Diodos e transistores: teoria e prática

Diodos
Transistores Bipolares:
Teoria e Práticas de
Laboratório
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á

3
á á

á

Diodos e
Transistores Bipolares:
Teoria e Práticas de Laboratório
IFCE
Fortaleza, 2010
4
¢
CAPÍTULO 1 ± SEMICONDUTORES ..............................................................................................................7
Introdução ......................................................................................................................................................7
1.1 Materiais semicondutores..........................................................................................................................7
1.1.1 O átomo de silício ..............................................................................................................................8
1.1.2 O átomo de germânio .........................................................................................................................9
Exercícios .................................................................................................................................................... 10
1.1.3 Semicondutores do tipo P e N ........................................................................................................... 11
1.1.4 O diodo ............................................................................................................................................ 12
1.2 Polarização do diodo............................................................................................................................... 13
1.2.1 Polarização direta ............................................................................................................................. 14
1.2.2 Polarização reversa........................................................................................................................... 14
Exercícios .................................................................................................................................................... 15
1.3 Informações Práticas ............................................................................................................................... 16
Exercícios .................................................................................................................................................... 18
Experiência no Laboratório........................................................................................................................... 19
CAPÍTULO 2 ± TEORIA DOS DIODOS ......................................................................................................... 21

Introdução .................................................................................................................................................... 21
2.1 Curva característica do diodo .................................................................................................................. 21
2.2 Polarização Direta................................................................................................................................... 22
2.3 Polarização Reversa ............................................................................................................................ 22
2.4 Modelos Do Diodo ................................................................................................................................. 22
2.4.1 Diodo Ideal ...................................................................................................................................... 22
2.4.3 Modelo linearizado........................................................................................................................... 24
Exercícios .................................................................................................................................................... 24
CAPÍTULO 3 ± CIRCUITOS COM DIODOS .................................................................................................. 29

Introdução .................................................................................................................................................... 29
3.1 Tensão Senoidal...................................................................................................................................... 29
3.2 Transformador ........................................................................................................................................ 30
3.3 Circuito Retificador de Meia-Onda.......................................................................................................... 31
3.4 Circuito Retificador de Onda Completa ................................................................................................... 35
3.5 Retificador Em Ponte .............................................................................................................................. 40
3.6 Comparação Entre As Frequências Dos Circuitos Retificadores ............................................................... 43
Exercícios .................................................................................................................................................... 44
Capacitor variável ........................................................................................................................................ 49
CAPÍTULO 4 - CIRCUITOS RETIFICADORES COM FILTRO ..................................................................... 50

Introdução .................................................................................................................................................... 50
4.1 Circuito Retificador de Meia-Onda com Filtro Capacitivo ....................................................................... 50
4.2 Circuito Retificador de Onda Completa com Derivação Central e Filtro Capacitivo ................................. 53
4.3 Retificador em Ponte com Filtro.............................................................................................................. 56
Exercícios .................................................................................................................................................... 59
CAPÍTULO 5 ± OUTRAS APLICAÇÕES PARA O DIODO ........................................................................... 66

Introdução .................................................................................................................................................... 66
5.1 Rádio elementar ...................................................................................................................................... 66
5.2 Diodo nos circuitos de proteção............................................................................................................... 66
5.3 Circuito Tanque ...................................................................................................................................... 67
5.3.1 Propriedades do indutor ....................................................................................................................... 67
5
5.4 Circuito ressonante ................................................................................................................................. 68
5.5 Circuito tanque na geração de sinais de rádio........................................................................................... 70
Exercícios .................................................................................................................................................... 71
CAPÍTULO 6 - CIRCUITOS LIMITADORES (CEIFADORES) E GRAMPEADORES ................................... 74

Introdução .................................................................................................................................................... 74
6.1 Circuitos Limitadores.............................................................................................................................. 74
6.2 Circuitos Grampeadores .......................................................................................................................... 80
Exercícios .................................................................................................................................................... 84
CAPÍTULO 7 ± DIODOS ESPECIAIS ............................................................................................................. 88

Introdução .................................................................................................................................................... 88
7.1 Diodo Zener ........................................................................................................................................... 88
7.2 Diodo Emissor De Luz (LED) ................................................................................................................. 92
7.3 Diodo Túnel ........................................................................................................................................... 94
7.4 Diodo Varicap (Varactor ou VVC) .......................................................................................................... 96
Revisão ........................................................................................................................................................ 97
Experiência no Laboratório......................................................................................................................... 100
CAPÍTULO 8- TRANSISTOR BIPOLAR ...................................................................................................... 105

Introdução .................................................................................................................................................. 105
8.1 Constituição de um transistor bipolar..................................................................................................... 105
8.2 Polarização do Transistor ...................................................................................................................... 106
8.3 Configurações Básicas do Transistor ..................................................................................................... 109
8.3.1 Configuração Emissor comum ........................................................................................................ 109
8.3.2 Configuração Base comum ............................................................................................................. 112
8.4 Transistor como Chave ......................................................................................................................... 125
8.5 Transistor como Fonte de Corrente........................................................................................................ 126
Exercícios .................................................................................................................................................. 131
Experiência no Laboratório......................................................................................................................... 138
Alarme para porta com transistor ................................................................................................................ 140
Alarme de passagem ................................................................................................................................... 141
CAPÍTULO 9 - OUTROS COMPONENTES ELETRÔNICOS....................................................................... 143

Introdução .................................................................................................................................................. 143
9.1 Transistor de Unijunção (TUJ) .............................................................................................................. 143
9.1.1 Funcionamento............................................................................................................................... 143
9.1.2 Aplicação típica: oscilador de relaxação.......................................................................................... 144
9.2 DIODO DE QUATRO CAMADAS ...................................................................................................... 145
9.2.1 Funcionamento............................................................................................................................... 145
9.3 Diodo controlado de silício (SCR) ......................................................................................................... 147
9.3.1 Estrutura e funcionamento do SCR ................................................................................................. 147
9.3.2 Aplicações em CC típicas para o SCR ............................................................................................ 148
9.4 Diac...................................................................................................................................................... 149
9.5 Triac..................................................................................................................................................... 150
9.4.2 Aplicações típicas para o TRIAC .................................................................................................... 151
Exercícios .................................................................................................................................................. 154
BIBLIOGRAFIA CONSULTADA ................................................................................................................. 155
6
CAPÍTULO 1 ± SEMICONDUTORES

Antes de iniciar o estudo sobre materiais semicondutores, vamos compreender a sua
importância e exemplos de aplicações dos componentes que será abordado neste livro.
O homem contemporâneo utiliza no seu dia a dia muitos equipamentos eletrônicos, tais
como celular, computador, televisão e vários outros dispositivos. Todos estes equipamentos,
no qual o homem faz uso é constituída a base de materiais semicondutores.
Como ocorreu a descoberta destes materiais?
Na década de 1940, um grupo de pesquisadores que trabalham no laboratório Bell
Telephone, nos Estados Unidos, estudava um dispositivo eletrônico para substituir os relés que
eram utilizados no sistema telefônico. O grupo era formado pelo físico William Schockey, o
engenheiro eletricista Jonh Bardeen e o físico Walter Brattain. Este grupo observou que alguns
materiais não se comportavam nem como condutores nem como isolantes, ou seja, ora
conduzia corrente elétrica ora a bloqueava. Após a descoberta dos materiais semicondutores,
foi possível a implementação de diodos, transistores, CIs, etc.
Os países que investiram em materiais semicondutores tiveram um grande avanço em
sua economia, uma vez que, constitui em um dos setores mais ativo da indústria.
Com exemplo, podemos citar Taiwan, no qual, antes da década de 1970 era uma
economia agrícola, produzia arroz, cana-de±açúcar e abacaxi. A partir da década de 1970
investiu em tecnologia, especialmente em semicondutores. A sua estratégica para o
desenvolvimento de uma política industrial e tecnológica foi baseada na experiência de
parques tecnológicos (vale do silício).
Na década de 2000, a China inspirou-se no modelo de Taiwam e também investiu em
semicondutores com o objetivo de tornar a China o líder mundial em semicondutores em
2010.
Compreender a estrutura química dos materiais semicondutores é de total importância
para que possamos entender o funcionamento dos principais componentes da eletrônica como
o diodo e o transistor que será abordado com detalhes neste livro.
_

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Para o perfeito entendimento sobre os materiais semicondutores, iniciamos fazendo
uma revisão sobre a estrutura atômica.
Um átomo é formado por elétrons que giram ao redor de um núcleo composto por
prótons e nêutrons.
7
Os elétrons giram em órbitas ou níveis bem-definidos, conhecidos com K, L, M, N, O,
P e Q, que representa o modelo atômico de Bohr, como mostra a Figura 1.1.
Q
P
O
N
M
L
K
núcleo
Q

.
órbitas
Figura 1.1 - Estrutura do átomo
A última órbita de um átomo define a sua valência, ou seja, a quantidade de elétrons

desta órbita que pode se libertar do átomo através do bombardeio de energia externa (calor, luz
ou outro tipo de radiação) ou se ligar a outro átomo através de ligações covalentes
(compartilhamento dos elétrons da camada de valência com os elétrons da camada de valência
de outro átomo).
Os materiais semicondutores apresentam 4 elétrons na sua camada de valência
(tetravalentes). Não sendo classificados como bons isolantes, nem como bons condutores.
Os semicondutores mais utilizados são o silício e o germânio.
1.1.1 O átomo de silício
O átomo de silício contém 14 prótons e 14 elétrons distribuídos como indicado na

Figura 1.2.
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"# $'%&
!"# $(%&
) (
Figura 1.2 ± átomo de silício
8
1.1.2 O átomo de germânio
O átomo de germânio contém 32 prótons e 32 elétrons assim distribuídos:
"# $%&

"# $'%&
!"# $ '%&
("# $(%&
+32
Figura1.3- átomo de gemânio
Devido os átomos de silício e de germânio serem tetravalentes, ou seja, possuir quatro

elétrons na última camada, para conseguir a configuração de gás nobre necessitam de mais 4
elétrons para a sua estabilidade.
Quando se tem vários átomos de silício, cada átomo compartilha 4 elétrons com seus
átomos vizinhos através da ligação covalente formando uma estrutura molecular forte.
*+
%.
Figura 1.4 - Ligação dos átomos de silício
9
Uma estrutura cristalina é caracterizada quando os átomos ficam bem organizados, ou
seja, em uma forma bem definida. Se a forma fosse desorganizada seria chamada estrutura
amorfa.
Quando o cristal de silício é colocado em uma temperatura superior ao zero absoluto (-
273 ºC), alguns elétrons da camada de valência se tornam elétrons livres, ou seja, passam para
a camada de condução (banda de condução), sendo capazes de se movimentar pelo material.
São estes elétrons livres que, sob a ação de um campo elétrico, formam a corrente elétrica.
O elétron ao se tornar livre deixa no lugar um buraco (lacuna).
Na temperatura ambiente um cristal puro, ou seja, formado apenas por um tipo de
átomo, ocorre a formação de elétrons livres e lacunas, porém a quantidade de elétrons livres é
igual ao número de lacunas, por isso, a neutralidade deste cristal se mantém. (O número de
cargas positivas é igual ao número de cargas negativas).
Em um cristal formado por germânio na temperatura ambiente a quantidade de elétrons
livres e lacunas são maiores do que no cristal de silício.
Vale ressaltar que a formação de elétrons livres é chamada de GERAÇÃO, e quando se
tem um cristal puro, ele é chamado de semicondutor INTRÍNSECO.
Em um semicondutor intrínseco, como existem elétrons livres e lacunas formadas pela
energia térmica, os elétrons livres se movem randomicamente através do cristal, que
ocasionalmente ocupa uma lacuna (sendo atraído pela lacuna). Quando isto ocorre temos o que
é chamado de RECOMBINAÇÃO. A recombinação é o fenômeno que ocorre quando elétrons
livres ocupam a lacuna, neste caso, o desaparecimento da carga negativa é acompanhado pelo
desaparecimento da carga positiva. A neutralidade do cristal, deste modo é mantida.
O tempo entre a geração e a recombinação é chamado de TEMPO DE VIDA.
Em um semicondutor com o aumento da temperatura temos uma diminuição de sua
resistividade, dizemos que estes materiais possuem coeficiente negativo de temperatura, ou
seja, qualquer aumento de temperatura corresponde a uma diminuição de sua resistência.
Sendo, portanto, diferente do comportamento elétrico dos metais comuns, uma vez que com o
aumento da temperatura a corrente terá maior dificuldade de passar, já que o número de
elétrons livres é bastante elevado e qualquer aumento da temperatura não causará a libertação
de muitos elétrons a mais, mas contribuirá de modo acentuado para um aumento da agitação
térmica dos átomos.
Nos metais com o aumento da temperatura a resistência aumenta. Os metais têm,
portanto, coeficiente positivo de temperatura.
,-
1.c Complete
a)c Os semicondutores mais utilizados e mais comuns são o ______________ e o

_____________.
b)c O átomo de sílicio contém ______________elétrons. Com _______elétrons na camada de
valência.
c)c O átomo de germânio contém_____________elétrons. Com________elétrons na camada
de valência.
10
d)c Os átomos de silício e de germânio por serem _____________, necessitam de
mais________ elétrons para conseguir a configuração de gás nobre.
e)c Cada átomo compartilha ______elétrons com seus átomos vizinhos através da ligação
___________________.
f)c Na temperatura ambiente, alguns elétrons da camada de valência se tornam
____________________________.
g)c A formação de elétrons livres é chamada ________________________.
h)c A ocupação de um elétron livre na lacuna é chamada __________________________.
i)c O tempo entre a geração e recombinação é chamado ______________________.
1.1.3 Semicondutores do tipo P e N
Em um semicondutor podem-se acrescentar impurezas para se obter excesso de

elétrons livres ou excesso de lacunas.
O silício e o germânio são tetravalentes, isto é possuem 4 elétrons na camada de
valência.
Quanto substâncias pentavalentes (possuem 5 elétrons na camada de valência), são
adicionadas ao cristal puro, a configuração de gás nobre não é obtida, como se observa na
Figura 1.5.

¢
¢ ¢
¢
¢
Figura 1.5 ± Estrutura de silício dopada com antimônio (Sb).
A cada átomo pentavalente que é adicionado, sobra um elétron, pois apenas 4 elétrons
se ligam aos átomo de silício, pois o silício possui 4 elétrons e só necessita de mais 4 elétrons
para conseguir a configuração de gás nobre.
11
Nesse semicondutor temos o chamado material tipo N, pois em toda a sua estrutura, a
quantidade de elétrons livres é superior à quantidade de lacunas, como indica a Figura 1.6.
0
Figura 1.6 ± Material tipo N.
Como a quantidade de elétrons livres é maior do que a quantidade de lacunas, os

elétrons livres são chamados portadores majoritários e as lacunas portadores minoritários.
Se, no entanto, acrescentarmos impurezas trivalentes, para que ocorra a estabilidade,
irá faltar um elétron, ou seja, sobra uma lacuna, como mostra a Figura 1.7. Temos a formação
de um material tipo P, onde as lacunas são os portadores majoritários e os elétrons livres
portadores minoritários.
¢
.
¢ ¢
à
/
¢
Figura 1.7 ± (a) Estrutura de silício dopada com boro (B), (b) material tipo P correspondente.
1.1.4 O diodo
Ao unir um semicondutor tipo P com um semicondutor tipo N, temos a formação do

componente eletrônico chamado diodo, como mostra a Figura 1.8. Componente este que será
de grande importância para a construção de fontes de alimentação e muitas outras aplicações
posteriormente discutidas.
12
+ _
_
+
_
+
2
/0
Figura 1.8 ± Diodo formado pela junção dos materiais tipo N e tipo P.
Na junção PN os elétrons livres do material tipo N é atraído pelas lacunas do material

tipo P. Então alguns elétrons passa do material tipo N para o material tipo P, os átomo que
perde o elétron fica ionizado positivamente (cátions) e os que recebem ficam ionizado
negativamente (ânions). Na junção cria-se um campo elétrico impedindo que outros elétrons
passem do material tipo N para o material tipo P.
Observe que no material tipo N, embora tenham elétrons livres em excesso quem perde
elétrons são os átomos, e como no átomo o número de lacunas ficará maior que o número de
elétrons, ficará ionizado positivamente.
Na junção PN, temos o que é chamado de camada de depleção, ou seja, a camada de
depleção é definida como a junção PN onde se encontra os cátions e ânions. Devido à camada
de depleção, ocorre a barreira de potencial, diferença de potencial na junção.
A barreira de potencial na temperatura de 25ºC é de aproximadamente 0,7V para os
diodos de silício e 0,3V para os diodos de germânio.
Simbologia do diodo é mostrada na Figura 1.9.
anodo

