PRÁCTICAS DE ELECTRÓNICA

ANALÓGICA
Práctica 4: AMPLIFICADORES (4horas)

Curso 2010/11
 Electrónica Analógica

MÓDULO I. BREVE INTRODUCCIÓN TEÓRICA.

4.1. OBJETIVOS DE LA PRÁCTICA

Se pretende que el alumno se familiarice con la utilización del transistor como elemento activo
en los circuitos amplificadores. A partir de ciertas generalidades referentes a la amplificación, se
propone el diseño y montaje de ciertas configuraciones amplificadoras básicas que hacen uso de
un solo transistor, para medir a continuación algunos parámetros característicos de los mismos.
En concreto, se analizan las etapas en emisor común para un transistor bipolar NPN y PNP.

4.2. FUNDAMENTOS TEÓRICOS DE LA AMPLIFICACIÓN

4.2.1. INTRODUCCIÓN

El objeto de la amplificación es elevar por medio de un sistema electrónico el nivel de la tensión,

corriente o potencia de una señal de entrada variable con el tiempo, de modo que se obtenga una
réplica de dicha señal lo más fiel posible a la salida del mencionado sistema (figura I).

Figura I. Señal de Entrada y Salida de un Amplificador

El sistema electrónico que logra esta elevación del nivel de señal se denomina amplificador. En
caso de producirse una disminución de este nivel se habla de atenuación. Por otro lado, los
términos ganancia y amplificación son, en este contexto, sinónimos.

La necesidad de amplificar señales es casi una constante en la mayoría de los sistemas

electrónicos: las señales recibidas en la antena son débiles, la señal a la salida del conversor
D/A de un discman no posee la potencia necesaria para una audición adecuada, etc.

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Práctica 4. AMPLIFICACIÓN

En el proceso de amplificación, los transistores desarrollan un papel esencial, pues bajo ciertas
condiciones, pueden entregar a una determinada carga una potencia de señal mayor que la que se
presenta a su entrada. Dicho de otro modo, pueden convertir potencia de alimentación DC en
potencia de señal “útil”, portadora de información. Esta propiedad hace que los transistores
reciban el nombre de elementos activos, a diferencia de otros elementos pasivos tales como
resistencias, condensadores, inductancias, etc.

4.2.2. CONSIDERACIONES GENERALES SOBRE AMPLIFICADORES

El análisis de cualquier amplificador mediante su asimilación a una red de dos puertas o

cuadripolo resulta muy útil, pues permite su caracterización por una serie de parámetros
relativamente simples y que proporcionan información acerca de su comportamiento. De este
modo, y considerando el amplificador como una “caja negra” a la que se conectan a su entrada
un generador de señal junto con la resistencia interna del mismo (Rg) y una carga (RL) a su salida
(figura II), cabe definir, junto con las unidades en que se miden, los siguientes parámetros1:

Figura II. El Amplificador como Cuadripolo

a) Ganancia de tensión (adimensional)

Vo
AV (1)
Vi

b) Impedancia de entrada (ohmios)

Vi
Zi (2)
Ii

c) Impedancia de salida (ohmios)

1
Puesto que el objeto de la práctica es el diseño y montaje de amplificadores con transistores trabajando en
frecuencias medias, se considerarán todos los elementos pasivos de carácter resistivo, perdiendo
generalidad pero ganando así en simplicidad.

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Vo
Zo
Io
|
(vg = 0) (3)

d) Ganancia de corriente (adimensional)

Io Zi
AI AV (4)
Ii RL

e) Ganancia de potencia (adimensional)

Po Zi
AP AV AI AV2 (5)
Pi RL

Se pueden definir más parámetros, pero los cinco anteriores describen bastante bien el
amplificador. Como se aprecia en las ecuaciones (4) y (5) AI y AP están relacionadas con AV, Zi
y Zo, por lo que el valor de las dos primeras puede obtenerse a partir de las medidas de estos tres
últimos valores.

Además de utilizar unidades naturales para definir los parámetros anteriores, es común emplear
unidades logarítmicas (decibelios). De este modo, se tendría que AV = 20log(Vo/Vi), AI =
20log(Io/Ii), AP = 10log(Po/Pi), todo ello expresado en decibelios, como se ha indicado.

