1.

Dioda
 Prinsip Kerja
Dioda terbentuk dari bahan semikonduktor tipe P dan N yang digabungkan.
Dengan demikian dioda sering disebut PN junction. Dioda adalah gabungan bahan
semikonduktor tipe N yang merupakan bahan dengan kelebihan elektron dan tipe P
adalah kekurangan satu elektron sehingga membentuk Hole. Hole dalam hal ini
berfungsi sebagai pembawa muatan.
Apabila kutub P pada dioda (biasa disebut anode) dihubungkan dengan
kutub positif sumber maka akan terjadi pengaliran arus listrik dimana elektron bebas
pada sisi N (katode) akan berpindah mengisi hole sehingga terjadi pengaliran arus.
Sebaliknya apabila sisi P dihubungkan dengan negatif baterai / sumber, maka
elektron akan berpindah ke arah terminal positif sumber. Didalam dioda tidak akan
terjadi perpindahan elektron.

 Karakteristik
1. Dioda di Bias Maju
Karakteristik dioda yang pertama yaitu di bias secara maju. Dioda ini di bias
maju untuk dapat memberikan tegangan luar menuju terminal dioda. Jika anoda(+)
terhubung dengan sebuah kutub positif pada batrai serta katoda(-) terhubung dengan
kutub negatif pada batrai maka akan mengakibatkan suatu bias maju atau forward
bias.

2. Dioda di Bias Mundur

Karakteristik dioda yang kedua adalah dengan cara di bias secara mundur.
Anoda(+) dihubungkan dengan sebuah kutub negatif dan katoda(-) dihubungan
dengan sebuah kutub positif sehingga jumlah arus yang mengalir pada rangkaian bias
mundur akan lebih kecil. Ketika terjadi proses reserve, dioda ini tidak bisa
menghantarkan listrik karena nilai hambatannya lebih besar. Dioda ini juga
dianjurkan untuk tidak memiliki suatu besar tegangan dan arus yang melebihi batas.

 Aplikasi
Beberapa aplikasi dioda adalah sebagai berikut :
- Rectifier (penyearah)
- Clipper (pemotong sinyal)
- Rangkaian penjepit (clamping circuits)
- Rangkaian logika dasar
 - Voltage multiplier (pendobel tegangan)
- Pengaman polaritas DC
- Pelindung tekanan tegangan

2. Thyristor
 Prinsip kerja
Pada prisipnya, Thyristor yang memiliki terminal tiga akan menggunakan
arus tegangan rendah yang diberikan kepada salah satu kaki terminalnya untuk
mengendalikan aliran arus tegangan tinggi yang melewati dua terminal lainya.
Sedangkan untuk Thyristor berterminal dua tidak memiliki kendali GATE, fungsi
saklarnya akan di aktifkan apabila tengangan pada kedua terminalya mencapai level
tertentu. Level tegangan yang dimaksud biasanya disebut Breakdown Voltage. Pada
saat dibawah tegangan breakdown. Kedua kaki terminal tidak akan mengaliri arus
listrik atau berada pada posisi OFF.

 Karakteristik
Jika thyristor diberi forward bias (anode diberi tegangan positif dan cathode
diberi tegangan negatif), maka thyristor akan ON setelah ada arus gate. Dalam
kondisi diatas (forward bias) tegangan dinaikkan sampai tegangan tertentu, maka
tiba-tiba thyristor akan ON. Tegangan ini disebut “breakover voltage“ yang dapat
merusak thyristor. Dari hal tersebut thyristor tidak akan ON kecuali diberikan arus
gate (thyristor diberi forward bias). Selanjutnya, bila thyristor diberi reverse bias
(anode diberi tegangan negatif dan cathode diberi tegangan negatif), maka thyristor
mempunyai karkteristik seperti diode biasa. Dengan demikian, thyristor akan tetap
OFF. Selanjutnya bila tegangan dinaikkan (diberi reverse voltage), maka pada
tegangan tertentu thyristor akan “break down“. Hal ini pun dapat merusak thyristor.

