Bilik ionisasi cair

Volume bilik ionisasi ditentukan berdasarkan kompromi antara

minimalisasi volume untuk kemudahan lokalisasi dalam
pengukuran dan maksimasi dalam memperoleh signal dengan rasio
signal-noise tertinggi. Dibanding dengan bilik ionisasi gas, bilik
berisi cairan lebih menguntungkan karena material aktifnya
memiliki densitas lebih tinggi. Namun desain dan penggunaan
bilik ionisasi cair tidak mudah, karena membutuhkan beda
tegangan relatif lebih tinggi (1000 V), mudah terjadi rekombinasi
yang menurunkan efesiensi tanggapan, dan memiliki tanggapan
yang tidak linear. Disamping memiliki sensitivitas tinggi dan
bentuk kecil, bilik ionisasi cair menunjukkan efek perturbasi yang
dapat diabaikan dan memiliki rasio daya henti terhadap air dengan
jangkauan lebar berbagai energi foton. Wickman dan Nystroem
(1992) membuat bilik ionisasi plan paralel dengan pemisahan plat
0.3 mm, diisi dengan cairan dielektrik seperti isooctane atau
tetrametilsiline.

Dalam beberapa penelitian, bilik ionisasi cair digunakan pada

EPID (electronic portal imaging device). Selain itu bilik ionisasi
ini juga telah digunakan oleh beberapa peneliti dalam pengukuran
in vivo untuk verifikasi dosisi pasien

Optically stimulated luminiscence dosimetry (OSL)

Prinsip kerja OSL sama dengan fenomena TLD. Sebagai ganti
pemanasan, lompatan elektron dari perangkap ke pita konduksi
dapat dilakukan dengan pemberian cahaya, seperti cahaya yang
dihasilkan oleh laser. Proses pembacaan dapat berlangsung cepat,
dan cahaya dapat dilokalisir dalam kristal sehingga stimulasi dapat
dipilih pada bagian kristal, sehingga menghasilkan resolusi spasial
tinggi. Selain itu OSL juga dapat digunakan untuk pengukuran real
time (Aznar et al. 2004). Dalam radioterapi, dosimeter ini belum
banyak dipakai. Pembacaan dilakukan dengan mendeteksi cahaya
pada arah 90 yang telah terfilter untuk menjaga pengaruh dari
cahaya stumulans. Pemberian cahaya pulsatif (POSL) merupakan
perkembangan OSL, sampel dieksitasi menggunakan pulsatif laser
Ar-ion. Setelah suatu pulsa cahaya kuat sekitar 30 ms, shutter
mengisolasi laser dan saat itu pula photomultiplier menerima
cahaya luminisensi dari kristal. Contoh POSL yang paling
menjanjikan adalah AL2O3:C, yang bila distimulasi dengan cahaya
menghasilkan intensitas cahaya 3 kali lebih tinggi dibanding
dengan bila dipanaskan. Dosimeter ini telah digunakan sebagai
dosimeter personal, dan juga memungkinkan untuk mengukur
dosis pada organ kritis dalam radioterapi.

Detektor intan
Intan merupakan suatu resistans yang harganya proporsional
dengan laju dosis. Pada suatu laju dosis, arus proporsional dengan
dengan beda tegangan, yang umumnya sekitar 100 V. Tanggapan
dosimeter dipengaruhi oleh laju dosis dan impuritas dalam
material. Rekombinasi antara elektron dan lobang akan
menurunkan signal yang dihasilkan oleh radiasi. Pemberian
impuritas dapat mengurangi efek ini, karena dengan penambahan
perangkap elektron akan mengakibatkan penambahan lobang
sehingga lebih banyak dibanding dengan elektron bebas. Dengan
demikian variasi laju dosis yang berakibat pada variasi jumlah
elektron tidak banyak berpengaruh pada perubahan rekombinasi
yang signifikan. Efek yang demikian membuat dosimeter intan
tidak tergantung pada laju dosis namun menurunkan sensitivitas.
Efek lain adalah polarisasi detektor sebagai akibat perangkap
elektron. Polarisasi mengakibatkan penurunan sensitivitas dengan
kenaikan dosis total, dan direkomendasikan untuk melakukan pre-
iradiasi dengan dosis sekitar 5 Gy sebelum dosimeter digunakan.

