untuk memutus sebuah ikatan kovalen adalah

sebesar 1,11 eV untuk silikon dan 0,7 eV untuk germanium. Pada temperatur

ruang (300K), sejumlah elektron mempunyai energy yang cukup besar untuk

melepaskan diri dari ikatan dan tereksitasi dari pita valensi ke pita konduksi

menjadi elektron bebas (gambar 6.2). Besarya energi yang diperlukan untuk

melepaskan elektron dari pita valensi ke pita konduksi ini disebut energi

terlarang (energy gap). Jika sebuah ikatan kovalen terputus, maka akan

terjadi kekosongan atau lubang (hole). Pada daerah dimana terjadi

kekosongan akan terdapat kelebihan muatan positif, dan daerah yang

ditempati electron bebas mempunyai kelebihan muatan negatif. Kedua muatan

inilah yang memberikan kontribusi adanya aliran listrik pada semikonduktor

murni. Jika elektron valensi dari ikatan kovalen yang lain mengisi lubang

tersebut, maka akan terjadi lubang baru di tempat yang lain dan seolah-olah

sebuah muatan positif bergerak dari lubang yang lama ke lubang baru.

Gambar 4.3 a) Struktur kristal silikon memperlihatkan adanya sebuah

ikatan kovalen yang terputus dan b) Diagram pita energi menunjukkan

tereksitasi nya elektron ke pita konduksi dan meninggalkan lubang di pita

valensi.

Elektron ini bebas bergerak diantara atom. Sedangkan tempat kekosongan

electron disebut hole. Dengan demikian dasar pita konduksi dihuni oleh

elektron, dan puncak pita valensi dihuni hole. Sekarang, kedua pita terisi

sebagian, dan dapat menimbulkan arus netto (drift) bila dikenakan medan

listrik.

Proses aliran muatan ini, yang biasa disebut sebagai “arus drift” dapat

dituliskan sebagai berikut :

 “Peristiwa hantaran listrik pada semikonduktor adalah akibat adanya dua

partikel masing-masing bermuatan positif dan negative yang bergerak dengan

arah yang berlawanan akibat adanya pengaruh medan listrik”
Akibat adanya dua pembawa muatan tersebut, besarnya rapat arus

dinyatakan sebagai :

𝑱 = (𝒏𝝁𝒏 + 𝒑𝝁𝒑 ) 𝒒𝝐 = 𝝈𝜺

σ = q (nµn + pµp)𝜺
Dimana:

n dan p = kosentrasi electron dan lubang (m-3)

µn dan µp = mobilitas electron dan lubang (m2 V-1 s-1)

σ = konduktivitas (S cm-1)

Karena timbulnya lubang dan elektron terjadi secara serentak, maka

pada semikonduktor murni, jumlah lubang sama dengan jumlah elektron

atau dituliskan sebagai

n = p = ni

dimana ni disebut sebagai konsentrasi intrinsik. Beberapa properti dasar

silikon dan germanium diperlihatkan pada tabel 4.1.

Tabel 4.1 Beberapa properti dasar silikon dan germanium pada 300 K

Property Silicon Germanium

Energi terlarang/gap (eV) 1,11 0,67

Mobilitas electron µn (m2 V-1 s-1) 0,135 0,39

Mobilitas electron µp (m2 V-1 s-1) 0,048 0,19

Konsentrasi intrinsic ni (m-3) 1,5 x 1016 2,4 x 1019

Resistivitas intrinsik, ρi (Ωm) 2300 0,46

Energi Fermi( Ef ) pada semikonduktor intrinsik terletak di antara

pita konduksi dan pita valensi yang besarnya adalah :

 𝑬𝒄 − 𝑬𝒗
𝑬𝒇 =
𝟐
dengan Ec adalah energi pada pita konduksi dan Ev adalah energi

pada pita valensi.

Ciri-ciri yang menonjol dari semikonduktor intrinsik adalah :

1) Jumlah elektron dalam pita konduksi sama dengan jumlah hole

dalam pita valensi.