+ % 3/

$ % 30
catodo
Figura 1.9 ± Símbolo do diodo de junção PN.
/%1

Para o seu funcionamento, o diodo precisa ser polarizado. Diferentemente do que
ocorre com um resistor, na operação do diodo é essencial saber a polaridade da fonte de
tensão.
13
1.2.1 Polarização direta
Na polarização direta, o potencial positivo da fonte é ligado ao anodo (material tipo P)

e o potencial negativo da fonte ligado ao catodo (material tipo N), como mostra a Figura 1.10.
O potencial negativo repele os elétrons do material tipo N, onde se a tensão da fonte de
alimentação for maior do que a barreira de potencial os elétrons atravessam a junção PN, passa
pelo material tipo P e é atraído pelo potencial positivo da fonte.
Ao polarizar diretamente um diodo ideal ele se comporta como uma chave fechada,
isto é, irá circular uma corrente elétrica pelo dispositivo.
N P
_
+
_
+
_
+
Figura 1.10 ± Diodo polarizado diretamente.
1.2.2 Polarização reversa
Na polarização reversa o potencial positivo da fonte é ligado ao catodo (material tipo

N) e o potencial negativo da fonte é ligado ao anodo (material tipo P), como mostra a Figura
1.11.
Na polarização reversa um diodo ideal se comporta como uma chave aberta. No
entanto, na prática, temos duas pequenas correntes que circulam no diodo. A corrente de
saturação e a corrente de fuga de superfície.
A corrente de saturação existe devido à energia térmica uma vez que são gerados pares
de elétrons livres e lacunas. Os portadores minoritários podem dentro da camada depleção,
atravessar a junção ocasionando uma pequena corrente.
A corrente de fuga de superfície é ocorre na camada mais externa do diodo. Os átomos
na superfície não possuem vizinhos para fazer a ligação covalente, esta quebra forma na
superfície lacunas se comportando como um material tipo P. Por isso, os elétrons podem entrar
no material N atravessar toda a superfície do diodo passado pelo material tipo P indo para a
polaridade positiva da fonte.
14
N P
+ _
_
+
_
+
Figura 1.11 ± Diodo polarizado inversamente.
,-
1.c Dado os circuitos, indique qual das lâmpadas irá acender.
a)
b)
15
!45/
-c Diodo de germânio
Este tipo de diodo é utilizado com correntes muito fracas, mas pode operar em velocidades
muito altas, assim ele é utilizado principalmente na detecção de sinais de altas frequências
(rádio). Tipos conhecidos desta família são o 1N34, 1N60, OA79 etc.
Estes diodos são especificados segundo uma codificação: para os diodos de origem
americana temos a sigla ³1N´, enquanto que para os diodos de origem européia temos a sigla
³AO´ ou ainda ³BA´.
-c Diodo de silício de uso geral
São diodos de silício fabricados para o trabalho com correntes de pequena intensidade, da
ordem de no máximo 200mA e tensões inversas que não vão além dos 100 V. São utilizados
em circuitos lógicos, circuitos de proteção de transistores, polarização etc. O 1N4148 é um dos
tipos mais populares deste grupo de silício de uso geral.
-c Diodos retificadores de silício
Estes são destinados à condução de correntes intensas e também operam com tensões
relativamente elevadas que podem chegar a 1000V ou 1200V, quando polarizando
reversamente.
Uma série muito importante destes diodos é a formada pelo ³1N4000´e que começa com o
1N4001. Todos os diodos da série podem conduzir uma corrente direta de até 1 A, mas a
tensão reversa vai aumentando à medida que o número do componente também aumenta. A
Tabela 1 indica essa variação. A Figura 1.12 mostra a página de um
do fabricante
Fairchild para esta série de diodos.
Tabela 1. Diodos Retificadores.

Tipo PIV
1N4001 50V
1N4002 100V
1N4003 200V
1N4004 400V
1N4005 600V
1N4006 800V
1N4007 1000V
16
Figura 1.12. Características elétricas dos diodos da série 1N4000.
17
,-
1.Complete
a) Quando átomos pentavalentes são adicionados ao cristal puro, temos a formação de um

semicondutor do tipo __________.
b) Quando átomos trivalentes são adicionados ao cristal puro, temos a formação de um
semicondutor do tipo ___________.
c) No material do tipo P as lacunas são portadores________________________.
d) No material do tipo N as lacunas são portadores_______________________.
e) Na junção PN temos a camada de ___________________.
f) Na camada de depleção origina a barreira de _________________________.
g) Se o diodo for de silício a barreira de potencial é de_______________V.
h) Se o diodo dor de germânio a barreira de potencial é de___________V.
j)c Na polarização direta o diodo ideal se comporta como uma_____________________.
k)c Na polarização reversa o diodo ideal se comporta como ________________________.
l)c Na polarização reversa, na prática temos duas correntes a corrente de
____________________________ e a corrente _________________________.
2.(CHESF 2002) Dispositivos elétricos e eletrônicos são construídos com os mais variados
tipos de materiais elétricos e magnéticos. Os diodos e os transistores, sejam os bipolares de
junção ou os de efeito de campo, utilizam materiais semicondutores em sua estrutura. A
respeito de materiais semicondutores e de dispositivos eletrônicos, julgue os itens
subseqüentes.
I Ao longo da história da eletrônica, o germânio e o silício podem ser citados como

importantes materiais semicondutores.
II Cristal semicondutor do tipo n tem as lacunas como principais portadores móveis de carga.
III Cristal semicondutor extrínseco é aquele dopado com elementos denominados impurezas.
IV Um transistor bipolar de junção basicamente caracteriza-se por possuir três junções pn.
V O diodo semicondutor apresenta uma junção pn.
Estão certos apenas os itens
A I, II e IV. C I, III e V. E III, IV e V.

B I, II e V. D II, III e IV.
2. (ELETRONORTE 2006) Considerando que os diodos D1, D2 e D3 do circuito abaixo são

ideais, é possível afirmar que:
18
a.c D1, D2 e D3 estão cortados;
b.c D1, D2 e D3 estão conduzindo;
c.c D1 e D2 estão conduzindo e D3 está cortado;
d.c D1 está cortado e D2 e D3 estão conduzindo;
e.c D1 está conduzindo e D2 e D3 estão cortados.
,36. #
Experiência 1 ± Compreendendo a polarização em um diodo
Neste circuito, devem-se identificar os terminais anodo e catodo em um diodo com o

auxílio de um multímetro digital. Posteriormente, deve-se montar um circuito simples para
compreender a polarização em um diodo.
Material necessário:
- 1 diodo 1N4001 (ou equivalente);

- 1 led;
- 1 resistor de 4706; ¼ w
- 1 Fonte de alimentação de 6V;
- 1 multímetro digital.
Procedimento 1: Identificação dos terminais anodo e catodo
1.c Coloque a chave seletora do multímetro na indicação do diodo.

2.c Segure uma ponta de prova do multímetro em perna do diodo.
3.c Observe que:
Se o valor que aparecer no display for de 600mV, significa que você está polarizando
diodo diretamente, logo, onde está à ponta de prova vermelha refere-se ao anodo e a ponta de
prova preta ao catodo.
Se o valor que aparece no display se refere o infinito, significa que você está polarizando
diodo reversamente, logo, onde está à ponta de prova vermelha refere-se ao catodo e a ponta
de prova preta ao anodo.
Procedimento 2: Compreendendo a polarização direta e reversa em um diodo
1.c Monte o circuito da figura 1.12
19
Figura 1.12 Polarização reversa
2.c Inverta o diodo, veja a figura 1.13.
Figura 1.13 Polarização direta
20
CAPÍTULO 2 ± TEORIA DOS DIODOS

A tensão que chega a nossas residências é uma tensão alternada de 220V (região
nordeste do Brasil). No entanto, a maioria dos equipamentos eletrônicos necessita de uma
tensão contínua para funcionar. O que fazer?
A tensão para alimentar a grande maioria dos equipamentos deve passar por uma fonte
de alimentação. Esta fonte transforma o sinal que é alternado em uma tensão contínua, como
mostra a Figura 2.1.
Figura 2.1 Fonte de alimentação DC
Uma das principais aplicações do diodo, no qual, iremos estudar servirá para a
montagem de uma fonte de alimentação.
7 -

A curva característica do diodo é um gráfico(figura 2.2), no qual, relaciona a tensão
que é aplicada com a corrente que circula pelo diodo.
Polarização Polarização
reversa I
direta
ruptura
8
Joelho (0,7V) para diodo de silício
Figura 2.2 Curva característica do diodo
21
/%1
Na polarização direta, será aplicada uma fonte de tensão contínua no diodo, no qual, o
pólo positivo da fonte será ligado ao anodo do diodo e o pólo negativo da fonte ao catodo,
como mostra a figura 2.3.
Figura 2.3 Polarização direta
Observe no gráfico(figura 2.2), do lado direito, a polarização direta. Quando a tensão

for maior do que a barreira de potencial (w0,7V para o diodo de silício), a corrente circula
livremente.
!c/%197
Na polarização reversa, será aplicada uma fonte de tensão contínua no diodo, no qual, o
pólo positivo da fonte será ligado ao catodo do diodo e o pólo negativo da fonte ao anodo
como mostra a figura 2.4.
Figura 2.4 Polarização reversa
Na polarização reversa, o diodo funciona basicamente como uma chave aberta,

existindo apenas duas pequenas correntes, como já foi visto no capítulo1, a corrente de
saturação e a corrente de fuga da superfície. Se continuarmos aumentando a tensão da fonte,
irá chegar um instante em que o diodo não suporta e termina queimando (ruptura) então a
corrente passa a circular livremente. Esta tensão máxima em que o diodo suporta é
denominada tensão de pico inversa (PIV).
(
%

2.4.1 Diodo Ideal
Um diodo ideal, na polarização direta, a barreira de potencial e a resistência de corpo

não são considerados. Na polarização reversa, a corrente de fuga de superfície e a corrente de
saturação são desprezados.
22
Na polarização direta um diodo ideal se comporta como uma chave fechada e na
polarização reversa como uma chave aberta, como mostra a figura 2.5b e 2.6b.
POLARIZAÇÃO DIRETA
Na figura 2.5(a), temos o circuito em que o diodo está polarizado diretamente, na

figura 2.5(b), o circuito equivalente com o diodo polarizado diretamente.
Figura 2.5(a) Polarização direta, (b)Circuito equivalente do diodo na polarização direta
POLARIZAÇÃO REVERSA
Figura 2.6(a) Polarização reversa, (b)Circuito equivalente do diodo na polarização reversa
2.4.2 Modelo Simplificado
Considera-se a barreira de potencial. Para o silício a barreira de potencial é de 0,7V e para

o germânio a barreira de potencial é de 0,3V.
POLARIZAÇÃO DIRETA
Na figura 2.7(a), temos o circuito em que o diodo está polarizado diretamente e a figura
2.7(b), o circuito equivalente para a polarização direta, no qual foi considerado a barreira
de potencial de 0,7V para o diodo de silício.
23
0.7V
Figura 2.7(a) Polarização direta (b) Circuito polarização direta para o segundo modelo do
diodo
POLARIZAÇÃO REVERSA
Na figura 2.8(a), temos o circuito em que o diodo está polarizado reversamente e a figura
2.8(b), o circuito equivalente para a polarização reversa.
Figura 2.8(a) Polarização reversa (b) Circuito polarização reversa para o segundo modelo do
diodo
2.4.3 Modelo linearizado
Considera-se a barreira de potencial e a resistência de corpo. Como a resistência de corpo

são valores muito baixos, podendo variar de 0,1 a 106 dependendo da dopagem. Não iremos
usar este modelo neste livro.
,-
1.c Considere o segundo modelo para o diodo, calcule a corrente que passa no
amperímetro (Figura 2.9).
2.c 5,6K6
3.c
4.c
5V 3,9K6
Figura 2.9
24
2. Considerando o segundo modelo para o diodo, calcule a tensão que o voltímetro deve
indicar (Figura 2.10).
Figura 2.10
3.Considere o diodo ideal, calcule a tensão no resistor de 1k6 (Figura 2.11).
Figura 2.11
,36. #
Experiência 1- A curva do Diodo
Nesta experiência, vamos montar o circuito básico com o diodo e polarizar diretamente
e reversamente para que possamos medir a tensão e a corrente e, consequentemente desenhar a
curva característica do diodo.
- 1 Fonte de alimentação cc variável de 0 a 10V;

- 1 resistor de 10Kȍ, 0,25W;
- 1 multímetro (analógico ou digital);
25
Procedimento:
1-c Monte o circuito abaixo (Figura 2.12):
Figura 2.12
2-c Preencha a tabela abaixo:
VF A V
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
26
,:
Figura 2.13
4- Preencha a tabela abaixo:
VF A V
1
2
3
4
5
89;0<+¢<.;9=0
¢> 6
.

Neste circuito, você irá observar através de leds a influência da barreira de potencial em cada
diodo.
Matérial necessário:
-1 bateria de 12 V;
- 1 capacitor de 2200F, 16V;
- 1 resistor de 1,2K6; 1/4W;
- 4 leds;
- 4 diodo 1N4001.
O circuito é apresentado na Figura 2.14.
27
Figura 2.14
Neste circuito, quando a chave estiver na posição 1 o capacitor deve carregar

instantaneamente. Ao colocar a chave na posição 2 os quatros leds devem acender, a medida
que o capacitor irá de descarregar os led irão apagar na sequência 4,3,2 e 1.
28
CAPÍTULO 3 ± CIRCUITOS COM DIODOS

Neste capítulo, vamos estudar os circuitos retificadores que servirão para a montagem
de uma fonte de alimentação.
! ;¢
%
Uma tensão senoidal pode ser representada graficamente de duas formas: nos domínios
temporal e angular como mostram as Figuras 3.1 e 3.2, respectivamente.
Vp
T(s)
T/2 T
-Vp
Figura 3.1 Domínio temporal
Vp
Wt = (rd)
? 2?
-Vp
Figura 3.2 Domínio Angular
Onde:
Vp ± tensão de pico (amplitude máxima positiva ou negativa, que a tensão senoidal
pode atingir).
Vpp ± Tensão de pico a pico (amplitude total, entre os valores máximos positivo e
negativo).
29
Matematicamente, os gráficos da tensão senoidal nos domínios temporal e angular
podem ser representados, respectivamente, por:
V(T) = Vpsen wt e V( ) = Vp sen t
Onde:
V(t) = V( ) = valor da tensão no instante t ou para o ângulo (em V)
!;4

O transformador é um dispositivo que permite modificar a amplitude de uma tensão
alternada, aumentando ou diminuindo-a. Pode-se também utilizar para isolar o circuito do lado
do primário, do circuito do lado do secundário, neste caso, a amplitude não será alterada.
Ele consiste em duas bobinas isoladas eletricamente, montadas em um mesmo núcleo
de ferro (usado para concentrar as linhas de campo).
86> &4%?@

< 4%?
4

%
3
%7

3 &

7-

Vp Vs
3
.
Figura 3.3 transformador
Na figura 3.3, observamos que a bobina no qual recebe a tensão a ser transformada
(Vp) denomina-se primário, e segunda bobina, no qual foi criado a tensão induzida (Vs)
denomina-se secundário.
Funcionamento.
Ele funciona a partir do fenômeno da indução mútua. Quando uma corrente alternada
ou pulsante passa no enrolamento primário o fluxo magnético variável que ele cria envolve as
espiras do enrolamento secundário, causando o aparecimento de uma f.e.m induzida nos
terminais do secundário.
Em um transformador ideal (que não possui perdas), a potência entregue ao

primário(Pp) é igual à potência que o secundário (Ps) entrega à carga, ou seja:
30
Ps = Pp
Pp = Vp.Ip
Logo:
Vp.Ip = Vs.Is
Vp/Vs = Np/Ns e Is/Ip = Np/Ns
Valor eficaz
Para sinais senoidais, existe um conceito muito importante denominado valor eficaz ou
rms.
O valor eficaz Vef ou Vrms de uma tensão alternada é a tensão que equivale a uma
tensão contínua, de tal forma que, ao aplicar uma tensão contínua a uma resistência faria com
que ela dissipasse a mesma potência média caso fosse aplicado essa tensão alternada.
Vp = 2 Veficaz
!! 9 4

+<

O circuito retificador de meia-onda é constituído por um transformador, um diodo e a
carga, como mostra a Figura 3.4.
Figura 3.4 Circuito retificador de mei-onda
Funcionamento
No semiciclo positivo, o diodo conduz (polarização direta) e a tensão no resistor é a

mesma do secundário do transformador. Observe as Figuras 3.5(a) e3.5(b).
31
Figura 3.5 (a)Circuito retificador de meia-onda, (b) Forma de onda no resistor no semiciclo
positivo.
No semiciclo negativo o diodo estará reversamente polarizado, portanto funcionando

como uma chave aberta, logo a corrente não passará no resistor e a tensão na carga será zero,
como mostra as Figura 3.6(a) e 3.6(b).
Figura 3.6 (a)Circuito retificador de meia-onda, (b) Forma de onda no resistor.
Observe que a onda na qual era alternada no secundário do transformar ao passar pelo
diodo fica contínua, mais precisamente contínua pulsante.
A finalidade deste circuito é transformar a tensão que era alternada(primário do
transformador) em contínua( sinal na carga).
Qual valor o multímetro indicará ao ler a tensão no resistor, já que a tensão é pulsante.?
O multímetro indicará o valor médio, calculado da seguinte forma:
1
]
?

