Bipolar Junction Transistor

Farida Gamar
Teknik Mekatronika
Tujuan Pembelajaran
• Terbiasa dengan konstruksi dasar dan operasi Transistor
Persimpangan Bipolar.
• Mampu menerapkan biasing yang tepat untuk memastikan operasi di
wilayah aktif.
• Mengenali dan dapat menjelaskan karakteristik transistor npn atau
pnp.
• Menjadi terbiasa dengan parameter penting yang menentukan
respons transistor.
• Mampu menguji transistor dan mengidentifikasi tiga terminal.
Transistor Construction
Ada 2 tipe transistor:
• pnp
• npn

Dengan terminal masing-masing disebut:

• E – emitor
• B – Base
• C – Collector
Operasi Transistor
Dengan sumber eksternal, 𝑉𝐸𝐸 dan 𝑉𝐶𝐶 yang terhubung sperti gambar
berikut
• Persimpangan emitor-basis adalah forward biased (tegangan +)
• Persimpangan basis-kolektor adalah reverse biased (tegangan -)
Arus pada Transistor
• Arus emitor merupakan penjumlahan
dari arus basis dan kolektor:
𝐼𝐸 = 𝐼𝐶 + 𝐼𝐵

• Arus kolektor merupakan arus yang

terdiri dari dua arus yaitu
𝐼𝐶 = 𝐼𝐶 𝑚𝑎𝑗𝑜𝑟𝑖𝑡𝑦 + 𝐼𝐶𝑂 𝑚𝑖𝑛𝑜𝑟𝑖𝑡𝑦
Konfigurasi Common Base
• Kaki basis transistor
terhubung bersama
dengan emitor dan
kolektor.
• kaki emitor bertindak
sebagai input sedang
kolektor sebagai output.
• Kaki basis dihubungkan
dengan ground.
Karakteristik Common-Base
Karakteristik Input
Grafik disamping menunjukkan
hubungan antara arus input
(𝐼𝐸 ) terhadap tegangan input
(𝑉𝐵𝐸 ) untuk 3 level tegangan
output (𝑉𝐶𝐵 ).
Karakteristik Common-Base
Karakteristik Output
Grafik menunjukkan arus
output 𝐼𝐶 terhadap tegangan
output 𝑉𝐶𝐵 untuk berbagai
macam arus input 𝐼𝐸 .
Wilayah Operasi
Dari karakteristik output, dapat diketahui bahwa kurva dibagi menjadi 3
wilayah yaitu :
• wilayah aktif (active region): wilayah operasi amplifier
• wilayah cutoff : amplifier pada dasarnya off. Terdapat tegangan tetapi
arusnya kecil.
• wilayah saturasi: amplifier menyala sepenuhnya. Terdapat arus tetapi
tegangan kecil
Pendekatan secara Matematis
• Arus Emitor dan kolektor:
𝐼𝐶 ≅ 𝐼𝐸
• Tegangan basis-emitor:
𝑉𝐵𝐸 = 0.7 𝑉 (untuk Silikon)
Alpha (𝛼)
• Alpha 𝛼 adalah rasio 𝐼𝐶 terhadap 𝐼𝐸 :
𝐼𝐶
𝛼𝑑𝑐 =
𝐼𝐸
Idealnya 𝛼 = 1
Realitanya: 𝛼 bernilai antara 0.9 dan 0.998
∆𝐼𝐶
• Alpha 𝛼 pada mode AC: 𝛼𝑑𝑐 =
∆𝐼𝐸
Penguatan Transistor

• Arus dan Tegangan: • Penguatan Tegangan:

𝑉𝑖 200𝑚𝑉
𝐼𝐸 = 𝐼𝑖 = = = 10𝑚𝐴 𝑉𝐿 50 𝑉
𝑅𝑖 20Ω 𝐴𝑣 = = = 250
𝑉𝑖 200 𝑚𝑉
𝐼𝐶 ≅ 𝐼𝐸

𝐼𝐿 ≅ 𝐼𝑖 = 10 𝑚𝐴
𝑉𝐿 = 𝐼𝐿 𝑅 = 10 𝑚𝐴 5𝑘Ω = 50 𝑉
Konfigurasi Common-Emitter
• Kaki Emitor sebagai terminal
yang terhubung ke ground
• Kaki Emitor terhubung bersama
dengan basis dan kolektor
• Input pada kaki basis dan
output pada kaki kolektor.
Karakteristik Common-Emitter

