APLIKASI dan JENIS

DIODE

Ari Wijayanti
1. Rangkaian Clipping (1)
R1
Vi
Vo
20V
D 20V
+
10V

10V
Rangkaian Clipping (2)
R1
Vi
Vo
20V
D 20V
+

10V -10V
 Rangkaian Clipping (3)
R1
Vi
Vo
20V
D1 D2 20V
+
10V

-10V
10V 10V
2. Diodes sebagai penyearah (Rectifiers)
(Half Wave Rect.)
Vo

RL
Diodes sebagai Penyearah (Rectifier)
(Full Wave Rect.)
D1

Vo

RL

D2
Diode sebagai penyearah (Rectifiers)
(Full Wave Rect.)

Vo

D1 D2

D3 D4
RL
Diode sebagai Penyearah (Rectifiers)
(Full Wave Rect. + Filter)
Vo

D1 D2

D3 D4
RL
C
JENIS-JENIS DIODA
 Dioda Schottky
• Dioda Schottky merupakan metal-semiconductor (MS) diode
• Metal sering digunakan adalah emas, perak atau platina
• Merupakan piranti unipolar karena pembawa muatan mayoritasnya
hanya elektron bebas
Dioda P-N
N –type
P N Metal semikonduktor

Dioda Schottky

A K

Simbol Dioda Schottky

• Perbedaaan antara dioda PN dengan Dioda Schottky terletak pada
dominan arus yang lewat
 dioda PN
- Arus muncul dari rekombinasi pada depletion layer saat
mendapatkan forward bias.
- Arus muncul dari injeksi hole dari sisi p+ side saat forward bias.
 Dioda Schottky
- Arus muncul akibat injeksi elektron dari semikonduktor ke metal

Tidak memiliki lapisan pengosongan sehingga

dapat diswitch on/off lebih cepat dari diode biasa
 Karakteristik I-V

Karena Schottky diode adalah piranti

dengan majority carrier (satu carrier) 
hanya majority carriers yang melakukan
injeksi dari semikonduktor ke metal

• Respon frekuensi dari Schottky lebih cepat dari pn diode

• Tegangan on Schottky lebih rendah dari p-n diode.
pada Si-Schottky diodesTegangan on bisa lebih kecil dari 0,3 Volts
• Schottky diode sangat baik untuk power switch protection pada :
- aplikasi beban inductive (motors, solenoids, coils, dll)
- aplikasi frekuensi tinggi
• Kerugian : higher leakage currents dan lower breakdown voltages
 dimana

Dimana ΦB adalah Schottky barrier height, VA adalah tegangan

yang diaplikasikan, A luas area dan A* adalah Richardson’s
constant
 Penampang
Dioda Schottky

Fabrikasi
Dioda Schottky
 Dioda Zener
• Terbuat dari silikon pn junction
• Diode zener adalah dioda yang memanfaatkan daerah breakdown
• Ada dua tipe : Avalanced Multiplication dan Zener Breakdown
Karakteristik I-V

• Pada daerah forward bias,

diode zener berlaku seperti
dioda silicon, dengan
tegangan 0.7 volt ketika
conducts.
 Diode Tunnel

Prinsip Pembuatan :

Konsentrasi doping
dinaikkan sangat tinggi

Lapisan pengosongan
sangat tipis

simbol Potensial barrier kecil

sekali