Figura III. Modelo de un Amplificador. Avo es la Ganancia de Tensión en Vacío (sin considerar RL)

Reuniendo las definiciones más arriba detalladas, es posible modelar el amplificador mediante el
esquema representado en la figura III. Un amplificador de tensión será tanto mejor cuanto:

a) mayor sea Zi
b) menor sea Zo

No debe omitirse que el comportamiento del amplificador depende de la frecuencia de trabajo,

de modo que lo que es válido para un margen de frecuencias no necesariamente lo es para otro:
un amplificador de audiofrecuencia (hasta 20 KHz) no puede emplearse en microondas (más de
1 Ghz), por ejemplo. En todo amplificador, para las ganancias existe un margen de frecuencias
en el que la ganancia a considerar permanece sensiblemente constante. Este margen es la llamada
banda de paso o ancho de banda.

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Figura IV. Respuesta en frecuencia Genérica para el Amplificador de la Figura II

En la figura IV se representa la variación típica del módulo de la ganancia de tensión de un

amplificador en función de la frecuencia. Se puede apreciar cómo la parte plana se corresponde
con la banda de paso definida anteriormente, destacándose una caída en la magnitud de la
ganancia a ambos lados de dicha banda. Se denominan frecuencias de corte, a aquellas
frecuencias en las que la ganancia en tensión disminuye a |AV|m/√2, siendo AVm la ganancia a
frecuencias medias, o bien, cuando la potencia hace lo mismo en un factor de ½. Otra definición
alternativa de frecuencia de corte recurre a las unidades logarítmicas, definiendo aquella como la
frecuencia a la que la ganancia de tensión se reduce en 3 dB. Como se aprecia en la figura IV,
existe tanto una frecuencia de corte inferior (fcL) como una superior (fcH). A partir de aquí, se
entiende por ancho de banda (BW) la diferencia entre estas dos frecuencias:

BW fcH  fcL (Hz) (6)

Por último, el margen dinámico de un amplificador es la mayor variación simétrica de la señal

que es capaz de presentar sin distorsión a la salida, siendo comúnmente medido en voltios pico
(Vp) o voltios pico-pico (Vpp). Ver figura I.

4.3. ALGUNAS MEDIDAS SOBRE LOS AMPLIFICADORES

Si bien el módulo de la ganancia de tensión |AV| no presenta en principio dificultad alguna para
su medida utilizando el instrumental de laboratorio, no ocurre así con la ganancia de corriente y
de potencia, así como con las impedancias de entrada y de salida del amplificador. El pequeño
nivel de la corriente de entrada que absorben algunos amplificadores imposibilita su medida
precisa con el polímetro. Este pequeño nivel hace especialmente vulnerable al ruido la
visualización de dicha corriente en el osciloscopio cuando se usa una resistencia “shunt” para
convertir la corriente en tensión y de este modo representarla en la pantalla.

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Cuando las impedancias (Zi y Zo) del amplificador son de carácter resistivo, se pueden utilizar
montajes para su medida que aprovechen esta circunstancia. Este será el caso a lo largo de la
práctica, pues se trabajará con amplificadores de un solo transistor a frecuencias medias. Así, y
recordando la figura III, se proponen las siguientes medidas:

a) Medida de la impedancia de entrada Zin:

Entre el generador de funciones y el amplificador se intercala una resistencia ajustable o
“trimmer” cuya resistencia total sea mayor que Zin (figura V). Si se acciona esta resistencia hasta
conseguir que Vi = Vg /2, entonces tanto en la resistencia variable como en la impedancia de
entrada del amplificador existirá la misma caída de tensión. En estas condiciones, y tal como se
puede apreciar en la figura V, el valor de la resistencia variable deberá coincidir con el valor de
la impedancia de entrada Zin del amplificador bajo estudio.