0
?
32
onde () = p sen no intervalo de 0 a ? e o período é de 2?
Logo:
1 2?

2?
0

Wt =
Ä Ä
logo:

1 ?

2? 0

2?
?
, e T = 2?, logo w = 1

2

ó cos ( 0
(

ócos ( ó cos 0
2

Vdc =
?
Exemplo:
1) Em um circuito retificador de meia-onda, a tensão no secundário do transformador é 12V.

Calcule a tensão no resistor.
Solução:
Vst refere-se a tensão no secundário do transformador
Vp = Vst
2
Vp = 2 . 12 = 16,97V
Vdc = Vp Vdc = 16,97 Vdc = 5,4V

? ?
33
ESPECIFICAÇÕES DO DIODO
Qual diodo poderá ser colocado neste circuito?
O diodo deverá suportar a tensão máxima que ficará nele quando reversamente
polarizado e a corrente média quando diretamente polarizado.
Logo temos duas especificações:
PIV ± Tensão de pico inversa

Io ± Quantidade de corrente que o diodo deve suportar
PIV ± O diodo quando reversamente polarizado (semiciclo negativo), funcionará como uma
chave aberta, com mostra a Figura 3.7.
Figura 3.7 ± Circuito equivalente no diodo para o semiciclo negativo
Toda a tensão do secundário do

transformador deve estar no
diodo.
PIV = Vpst (Tensão de pico do secundário do transformador)
Determinação do Io
Io - É a corrente média, quando o diodo está diretamente polarizado, logo a corrente que passa
por ele é igual a corrente que passa no resistor.
No semiciclo positivo o diodo conduz. Tem corrente passando no diodo e tem corrente
no resistor.
No semiciclo negativo o diodo não conduz. Não tem corrente passando no diodo e
também não tem corrente no resistor.
34
Logo:
Io = Idc
A quantidade de corrente que passa no diodo é igual a quantidade de corrente que

passa no resistor. Logo: Idc = Vdc/R
Exemplo:
1)Em um circuito retificador de meia-onda a tensão no secundário do transformador é 9V.

Calcule as especificações do diodo. Dado: R= 3.9K6
Solução:
Vp = Vst
2
Vp = 2 . 9 = 12,72V
Vdc = Vp Vdc = 12,72 Vdc = 4,05V

? ?
/8A B8
Io = Idc = Vdc Io = 4,05 = 1,03mA
R 3,9K
!( 9 4

<
3%
No circuito retificador de onda completa com derivação central(Figura3.8), deve-se
utilizar um transformador com derivação central, dois diodos e a carga.
Rl
Figura 3.8 Circuito retificador de onda-completa com derivação central
35
Na montagem do circuito, utiliza-se de um transformador com derivação central,
conhecido também como tomada central ou, em inglês ³central ± tap´( Figura 3.9).
Nestes transformadores, o enrolamento secundário apresenta uma derivação no centro.
Esta derivação fará com que a tensão fique dividida igualmente da metade para uma das
estremidades.
Ex:
9V
18V
9V
Figura 3.9 Transformador com derivação central
Funcionamento do circuito
No semiciclo positivo D1 conduz e D2 abre, como mostram as Figura 3.8(a) e 3.8(b).
+ Vst
+ T
-
Vdc
Figura 3.10 (a) Circuito retificador de onda completa com derivação central, (b) Forma de onda no
resistor no semiciclo positivo.
A tensão no resistor será a metade da tensão total do transformador.
No semiciclo negativo D1 abre e D2 conduz, como mostra as Figuras 3.11(a) e 3.11(b).
36
Vst
-
+ T
-
+
Vdc
Figura 3.11(a) Circuito retificador de onda completa com derivação central, (b) Forma de onda no
resistor no semiciclo negativo
Observe que a polaridade no resistor permanece a mesma e a freqüência em relação a

tensão no secundário do transformador é o dobro pois o período é a metade.
A tensão Vdc será:
1
]
?
0
?
onde:
f(t) = Vp sen para o intervalo de 0 a ? e ±Vp sen para o intervalo de ? a 2 ?
Devemos integrar o sinal até 2?, logo W = 2 ?f = 1
1 ? 2?

2? 0 ?

( ó
(

2 2 logo: 2
2? ?
37
OBS: Como apenas a metade da tensão no secundário irá para o resistor temos que:
Vp = 2 . Vst
2
Exemplo;
1) Em um circuito retificador de onda completa com derivação central a tensão no secundário

do transformador é 16V. Calcule a tensão no resistor de 5,6K6.
Solução:
2 . Vst 2 . 16
Vp = =
2 2
Vp = 11,31V
Vdc = 2.(11,31)/? = 7,2V
PIV ± Quando D1 está aberto D2 está conduzindo e a tensão que fica em D1 é a tensão total
do secundário do transformador.
Figura 3.12 Circuito equivalente do circuito retificador de onda completa com derivação central no
semiciclo positivo
38
PIV = Vpst
Io ± No semiciclo positivo D1 conduz e tem corrente no resistor, no semiciclo negativo D1

estará aberto mais D2 conduz e existirá corrente no resistor logo: A quantidade de corrente
que passa no diodo é a metade da quantidade de corrente que passa do resistor.
Io = Idc
2
Exemplo:
1) Em um circuito retificador de onda completa com derivação central , a tensão no

secundário do transformador é 12V . Calcule as especificações do diodo para um resistor de
2,7 K6.
Solução:
2 . Vst 2 . 12
Vp = =
2 2
Vp = 8,48V
Vdc = 2.(8,48)/? = 5,4V
PIV = 2 . 12 = 16,97V
Io = Idc Idc = 5,4/2,7K = 2mA

2
Io = 2m/2 = 1mA
39
!C9 4
/
No circuito retificador em ponte (Figura 3.13), será utilizado quatro diodos para
aproveitar os dois semiciclos(positivo e negativo) do sinal alterado. Outrosim, toda a tensão do
secundário do transformador chegue na carga.
D2
D1
D3
Rl
D4
Figura 3.13 Circuito retificador em ponte
Durante o semiciclo positivo D2 e D3 conduzem e D1 e D4 funcionarão como uma

chave aberta, como mostram as Figuras 3.14(a) e 3.14(b).
Figura 3.14 (a)Circuito retificador em ponte, (b) Forma de onda no semiciclo positivo
Durante o semiciclo negativo D1 e D4 conduzem, D2 e D3 funcionarão como uma

chave aberta, como mostram as Figura 3.15(a) e 3.15(b).
40
Figura 3.15 (a) Circuito retificador em ponte, (b) Forma de onda no semiciclo negativo
Como a forma de onda é igual a do circuito retificador de onda completa com

derivação central, o cálculo da tensão Vdc é igual.
Vdc = 2Vp
?
A vantagem do circuito retificador em ponte em relação ao circuito retificador de onda

completa com derivação central é que não necessita de um transformador com derivação
central e a tensão total do transformador é aproveitada.
Exemplo:
1) Em um circuito retificador em ponte a tensão no secundário do transformador é de 12V.

Calcule a tensão na carga.
Solução:
Vdc = 2VP/?
Vp = 2 . 12 = 16,97V
Vdc = 2.16,97/? = 10,8V
41
São duas as especificações do diodo: Tensão máxima de pico que fica no diodo quando
o mesmo está inversamente polarizado, denominado PIV(Tensão de pico inversa) e o valor
médio a corrente no diodo quando o mesmo está diretamente polarizado, denominado Io.
PIV- No semiciclo positivo D1 está funcionando como uma chave aberta e D3 está
conduzindo, observe na Figura 3.12, que a tensão em D1 é igual a tensão total do secundário
do transformador.
PIV = Vpst
Io ± Durante o semiciclo positivo a corrente não passa sobre D1, mas tem corrente no resistor.
No semiciclo negativo tem corrente no diodo e também tem corrente no resistor, logo:
Io = Idc
2
Exemplo
1)Em um circuito retificador em ponte, a tensão no secundário do transformador é 9V. Calcule

as especificações do diodo sabendo que o resistor é de 2,7K6.
Solução:
Vdc = 2VP/?
Vp = 2 . 9 = 12,72V
Vdc = 2.12,72/? = 8,1V
PIV = 12,72V
Io = Idc/2 Idc = Vdc/R = 8,1/2,7K = 3mA
Io = 3m/2 = 1,5mA
42
!D3 *> 6 9 4

Para compreender a freqüência do sinal na carga, vamos analisar o período entre o

sinal no secundário do transformador e o sinal na carga.
Na comparação entre o período do sinal no secundário do transformador e o período do

sinal na carga em um circuito retificador de meia-onda, observando a Figura 3.16, verificamos
que o período do sinal no secundário do transformador terá o mesmo período do sinal no
resistor em um circuito retificador de meia-onda.
Vst
FORMA DE ONDA DA LINHA
+ T
?
- 2?
FORMA DE ONDA NO RESISTOR

Vdc
PARA O CIRCUITO RETIFICADOR
DE MEIA-ONDA
? 2?
Figura 3.16 Comparação entre o período da onda no secundário do transformador e na carga no circuito
retificador de meia onda.
Na Figura 3.16, verificamos que ao comparar o período do sinal da linha com a do

circuito retificador de meia-onda , o período permanece o mesmo, ou seja 2?. Logo, a
frequência, é a mesma . Se a frequência da linha for de 60Hz, em um circuito retificador de
meia-onda, a frequência também será de 60Hz.
Na comparação entre o período do sinal no secundário do transformador e o período

do sinal na carga em um circuito retificador de onda completa, (Figura 3.17) iremos fazer a
seguinte análise:
43
Vst
FORMA DE ONDA DA LINHA.
+ T
? 2?
-
Vdc FORMA DE ONDA NO CIRCUITO

RETIFICADOR DE ONDA
T COMPLETA COM TAP CENTRAL E
? 2? RETIFICADOR EM PONTE.
Figura 3.17 Comparação entre o período da onda no secundário do transformador e na carga no circuito
retificador de onda-completa.
O período da linha é 2?, porém, nos circuitos retificadores de onda completa, no

resistor, o período é ?, logo, a frequência no circuito retificador de onda completa é o dobro da
frequência da linha. Exemplificando, se na linha a frequência for de 60Hz, em um circuito
retificador de onda completa a freqüência na carga será de 120Hz.
,-

1.c Preencha os espaços em branco.
A . Em um circuito retificador de meia-onda a tensão no resistor será calculado pela seguinte

equação: Vdc =___________
B . Em um circuito retificador de meia-onda PIV = _____________ e Io = __________
C . Em um circuito retificador de onda completa com derivação central a tensão no resistor
será calculado pela seguinte equação: Vdc =__________, onde Vp = _________ da tensão no
secundário do transformador.
D . Em um circuito retificador de onda completa com derivação central temos: PIV =
___________ e Io = ______________.
E . Em um circuito retificador em ponte a tensão no resistor será calculado pela seguinte
equação: Vdc = ______________
F . Em um circuito retificador em ponte temos: PIV = ___________ e Io = ___________
G . Se a frequencia da linha for de 50Hz, em um circuito retificador de meia-onda a frequência
será de _____________ no circuito retificador de onda completa com derivação central a
frequência será de _________e no circuito retificador em ponte a frequência será de
___________.
44
2.c Em um circuito retificador de meia-onda a tensão no secundário do transformador é de
18V, sabendo que Rl = 6,8K6. Calcule as especificações do diodo.
3.c Em um circuito retificador de onda-completa com derivação central a tensão no secundário
do transformador é de 25V. Sabendo que Rl = 5,6K6. Calcule as especificações do diodo.
4.c Em um circuito retificador em ponte a tensão no secundário do transformador é de 16V,
sabendo que Rl = 8,2K6. Calcule as especificações do diodo.
5. Um aluno montou em laboratório o circuito da Figura 3.18, no qual verificou a forma de

onda no resistor com o osciloscópio, como mostra a figura. Se o aluno utilizasse o multímetro
para medir a tensão no resistor, qual tensão ele iria ler?
Figura 3.18
6. Dado o circuito(Figura 3.19) determine a tensão V1. Dado: Vst = 25V, R1 = 10k6, R2 =
15k6 e R3 = 22K6.
Figura 3.19
7. Dado o circuito (Figura 3.20), determine a tensão V1 e as especificações do diodo. Dado:

Vst = 26V, R1 = 1K6, R2 = 3,3K6 e R3 = 5,7K6
45
V1
Figura 3.20
8- Dado o circuito (Figura 3.21), determine a forma de onda no diodo D1.
Figura 3.21
9. Um aluno montou em laboratório o circuito (Figura 3.22), no qual observou a forma de

onda com o osciloscópio no resistor, como mostra a figura. Determine a tensão que ele irá ler
ao medir a tensão no resistor com o multímetro.
Figura 3.22
46
,36. #
Experiência 2 ± Circuito retificador de meia-onda
Neste circuito, deve-se montar um circuito retificador de meia-onda, para observar o

sinal do resistor com o uso do osciloscópio e medir a tensão Vdc.
- 1 transformador, 110V/220V ± 9V, 500mA

- 1 Osciloscópio.
Procedimento:
1-c Monte o circuito da Figura 3.23:
Figura 3.23
2-c Com o uso do osciloscópio, observe a forma de onda no resistor.

3-c Utilize as expressões matemáticas e calcule a tensão Vdc.
4-c Com o multímetro meça a tensão no resistor (Vdc) e compare com o valor calculado.
5-c Inverta o diodo e observe a forma de onda no resistor.
Experiência 3 ± Circuito retificador de onda completa com derivação central
Neste circuito, deve-se montar um circuito retificador de onda completa com derivação
central, para observar o sinal do resistor com o uso do osciloscópio e medir a tensão Vdc.
47
- 1 transformador com derivação central, 110V/220V ± 12V+12V, 500mA
- 2 diodos 1N4001 (ou equivalente);
- 1 Osciloscópio.
Procedimento:
1.Monte o circuito da Figura 3.24:
Rl
Figura 3.24
2.c Com o uso do osciloscópio, observe a forma de onda no resistor.

3.c Utilize as expressões matemáticas e calcule a tensão Vdc.
4.c Com o multímetro meça a tensão no resistor (Vdc) e compare com o valor calculado.
5.c Inverta os diodos e observe a forma de onda no resistor.
Experiência 4 ± Circuito retificador em Ponte
- 1 transformador -110V/220V ,9V, 500mA

- 1 Osciloscópio.
48
Procedimento:
1.Monte o circuito da Figura 3.25:
D2
D1
D3
Rl
D4
Figura 3.25
2.Com o uso do osciloscópio, observe a forma de onda no resistor.