Intan mendekati ekuivalen jaringan dengan rasio daya henti dalam

karbon dengan dalam jaringan mendekati konstan untuk semua
energi foton. Tanggapan detektor tidak tergantung pada arah
jatuhnya berkas, dan bentuknya yang kecil cocok untuk
pengukuran dengan lapangan kecil memungkinkan untuk dipakai
dalam perlakuan stereotactic surgery. Untuk pengukuran depth
dose, faktor pengaruh laju dosis harus dimasukkan. Tanggapan
menurun sekitar 3% untuk perubahan laju dosis dari 0.8 Gy/men
sampai 4.0 Gy/men.

Dosimeter semikonduktor
Dibanding dengan bilik ionisasi dosimeter dioda mempunyai
volume aktif lebih kecil, mengingat energi yang diperlukan untuk
membentuk pasangan ion sekitar 10 kali lebih rendah dalam
material padat dibanding dengan dalam gas. Hampir semua jenis
detektor ini termasuk dalam kelompok detektor radiasi aktif,
karena bacaan dosis dapat dibaca langsung. Dalam radioterapi
dikenal 2 jenis detektor semikonduktor:
 dioda silikon
 metal oxide semiconductors-field effect transistors
(MOSFETs)

Dioda Silikon
Silikon (Si) dan germanium (Ge) sudah digunakan untuk
spectrometry dan telah menggantikan sintilator bila diperlukan
resolusi tinggi. Namun semikonduktor dapat pula digunakan untuk
dosimeter, yang dapat pula menggantikan bilik ionisasi. Karena
ionisasi yang dihasilkan oleh partikel bermuatan yang melewati
volume sensitive sebanding dengan energy yang diserap, dan tidak
tergantung pada LET, maka semikonduktor ini dapat bertindak
sebagai spectrometer ataupun dosimeter.

Pada umumnya dosimeter diode terbuat dari p-n junction, dengan

sebagian besar komponen semikonduktor tipe p, dan pada
permukaannya dibentuk lapisan tipis semikonduktor tipe n. Bila
terminal n diaplikasikan potensial positif (10 – 103V) terhadap
permukaan yang dilapis dengan penguapan metal, maka diantara
kedua jenis semikonduktor terjadi depletion layer yang selanjutnya
bertindak sebagai volume sensitif. Ketebalan depletion layer
sebanding dengan akar potensial aplikasi, yang umumnya dalam
micrometer sampai dengan 5 mm.

Pasangan ion (electron-lobang) terjadi dalam depletion layer

material Si pada 300 K memerlukan energy 3.68 eV untuk
membebaskan elektron dan 2.97 eV dalam Ge pada 77 K.
Dibandingkan dengan energy ionisasi W dalam bilik ionisasi,
maka energy ionisasi dalam semikonduktor relatif lebih rendah,
sekitar sepersepuluhnya. Artinya untuk penyerapan energy yang
sama dalam semikonduktor akan terjadi ionisasi lebih tinggi
sepuluh kali lipat. Oleh karenanya semikonduktor Si dan Ge
mempunyai resolusi energy relative lebih tinggi. Mobilitas elektron
1350 cm per V/cm dalam Si dan 3900 cm per V/cm dalam Ge pada
300 K, sedangkan mobilitas lobang 480 dan 1900 cm per V/cm
berturut-turut dalam Si dan Ge pada suhu 300 K. Dengan demikian
elektron dapat mencapai batas volume sensitive memerlukan
waktu sekitar 10-7 – 10-6 s, yang relatif singkat.

Detektor Si(Li) dan Ge(Li) dapat dibuat tipis sampai 10 pm yang

dapat bertindak sebagai alat ukur dE/dx partikel bermuatan. Dapat
pula sebagai dosimeter atau pengukur distribusi medan partikel
bermuatan. Detektor Ge(Li) dipilih dibanding Si(Li) untuk
spectrometer sinar X energy > 50 keV ataupun untuk mengukur
fluens energy, karena Ge mempunyai Z (32) lebih tinggi dari Si
dengan Z (14), sehingga Ge memiliki kemungkinan interaksi
fotolistrik relative lebih tinggi.

Detektor Ge(Li) dan Si(Li) dioperasikan dengan nitrogen cair

untuk menjaga kestabilan resolusi spektrometer. Bila Ge(Li)
pernah dipanaskan sampai temperatur kamar, dimungkinkan
detektor rusak akibat Li migrasi, sedangkan detector Si(Li) dapat
berada dalam suhu ruang karena mobilitas ion Li rendah.