Figura V. Medida de la Zi de un Amplificador. Por Simplicidad no se ha

representado la etapa de salida del amplificador.

b) Medida de la impedancia de salida Zo:

Este procedimiento pasa por efectuar dos medidas. La primera recoge el valor de la tensión en
vacío (VoVAC) del amplificador con el generador de funciones conectado y con la carga
desconectada, como se especifica en la figura VI. Posteriormente, la carga se sustituye por una
resistencia ajustable o “trimmer” cuya resistencia total sea mayor que Zo (figura VII). Si se
acciona esta resistencia hasta conseguir que Vo = VoVAC /2, se habrá repartido por igual la
tensión de salida entre la impedancia de salida del amplificador y la resistencia variable, por lo
que el valor de esta última coincidirá con el valor de la impedancia de salida.

Figura VI. Medida de la VoVAC de un Amplificador. Por Simplicidad

no se ha Representado la Resistencia Interna del Generador

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Figura VII. Medida de la Zo de un Amplificador. Por Simplicidad no se ha

Representado la Resistencia Interna del Generador

Para medir las frecuencias de corte y, consiguientemente, el ancho de banda, se partiría del
montaje esquematizado en la figura II. A continuación y, con el nivel fijo de tensión adecuado a
la entrada2 (en la práctica se trabajará con pequeña señal) se accionaría el selector de frecuencias
del generador de funciones hasta encontrar un margen de frecuencias en el que la amplitud de la
tensión a la salida fuese apreciablemente constante. En ese momento, se habría llegado a la
banda de paso (recuérdese la figura IV). Después se accionaría el selector de frecuencias del
generador de funciones en sentido descendente hasta conseguir que esta amplitud a la salida
disminuya a un 70% (≈ -3dB). Ahora, la lectura del display indicador de frecuencia coincide con
la frecuencia de corte inferior (fcL). Un procedimiento análogo se desarrollaría para determinar la
frecuencia de corte superior (fcH), con la diferencia de que el selector de frecuencias del
generador de funciones se accionaría en sentido ascendente.

Para medir el margen dinámico de nuevo se recurrirá al montaje esquematizado en la figura II.
Bastaría con accionar el selector de amplitud del generador de funciones hasta apreciar una
distorsión en uno o ambos picos de la señal de tipo sinusoidal que aparece a la salida. La medida
de este máximo nivel de tensión a la salida sin distorsión sería el margen dinámico.

Por último, sirva de recordatorio que todas las señales del generador de funciones a las que se
alude en este apartado son sinusoidales. Y por supuesto, los amplificadores han de estar
alimentados.

4.4. CIRCUITOS AMPLIFICADORES CON UN SOLO TRANSISTOR

4.4.1. MODELOS EQUIVALENTES DEL TRANSISTOR PARA PEQUEÑA

SEÑAL

Como se comentó anteriormente, el transistor es un dispositivo activo cuando se encuentra

convenientemente polarizado. Si bien puede tratarse como un cuadripolo, la existencia de sólo
tres terminales (base, emisor y colector en el BJT así como puerta, drenador y surtidor en los
transistores de efecto de campo) obliga a tomar uno de ellos como terminal común a la entrada y
a la salida. Esta circunstancia da lugar a las configuraciones en emisor común, base común y
colector común, en el caso del BJT. Para los transistores de efecto de campo se tendrían
configuraciones en puerta común, surtidor común y drenador común.

Existen circuitos equivalentes que utilizan elementos de circuito concentrados que modelan el
comportamiento de los transistores como amplificadores de pequeña señal. Dichos circuitos
2
El nivel máximo será igual a la máxima excursión de salida (margen dinámico) dividido por la ganancia

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equivalentes son un buen compromiso entre sencillez y exactitud, donde los valores de los
componentes del circuito que lo componen dependen de la polarización del transistor.
Lógicamente, estos elementos de circuito también dependerán del transistor concreto que se
utilice. A continuación se repasarán brevemente los circuitos equivalentes de pequeña señal a
utilizar con los transistores de la práctica.

BJT
El modelo que reúne la mejor relación entre la simplicidad y precisión es el modelo híbrido en π
o de Giacoletto, representado en la figura VIII. Si se considera un análisis a frecuencias medias,
se prescindirá de rμ, cμ y cπ; y a bajas frecuencia rb. Se supone que se conocen los valores de los
elementos del circuito y cómo se obtienen a partir de las condiciones de polarización del
transistor.