3.Utilize as expressões matemáticas e calcule a tensão Vdc.
4.Com o multímetro meça a tensão no resistor (Vdc) e compare com o valor calculado.
5.Inverta os diodos e observe a forma de onda no resistor.
89;0<+¢<.;9=0
3 77%
Neste circuito será construído um capacitor variável de estado sólido, servindo para
substituir capacitores variáveis comuns em circuito de sintonia.
2 baterias de 12V;
1 resistor de 8,2K6 1/4W;
1 resistor de 1M6;
1 potenciômetro de 1M6;
1 diodo varicap ( qualquer um serve);
1 capacitor 10nF
Circuito da Figura 3.26:
Figura 3.26
49
CAPÍTULO 4 - CIRCUITOS RETIFICADORES COM
FILTRO

Nos circuitos retificadores visto até agora, verificamos que a tensão já é contínua, no
entanto, o sinal continua pulsando. O próximo passo para construirmos uma fonte de
alimentação é aplicar um filtro capacitivo, para que o sinal fique o mais próximo de uma
tensão contínua constante.
( 9 4

+<
*% 3 7
No circuito retificador de meia onda com filtro capacitivo, foi introduzido um capacitor
em paralelo a carga como mostra a Figura 4.1
Figura 4.1 Circuito retificador de meia onda com filtro capacitivo
No semiciclo positivo do diodo conduz e o capacitor começa a carregar até atingir a

tensão de pico no secundário do transformador.
Quando a tensão do secundário do transformador diminuir (sendo menor do que Vp) o
diodo abre, pois a tensão no capacitor será maior do que a tensão no secundário do
transformador (o diodo estará polarizado reversamente). Então o capacitor começa a
descarregar pelo resistor, para este circuito utilizado-se valores relativamente altos para C, de
tal forma que = RC, será maior do que o período da onda no secundário do transformador
(T= 1/60 s).
Durante o semiciclo negativo o diodo está polarizado reversamente e o capacitor
continua descarregando pelo resistor.
Novamente no semiciclo positivo, quando Vst > Vc (tensão no secundário do
transformador maior do que a tensão no capacitor) , o diodo conduz e o capacitor carrega até
atingir a tensão de pico do secundário do transformador, como mostra a Figura 4.2.
50
Vst
Vdc
Figura 4.2 Forma de onda no resistor
Vdc = Vp - Vond
2
De: I = C dV
Vond = I dt dV = Vond
*
Onde:
I = Corrente no resistor, no entanto iremos aproximar a Vp/R

F = frequência da forma de onda no resistor
C = Capacitância
Obs: Quanto maior = RC, menor será a tensão de ondulação, logo maior será a tensão Vdc e
mais contínua será a forma de onda no resistor.
51
PIV
A tensão no diodo terá o maior valor, quando em um circuito o capacitor tiver um

valor muito elevado não tendo tempo para descarregar e a tensão no secundário do
transformador estiver no semiciclo negativo como mostra Figura 4.3.
Figura 4.3 Circuito retificador de meia onda com filtro capacitivo no semiciclo negativo
Ao fechar a malha, a tensão máxima que chegará ao diodo será:
/8A83
Io
A quantidade de corrente que passa no diodo será a maior possível quando em um

circuito o valor da resistência e o valor do capacitor forrem muito baixo, de tal forma que o
capacitor de descarrega quase que totalmente, ficando a forma de onda muito parecida com a
do circuito retificador de meia-onda.
A

Exemplo:
1)Dado o circuito, calcule a tensão Vdc e as especificações do diodo. Dado: Vst = 12V e
Flinha = 60Hz
52
Figura 4.4 Circuito retificador de meia onda com filtro capacitivo
Solução:
Vdc = Vp - Vond onde : Vond = I

2 FC
Para o circuito retificador de meia-onda a frequência da onda no resistor é igual a

frequência da linha logo:
F= 60Hz
Vp = 2 . 12 = 16,97V
I w Vp/R = 16,97/5,6K = 3mA
Vond = 3 = 0,5V
60.100
Vdc = 16,97 ± 0,5/2 = 16,7V
PIV = 2(16,97) = 33,94V
Io = Idc = 16,7/5,6K = 2,98mA
( 9 4

<
3% 7 %*%
3 7
No circuito retificador de onda completa com derivação central e filtro capacitivo, foi
introduzido um capacitor em paralelo com a carga como mostra Figura 4.5.
53
D1
Rl
D2
Figura 4.5 Circuito retificador de onda completa com derivação central e filtro capacitivo
Durante o primeiro semiciclo positivo, D1 conduz e o capacitor começa a carregar até

atingir a tensão no secundário do transformador.
Quando Vst diminui D1 abre e o capacitor começa a descarregar pelo resistor.
No semiciclo negativo, quando Vst > Vc , D2 conduz e o capacitor carrega até atingir
Vpst. Quando Vst for menor do que Vpst, D2 abre e o capacitor novamente começa a
descarregar pelo resistor.
No semiciclo positivo quando Vst > Vc, D1 conduz e o capacitor carrega até atingir
Vpst. Novamente quando Vst< Vp, o diodo abre e o capacitor começa a descarregar pelo
resistor e assim sucessivamente como mostra Figura 4.6.
Vst
Vdc
54
Logo:
Vdc = Vp - Vond
2
OBS: A frequência é o dobro da frequência da linha
PIV = Vpst
Io = Idc
2
Exemplo:
1) Dado o circuito, calcule a tensão Vdc e as especificações do diodo. Dado: Vst = 12V
Flinha = 60Hz
D1
100F
5,6K6
D2
Figura 4.7
55
Solução:
2 . Vst 2 . 12
Vp = =
2 2
Vp = 8,48V
I = Vp/R = 8,48/5,6K = 1,51mA
Vond = 1,51m = 0,12V

120.100
Vdc = 8,48 ± 0,12/2 = 8,41V
PIV = 2 . 12 = 16,97V
Io = Idc/2 Idc = Vdc/R = 8,41/5,6K = 1,5mA
Io = 1,5m/2 = 0,75mA
(!9 4
/ *%
No circuito retificador em ponte com filtro capacitivo, foi introduzido um capacitor em

paralelo a carga como mostra a Figura 4.8.
D2
D1
D3
Rl C
D4
Figura 4.8 Circuito retificador em ponte com filtro capacitivo
56
No início do primeiro semiciclo positivo D2 e D3 conduzem, logo o capacitor começa
a carregar até atingir a tensão de pico do secundário do transformador. Quando Vst<Vpst, D2
e D3 abrem e o capacitor começa a descarregar pelo resistor.
No semiciclo negativo, quando Vst > Vc, D1 e D4 conduzem e o capacitor começa a
carregar até atingir Vpst.
Novamente, quando Vst < Vp, D1 e D4 abrem e o capacitor começa a descarregar pelo
resistor.
No semiciclo positivo, quando Vst> Vc, D2 e D3 conduzem e o capacitor carrega até
atingir Vpst, quando Vst<Vp =Vc, D2 e D3 abrem e o capacitor começa a descarregar pelo
resistor e assim sucessivamente. como mostra a Figura 4.9.
Vst
Vdc
Logo:
Vdc = Vp - Vond
2
OBS: A frequência é o dobro da frequência da linha
57
PIV = Vpst
Io = Idc
2
Exemplo:
1)Dado o circuito, calcule a tensão Vdc e as especificações do diodo. Dado: Vst = 12V
Flinha = 60Hz
D2
D1
D3
D4 5,6K6 100F
Figura 4.10
Solução:
Vp = 2 . Vst = 2 . 12
Vp = 16,97V
I = Vp/R = 16,97/5,6K = 3 mA
58
Vond = 3m = 0,25V
120.100
Vdc = 16,97 ± 0,25/2 = 16.84V
PIV = 2 . 12 = 16,97V
Io = Idc/2 Idc = Vdc/R = 16,84/5,6K = 3mA
Io = 3m/2 = 1,5mA
,-
1.c Preencha os espaços em branco.
A . Em todos os circuitos retificadores com filtro, observa-se que a forma de onda é a mesma
sendo calculado a tensão Vdc pela seguinte equação_________________________
Onde Vond = ________________
B . O que difere os circuitos retificadores com filtro como o circuito retificador de meia-onda
do circuito retificador de onda completa é a __________________________
C. Em um circuito retificador de meia-onda com filtro se a frequência da linha for de 60Hz, a
frequência será_________ e no circuito retificador de onda completa a frequência
será__________________.
D. O PIV para o circuito retificador de meia-onda com filtro será igual a ______________
E . O PIV para os circuito retificadores de onda completa com filtro será igual a__________
F. O Io para o circuito retificador de meia-onda com filtro é igual a____________

G.O Io dos circuitos retificadores de onda completa com filtro será igual a ___________
2.c Dado os circuitos das Figura 4.11, 4.12 e 4.12, calcule a tensão Vdc e as especificações do
diodo. Dado: Vst = 18V e Flinha = 60Hz
a)
47F
2,7 K6
Figura 4.11
59
b) D1
47F
2,7K6
D2
Figura 4.12
c)
D2
D1
D3
D4 2,7K6 47F
Figura 4.13
3. Dado o circuito da Figura 4.14, determine Vdc. Dado: Vst= 24sen100t, Rl = 15K6 e C=
1F
Figura 4.14
4. Dado o circuito da Figura 4.15, determine a tensão Vdc e as especificações do diodo.
60
Dado: Vst = 40V, Rl = 3,9K6.
Figura 4.15
5. A Figura 4.16, mostra dois circuitos retificadores de onda completa com carga RL idênticas,
alimentados por fontes de tensão senoidal V(t), com mesmas especificações e utilizando
diodos considerados ideais. Medidas de tensão e freqüências foram efetuadas nas saídas dos
circuitos em cima das cargas Rl, obtendo:
V1 e f1 para C1
V2 e f2 para C2
Com relação às medidas obtidas, é correto afirmar que:
a)c V2 = 2V1 e f2 = f1
b)c V2 = 2V1 e f2 = 2f1
c)c V2 = 0,5 e f2 = f1
d)c V2 = 0,5 e f2 = 0,5f1
e)c V2 = V1 e f2 = f1
Figura 4.16
61
,36. #
Experiência 5 ± Circuito retificador de meia-onda com filtro capacitivo
Neste circuito, deve-se montar um circuito retificador de meia-onda com filtro

capacitivo, no qual, será observado como a tensão de saída será influenciada de acordo com o
valor do capacitor.
- 1 transformador, 110V/220V ± 9V, 500mA

- 3 Capacitores; 1ȝF,10ȝF,47ȝF;
- 1 Osciloscópio.
Procedimento:
1.Monte o circuito da Figura 4.17, primeiramente, utilize o capacitor de 1ȝF.
Figura 4.17

5.Troque o capacitor pelo valor de 10 ȝF e novamente observe a forma de onda no resistor.
6. Troque o capacitor pelo valor de 47ȝF e novamente observe a forma de onda no resistor
62
Experiência 6 ± Circuito retificador de onda completa com derivação central com filtro
capacitivo
- 1 transformador com derivação central, 110V/220V ± 12V+12V, 500mA

- 3 Capacitores; 1ȝF,10ȝF,47ȝF;
- 1 Osciloscópio.
Procedimento:
1.Monte o circuito da Figura 4.18.
Figura 4.18

63
Experiência 7 ± Circuito retificador em Ponte com filtro capacitivo

- 1 Osciloscópio.
Procedimento:
D2
D1
D3
Rl C
D4
Figura 4.19

64
89;0<+¢<.;9=0

%
#%
O estado do Ceará vem se tornando referência no

Brasil, como geradora de fonte de energia limpa e
renovável, a energia eólica. Neste circuito, temos um
exemplo da utilização da energia eólica para acender
um led.

/> #% /, em Aquiraz, é a
maior usina do gênero da América Latina e produz
Material necessário: 10 Megawatts .
(Foto: Fco. Fontenele)

1-c Alternador ( pode ser um dínamo para bicicleta);
1-c capacitor eletrolítico de 220F,16V;
1-c resistor 470, 1/8W;
1 ± led;
4- diodos 1N4001 ou equivalente.
Circuito da Figura 4.20.
Figura 4.20
Neste circuito, a energia eólica fornecida pelo ventilador, servirá para mover um
alternador e desta forma gerar energia elétrica. Como a tensão gerada pelo dínamo é uma
tensão alternada de baixo valor (aproximadamente 6V), ao passar pelo circuito retificador em
ponte com filtro capacitivo, a tensão servirá para acender um led.
65
CAPÍTULO 5 ± OUTRAS APLICAÇÕES PARA O DIODO

Existem muitas outras aplicações para os diodos além da retificação. Os diodos de

pequena capacidade de corrente, por exemplo, chamados de diodo de sinal podem ser usados
como ³detectores de envolvente´ em circuitos de rádio.
C 9
%
Como exemplo, utilizaremos o circuito de rádio elementar mostrado na Figura 5.1.
antena
Diodo detector
filtro fone
CV
Figura 5.1. Rádio elementar ou rádio de galena.
A antena capta os sinais emitidos pela estação, havendo então a indução de uma
corrente de alta frequência, que deve circular em direção á terra passando pela bobina e
capacitor que formam o circuito de sintonia:
Este circuito se caracteriza por impedir a passagem dos sinais de uma única frequência,
ou seja, da estação sintonizada, que são desviados para o diodo. O diodo funciona como
retificador de alta frequência, deixando passar apenas os semiciclos positivos do sinal, ou seja,
fazendo sua detecção. Este sinal que é composto de duas partes, uma de alta frequência que é a
³portadora´, e outra baixa que á a ³modulada´, pode ser levado a um processo de separação.
O capacitor depois do diodo filtra o sinal, desviando para a terra a componente de alta
frequência e deixando apenas a envolvente, ou seja, a modulada, que corresponde justamente
ao som que é captado nos microfones da emissora ou obtido de um toca-disco ou toca-fitas.
Aplicando este sinal de baixa frequência a um fone de ouvido ou então a um
amplificador, podemos ouvir os sons transmitidos pela estação de rádio.
C

3
Outra função importante do diodo é nos circuitos de proteção. Quando uma carga
indutiva como, por exemplo, a bobina de um relé ou ainda um pequeno motor é acionado, é
criado um forte campo magnético. Ao ser desligado, com a contração magnética, é induzida na
carga uma tensão oposta.
66
(+)
Carga indutiva
Diodo de
proteção
Circuito de
comutação
Figura 5.2. Diodo usado como proteção em circuitos indutivos.
Dependendo do tipo de carga, ou seja, de sua indutância quando no desligamento pode

ser muitas vezes maior do que a aplicada quando ligamos. O componente que faz o
acionamento pode então ser danificado com a presença desta tensão, com a ligação de um
diodo, temos uma proteção contra este fenômeno.
. 3%

C! ;>
O estudo do circuito tanque será de grande importância para que possamos
compreender os circuitos utilizados para a sintonia de rádio, além de alguns circuitos
osciladores e outras aplicações no qual se faz o uso de um circuito indutor ± capacitor.
Iniciamos fazendo uma revisão sobre as propriedades do indutor.

C! /3

O indutor consiste basicamente em um bobina formada por voltas de fio esmaltado.
Quando uma corrente contínua circula por um indutor ou bobina é criado um campo
magnético, no qual cria uma tensão induzida na bobina. Como experiência podemos mostrar a
Figura 5.3. No qual o indutor funciona como eletroímã sendo capaz de atrair materiais
condutores.
Figura 5.3. Atração de um prego (material ferromagnético) pelo indutor
67
Ao abrir o circuito da Figura 5.4. A energia armazenada no indutor volta ao circuito. A
tensão criada é uma tensão auto-induzida que pode atingir valores extremamente altos, mesmo
com a tensão na bobina de valor baixo.
Figura 5.4. Circuito RL série
De acordo com a expressão 1, ao abrir o circuito, ocorre uma variação bastante alta da
corrente em pouquíssimo tempo (abertura da chave).
m
(1)
m
Exemplo: Se L= 10H, R = 36, VF= 12V, temos:
Durante o período no qual a chave está fechada, = VF/R = 12/3 = 4ª. Após a
abertura da chave e decorrido 0,00004 segundos, a corrente no circuito foi reduzida para:
= L/R = 10/3 = 3,33s
0,0004

= 4 3,33
= 3,999A
Logo:
mi = 4-3,999=1mA
mt = 0,00004s
A tensão auto-induzida será:
m
= -250V
m
Uma tensão bastante elevada nos contatos da chave.
C(

O capacitor e o indutor possuem a característica de armazenar energia elétrica. A
associação em paralelo da indutância com a capacitância é conhecida como circuito tanque. A
Figura 5.5 ilustra um exemplo de circuito tanque.
68
Figura 5.5. Circuito tanque.
O funcionamento de um circuito tanque consiste na troca de energia entre a

capacitância e a indutância. Quando uma tensão é momentaneamente aplicada a um circuito
tanque, ocorre o procedimento descrito a seguir.
C se carrega a esse valor de tensão; removendo-se a tensão aplicada, C se descarrega
através de L, e a corrente de descarga cria um campo magnético em torno de L. Esse campo,
possui polarizada oposta ao que originou (lei de Lenz).
Quando C tiver se descarregado, o campo magnético se anula e essa variação induz
uma corrente no mesmo sentido da corrente que originou o campo. Portanto, essa corrente
carregará o capacitor no sentido oposto ao anterior.
Quando o campo em torno de L desaparecer, C irá se descarregar novamente, mas a
corrente será oposta em relação à primeira descarga.
Essa corrente de descarga originará, novamente, um campo magnético em torno de L;
este, quando se anular, fará com que C se carregue novamente, no mesmo sentido da primeira
carga. A Figura 5.6 resume toda essa explicação.
Figura 5.6. Troca de energia entre o indutor e o capacitor em um circuito tanque.
A troca de energia e a corrente circulante continuariam, indefinidamente, produzindo

uma série de onda senoidais, se o circuito tanque fosse ideal e não apresentasse resistência.
Entretanto, a resistência está sempre presente, fazendo com que a corrente circulante diminua
gradativamente, devido à dissipação de energia no circuito na forma de calor. Isto faz com que
a corrente senoidal seja amortecida e desapareça, após um número finito de oscilações. Se
aplicarmos, novamente, um pulso de tensão ao circuito, o processo voltará a se estabelecer.
A onda senoidal que se estabelece entre C e L possui uma freqüência, no qual, é
denominado freqüência de ressonância.
A frequência de ressonância é a única frequência, no qual a reatância capacitiva é igual
a reatância indutiva.
Xc = Xl ÷ 1/(2ʌFrC) = 2ʌFrL
Fr = 1/(2ʌLC)1/2
69
Na frequência de ressonância, a impedância é infinita, ou seja, a oposição à passagem
de corrente é infinita.
Ao aplicar um sinal alternado ao circuito tanque, observamos que à medida que nos
aproximamos da freqüência de ressonância, a oposição começa a crescer até atingir o máximo
no valor exato desta freqüência. Depois deste ponto, a oposição começa novamente a diminuir.
Este circuito é utilizado num receptor de rádio em que deve ser feita a separação dos
sinais da estação que queremos ouvir de todos dos demais sinais que chegam à antena. Se o
sinal corresponde à freqüência para o qual o circuito está sintonizado, ele encontra forte
resistência e é desviado para as etapas que fazem seu processamento. Já se o sinal não
corresponde a esta freqüência, ela não encontra nenhuma oposição do circuito e é curto-
circuitado para o terra. Na Figura 5.7, temos um sintonizador de rádio simples.
c
Figura 5.7- Sintonizador LC.
Das milhares de ondas senoidais de diferentes estações de rádio que chegam à antena, a
onda senoidal que corresponde à freqüência de ressonância será amplificada, sendo as demais
desviadas para o terra.
Em um rádio, o circuito tanque possui um capacitor variável, no qual, ao girar o botão
que altera o valor do capacitor, muda a freqüência de ressonância e, portanto,c muda ac
freqüência da onda senoidal que o ressonador amplifica. É desta forma que este circuito
³sintoniza´ as diferentes estações no rádio.
CC >

Aprendemos que em um circuito tanque, ao aplicar uma onda senoidal, ocorre uma
troca de energia entre o capacitor e o indutor, produzindo uma oscilação amortecida, com a
alternância de campo elétrico em magnético. Se este circuito for ligado a uma antena, a
energia gerada neste sistema pode ser irradiada na forma de onda eletromagnética, ou seja,
ondas de rádio.
Para que a produção destas oscilações continue, deve-se repor a energia que vai sendo
perdida em cada ciclo de carga e descarga do capacitor, quer seja porque é irradiada por uma
antena, quer seja porque perde em calor nos próximos elementos do circuito. Isto pode ser
feito com um amplificador.
70
,-
1. (ELETRONORTE 2006) A rede abaixo(Figura 5.8):
Figura 5.8
(A) é um oscilador ideal;
(B) tem fator de qualidade unitário;
(C) tem ressonância na freqüência de 1 Hz;
(D) na ressonância tem impedância equivalente a um circuito
aberto;
(E) na ressonância tem impedância equivalente a um curto-circuito.
,36. #
Experiência 8 ± Rádio elementar ou rádio Galena
Neste circuito, vamos montar um rádio bastante simples.