Karakteristik Kolektor Karakteristik Basis

Penguat Arus Common-Emitter
• Arus ideal
𝐼𝐸 = 𝐼𝐶 + 𝐼𝐵 𝐼𝐶 = 𝛼𝐼𝐸
• Arus actual
𝐼𝐶 = 𝛼𝐼𝐸 + 𝐼𝐶𝐵𝑂
Dimana 𝐼𝐶𝐵𝑂 adalah arus kolektor minoritas,
biasanya bernilai sangat kecil sehingga dapat diabaikan, kecuali jika diaplikasikan pada daya tinggi
dan pada temperature yang tinggi.
Ketika 𝐼𝐵 = 0 𝜇𝐴 maka transistor cutoff, tetapi masih terdapat
beberapa aliran arus minoritas yang disebut 𝐼𝐶𝐸𝑂 .
𝐼𝐶𝐵𝑂
𝐼𝐶𝐸𝑂 = IB = 0μ𝐴
1−𝛼
Beta (𝛽)
𝛽 merepresentasikan penguatan factor transistor.
Mode DC:
𝐼𝐶
𝛽𝑑𝑐 =
𝐼𝐵
Mode AC:
Δ𝐼𝐶
𝛽𝑎𝑐 = 𝑉𝐶𝐸 = constant
Δ𝐼𝐵
 Beta (𝛽)
Menentukan 𝛽 dari kurva:
(3.2𝑚𝐴 − 2.2𝑚𝐴)
𝛽𝐴𝐶 =
(30𝜇𝐴 − 20𝜇𝐴)
1 𝑚𝐴
= 10 𝜇𝐴 VCE=7.5

= 100

2.7 𝑚𝐴
𝛽𝐷𝐶 = 𝑉
25 𝜇𝐴 𝐶𝐸=7.5
= 108
Beta (𝛽)
• Hubungan antara factor penguatan 𝛽 dan 𝛼
𝛽 𝛼
𝛼= 𝛽+1
𝛽= 𝛼−1

• Hubungan antara Arus

𝐼𝐶 = 𝛽𝐼𝐵 𝐼𝐸 = 𝛽 + 1 𝐼𝐵
Konfigurasi Common-Collector
• Kaki kolektor terhubung
ke ground
• Input terletak pada kaki
basis dan output pada
kaki emitor.
 Konfigurasi Common-Collector
• Karakteristik common-
collector serupa dengan
konfigurasi common-
emitter, kecuali sumbu
vertikalnya adalah 𝐼𝐸 .
Batas Operasi untuk Setiap Konfigurasi
• 𝑉𝐶𝐸 adalah tegangan
maksimum dan 𝐼𝐶 adalah arus
minimum pada wilayah cutoff.
• 𝐼𝐶 maksimum dan 𝑉𝐶𝐸
minimum
(𝑉𝐶𝐸𝑚𝑎𝑥 = 𝑉𝐶𝐸𝑠𝑎𝑡 = 𝑉𝐶𝐸𝑂 )
pada wilayah saturasi.
• Transistor beroperasi pada
wilayah aktif antara saturasi
dan cutoff.
Dissipasi Daya
• Common-base:
𝑃𝐶𝑚𝑎𝑥 = 𝑉𝐶𝐵 𝐼𝐶
• Common-Emitter:
𝑃𝐶𝑚𝑎𝑥 = 𝑉𝐶𝐸 𝐼𝐶
• Common-collector:
𝑃𝐶𝑚𝑎𝑥 = 𝑉𝐶𝐸 𝐼𝐸
Tugas
• Carilah contoh datasheet dari transistor yang memuat data – data
karakteristik dari materi.
• Bagaimana cara testing transistor?