Figura VIII. Modelo Híbrido en π o de Giacoletto para un BJT en emisor común polarizado en la Región Activa

Otro modelo es el de parámetros “h” en configuración emisor común de la figura IX, donde se ha
considerado que se trabaja a frecuencias medias (de ahí que no se hayan incluido las capacidades
parásitas). Una buena parte de los fabricantes de BJT´s suministran los valores de los elementos
circuitales (hie, hfe, hre y hoe) de este modelo para unas determinadas condiciones de polarización.
En la figura X se incluyen las curvas que suministra el fabricante para hie y hfe.

Se da por conocida la relación entre los elementos del circuito que componen los modelos de las
figuras VIII y X.

Figura IX. Modelo en Pequeña Señal con Parámetros h de un transistor Bipolar

en emisor común a frecuencias medias

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Figura X. Curvas correspondientes a hie y hfe suministradas por el fabricante

4.4.2. CONFIGURACIONES CON UN SOLO TRANSISTOR

En general, a la hora de diseñar y montar un amplificador de un solo transistor, se parte de las

tres configuraciones básicas estudiadas en teoría. En este caso, además del punto de polarización,
la elección de resistencias y condensadores se hace en función de especificaciones tales como:

a) Ganancia de tensión y/o corriente

b) Impedancia de entrada
c) Impedancia de salida
d) Margen dinámico suficiente para no distorsionar la señal a la salida
e) Margen de frecuencias de trabajo

Existen pues, una serie de montajes básicos a los que se recurre en función de las características
de los mismos. En la práctica que se propone tan sólo se estudiarán las configuraciones de
emisor común para el BJT, del tipo NPN y PNP.

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MÓDULO II. DESARROLLO DE LA PRÁCTICA

Práctica 4ª. AMPLIFICACIÓN

Introducción

Con esta práctica se pretende diseñar amplificadores de tensión basados en un sólo

transistor, comprobándose experimentalmente en el laboratorio los criterios previstos en su
diseño. Para ello, la práctica se dividirá en dos partes: en la primera se implementará un
amplificador de tensión con un transistor BJT-NPN con polarización por divisor de tensión,
mientras que en la segunda parte se desarrollará un amplificador basado PNP.

Conceptos y componentes necesarios para la práctica

► Transistor bipolar BC547B

► Transistor bipolar BC557B
► Resistencias a calcular
► C1 = C2 = 1μF

Método para encontrar fallos en el funcionamiento de un amplificador:

1.- Verificar la alimentación
2.- Comprobar el punto de polarización (ICQ, VCEQ)
3.- Verificar la señal de entrada (nivel y frecuencia)
4.- Seguimiento de la señal de la entrada a la salida. Verificar la señal en los
puntos a,b,c,d,….(circuito inferior)

18 v
(1)

R2 R4 R6
150k 4.7k C2 68k
(c) 0.4u
R1
(a) C1
6u (b) Q1 (d) Q2 (2)
(2) C3
0.1k (e) 10u (f)
(3) R3 R5 C4 R7 R8 RL
Vi 39k 1.5k 40u 47k 10k 1K

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PARTE I. AMPLIFICADOR BASADO EN UN BJT

1) Diseñe y monte el circuito de la figura 4.1 utilizando el transistor BC547B para

obtener un amplificador en configuración emisor común que presente una ganancia en
tensión y un punto de polarización dados.

VCEq (V) ICq (mA) VCC (V) Av

7.5 10 15 -10
VCC

R1 RC
C2
+
Rg C1 Q1
BC547B
+ vo
Vi

R2 RE

0
Figura 4.1 Emisor común con BJT BC547B

A modo de ejemplo, se utilizarán los valores reseñados más abajo para representar el proceso a
seguir en el diseño del circuito.