O rádio é um dos meios de comunicações mais utilizado pelo homem moderno.
Compreender o funcionamento de um simples rádio ajudará a compreensão dos rádios mais
complexos e mais bem elaborado.
O rádio Galena foi o primeiro rádio inventado pelo homem. Foi implementado na
França por Radiguet e Massiot. O rádio Galena é bastante simples, os resultados obtidos na
prática não são muito satisfatórios, pois não apresenta uma etapa para a amplificação do sinal
captado pela antena.
A idéia fundamental em um rádio Galena é captar ondas eletromagnéticas por um
receptor elétrico simples e reproduzir em um fone de ouvido.
De onde vêm estas ondas eletromagnéticas?
As estações de rádio produzem uma quantidade bastante elevadas de ondas
eletromagnéticas em diversas freqüências.
Material necessário
1 Diodo de Germânio ( qualquer tipo de diodo de Germânio);

1 Fone de cristal;
1 capacitor variável;
1 indutor 10mH;
1 antena.
71
Procedimento:
Figura 5.9
2. Varie o valor do capacitor para sintonizar o rádio.
89;0<+¢<.;9=0
9
%%
Neste circuito você irá montar um rádio, no qual a bobina será artesanal.
1 Diodo de Germânio ( qualquer tipo de diodo de Germânio);

1 Fone de cristal (fone de alta impedância acima de 20006);
100 gramas de fio esmaltadocom número AWG entre 18 e 24 (diâmetros entre 1,0 a
0,5 mm) para a bobina;
1 cabo de vassoura (madeira ou plástico) para enrolar a bobina de 18cm;
1 capacitor poliéster de 1nF;
1 antena.
Fazendo a bobina
Pegue o cabo de vassoura e deixe um espaço de um centímetro de cada lado. Prenda no

início, o fio com fita isolante deixando sobrar 10cm de fio. Comece a enrolar, prestando
atenção para que os fios fiquem encostados um ao lado do outro e não passe por cima. Enrole
para que ainda sobre 1cm de cabo e 10cm de fio. Lixe o esmalte do fio que está sobrando os
10cm de cada lado.
72
Deixe um espaço de mais ou menos um centímetro de cada lado do tubo ou pedaço do
cabo de vassoura e comece a enrolar o fio. As voltas devem ficar bem próximas uma da outra,
encostadas mesmo, e uma volta não pode passar por cima da outra. Caso você esteja usando o
tubo, faça um ou dois furos para prender o fio antes de começar a enrolar e mais um ou dois
furos para prender na outra extremidade (oriente-se pelo desenho do rádio acima). Se você
está usando o cabo de vassoura, prenda o início e o fio do enrolamento com uma fita isolante.
Deixe sobrar de cada lado entre oito e dez centímetros de fio.
Antena
Como o rádio não possui uma etapa de amplificação, a antena deve ser bastante
comprida para captar o máximo de energia da estação. Pode ser um fio esticado de 10m de
comprimento.
Faça a seguinte montagem (Figura 5.10).
Figura 5.10
A seta que está ligada na bobina deve ser móvel e percorrer toda a bobina para
sintonizar em uma determinada frequência.
73
CAPÍTULO 6 - CIRCUITOS LIMITADORES
(CEIFADORES) E GRAMPEADORES

Os circuitos limitadores ou ceifadores limitam a tensão de saída, sendo útil em

circuitos no qual o sinal de saída necessita ser limitado.
Os circuitos grampeadores possuem como objetivo, acrescentar um nível DC ao sinal
alterando, deslocando o sinal para cima ou para baixo do eixo referencial. Uma das utilizações
do circuito grampeador é em um amplificador classe C.

D .

As aplicações incluem a limitação de amplitude excessivas formação de ondas e o
controle da quantidade de potência entregue a uma carga.
Na Figura 6.1(a), temos um limitador positivo, no qual limita a tensão positiva, só

deixa passar a tensão negativa, como mostra a Figura 6.1(b). Observe que o funcionamento é
igual ao circuito retificador de meia-onda.
Vent
R
+Vp
T
Vent Vsaída
Rl
-Vp
Vsaída
-Vp
Figura 6.1 (a) Circuito limitador positivo, (b) Forma de onda na carga
74
Análise do circuito limitador positivo
No semiciclo positivo o diodo conduz logo: Vsaída =0

No semiciclo negativo o diodo abre, logo : Vsaída wVent , uma vez que Rl R
Na Figura 6.2(a), temos um outro limitador positivo, no qual foi inserida uma fonte de
tensão em serie com o diodo. A limitação da tensão será para tensões acima de V como mostra
a Figura 6.2(b).
R Vent
Vp
Vent Vsaída T
Rl
V
-Vp
Vsaída
T
V
-Vp
Figura 6.2 (a) Circuito limitador positivo polarizado, (b) Forma de onda na carga
Análise do Circuito limitador positivo polarizado
No semiciclo positivo, quando vent > V o diodo conduz , logo: Vsaída = V

No semiciclo como o diodo está sempre aberto, pois V e Vent polarizam reversamente
o diodo temos: Vsaída = Vent
- Outros circuitos limitadores
Nas Figuras 6.3, 6.4, 6.5, 6.6, 6.7, 7.8, 6.9 e 6.10 temos exemplos de outros circuitos
limitadores e as suas respectivas formas de onda na carga., no qual o funcionamento é
semelhante aos circuitos já analisados.
75
Vent
Vp
Vent Vsaída
Rl -Vp
Vsaída
Figura 6.3 (a) Circuito limitador negativo, (b) Forma de onda na carga
Vent
+Vp
Vent Vsaída T
Rl
-Vp
Vsaída
Figura 6.4 (a) Circuito limitador positivo, (b) Forma de onda na carga
76
V Vent
+Vp
T
Vent Rl Vsaída
-V
-Vp
-V
- Vp -V
Vent
V +Vp
T
Vent Vsaída
Rl
-Vp
Vsaída
-V+Vp
T
-V
Figura 6.6 (a) Circuito limitador negativo polarizado, (b) Forma de onda na carga
77
Vent
V +Vp
Vent Vsaída
Rl
-Vp
Vsaída
+V-Vp
Vent
R +Vp
T
Vent Vsaída
Rl -Vp
Vsaída
+Vp
T
Figura 6.8 (a) Circuito limitador negativo, (b) Forma de onda na carga
78
Vent
+Vp
R
Vent Vsaída
Rl
-Vp
V Vsaída
+Vp
V T
Figura 6.9 (a) Circuito limitador polarizado, (b) Forma de onda na carga
Vent
+Vp
R
Vent
Rl Vsaída
V1 V2 -Vp
Vsaída
V2
V1
Figura 6.10 (a) Associação de limitadores, (b) Forma de onda na carga
79
D E3

Algumas vezes, um projeto de circuito requer a combinação de uma tensão CA com
uma tensão CC. Em vez de mudar o aspecto da forma de onda, a operação modifica o nível da
tensão de referência CC. Chamamos esse processo de grampeamento ou restauração CC.
Em todas as análises iremos admitir que a carga de um capacitor atinja o valor final em
cinco constantes e tempo.
Na Figura 6.11(a), temos um circuito grampeador positivo, no qual no sinal CA(Vent)

é adicionado uma tensão CC, com a polarização do capacitor. O sinal é deslocado para acima
do eixo como mostra a Figura 6.11(b).
Vent
+Vp
C
Vent
Rl Vsaída -Vp
Vsaída
+2Vp
Figura 6.11 (a) Circuito grampeador positivo, (b) Forma de onda na carga
O capacitor se carrega no semiciclo negativo com Vp, posteriormente não se

descarrega mais, uma vez que o diodo irá permanecer sempre aberto e a constante de tempo
RC>>Tentrada, não havendo condições de descarregar por Rl.
O circuito se resume como mostra a Figura 6.12.
80
Vp
- +
Vent
Rl Vsaída
Figura 6.12 Circuito grampeador positivo
Análise do circuito grampeador positivo
No semiciclo positivo:
Vsaída = Vc + Vent
Quando Vent = 0 Vsaída = Vc = Vp

Quando Vent aumenta a tensão de saída também aumenta.
Quando Vent = Vp. Vsaída = 2Vp
Quando Vent diminui , Vsaída diminui até Vp
No semiciclo negativo:
Vsaída = Vc ± Vent
Quando Vent diminui, Vsaída diminui

Quando Vent = - Vp , Vsaída = 0
Quando Vent aumenta, Vsaída também aumenta.
Outros Circuitos grampeadores
Nas Figuras 6.13, 6.14, 6.15, 6.16 e 6.17, temos mais exemplos de circuitos
grampeadores e as suas respectivas formas de onda na carga. A análise é semelhante as
análises já realizadas.
81
Vent
+Vp
C
Vent -Vp
R Vsaída
Vsaída
-2Vp
Figura 6.13 (a) Circuito grampeador negativo, (b) Forma de onda na carga
Vent
C
+Vp
T
Vent Vsaída
R
V
-Vp
Vsaída
-2Vp+V
Figura 6.14 (a) Circuito grampeador negativo polarizado, (b) Forma de onda na carga
82
Obs: O capacitor se carrega com - ( Vp ± V )
Vent
C +Vp
Vent Vsaída
R
V -Vp
Vsaída
+2Vp+V
V T
Figura 6.15 (a) Circuito grampeador positivo polarizado, (b) Forma de onda na carga
Vent
+Vp
C
T
-Vp
Vent Vsaída
R
V Vsaída
-V
T
-V-2Vp
Figura 6.16 (a) Circuito grampeador negativo polarizado, (b) Forma de onda na carga
83
Vent
Vp
C
Vent Vsaída
R
V
Vsaída
+ 2Vp -V
-V
Figura 6.17 (a) Circuito grampeador positivo polarizado, (b) Forma de onda na carga
,-
1- Dado o circuito determine a forma de onda na saída.
R Vent
30V
Vent Vsaída T
Rl
4V
-30V
7V Vsaída
T
Figura 6.18
2- Dado da Figura 6.19, determine a forma de onda na saída.
84
Figura 6.19
,36. #
Experiência 9 ± Circuito Grampeador
Neste circuito, deve-se montar um circuito grampeador, com o objetivo de analisar e

observar o sinal do resistor com o uso do osciloscópio.
- 1 gerador de áudio
- 1 resistor de 1Mȍ, 0,25W;
- 1 capacitor 470ȝF;
- 1 Osciloscópio.
Procedimento:
1. Monte o circuito da Figura 6.20, no qual vent corresponde o sinal do gerador de áudio em
1KHz e amplitude de 5V.
85
C
Vent
R Vsaída
Figura 6.20
2. Com o uso do osciloscópio observe a forma de onda do resistor e analise o que acontece
com o sinal se o valor do capacitor ou do resistor diminuir.
89;0<+¢<.;9=0
*
% 3
4-%;;.
Neste circuito, você irá montar uma fonte de alimentação para alimentar CIs da família
TTL.
Os CIs da família TTL necessitam de uma fonte de 5V.
- 1 transformador -110V/220V ,12V, 500mA;

- 1 capacitor de 220F;
- 1 capacitor 0,01F;
- 1 CI 7805.
86
Figura 6.21
87
CAPÍTULO 7 ± DIODOS ESPECIAIS

O diodo zener é um diodo especial, no qual, a sua principal aplicação é regular a tensão
na carga, ou seja, mantém a tensão constante na carga. Constitui o último componente em uma
fonte de alimentação.
B
F
O diodo zener é um dispositivo semicondutor, fabricado especialmente para trabalhar

na região de ruptura o que não ocorre nos diodos retificadores e de pequeno sinal.
anodo
catodo
Figura 7.1- Símbolo do diodo zener.
Na figura 7.2, temos o gráfico que relaciona a corrente e a tensão para o diodo zener,
ou seja, este gráfica representa o funcionamento do diodo zener.
Polarização I Polarização
reversa direta
Ruptura
ou Vz
Iz(mín)
Iz(máx)
Figura 7.2- Curva característica de um diodo zener.
88
Quando se polariza diretamente o diodo zener, ele se comporta da mesma forma que
um diodo retificador, ou seja, conduz a partir do momento em que vence a barreira de
potencial.
Na polarização reversa, enquanto a tensão que está sendo aplicada for menor do que a
tensão de zener , ele funciona como uma chave aberta.
Quando a tensão que está sendo aplicado ao diodo zener for maior do que a tensão de
zener, ele passa a conduzir, observando que a tensão nele permanece a mesma aumentando
apenas a corrente que passa por ele, e existe a corrente máxima que o diodo zener suporta,
maior do que esta corrente o diodo zener será danificado.
CIRCUITO BÁSICO
O menor circuito para a montagem com o diodo zener é apresentado na Figura

7.3, constituindo de uma fonte de alimentação e um resistor
Rs
8A9)81
Ve Vz
Figura 7.3
Exemplo:
Se montássemos o circuito da Figura 7.4, e medíssemos a tensão no diodo zener

e a corrente que passa por ele ao aplicar a tensão Vê, montaríamos a tabela 7.1. Esta tabela é
importante para que possamos compreender o funcionamento do diodo zener.
Tabela 7.1
1K6 Quando Ve = 1V Vz = 1V e Is = 0
Quando Ve = 2V Vz = 2V e Is = 0
Quando Ve = 3V Vz = 3V e Is = 0
Ve Quando Ve = 4V Vz = 4V e Is = 0
5V6 Vz Quando Ve = 5V Vz = 5V e Is = 0
Quando Ve = 6V Vz = 5,6V e Is = 0,4m A
Quando Ve = 7V Vz = 5,6V e Is = 1,4mA
Figura 7.4 Quando Ve = 8V Vz = 5,6V e Is = 2,4mA
89
Is = Ve- Vz
Rs
Especificação do diodo zener
Pz(máx) = Vz .Iz(máx)
CIRCUITO REGULADOR DE TENSÃO
A Figura 7.4, mosta o circuito regulador de tensão, para que possamos fazer
uma análise matemática e poder calcular as corrente que circulam no circuito.
Is
Rs
Iz
Ve Vz Rl Il Vl
Figura 7.5 Circuito regulador de tensão
Cálculo da tensão de Thevenin
Vamos calcular a tensão que chega ao diodo zener, fazendo o equivalente de

Thevenim. ( retira o diodo zener do circuito e calcula a tensão visto a apartir do diodo zener ou
seja para este circuito será a tensão no resistor Rl )
Vth = R1 .Ve
Rl + Rs
Se Vth > Vz (significa que o diodo zener está operando)
90
Logo:
Is = Il + Iz
Onde:
Il = Vl Vl = Vz e Is = Ve - Vz
Rl Rs
Ex: Dado o circuito (Figura 7.6), calcule Is, Iz e Il
Is
2,7K6
Iz Il
15V 3V2 5,6K6
Figura 7.6
Solução:
Vth = R1 .Ve Vth = 5,6K . 15

Rl + Rs 5,6K+2,7K
Vth = 10V Vth > Vz logo: O diodo zener está regulando.
Il = 3,2/5,6K = 0,57mA
Is = 15 ± 3,2 Is = 4,3mA
2,7K
Is = Il + Iz Iz = Is ± Il = 4,3m ± 0,57m = 3,73 mA
91
3%