 Aplikasi
Secara umum, aplikasi Thyristor adalah  :
1. Mengontrol kecepatan dan frekuensi
2. Penyearahan
3. Pengubahan daya
4. Manipulasi robot
5. Kontrol temperature
6. Kontrol cahaya
3. Transistor
 Prinsip kerja
Arus akan mengalir dari colector menuju Emitor apabila kaki basis diberikan
arus atau tegangan. Sedikit saja arus atau tegangan kita berikan ke kaki basis, maka
arus yang besar akan mengalir dari Colector ke Emitor. Perbandingan arus colektor
yang mengalir ke Emitor dan arus basis yang diberikan dinamakan penguatan atau
Gain. Variasi arus basis yang diberikan juga akan mengakibatkan variasi besarnya
arus yang mengalir di colector ke Emitor. Prinsip inilah yang digunakan untuk
membentuk sebuah Amplifier yang handal. Arus kecil dari suara penyanyi yang
masuk ke microfon berubah menjadi suara yang besar menggelegar di sepeaker
panggung, inilah contoh penggunaanya.

 Karakteristik
Karakteristik dari masing-masing daerah operasi Transistor tersebut dapat
diringkas sebagai berikut:
1. Daerah Potong
Dioda Emiter diberi prategangan mundur. Akibatnya, tidak terjadi pergerakan
elektron, sehingga arus Basis, IB = 0. Demikian juga, arus Kolektor, IC = 0, atau
disebut ICEO (Arus Kolektor ke Emiter dengan harga arus Basis adalah 0).

2. Daerah Saturasi
Dioda Emiter diberi prategangan maju. Dioda Kolektor juga diberi prategangan maju.
Akibatnya, arus Kolektor, IC, akan mencapai harga maksimum, tanpa bergantung
kepada arus Basis, IB, dan βdc. Hal ini, menyebabkan Transistor menjadi komponen
yang tidak dapat dikendalikan. Untuk menghindari daerah ini, Dioda Kolektor harus
diberi prateganan mundur, dengan tegangan melebihi VCE(sat) yaitu tegangan yang
menyebabkan Dioda Kolektor saturasi.

3. Daerah Aktif
Dioda Emiter diberi prategangan maju. Dioda Kolektor diberi prategangan mundur.

4. Daerah Breakdown

Dioda Kolektor diberiprategangan mundur yang melebihi tegangan Breakdown-nya,

BVCEO (tegangan breakdown dimana tegangan Kolektor ke Emiter saat Arus Basis
 adalah nol). Sehingga arus Kolektor, IC, melebihi spesifikasi yang dibolehkan.
Transistor dapat mengalami kerusakan.
 Jenis-Jenis Transistor
1. Bipolar junction transistor (BJT)
Bipolar junction transistor (BJT) adalah jenis transistor yang memiliki tiga
kaki, yaitu (Basis, Kolektor, dan Emitor) dan di pisah menjadi dua arah aliran, positif
dan negatif. Aliran positif dan negatif  diantara Basis dan Emitor terdapat tegangan
dari 0v sampai 6v tergantung pada besar tegangan sumber yang dipakai. Dan besar
tegangan tersebut merupakan parameter utama transistor tipe BJT. Tidak seperti Field
Effect transistor (FET), arus yang dialirkan hanya terdapat pada satu jenis
pembawaan (Elektron atau Holes). Di BJT, arus dialirkan dari dua tipe pembawaan
(Elektron dan Holes), hal tersebut yang dinamakan dengan Bipolar
Ada dua jenis tipe transistor BJT, yaitu tipe PNP dan NPN. Dimana NPN, terdapat
dua daerah negatif yang dipisah dengan satu daerah positif. Dan PNP, terdapat dua
daerah positif yang dipisah dengan daerah negatif.
Dan pada NPN, untuk mengalirkan arus tersebut dibutuhkan sambungan ke
sumber positif (+) pada kaki basis. Cara kerja NPN adalah ketika tegangan yang
mengenai  kaki basis, hingga dititik saturasi, maka akan menginduksi arus dari kaki
kolektor ke emitor. Dan transistor akan berlogika 1 (aktif). Dan apabila arus yang
melalui basis berkurang, maka arus yang mengalir pada kolektor ke emitor akan
berkurang, hingga titik cutoff. Penurunan ini sangatlah cepat karena perbandingan
penguatan yang terjadi antara basis dan kolektor melebihi 200 kali.
Pada PNP, terjadi hal sebaliknya ketika arus mengalir pada kaki basis, maka
transistor berlogika 0 (off). Arus akan mengalir apabila kaki basis diberi sambungan
ke ground (-) hal ini akan menginduksi arus pada kaki emitor ke kolektor, hal yang
berbeda dengan NPN, yaitu arus mengalir pada kolektor ke emitor.