DISEÑO:
Av  5 IC  10mA VCC  20V

VCE  10V hFEmín 200 VBE  0.7V

Teniendo siempre en cuenta lo especificado en el punto 4.4.2.( módulo I) de la presente
práctica con respecto a la sistematización del proceso de diseño, se procederá de la siguiente
forma:

Utilizando el modelo simplificado en pequeña señal del amplificador y considerando los

siguientes puntos:
a) Rg<<RB c) hie<<RE(1+hfe)

b) RB<<RE(1+hfe) d) hfe>>1

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Se puede aproximar la ganancia en tensión del amplificador a la siguiente expre

RC
Av (I) Ver ecuación (7)
RE
Por otro lado, según la ecuación de la malla de colector del amplificador:
VCC IC RC  VCE  IC RE (II)
Incluyendo (I) en la ecuación anterior:
VCC IC AvRE  VCE  IC RE ( III)

V CC  V CE
De aquí que: R E  RE = 166.667 Ω

IC  1  | A v| 
Teniendo ya RE, gracias a la ecuación (I) se puede obtener RC:

RC  AvRE RC = 833.333 Ω

Para paliar la dependencia del circuito con respecto a  (IC =  IB), se ha de recordar
que RB<<REhFEmín, por tanto:
REhFEmín
RB  RB = 3333.333 Ω
10
Teniendo en cuenta lo dicho respecto a  , la ecuación de la malla de base queda como
sigue tras aplicar Thévenin, puesto que se puede despreciar el producto IBRB frente a ICRE

VBB VBE  IC RE ( IV)

Por último, conociendo el valor de RB y combinando las ecuaciones IV, V y VI, se
hallarán los valores de R1 y R2.

VBB VBE  IC RE ( IV) RB

R2 VBE  IC RE VCC 
R1
VBB VCC  ( V)
R1  R2 VCC RB
R2 R1  R1 = 28169.014 Ω
VBE  IC RE
RB R1  ( VI)
R1  R2

Para calcular R2 se retoma la ecuación (VI), de este modo:

RBR1
R2  R2 = 3780.718 Ω
R1  RB

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2) Compruebe que el punto de polarización se corresponde con el calculado (20%).

VCEq (V) ICq (mA)

3) Mida la ganancia de tensión del amplificador y compruebe que se ajusta a la

requerida (20%). A partir de este apartado inclusive, se utilizarán los
condensadores de acoplo. ( Se introducirá a la entrada del circuito una señal senoidal
de un 10 Khz de frecuencia y de 0,5 voltios de valor de pico a pico)

Av

4) Conecte una carga a la salida del amplificador, RL= RC. ¿Qué ocurre con la
ganancia?.
Av (original) Av (al introducir RL)

Explique brevemente lo sucedido:____________________________________________

_____________________________________________________________________________
_____________________________________________________________________________
_____________________________________________________________________________

5) Indique el desfase que presenta la señal de salida frente a la señal de entrada.

Desfase Teórico (º) Desfase Real (º)

6) Mida la impedancia de entrada del amplificador utilizando el proceso descrito en

el apartado 4.3.a). Contraste con el valor teórico.
Zin (KΩ) Zin (KΩ)
Teórica Medida

7) Mida la impedancia de salida del amplificador siguiendo el proceso descrito en el

apartado 4.3.b). Contraste con el valor teórico.
Zout (Ω) Zout (Ω)
Teórica Medida

8) Mida las frecuencias de corte superior e inferior y determine el ancho de banda.

fcH (MHz) fcL (Hz) BW (MHz)

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PARTE II. AMPLIFICADOR BASADO EN UN PNP

9) Diseñe y monte un amplificador basado en un transistor PNP, con un circuito de

autopolarización, que cumpla con lo siguiente.

Av VEE ICq VECq

-50 15V 5 mA 7.5V
VEE

R1 RE CE

C1
BC557B C2
Vi
Q1
Vo
R2 RC

0
Figura 4.2 Emisor Común con el BC557B

10) Compruebe que el punto de polarización se corresponde con el elegido en el diseño.

VECq (V) ICq (mA)

11) Mida: 12) Mida:

Av fcL (Hz) fcH (MHz) Zin (KΩ) Zout (KΩ)

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