F
Uma das principais aplicações do diodo zener é na construção de fonte de alimentação

pelo qual servirá para manter a tensão na carga constante. A Figura 7.7, mostra uma fonte de
alimentação.
D2 Rs
D1
D3
C
D4 Vz Rl
Figura 7.7 Fonte de alimentação
Exemplo:
1)Se a tensão no capacitor oscilada de 5,6V à 6,3V e o diodo zener é de 3,2V, considerando
que a queda em Rs seja de 0,8V ou seja a tensão que chega no diodo zener é 4,8 à 5,5V, então
a tensão depois que passa pelo diodo zener será constante em 3,2V.
B
. 1G.H
Os diodos emissores de luz são fabricados a partir do GaAs( arsenieto de gálio)
acrescidos de fósforo que, dependendo da quantidade, podem irradiar luzes vermelha, laranja,
amarela, verde ou azul, são muitos utilizados como sinalizadores em instrumentos eletrônicos
ou na fabricação de displays.
Enquanto que em um diodo comum na passagem de corrente, ocorre a liberação de
energia em forma de calor, em um LED a liberação de energia é na forma de luz visível.
A simbologia para o led é apresentado na Figura 7.8.
SIMBOLOGIA
anodo
catodo
Figura 7.8
92
Na Figura 7.9, temos a curva característica para o led.
Polarização Polarização
reversa direta
v
1,5 a 2,5V
Figura 7.9
Os LEDs apresentam as mesmas características dos diodos comuns, ou seja só

conduzem quando polarizados diretamente aplicando uma tensão maior do que a barreira de
potencial, no entanto a barreira de potencial varia de 1,5V a 2,5V dependendo da cor.
Comercialmente, o led trabalha normalmente com corrente na faixa de 10mA a 50mA.
Para se polarizar um LED, deve-se utilizar um resistor

limitador de corrente para que o mesmo não se
danifique.
CIRCUITO BÁSICO:
O menor circuito que podemos construir com um led é apresentado na Figura

7.9. Não se deve ligar um led em paralelo com uma fonte de alimentação, pois danifica
facilemnte, uma vez que a resistência da fonte é desprezível e a corrente que passará no led
terá valor elevado.
93
Rs
A8+8%

Is
Ve 9
Figura 7.9
OBS: como Vled varia de 1,5 a 2,5V vamos adotar 2V
Exemplo:
1)Determine Rs para que o LED do circuito (Figura 7.10), fique polarizado no seu ponto
quiescente (Vled = 2V e Id = 20mA)
Is
6V
Figura 7.10
Solução:
9AD$
9 = 8$8%

Rs = 200 6
B!
;I%
Este dispositivo possui uma característica não encontrada em nenhum outro de sua
família, que é a região negativa.
Este fato implica que, se este componente estiver polarizado em uma determinada
região de sua curva característica, se aumentarmos a tensão entre seus terminais, a corrente
que atravessa diminuirá.
94
Ele foi desenvolvido pelo Dr. Leo Esaki em 1958 e , as vezes é chamado de diodo
Esaki, em homenagem ao seu descobridor.
SIMBOLOGIAS
7.11 Simbologia para diodo túnel
A Figura 7.12, mostra a curva característica para o diodo túnel.
Ip
Iv
V
VP Vv
Figura 7.12
Por ser um diodo muito dopado, ao se polarizar diretamente conduz imediatamente, a

corrente produz um valor máximo Ip. Um aumento de tensão maior do que Vp produz uma
diminuição na corrente e a região entre os pontos de pico e do vale é chamado região de
resistência negativa.
Na polarização reversa a ruptura ocorre próximo de 0V.
APLICAÇÕES
As características de resistência negativa os tornam úteis em circuitos de microondas,

amplificadores, conversores, osciladores e circuitos de chaveamentos.
O fato deste dispositivo ser mais veloz do que todos os outros dispositivos ativos, faz
com que ele seja encontrado também em circuitos de alta frequência e alta velocidade,
especialmente em computadores, onde os tempos de comutação são da ordem de nano ou
picossegundos.
São também encontrados em circuitos capazes de converter potência cc em ca.
95
B(
83G8 88H
Este diodo aproveita além dos efeitos na junção PN utilizados nos diodos comuns, o
fato da capacitância existente na junção ser função da tensão de polarização. A Figura 7.14
mostra a simbologia para o diodo varicap.
Figura 7.14 Simbologia
A Figura 7.15, temos a curva característica para o diodo varicap.
Figura 7.15
Na polarização reversa em circuito de alta frequência, como o diodo funciona

basicamente como um capacitor (as regiões P e N são como placas do capacitor e a camada de
depleção se compara ao dielétrico) ao aumentar a tensão reversa a ³capacitância´ irá diminuir.
APLICAÇÕES
O Varactor é muito útil em diversas aplicações como em circuitos LC com sintonia por
tensão, circuitos ponte autobalanceados e amplificadores paramétricos, dispositivos de
controle de frequência automáticos, filtros de banda passante ajustáveis etc.
96
97
1.c Dado o circuito da Figura 7.16, calcule as correntes Is, Iz e Il.
Is
3,9K6
Iz Il
20V 5V6 10K6
Figura 7.16
2.c Explique o que você entende por LED.

3.c Cite algumas aplicações do diodo túnel.
4.c Cite algumas aplicações do Varactor.
5.c No circuito da Figura 7.18, V1 = 15V e no LED D1, Imin = 1mA, Imáx = 25mA e
Vled = 2V.
Figura 7.18
Considerando a possibilidade de R1 assumir os valores de 1106, 14006 e 690K6, é correto,

que o LEd:
a)c acende normalmente nos 3 casos.

b)c Acende normalmente para 1106 e 14006, mas não irá acender quando R1 for de
690K6.
c)c Acende normalmente para 14006, mas com 690K6 não irá acender e quando R1 for
de 110 6 pode queimar.
d)c Não acende normalmente quando R1 vale 690K6 e pode queimar quando R1 for de
1106 ou de 14006.
e)c Não acende normalmente quando R1 for de 14006 ou de 6906 e pode queimar
quando R1 vale 1106.
97
6. A Figura 7.19, ilustra um circuito alimentado por uma fonte de tensão senoidal da forma
Ve(t) = 20sen(wt), onde Z1 é um diodo zener de 15V e D1 um diodo ideal. O sinal de saída
Vs(t) deverá ser, aproximadamente, da forma:
Figura 7.19
7. A Figura 7.120, ilustra um circuito alimentado por uma fonte de tensão senoidal, cujo valor
de pico é superior À tensão de diodo zener Z1, que pode ser considerado ideal. O sinal de
tensão Vs(t) deverá ter, aproximadamente, a forma:
98
Figura 7.20
8. (ELETRONORTE ± 2006) Na fonte da Figura 7.21, a tensão de entrada vnão é regulada,

e varia de 15 a 20 V; o diodo zener tem tensão nominal de 10 V, e requer no mínimo 5
mA de corrente para garantir a regulação; a carga é variante no tempo, e consome de 0 a 5
mA.
Figura 7.21
Em condições normais de funcionamento:

(A) < 2 k ;
(B) > 500 ;
(C) se R = 500 , a corrente máxima no diodo zener é de 10 mA;
(D) se = 500 , a potência máxima exigida da fonte não regulada é de 400mW;
(E) se R = 500 , pode ser um resistor de 1/8 W.
99
,36. #
Experiência 10 ± O diodo Zener
Neste circuito, deve-se montar um circuito básico com o diodo zener para compreender
o seu funcionamento.
- 1 Fonte de alimentação variável (0-15V)

- 1 diodo zener 5V6, 0,5W;
Procedimento:
Figura 7.22
3.c Preencha a tabela abaixo:
Vf A Vz
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
100
4. Qual o valor da tensão que se manteve constante? _________
Experiência 11 ± Fonte de alimentação (eliminador de pilhas)
Neste circuito, vamos montar uma fonte de alimentação.

- 1 resistor de 10Kȍ, 3,3Kȍ e 470ȍ (0,25W);
- 1 capacitor de 220F, 64V
- 1 diodo zener 5,6V, 0,5W;
- 1 multímetro (analógico ou digital).
Procedimento:
Figura 7.23
2. Meça a tensão no resistor de 10K6.

3. Substitua o resistor de 10K6 pelo resistor de 4706 e um led, como mostra a Figura 7.24.
Figura 7.24
101
89;0<+¢<.;9=0
%

Descreveremos dois circuitos para um alarme de subtensão. No primeiro, quando a
tensão diminuir abaixo de 12V um led deve acender. Porém, se a tensão voltar a aumentar o
led irá apagar. No segundo circuito, quando a tensão diminuir abaixo de 12V, uma lâmpada irá
acender, e mesmo que a tensão volte a aumentar, a lâmpada permanecerá acesa.
Circuito 1
-1 fonte de tensão variável;

- 1 diodo 1N4004;
- 1 led;
- 1 diodo zener 12V, 0,5w;
- 1 resistor 4706;5,6K6; 1K6;
- 1 transistor BC338.
Figura 7.25
O único componente não estudado até aqui é o transistor. Neste circuito, o transistor irá
funcionar uma chave.
102
O funcionamento do circuito será da seguinte forma:
Como a tensão de alimentação é 14V, o diodo zener estará regulando, ficando 12V no diodo
zener e 2V no resistor de 1K6. O transistor, neste caso, estará funcionado como uma chave
fechada e toda a corrente passará por ele, como mostra a Figura 7.26.
Figura 7.26
Quando a tensão diminuir, abaixo de 12V, pode-se considerar que a corrente que passa
no diodo zener será zero, logo, a tensão no resistor de 1K6 será zero e o transistor funcionará
como uma chave aberta. Toda a corrente passará pelo led e acenderá.
Neste circuito quando a tensão cair abaixo de 12V o led acende, no entanto, se a tensão
voltar a aumentar o led apaga.
Descrevemos a seguir um circuito no qual, quando a tensão baixar e voltar a aumentar
uma lâmpada ficará acesa.
-1 fonte de tensão variável;

- 1 diodo 1N4004;
- 1 lâmpada de 12V;
- 1 diodo zener 12V, 0,5w;
- 1 resistor 2,2K, 10K;
- 2 resistores 1K;
- 1 transistor BC338;
- 1 capacitor 1F, 16V
- 1 SCR ( TIC106D);
-1 relé 12V.
Circuito 2 (Figura 7.27)
103
Figura 7.27
Neste circuito, figura , foi utilizado um SRC, no qual, quando a tensão cair abaixo de
12V, o transistor funciona como uma chave aberta e toda a corrente desvia para o circuito do
capacitor que dispara o SCR. A bobina do relé é acionada e o contato normalmente aberto do
relé fechado, a lâmpada é acesa.
104
CAPÍTULO 8- TRANSISTOR BIPOLAR

O transistor é um componente eletrônico formado por materiais semicondutores. Foi
desenvolvido no laboratório Bell Telephone e demonstrado em 23 de Dezembro de 1947 por
John Bardeen, Walter Houser Brattain e William Bradford Shockley. Estes foram laureados
com o prêmio Nobel da Física em 1956. O transistor começou a se popularizar na década de
1950 e ocasionou a revolução da eletrônica na década de 1960. As principais aplicações do
transistor são: amplificar sinais elétricos e chavear circuitos.
'
3%
A Figura 8.1 mostra a constituição do transistor, no qual é formado pela combinação de
materiais semicondutores dopados com átomos trivalentes ou pentavalentes. A adição de
átomos trivalentes no semicondutor constitui a formação do material do tipo P, e a adição de
átomos pentavalentes a formação do material do tipo N. Um transistor é formado pela
combinação do material N+P+N ou P+N+P, o que se denomina transistor NPN (Figura 8.3) e
PNP (Figura 8.4), respectivamente (LALOND e ROSS, 1999).
Coletor Base Emissor

Fluxo de
lacunas
n
p
Fluxo de elétrons
Figura 8.1 ± Estrutura física do transistor de junção bipolar NPN
As extremidades são chamadas emissor e coletor e a camada central é denominada

base. O emissor é fortemente dopado e tem como função emitir portadores de carga para a
base (elétrons no transistor NPN e lacunas no transistor PNP). A base é levemente dopada e
muito fina. Ela permite que a maioria dos elétrons injetados pelo emissor passe para o coletor.
O nível de dopagem do coletor é intermediário entre a dopagem forte do emissor e fraca da
base. O coletor, como o nome diz, recebe os portadores que vêm da base. É a camada mais
extensa, pois é nela que se dissipa a maior parte da potência gerada pelos circuitos
transistorizados (BOYLESTAD e NASHELSKY, 1998).
105
.
Na Figura 8.2, o transistor foi redesenhado fixar o que foi dito. Comparando as três
camadas do transistor, elas não possui tamanhos iguais, nem apresentam a mesma dopagem.
O emissor é o mais dopado dos três, o que significa que, na formação do materal do tipo N, a
quantidade de impurezas (átomos pentavelentes) é superior a quantidade de impurezas do
coletor. Portanto, no emissor temos uma maior quantidade de elétrons livres do que no coletor.
A base é levemente dopada e o coletor é o mais extenso dos três.
Figura 8.2 ± Transistor Bipolar
coletor coletor
base base
emissor emissor
Figura 8.3 - Transistor NPN Figura 8.4- Transistor PNP
'/%1
;

Polarizar um transistor é aplicar fontes de alimentação em seus terminais para que
possamos analisar o que acontece, e desta forma, compreender o seu funcionamento.
- Polarização emissor -base reversamente e coletor ± base reversamente.
106
Figura 8.5- Polarização emissor-base reversamente e coletor-base reversamente
Pela Figura 8.5, observa-se que tensão aplicada no emissor para a base (Veb) e a tensão
aplicada do coletor para a base (Vcb) polarizam o transistor reversamente. Uma forma de
visualizar este tipo de polarização é considerar entre o emissor e a base um diodo em que o
catodo está no emissor e o anodo na base. A tensão positiva externa atrae o elétrons do
emissor para a extremidade do transistor e o negativo da fonte externa aplicada na base atrae
as lacunas, com isto aumenta a camada de depleção. Entre o coletor e base acontece o mesmo
procedimento. O positivo da fonte externa atrae os elétrons do coletor e o negativo que está
ligado na base atrae as lacunas, aumentando desta forma a barreira de potencial até se igualar a
fonte Vcb. Neste tipo de polarização não haverá circulação de corrente se desprezar as
corrente de fuga de superfície e a corrente produzido termicamente.
- Polarização emissor ± base diretamente e coletor- base diretamente
Figura 8.6 Polarização emissor ± base diretamente e coletor- base diretamente
107
Na Figura 8.6, a tensão aplicada no emissor para a base(Veb) e a tensão aplicada do coletor
para a base(Vcb) polarizam o transistor diretamente. Neste caso, haverá uma grande circulação
de corrente circulando pela base do transistor.
- Polarização emissor ± base, diretamente e coletor- base, reversamente
Figura 8.7- Polarização emissor ± base, diretamente e coletor- base, reversamente
Este tipo de polarização é o mais utilizado dos três. A fonte de tensão externa aplicada
entre o emissor e a base polariza o transistor diretamente e a tensão aplicada do coletor para a
base polariza o transistor reversamente, como mostra a Figura 8.7. A tensão Vcb faz com que
aumente a camada de depleção entre a base e o coletor. A tensão Veb ao polarizar o transistor
diretamente, faz o menos da fonte repelir os elétrons do emissor. Se a tensão Veb for maior do
que a barreira de potencial , os elétrons passam do emissor para a base. Ao chegar na base
ocorre o inesperado, a maior parte dos elétrons passam para o coletor , sendo atraído pelos
íons positivo. Estes elétrons terminam indo para o positivo da fonte Vcb. Apenas uma pequena
parcela desce pela base. Pode-se dizer que, na maioria das vezes aproximadamente de 95% a
99% dos elétrons que passaram do emissor para a base vão para o coletor e apenas 5% a 1%
desce pela base. Neste tipo de polarização verifica-se que o nome coletor está indicando que
ele coleta os elétrons e o emissor tem como função emitir elétrons. O emissor é o mais dopado
ele tem com função emitir elétrons.
-Tensões e correntes no transistor

A Figura 8.8 e 8.9 mostram os sentidos das tensões e das correntes em um transistor
NPN e PNP respectivamente.
108
Figura 8.8 Transistor NPN Figura 8.9 Transistor PNP
Podemos tirar as seguinte conclusões:
Transistor NPN
Ie = Ic +Ib
Vce = Vcb +Vbe
Transistor PNP
Ie = Ic + Ib
Vec = Vbc +Veb
'!4 5à
;
Os transistores podem ser utilizados em três configurações básicas:
,

e . O termo comum se refere ao terminal que será comum ao

sinal de entrada e ao sinal de saída.
8.3.1 Configuração Emissor comum
Um transistor encontra-se na configuração emissor comum (Figura8.10), quando o

sinal de entrada está na base e o sinal de saída está no coletor. O emissor é comum aos sinais
de entrada e saída.
109
Figura 8.10 Configuração Emissor comum
Nesta configuração na entrada temos ib, na saída Ic. Ie é comum ao sinal de entrada e de
saída.
Ganho de corrente
O ganho de corrente relaciona a corrente de saída com relação a corrente de entrada.
O ganho de corrente para este tipo de configuração é Ic/Ib