Dosimeter semikonduktor merupakan dioda p-n junction. Dioda

dibuat dari semikonduktor tipe p atau tipe n dengan memberi
doping yang berlawanan pada permukaannya untuk membentuk
semikonduktor sebaliknya. Tergantung pada material dasar,
dosimeter dapat dalam bentuk n-Si ataupun p-Si. Namun untuk
radioterapi umumnya digunakan jenis p-Si, mengingat dosimeter
jenis ini tidak mudah rusak oleh radiasi dan mempunyai dark
current relatif lebih kecil.
Lapisan deplesi merupakan daerah sensitif dosimeter. Ketika
semikonduktor diradiasi, terbentuk partikel bermuatan seperti
elektron dan lobang elektron yang dapat bergerak bebas, dan
mengakibatkan signal arus mengalir. Pada prinsipnya, radiasi
pengion tidak hanya dideteksi oleh dioda, namun juga merusak
semikonduktor. Oleh karenanya sensitivitas detektor dioda berubah
dipengaruhi oleh sejarah penggunaannya. Menurut Rikner dan
Grusell, semikonduktor jenis-p relatif lebih cocok untuk detektor
radiasi. Setelah pre-irradiation dengan dosis beberapa kGy,
kerusakan semikonduktor menjadi rendah, sehingga dosis
berpengaruh lambat pada perubahan sensitivitas detektor.

Beberapa sifat yang perlu diperhatikan dalam dosimeter dioda:

 Dioda digunakan dengan rangkaian pendek, untuk mengurangi
kebocoran arus.
 Dioda lebih sensitif dan mempunyai ukuran lebih kecil
dibanding dengan bilik ionisasi. Dosimeter dioda adalah
dosimeter relatif.
 Dioda berguna terutama untuk pengukuran dalam fantom,
contohnya untuk lapangan kecil yang digunakan dalam bedah
radiasi stereotaktik atau daerah dosis gradien tinggi seperti
 daerah penumbra. Dosimeter ini sering juga dipakai untuk
pengukuran dosis kedalaman berkas elektron.
 Dosimeter dioda sering digunakan untuk dosimetri in vivo pada
pasien atau pengukuran dosis pada rectum atau bladder.
 Dosimeter harus dikalibrasi sebelum dipakai untuk pengukuran
in vivo.
 Respons dioda dipengaruhi oleh temperatur, laju dosis, sudut
datang berkas, energi radiasi, dan sedikit dipengaruhi
komposisi spektral berkas radiasi.

Sistem dosimetri MOSFET

Metal-oxide semiconductor field effect transistor (MOSFET),
merupakan transistor silicon yang mempunyai resolusi spasial
tinggi dan atenuasi berkas relatif rendah karena ukurannya yang
kecil, sehingga cocok untuk dosimetri in vivo. Radiasi pengion
akan menembus oksida dan menghasilkan muatan yang
selanjutnya terperangkap permanen. Dosis integral dapat dibaca
selama atau sesudah iradiasi. Dosimeter ini mempunyai waktu
hidup terbatas.

Pengukuran didasarkan pada penyerapan radiasi pengion yang

menimbulkan perubahan potensial ambang pada gate, threshold
voltage (VT) gate. Variasi potensial ambang pada umumnya
dievaluasi dengan mempertahankan arus konstan antara source
dengan drain (sekitar 50 µA) dan mengukur potensial ambang
yang diperlukan. Perubahan potensial ambang yang sebanding
dengan dosis radiasi, terjadi sebagai akibat pembawa muatan
(elektron atau lobang) yang terbentuk dalam lapisan isolator
silikon oksida. Muatan positif (lobang) bergerak menuju interface
Si-SiO2 dan terperangkap membentuk build-up muatan dalam gate
oksida SiO2. Dalam beberapa aplikasi (Butson et al, 1996a,
Rosenfeld et al. 1995), untuk dosimetri digunakan p-MOSFET, i.e
silicone-substrate adalah Si tipe n. MOSFET dapat digunakan
dengan mode pasif atau aktif. Dalam mode aktif gate diberi
potensial bias positif terhadap sumber selama irradiasi. Medan
listrik dalam gate oksida mereduksi recombinasi pasangan
elektron-lobang yang diinduksi oleh ionisasi sehingga lebih banyak
lobang yang akan terperangkap dalam interface Si-SiO2.