2) Energi Fermi terletak ditengah-tengah energi gap.

3) Elektron memberikan sumbangan terbesar terhadap arus, tetapi

sumbangan hole juga berperan penting.

4) Ada sekitar 1 atom diantara 10 atom yang memberikan sumbangan

terhadap hantaran listrik (Nyoman Suwitra, 1989: 222-227).

4.2 Semikonduktor Ekstrinsik

Semikonduktor yang telah terkotori (tidak murni lagi) oleh atom dari

jenis lainnya dinamakan semikonduktor ekstrinsik. Proses penambahan atom

pengotor pada semikonduktor murni disebut pengotoran (doping). Dengan

menambahkan atom pengotor (impurities), struktur pita dan resistivitasnya

akan berubah.

Ketidakmurnian dalam semikonduktor dapat menyumbangkan elektron

maupun hole dalam pita energi. Dengan demikian, konsentrasi elektron dapat

menjadi tidak sama dengan konsentrasi hole, namun masing-masing

bergantung pada konsentrasi dan jenis bahan ketidakmurnian. Dalam aplikasi

terkadang hanya diperlukan bahan dengan pembawa muatan elektron saja,

atau hole saja. Hal ini dilakukan dengan doping ketidakmurnian ke dalam

semikonduktor.
 Tabel 4.2 Elemen semikonduktor pada tabel periodic

KOLOM III KOLOM IV KOLOM V

5 B 6 C 7 N
BORON CARBON NITROGEN
10,82 12,01 14,008
13 Al 14 Si 15 P
ALUMINIUM SILICON PHOSPHORUS
26,97 28,09 10,82
31 Ga 32 Ge 33 As
GALIUM GERMANIUM BORON
69,72 72,60 74,91
49 In 50 Sn 51 Sb
INDIUM TIN ANTIMONY
114,8 118,7 121,8
Terdapat tiga jenis semikonduktor ekstrinsik yaitu semikonduktor

tipe-n, semikonduktor tipe-p, dan semikonduktor paduan.

4.2.1. Semikonduktor Ekstrinsik Tipe-n

Semikonduktor dengan konsentrasi elektron lebih besar

dibandingkan konsentrasi Hole disebut semikonduktor ekstrinsik tipe-

n. Semikonduktor tipe-n menggunakan semikoduktor intrinsik dengan

menambahkan atom donor yang berasal dari kelompok V pada susunan

berkala, misalnya Ar (arsenic), Sb (Antimony), phosphorus (P).

Atom campuran ini akan menempati lokasi atom intrinsik didalam kisi

Kristal semikonduktor.
 Gambar 4.4 Semikonduktor type-n

Konsentrasi elektron pada Si dan Ge dapat dinaikkan dengan

proses doping unsur valensi 5. Sisa satu elektron akan menjadi

electron bebas, jika mendapatkan energi yang relatif kecil saja

(disebut sebagai energi ionisasi). Elektron ini akan menambah

konsentrasi elektron pada pita konduksi. Elektron yang meninggalkan

atom pengotor yang menjadi ion disebut dengan elektron ekstrinsik.

Keberadan impurity donor digambarkan dengan keadaan diskrit pada

energi gap pada posisi didekat pita konduksi.

Gambar 4.5 Pengotor untuk menghasilkan semikonduktor ekstrinsik

tipe-n
Gambar 4.6 Tingkat energi semikonduktor tipe-n (Reka Rio,1982: 12).

Gambar 4.7a kristal semikonduktor ekstrinsik tipe-n 2 dimensi

Gambar 4.7b Pita energi semikonduktor ekstrinsik tipe-n

Penambahan atom donor telah menambah level energi pada pita

konduksi yang berada diatas energi gap sehingga mempermudah

electron untuk menyebrang ke pita konduksi.