Como esta configuração é a mais utilizada, os manuais dos fabricantes mostram este
ganho de corrente, pelo qual é simbolizado pela letra beta cc.
Logo: á = Ic/Ib
Embora este ganho de corrente tenha sido definido para a configuração emissor
comum, este parâmetro serve também para o cálculo dos resistores de polarização para as
outras configurações.
Devido a configuração emissor comum ser a mais utilizada, entraremos com mais
detalhes estudando as curvas características de entrada e de saída.
Curva característica do sinal de entrada

A curva característica do sinal de entrada mostra o comportamento da corrente Ib com
relação a tensão Vbe (Figura 8.11).
110
Figura 8.11 Curva característica do sinal de entrada
Entre o emissor e a base existe uma barreira de potencial. Para que os elétrons do
emissor passem para a base, deve-se vencer esta barreira. Com o transistor construído com
átomos de silício o valor da barreira de potencial é de 0,7V.
O que observamos é que quando uma fonte de tensão contínua é aplicada entre o
emissor e a base, o funcionamento é semelhante a de um diodo.
Curva característica de saída

A curva característica do sinal de saída, mostra o comportamento da corrente Ic com
relação a tensão Vce (Figura 8.12).
Figura 8.12 Curva característica do sinal na saída
Como a corrente que flui para o coletor depende também da quantidade de elétrons que
flui do emissor para base, ou seja, da corrente da base, o gráfico é construído para os vários
valores da corrente da base.
111
Observamos que, se a tensão entre o emissor e a base for zero, mesmo que a tensão
entre o coletor e o emissor seja um valor elevado, como não há corrente na base, também não
haverá corrente no coletor. O fato é que, a tensão entre o coletor e base, polariza o coletor e a
base reversamente, aumentando a camada de depleção. Quando uma tensão entre o emissor e a
base for suficiente para vencer a barreira de potencial e assim a base ter corrente, a maior parte
dos elétrons é atraída pelo coletor devido aos cátions da camada de depleção. Quanto maior
for a corrente que passa para a base, maior será a corrente que também passa para o coletor.
Logo, a corrente do coletor não depende somente da tensão Vce, mas também da corrente Ib.
8.3.2 Configuração Base comum
Nesta configuração, a base está na entrada e na saída do circuito, ou seja, a base é o

eletrodo comum. (Figura 8.13).
Figura 8.13 Configuração base comum
Definimos como entrada a tensão Vbe e a corrente Ie. Na saída está a tensão Vcb e a
corrente Ic.
Ganho de corrente
= Ic/Ie
Definimos o ganho de corrente para este tipo de configuração, pois será útil para
análise de circuitos para outras configurações.

3%1
4
/%1

A Figura 8.15, mostra o circuito polarização da base
112
Figura 8.14 Circuito polarização da base
%

-Vbb + RbIb + Vbe = 0
Adotaremos Vbe sempre igual a 0,7V, qaunto a tensão Vbb for maior do que 0,7V, pois, entre
a base e o emissor o transistor comporta-se como um diodo para uma tensão contínua.
Logo:
Vbb = RbIb + 0,7
%
-

- Vce + RcIc + Vce = 0
,-9%7

Dado o circuito (Figura 8.15). determine Vce e Ic. Dado: Vbb = 6V, Rb = 220K, Rc = 3,3K,
Vcc = 12V e o ganho de corrente é igual a 100.
Figura 8.15
Solução:
113
- Malha de entrada
6 = 220KIb + 0,7
Ib = 0,024mA
Ic = áIb logo: Ic = 0,024mx 100 Ic = 2,4mA
Malha de saída
12 = Rc.2,4m +Vce
12 = 3,3K. 2,4m + Vce
Vce = 4,08V
9

Para saber os pontos de operação do transistor, faz-se necessário esboçar uma reta na
curva característica de saída do transistor na configuração emissor comum, que intercepte
todos os possíveis pontos de operação do transistor. Esta reta é definida como reta de carga cc.
(Figura 8.16).
Figura 8.16 Reta de carga CC
9

A região de corte é definida como a região no qual a corrente da base é zero
(idealmente) é consequentemente, Ic também é zero. Neste caso, o transistor funciona como
uma chave aberta.
114
Exemplo:
1) Dado o circuito (Figura 8.17), determine Ic e Vce. Dado: Vbb = 0,3V, Rb = 10K, Vcc =
10V, Rc = 2,2K e á = 100.
Figura 8.17
Solução:
Malha de entrada
Vbb = RbIb + 0,7. onde a tensão Vbb não é suficiente para vencer a barreira de potencial, pois
entre a base e o emissor, o transistor funciona como um diodo. Logo Ib = 0
Como Ic = áIb e Ib = 0, Ic = 0, mesmo tendo um valor de tensão Vcc. Vce = Vcc = 10V
Neste caso, o transistor funciona como uma chave aberta e está operando na região de corte.
Imagina-se o circuito da Figura 8.18.
Figura 8.18
9

Um transistor está operando na região de saturação, quando a corrente Ib for um valor
tão elevado que o transistor sature funcionando como uma chave fechada.
Exemplo
- Dado o circuito (Figura 8.19), determine Ic e Vce. Dado: Vbb = 12V, Rb = 3,3K, Vcc = 15V,
Rc = 2,2K e á = 100.
115
Figura 8.19
Solução:
Malha de entrada
Vbb = RbIb + 0,7.
12 = 3,3KIb +0,7 Ib = 3,42mA

Ic = 100. 3,42m = 342mA
Malha de saída
15 = 2,2K. 342m + Vce Vce = - 737,4V
Como um transistor não gera tensão. A única tensão que temos na malha de saída é de
15V para ser divida pelo resistor e transistor.
O que temos neste caso, é que a corrente da base é um valor bastante elevado, sendo
suficiente para saturar o transistor. O transistor neste caso funciona como uma chave fechada
como mostra a Figura 8.20.
Figura 8.20
A corrente Ic será igual a Vcc/Rc, já que o transistor funciona como uma chave
fechada e desta forma a tensão Vce será zero. Observe que a corrente que circula no coletor é
o maior valor possível para este circuito.
9 7

A região ativa é a região intermediária entre a região de corte e saturação. Na região de
corte a corrente Ic é igual a zero e a tensão Vce é o valor máximo possível. Na saturação a
tensão Vce é igual a zero e a corrente Ic é o valor máximo possível para o circuito. Na região
ativa, existe um valor de corrente Ic e tensão Vce que não são zero e também não possui o
máximo valor possível para o circuito.
116
Exemplo
1) Dado o circuito (Figura 8.21).determine Ic e Vce. Dado: Vbb = 10V, Rb = 330K, Vcc =
15V, Rc = 2,2K e á = 100.
Figura 8.21
Solução:
Malha de entrada
Vbb = RbIb + 0,7.
10 = 330KIb + 0,7
Ib = 0.028mA
Ic = 2,8mA
Malha de saída
15 = 2.2K Ic + Vce Vce = 8,84V
Observe que, temos um valor positivo de corrente Ic e tensão Vce, que não são zero
nem o máximo, logo, o transistor está operando na região ativa.
O transistor operando na região ativa será útil na construção de circuitos para

amplificar um sinal, ou seja, na construção de amplificadores.
% %

Para o circuito da Figura 8.22, o cálculo da reta de carga cc deve ser processado da
seguinte forma:
117
Figura 8.22
Para determinar a reta de carga, deve-se calcular dois pontos. Iremos calcular na região
de corte e na região de saturação.
Na região de corte:
Ic = 0
Vce = Vcc
Na região de saturação
Vce= 0
Fechando a malha temos:
Vcc = Rc i c + Vce
Logo: Vcc = Rc Ic Icsat = Vcc/Rcc
Ex: Dado o circuito(Figura 8.23), determine a reta de carga cc.
Dado: Rc= 3,3K; Rb = 270K; Vbb = 4V e Vce = 15V
Figura 8.23
Solução:
Na região de corte
118
Ic = 0
Vce = 15V
Na região de Saturação
Icsat = 15/3,3K = 4,54mA
Vce = 0
A reta de carga cc é mostrado na Figura 8.24.
Figura 8.24
Polarização da base
O circuito polarização da base é apresentado na Figura 8.25.
No circuito da Figura 8.25, conhecido como polarização da base é o circuito mais

utilizado quando deseja colocar o transistor para que funcione como chave, ou seja, o
119
transistor esteja funcionando na região de saturação ou na região de corte. Geralmente, a fonte
de alimentação da base é a mesma que alimenta o coletor, isto é, Vbb = Vcc. O circuito então,
é desenhado como mostra a Figura 8.26.
Este tipo de polarização, porém, não é utilizado quando se deseja utilizar o transistor
para que opere na região ativa. Coloca-se o transistor na região ativa quando deseja construir
um circuito para amplificar um sinal ca Ao utilizar o circuito acima, colocando o transistor
para operar no meio da reta de carga cc, com o aumento da temperatura o ponto quiescente é
alterado indo para a saturação.
Demonstração
Na primeira malha temos:
Vcc = Rb ib + Vbe
Na segunda malha:
Vcc = Rc ic + Vce
Para que o transistor opere na região ativa, o ideal é que ele opere no meio da reta de
carga cc. Para isto deve-se colocar Vce = 0,5Vcc.
Com o aumento da temperatura o ganho de corrente aumenta e consequentemente ic
também aumenta, uma vez que, ic = áib.
Da segunda malha como Vcc e Rc são valores fixo, ou seja, não sofrem influência com
a alteração da temperatura ambiente. Para que a equação continue válida, Vce diminui. Vce
diminuindo o ponto quiescente na reta de carga cc deve subir, ou seja, o transistor tende a
saturação.
Para polarizar o transistor na região ativa, foram implementados vários circuitos, até
conseguir o circuito mais utilizado, que é o circuito polarização por divisor de tensão. Iremos
analisar a evolução dos circuitos.
Polarização com realimentação do emissor
120
Na figura 8.27, temos o circuito polarização com realimentação do
emissor,no qual foi inserido um resistor no emissor.
Figura 8.27 Polarização com realimentação do emissor
Malha I Temos:
Vbb = Rb ib + Vbe + Re Ie
Malha II temos
Vcc = Rc ic + Vce + Re ie
Exercício resolvido
Dado o circuito (Figura 8.28), determine Ib, Ie, Ic e Vce.
Vcc= 12V, Vbb = 6V, Rb = 470K6, Rc = 2,7K6 e Re = 8006, á = 120.
Figura 8.28
121
Solução:
Vbb = RbIb + Vbe 6 = 470K ib + 0,7
Ib = 0,0112mA
Ic = áIb Ic = 1,34mA
Ie = Ic + Ib Ie = 1,34m + 0,011m Ie = 1,35mA
Vcc = RcIc + Vce + ReIe

12 = 2,7K. 1,34m + Vce + 800. 1,35m
Vce = 7,3V
Polarização por divisor de Tensão
Na Figura 8.29, temos o circuito polarização por divisor de tensão.
Figura 8.29 Circuito polarização por divisor de tensão
Para simplificar os cálculos, devemos determinar o equivalente de Thevenin, visto da

base para o terra.
1. 2
Rth = R1//R2
1 f 2
122
2

1 f 2
Circuito após o equivalente de Thvenin é apresentado na Figura 8.30.
Figura 8.30 Circuito equivalente de Thevenin
Malha I Temos:
VTh = RTh ib + Vbe + Re Ie
Malha II temos
Vcc = Rc ic + Vce + Re ie
Exercícios resolvidos
1.Dado o circuito (Figura 8.31), determine Vce e Ic. O ganho de corrente é igual a 100
123
Figura 8.31
Solução:
33R .3,3R
Rth = 3R6
33R 3,3R
3,3R
12 1,09
33R f 3,3R
O circuito pode ser substituído pelo circuito da Figura 8.32.
Figura 8.32 Circuito equivalente
1,09 = 3K ib + 0,7 + 1,8Kie
Ie = ic + ib, onde: ic = áib ou seja ie = 100ib+ ib = 101ib logo:
1,09 = 3Kib + 0,7 + 1,8K( 101ib)
0,39 = 184,8K ib ib = 0,002mA logo: ic = 0,21mA e ie = 0,213mA

Malha 2
12= 3,3Kic + Vce + 1,8K ie
12c = 3,3K (0,02m) + Vce + 1,8K (0,213m)
Vce = 11,55V
124
'(; 7
A regra para projeto
Uma saturação leve significa que levamos o transistor apenas no início da saturação,
isto é, a corrente da base é o valor exato e suficiente para operar o transistor no extremo
superior da reta de carga. Não é muito utilizado o transistor na saturação leve por causa da
variação do ganho de corrente.
A saturação forte é a utilizada em circuitos, pois o transistor continua na saturação
mesmo no pior caso de variação do ganho de corrente com a variação da temperatura.
Para colocar o transistor para na saturação forte deve-se fazer com que a corrente da
base seja aproximadamente um décimo do valor da corrente de saturação.
Figura 8.33 Transistor como chave
Analisando a Figura 8.33 temos:
Na saturação forte:
Ib = 0,1ic
Malha de entrada:
Vcc = Rb.ib+0,7
Malha de saída
Vcc =Rcic + Vce como na saturação Vce = 0, Temos:
Vcc = Rc. ic
Igualando as duas equações temos:
Rb. Ib + 0 ,7 = Rc.ic
125
Desprezando 0,7V temos;
Rb. Ib = Rc. Ic
Na saturação forte ib = 0,1ic, logo:

Rb. 0,1ic = Rc. Ic , logo: Rb = 10Rc
'C; *

Para entender melhor o transistor como fonte de corrente vamos para este problema.
- Os leds L-1 e L-2, da figura 9.5.1,necessitam de uma corrente de 10mA para obter uma boa
luminosidade. No entanto L-1 proporciona uma queda de 1,5V enquanto l-2 uma queda de
2,5V. Poderá o led 2 ter sua luminosidade diminuída por necessitar de mais tensão? (Figura
8.34).
Figura 34. Transistor como fonte de corrente
Observando a Figura 8.34, verificamos que na base existe uma tensão de 3V. Esta
tensão faz com que fixe a tensão no emissor de 3- 0,7. ou seja, a base amarra a tensão do
emissor.
Neste circuito, o transistor está funcionando como fonte de corrente, pois mesmo
alterando a queda de tensão nos leds a corrente permanece a mesma.
126
Os cálculos a seguir demonstram isto:
Se ambos os leds necessitam de 10mA para o brilho ideal basta fixar a corrente de emissor em
10mA, dimensionando o valor de Re.
Re = (3-0,7)/10mA Re = 2306
Observe que a fonte da base ligada diretamente na base fixa a corrente ie. Logo, a
luminosidade do led2 não será diminuída.
. 3%
Modelagem do transistor para análise CA

O transistor em um circuito elétrico é substituído pela combinação de elementos
apropriadamente escolhidos, que se aproximam melhor do funcionamento real, tendo-se o que
é denominado modelagem do transistor. O objetivo de modelar o transistor é facilitar a análise
para sinais alternados em função das tensões, correntes e freqüências envolvidas.
Há vários modelos para representar o transistor em um circuito elétrico. Os mais
utilizados são o modelo de Erbers Moll e o modelo híbrido (MALVINO, 1995 c
c
ccccc
ccc
c
Ao substituir o transistor pelo modelo de Erbers-Moll, os cálculos envolvidos no
circuito ficam mais simples, por isto, é utilizado com freqüência.
O modelo híbrido requer cálculos mais complexos, porém sem obtém maior
precisão.
No modelo de Ebers Moll, tem-se o seguinte circuito equivalente para o transistor
(CIPELLI e SANDRINI, 2001).
127
coletor
coletor
base
base
re`
emissor emissor
á ccc cccccc cccccccccá cccc

c
cc c c
c c
Onde:
re = resistência a passagem do sinal alternado no emissor, pode ser deduzida

como segue:
A equação da junção PN retangular deduzida por Shockley (substituída pela

resistência re no modelo) é:
Onde:
.
(1)