Perubahan potensial ambang dipengaruhi oleh bias gate selama

irradiasi dan ketebalan lapisan isolasi SiO 2. Untuk memperoleh
sensitivitas memadai, lapisan perlu cukup ”tebal” (0.5 sampai 1
µm). Disamping itu bias gate tinggi selama irradiasi meningkatkan
sensitivitas, potensial bias 100 V, dapat diperoleh sensitivitas 5V
per Gy (Litovchenko et al. 1990). Namun demikian sensitivitas
tinggi akan mengakibatkan kejenuhan detektor relatif lebih cepat,
sehingga biasanya digunakan potensial bias 3V sampai 6V (Butson
et al. 1996a). Dengan potensial bias 6V detektor MOSFET
memberi tanggapan linear dengan dosis dalam batas 2% sampai
dosis 50 Gy.

Keuntungan utama dosimeter MOSFET adalah ukurannya yang

sangat kecil, gate dapat memiliki lebar 10 µm dengan tebal lapisan
sensitif 1 µm bahkan dapat lebih tipis lagi. Penggunaan klinis
dosimeter MOSFET antara lain untuk pengukuran dosis
permukaan dalam berkas foton, kebocoran MLC, dan dosimetri in
vivo. Ukurannya yang kecil juga memungkinkan untuk digunakan
dalam brakhiterapi dan microbeam radioterapi.
Beberapa sifat detektor MOSFET yang perlu diperhatikan:
 Satu jenis MOSFET dapat dipakai untuk foton dan elektron
dengan jangkauan energi lebar, meskipun respons bervariasi
dengan kualitas radiasi. Namun khusus untuk berkas megavolt
MOSFET tidak memerlukan koreksi energi, digunakan
kalibrasi tunggal.
 MOSFET mempunyai anisotropi aksial kecil ( 2% untuk
360), dan tidak memerlukan koreksi laju dosis.
 MOSFET dipengaruhi oleh temperatur, namun dapat dikurangi
dengan membentuk desain khusus sistem MOSFET dobel.
Dosimeter ini juga dipengaruhi oleh tegangan bias selama
iradiasi, dan respons sedikit berubah setelah iradiasi.
 MOSFET dipakai dalam pengukuran in vivo dan dalam fantom,
seperti verifikasi dosis pasien rutin, TBI (total body
irradiation), brakhiterapi, IMRT (intensity modulated
radiotherapy), intraradiotherapy dan radiosurgery.
 MOSFET dapat digunakan sebagai dosimeter integratif, dapat
digunakan untuk memantau seluruh fraksinasi perlakuan
pasien. Untuk keperluan ini, peluruhan harus diperiksa untuk
koreksi.
 Detektor mempunyai waktu hidup terbatas.
 MOSFET tidak ekuivalen jaringan dan mempunyai respons
bervariasi dengan kualitas radiasi. Mengingat volume aktif
detektor sangat kecil, packaging/pembungkusan detektor
berpengaruh pada karakteristik respons.

Alanine dosimeter
Alanine adalah salah satu asam amino, merupakan material
organik, dapat dipakai sebagai dosimeter dengan cara
memampatkannya menjadi dalam bentuk pelet atau batang.
Dosimeter ini dapat untuk mengukur dosis tinggi, sampai lebih dari
10 Gy. Interaksi dengan radiasi mengakibatkan pembentukan
radikal yang terperangkap dalam dosimeter, yang jumlahnya
sebanding dengan dosis yang diterimanya. Pembacaan setelah
irradiasi dilakukan dengan ESR (elektron spin resonance).
Pembacaan tidak mengakibatkan perusakan material, sehingga
dapat diulang.

Alanin merupakan ekuivalen jaringan, sehingga pengukuran dosis

tidak memerlukan faktor koreksi dalam rentang kualitas radiasi
untuk radioterapi.Peluruhan jumlah radikal pada umumnya rendah.
Tanggapan dosimeter tergantung pada kondisi lingkungan,
temperatur dan kelembaban. (Departemen Fisika memiliki
spektrometer ESR, namun sayangnya saat ini dalam kondisi tidak
berfungsi).

Dosimeter lain (Scintilator plastik, dosimetri gel)