Pada suhu kamar sebagian besar atom donor terionisasi dan

elektronnya tereksitasi ke dalam pita konduksi. Sehingga jumlah

electron bebas (elektron intrinsik dan elektron ekstrinsik) pada

semikonduktor tipe-n jauh lebih besar dari pada jumlah hole (hole

intrinsik). Oleh sebab itu, elektron di dalam semikonduktor tipe-n

disebut pembawa muatan mayoritas, dan hole disebut sebagai pembawa

muatan minoritas.
4.2.2 Semikonduktor Ekstrinsik Tipe-p

Semikonduktor tipe-p, dimana konsentrasi lubang (hole) lebih

tinggi dibandingkan elektron, dapat diperoleh dengan menambahkan

atom akseptor. Pada Si dan Ge, atomnya aseptor adalah unsur

bervalensi tiga (kelompok III pada susunan berkala) misalnya B

(boron), Al (alumunium), atau Ga (galium).

Gambar 4.8 Semikonduktor type-p

Karena unsur tersebut hanya memiliki tiga elektron valensi,

maka terdapat satu kekosongan untuk membentuk ikatan kovalen

dengan atom induknya. Atom tersebut akan mengikat elektron dari pita

velensi yang berpindah ke pita konduksi. Dengan penangkapan sebuah

electron tersebut, atom akseptor akan menjadi ion negatip. Atom

akseptor akan menempati keadaan energi dalam energi gap di dekat

pita valensi.

Gambar 4.9 Atom pengotor untuk menghasilkan semikonduktor

ekstrinsik tipe-p
 Misalnya Ga, dibubuhkan kedalam kristal semikonduktor

intrinsik. Oleh karena galium termasuk golangan III dalam sistem

periodic unsur, atom Ga memiliki tiga buah elektron valensi. Akibatnya,

dalam berikatan dengan atom silikon di dalam kristal, Ga memerlukan

satu elektron lagi untuk berpasangan dengan atom Si. Oleh sebab

itu atom Ga mudah menangkap elektron, sehingga disebut akseptor.

Jika ini terjadi atom akseptor menjadi kelebihan elektron sehingga

menjadi bermuatan negatif. Dalam hal ini dikatakan atom akseptor

terionkan. Ion akseptor ini mempunyai muatan tak bebas, oleh karena

tak bergerak dibawah medan listrik luar. Ion Si yang elektronnya

ditangkap oleh atom akseptor terbentuk menjadi lubang, yang disebut

lubang ekstrinsik.

Gambar 4.10. Tingkat energi semikonduktor tipe-p (Reka Rio, 1982:

12).
 Gambar 4.11a kristal semikonduktor ekstrinsik tipe-p 2 dimensi

Gambar 4.11b Pita energi semikonduktor ekstrinsik tipe-p

Jelaslah bahwa pada semikonduktor tipe-p, lubang (hole)

merupakan pembawa muatan yang utama, sehingga disebut pembawa

muatan mayoritas. Disini elektron bebas merupakan pembawa muatan

minoritas.

4.2.3 Semikonduktor Paduan

Semikonduktor paduan (compound semiconductor) dapat

diperoleh dari unsur valensi tiga dan valensi lima (paduan III-V,

misalnya GaAs atau GaSb) atau dari unsur valensi dua dan valensi enam

(paduan II-VI, misalnya ZnS). Ikatan kimia terbentuk dengan

peminjaman elektron oleh unsur dengan velensi lebih tinggi kepada

unsur dengan valensi lebih rendah (lihat gambar 4.12). Atom donor

pada semikonduktor paduan adalah unsur dengan valensi lebih tinggi

dibandingkan dengan unsur yang diganti. Atom akseptor adalah unsur

dengan valensi lebih rendah dibandingkan dengan unsur yang diganti

(ditempat)
 Gambar 4.12a kristal semikonduktor panduan GaAs dalam 2 dimensi

Gambar 4.12b kristal semikonduktor panduan GaAs tipe-n 2 dimensi

PEMAHAMAN:

1. Gambarkan Dan Jelaskan Diagram Energi Fermi Pada Semikonduktor

Intrinsik, Tipe N Dan Tipe P?

2. Apakah yang terjadi dengan tingkatan energinya apabila sebuah silikon

diberi tak murnian As?