2. Field Effect Transistor (FET)

Field Effect Transistor adalah jenis transistor yang dapat digunakan untuk
menghasilkan sinyal untuk mengontrol komponen yang lain. Komponen Transistor
efek medan (field-effect transistor = FET) mempunyai fungsi yang hampir sama
dengan transistor bipolar. Meskipun demikian antara FET dan transistor bipolar
terdapat beberapa perbedaan yang mendasar. Perbedaan utama antara kedua jenis
transistor tersebut adalah bahwa dalam transistor bipolar arus output (Ic) dikendalikan
oleh arus input (Ib). Sedangkan dalam FET arus output (ID) dikendalikan oleh
tegangan input (Vgs), karena arus input adalah nol. Sehingga resistansi input FET
sangat besar, dalam orde puluhan megaohm. 
 Transistor efek medan mempunyai keunggulan lebih stabil terhadap
temperatur dan konstruksinya lebih kecil serta pembuatannya lebih mudah dari
transistor bipolar, sehingga amat bermanfaat untuk pembuatan keping rangkaian
terpadu. FET bekerja atas aliran pembawa mayoritas saja, sehingga FET cenderung
membangkitkan noise (desah) lebih kecil dari pada transistor bipolar. Namun
umumnya transistor  bipolar lebih peka terhadap input, atau dengan kata lain
penguatannya lebih besar. Disamping itu transistor bipolar mempunyai linieritas yang
lebih baik dan respon frekuensi yang lebih lebar. Jenis dari transistor FET itu sendiri
adalah JFET dan MOFET 

 Aplikasi
Beberapa aplikasi transistor adalah sebagai berikut :
1. Sebagai saklar
2. Sebagai penguat
3. Sebagai pewaktu

3. Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT)

Sesuai dengan namanya, peranti baru ini merupakan peranti yang

menggabungkan struktur dan sifat-sifat dari BJT dan MOSFET. Dengan kata lain,
IGBT mempunyai sifat kerja yang menggabungkan keunggulan sifat-sifat kedua jenis
transistor tersebut. Saluran gerbang dari IGBT, sebagai saluran kendali juga
mempunyai struktur bahan penyekat (isolator) sebagaimana pada MOSFET. Masukan
dari IGBT adalah terminal Gerbang dari MOSFET, sedang terminal Sumber dari
MOSFET terhubung ke terminal Basis dari BJT. Dengan demikian, arus cerat keluar
dari MOSFET akan menjadi arus basis dari BJT. Karena besarnya resistansi masukan
dari MOSFET, maka terminal masukan IGBT hanya akan menarik arus yang kecil
dari sumber. Di pihak lain, arus cerat sebagai arus keluaran dari MOSFET akan
cukup besar untuk membuat BJT mencapai keadaan jenuh. Dengan gabungan sifat
kedua unsur tersebut, IGBT mempunyai perilaku yang cukup ideal sebagai
sebuah saklar elektronik. Di satu pihak IGBT tidak terlalu membebani sumber, di
pihak lain mampu menghasilkan arus yang besar bagi beban listrik yang
dikendalikannya.Terminal masukan IGBT mempunyai nilai impedansi yang sangat
tinggi, sehingga tidak membebani rangkaian pengendalinya yang umumnya terdiri
dari rangkaian logika. Ini akan menyederhanakan rancangan rangkaian pengendali
dan penggerak dari IGBT. Di samping itu, kecepatan pensaklaran IGBT juga lebih
tinggi dibandingkan peranti BJT.