.?
ó 1

I = corrente total do diodo

= corrente de saturação reversa
= tensão total através da camada de depleção
= carga de um elétron (1,6 10-19 Coulomb)
= constante de Boltzmann (1,38 10-23 Joules/Kelvin)
? = temperatura absoluta (ºK)
A descrição da Eq.1 não inclui a resistência de corpo de cada lado da junção, por
isso é aplicada ao diodo somente quando a tensão através da resistência for desprezível.
À temperatura de 25ÖC, /? é aproximadamente igual a 40 (CIPELLI,
SANDRINI, 2001: 98) e a Eq.1 torna-se:
I = Is(e40V ± 1)
Para obter re`, do modelo de Erbers Moll, diferencia-se a Eq.1 com relação a V.
dI/dV = 40Ise40V
Pode-se escrever na forma
dI/dV = 40( I + Is)
128
Tomando-se o inverso resulta o valor de re`
re = dV/dI = 1/40( I + Is) = 25mV/ (I + Is)
Em um amplificador linear prático, I é muito maior do que Is (caso contrário a

polarização é instável). Por isso, o valor prático de re` é:
re = 25mV/ I
Como se está tratando da camada de depleção do emissor, acrescenta-se o índice e

na corrente.
re = 25mV/Ie
C(
%J-

No modelo híbrido (MARQUES et al, 1996), o transistor é substituído por um

único dispositivo denominado quadripolo, de tal forma que ele possa ser modelado
matematicamente:
Variáveis:
v1 = tensão de entrada
v2 = tensão de saída
i1 = corrente de entrada
i2 = corrente de saída
Convenção:
Tensão positiva ± para cima

Corrente positiva ± para dentro
i1 i2
+ +
v1 Circuito v2
_ Elétrico _
Figura 36 - Quadripolo Genérico
Essas quatro grandezas envolvidas podem ser relacionadas entre si por meio de
funções lineares, fixando-se duas variáveis dependentes e duas independentes.
De acordo com essa escolha, tem-se modelo matemático de quadripolos. Para o
modelamento do transistor, a forma adotada é fixar v1 e i2 como variáveis dependentes e i1 e v2
como variáveis independentes (CUTLER,1997).
129

C( Modelamento matemático do quadripolo
v1 = f1 (i1,v2)
i2 = f2 (i1, v2)
Este tipo de modelo que fixa a tensão de entrada v1 e a corrente de saída i2 como
variáveis dependentes, e a corrente de entrada i1 e a tensão de saída v2 como variáveis
independentes, é denominado modelo híbrido, exatamente por misturar tensão e corrente como
variáveis dependentes e independentes (BADHERT, 1995).
Para relacionar essas tensões e correntes, o quadripolo deve ser formado por
quatro parâmetros h internos e constantes, denominados h11, h12, h21 e h22, definindo as duas
funções lineares f1 e f2 da seguinte forma :
v1= h11.i1 + h12.v2
i2 = h21.i1 + h22.v2
Assim, os parâmetros h e seus significados físicos podem ser obtidos fixando-se o

valor de uma das variáveis independentes, como segue:
-c h11 e h21
Para v2 = 0. As equações se reduzem a:

v1 =h11.i1
e
i2 = h21.i1
Logo:
h11= v1/i1 (saída em curto)
h11 ± (hi) É a impedância de entrada quando a saída está em curto.
h21 =i2/i1 (saída em curto)
h21± (hf) É o ganho de corrente quando a saída está em curto.
-c h12 e h22
Para i1 = 0. As equações se reduzem a
v1 = h12.v2
e
i2 = h22.v2
Logo:
h12=v1/v2 (entrada aberta)

h12 ± (hr) Ganho de tensão reverso com entrada aberta
h22 = i2/v2 (entrada aberta)
h22 ± (ho) Admitância de saída com entrada aberta
Conhecidos os parâmetros h do quadripolo, seu modelo elétrico fica determinado

como segue.
130
i1 hi i2
+ +
v1 hr v2 hf i1 h0 v2
_ _
Figura 37 ± Modelo híbrido para o transistor
As equações de Kirchhoff para este modelo são:
v1= hi.i1 + hr.v2

i2 = hf.i1 + ho.v2
Neste modelo elétrico, tem-se na entrada o teorema de Thevenin e na saída o

teorema de Norton.
No teorema de Thevenin, um circuito com múltiplas malhas é reduzido para uma
fonte de tensão em série com uma resistência . No teorema de Norton, um circuito com muitas
malhas é substituído por uma fonte de corrente e uma resistência em paralelo (MALVINO,
1995).
,-
1. Dado o circuito da Figura 8.38, determine a reta de carga cc e indique o ponto quiescente.
Dado: R1= 10K6, R2 = 3,9K6, R3 = 2,2K6 , R4 = 8206 , Vcc = 12V e beta = 100.
Figura 8.38
2. Dado o circuito da Figura 8.39, determine a reta de carga cc e indique o ponto quiescente.
131
Dado: Rc = 3,7K6; Rb = 330K6; Re = 8206; Vcc = +12V; Vee = -5V e ganho de corrente de
120
Figura 8.39
3. Considere o circuito da Figura 8.40. O beta na região ativa é de 100. Determine a reta de
carga cc , indique o ponto quiescente na reta e determine Vc.
Figura 9.40
4. Dado o circuito da Figura 8.41, determine a corrente Ie2.

Dado: Rb = 2,7M6; Re2 = 1,2K6; Vbb = 6V ; Vcc = 12V, á1 = 100 e á2 = 130.
132
figura 8.41
6.c Observe o circuito, Figura 8.42 e o gráfico, Figura 8.43.
Figura 8.42 Figura 8.43
Sabendo-se, no Transistor Tr1, Beta = 40 e Vbe = 0,6V, qual a corrente, em Amperes, exibida
pelo Amperímetro A1, para temperatura de 50°C no RTD?
6. A Figura 8.55, mostra um circuito transistorizado operando na região ativa com Vbe = 0,7V
e as curvas características do transistor com a reta de carga correspondente. Determine:
a) O ganho de corrente (ácc).
b) Considerando que o circuito apresenta R1 = 110K6, R2 = 40K6 e Re = 3406,. Determine
os valores aproximadamente de Rc em 6, e Ib, em A.
133
Figura 8.44
7. A figura8.45 ilustra o sinal de tensão de entrada Vê, submetido no circuito transitorizado.

Considere, na curva, os seguintes intervalos de tempo:
T1 de 0s a 1s
T2 de 1s a 3s
T3 de 4s a 6s
É correto afirmar que os estados do transistor, nos intervalos T1, T2 e T3, respectivamente,
são:
a) saturado, cortado e operando na região linear.

b) saturado, operando na região linear e cortado.
c) operando na região linear, cortado e saturado.
d) cortado, saturado e operando na região linear.
e) cortado, operando na região linear e saturado.
Figura 8.45
8. No esquema da Figura 8.46, temos o circuito de um transmissor eletrônico analógico de

informação. Nele, a saída está localizada onde está o Amperímetro A1 e a sua entrada é S1,
que é a chave do sensor de fim de curso de uma válvula.
134
Figura 8.46
Este transmissor deve enviar as seguintes informações:
S1 Aberta = 4mA em A1;

S2 Fechada = 20mA em A1;
Sabendo que o transistor tem os seguintes dados: beta = 200 e Vbe = 0,7V, Quais os valores
dos potenciômetros P1 e P2 em KOhms?
9. Foi montado em laboratório o circuito da Figura 8.47. Algum led irá aceder? Explique o que
acontecerá.
Dado: Vcc = 12V. A barreira de potencial do led1 = 2V e do led 2 = 1,7V.
Para que apresente uma boa luminosidade deve passar uma corrente de 10mA em cada
led.
Figura 8.47
10. A figura 8.48, mostra um simples provador de continuidade. Determine Vce e Ic no

transistor 2 ao medir a continuidade em uma placa de circuito impresso, no qual a placa não
apresenta defeito. A continuidade é indicada pelo led. Considere a barreira de potencial no led
de 2V e o beta para os dois transistores de 100. A chave S1 deve está fechada.
135
Figura 8.48
11. O circuito da figura 8.49, mostra um conversor DC/DC que utiliza um diodo Zener de
tensão nominal de 8,2V e um transistor com á = 100 e Vbe = 0,7V. Determine, os valores de
tensão de saída Vo, em volts, e da corrente Iz no Zener, em mA.
Figura 8.49
12. Dado o circuito(Figura 8.50), determine a tabela da verdade e indique qual porta lógica o
circuito está representando.
Figura 8.50
13- Dado o circuito (Figura 8.51), calcule o valor do resistor da base, para que a corrente que
circule no motor seja de 1mA quando o sensor for ativado.
OBS. O ganho de corrente do transistor é de 100 e o sensor é uma chave

. Existem
chaves
normalmente aberta e normalmente fechada. No circuito foi utilizada uma
136
chave normalmente aberta que funciona da seguinte forma: Normalmente está aberta e ao
aproximar do imã a chave fecha.
Figura 8.51
14- Projete o circuito para que o transistor funcione como chave. No circuito foi utilizado um
LDR, no qual com a incidência de luz a resistência é de 4006 e na ausência de luz a
resistência é de 1M6. Para o circuito deseja que com a incidência de luz o relé seja
energizado. A resistência do relé é de 1006. (Figura 8.52).
Figura 8.52
15. Um motor CC opera com tensão de 5V e corrente de 100mA. Ele deve ser acionado por um
circuito de controle que fornece 12V de tensão na saída, conforme o esquema abaixo. Usando
a mesma tensão de alimentação do circuito de controle e o transistor Darlington, especifique
os resistores Rb eRc. (Figura 8.53).
Parâmetros do transistor Darlington
Ganho de corrente 1500

Ic máx = 150mA
Vbe sat = 1.4V
Vce sat= 1V
137
Figura 8.53
,36. #
Experiência 12 ± Transistor como chave
Neste circuito, deve-se montar o circuito, no qual o transistor irá operar como chave.
- 1 Fonte de alimentação 10V;

- 1 transistor NPN (BC338);
- 1 resistor de 5,6Kȍ, 560ȍ (0,25W);
- 1 led;
Procedimento:
138
Figura 8.54
2. Coloque a chave na posição 1 e meça Ib,Ic,Ie, Vbe,Vce e Vcb;
3. Coloque a chave na posição 2 e meça Ib,Ic,Ie, Vbe,Vce e Vcb.
Experiência 13 ± Transistor como Fonte de corrente
Neste circuito, deve-se montar o circuito, no qual o transistor irá operar como fonte de
corrente.
- 2 Fontes de alimentação 8V;

- 1 transistor NPN (BC338);
- 1 resistor de 330ȍ (0,25W);
- 1 led;
Procedimento:
1.Monte o circuito da Figura 8.55, no qual Vbb = 3V e Vcc = 8V:
139
Figura 8.55
2. Aumente progressivamente a tensão na base até igualar a tensãoVcc(8). Explique porque o

led apagou.
89;0<+¢<.;9=0
%33
Neste circuito, você vai montar um alarme para porta, no qual a porta deve estar
fechada e ao abri-la, deve acionar um buzzer.
- 4 pilhas em um suporte para 4 pilhas ( duas em série e duas em paralelo);

- 1 Buzzer de 6V;
- 1 Chave reed swich (normalmente fechada);
- 1 resistor 5,6Kȍ (0,25W);
-1 Transistor BC338, (ou equivalente). ȍ
Circuito (Figura 8.56).
140
Figura 8.56
0 íma deve ficar na porta e o circuito como mostra a Figura 8.57.
Figura 8.57
A chave
é normalmente fechada. No circuito, como a porta normalmente
está fechada e o imã fica próximo a chave
, a chave
fica aberta. Ao abrir
a porta, afasta o imã da chave
e a chave
fecha, fazendo com que circule
corrente na base, desta forma o transistor deve entrar na região de saturação e acionar o
.
%
3
Neste circuito, uma fonte de luz deve sempre estar inserindo no fototransistor, ao
bloquear esta emissão de luz, uma lâmpada será acesa.
141
-1 bateria de 12V;
- 1 diodo 1N4004;
- 1 lâmpada de 12V;
- 1 resistores de 68K6, 1/4W;
- 2 resistores 1K; 1/4W;
- 1 transistor BC338;
- 1 capacitor 100F, 16V;
- 1 capacitor 0,01F, 16V;
- 1 fototransistor (qualquer um serve);
- 1 CI 555;
- 1 relé 12V.
Circuito
Figura 8.58
Neste circuito (Figura 8.58), uma fonte de luz deve estar inserindo luz no
fototransistor, pode ser uma lanterna, e o fototransistor está funcionando como uma chave
fechada. A tensão de 12V está sobre o resistor de 1K6. No pino 2 do CI 555, tem-se uma
alimentação de 12V. A saída (pino 3)fica em 0V.
Quando ocorre o bloqueio da luz sobre o fototransistor, este entra na região de corte e
entra 0V, sobre o pino 2. A saída do CI555(pino 3) sai aproximadamente 12V(na prática sai
uma tensão menor devido as perdas no CI) e o transistor entra na região de saturação. O relé é
acionado e a lâmpada de 12V é acesa.
O tempo em que a lâmpada permanece acesa é calculado pela seguinte expressão:
T = 1,1 RC = 1,1x68Kx100 = 7,48s.
Após este tempo a lâmpada apaga.
142
CAPÍTULO 9 - OUTROS COMPONENTES ELETRÔNICOS

Além dos diodos e transistores bipolares, existem vários outros componentes
eletrônicos. Alguns desses componentes são usados em eletrônica de potência ou em circuitos
osciladores e apresentam comportamentos completamente diferentes daqueles já estudados.
Neste capítulo iremos explorar alguns desses componentes.
K ;
LM G;L2H
Os transistores de unijunção (TUJ) são projetados para trabalharem em osciladores,
circuitos temporizadores e disparadores (). Embora sejam chamados de
³transistores´ e possuírem três terminais, sua constituição física é muito diferente de um
transistor bipolar convencional, como podemos verificar na Figura 9.1. Um TUJ é dispositivo
de baixa potência, com dissipação máxima de 300 mW. Na Figura 9.2 temos um equivalente
elétrico para o TUJ e um circuito de teste. São exemplos de TUJ os seguintes componentes:
2N2646, 2N2647, 2N4870, 2N4871.
Junção pn
B2
B2
E E
Bastão de
alumínio
B1
Silício tipo n
B1
(a) (b)
Figura 9.1 TUJ: (a) construção básica, (b) símbolo.
9.1.1 Funcionamento
Pela Figura 9.2 (a), vemos que se a tensão VE do emissor for menor que 0,7 + VRB1 o
diodo se encontrará inversamente polarizado, IE será praticamente nula e corrente que circula
pelo componente será dada pela tensão de alimentação divida pela resistência interbase RBB. O
valor de RBB fica normalmente entre 4 kȍ e 9 kȍ.
Nessa situação, quando IE = 0, a tensão VRB1 é calculada por:
1
1 O .
1 f 2
143
B2
RB2
VBB
IE
E RBB = RB1 + RB2
(IE = 0)
VE
RB1
ȘVBB
B1
(a) (b)
Figura 9.2 TUJ: (a) equivalente elétrico, (b) circuito de teste.
O valor ¿ (³eta´) é a razão intrínseca do TUJ, isto é, a razão entre RB1 e RBB. O valor
de ¿ pode variar, tipicamente, entre 0,55 e 0,85. Quando a tensão VE se aproxima de VRB1 mais
a tensão de polarização do diodo do emissor, ocorre uma redução drástica no valor de RB1 e
passa a circular uma corrente maior pelo TUJ.
9.1.2 Aplicação típica: oscilador de relaxação
Na Figura 9.2 (b) temos uma aplicação típica para o TUJ. Nesse circuito, o capacitor
vai se carregando através do resistor R1. Quando a tensão do capacitor atinge o valor crítico
para a condução, isto é, quando VE > VD + VRB1, ocorre uma injeção de lacunas na região N
correspondente a RB1 e a tensão do emissor cai rapidamente. Isso faz com que o capacitor se
descarregue rapidamente através do resistor Rb1. A frequência desse oscilador é
aproximadamente dada por:
1
w .
1
1ë1 ln
1 O
A dedução dessa fórmula envolve algum conhecimento de cálculo e de transitórios CC,
estando fora do escopo deste livro.
Note que na base 1 são gerados pulsos periódicos. Esses pulsos podem ser usados para
ativar um outro dispositivo, o SCR (
), que será estudado mais
adiante. Antes, porém, estudaremos um componente mais ³simples´, o diodo de quatro
camadas Schockley.
144
K<<NL;9<¢
O estudo dos tiristores deve começar pelo dispositivo que origina toda a família, o
diodo de quatro camadas ou diodo Shockley (não confundir com o diodo Schottky, diodo com
duas camadas, usado em aplicações que exigem altas freqüências, como, por exemplo, em
computadores). A Figura 9.3 mostra a simbologia do diodo Shockley (diodo que iremos
estudar) e do diodo Schottly.
(a) (c) (b)

Figura 9.3 ± (a) Diodo Schockley (diodo de quatro camadas), (b) representação das quatro
camadas PNPN, (c) Diodo Schottly (diodo de duas camadas).
9.2.1 Funcionamento
Para entender o funcionamento do diodo Schockley devemos analisar o funcionamento
do circuito conhecido como ³trava ideal´, indicado na Figura 9.4.
(a) (b) (c) .

Figura 9.4 ± (a) Dispositivo de quatro camadas, (b) modelo de estudo para a ³trava ideal´, (c)
trava formada por dois transistores.
145
Analisado a Figura 9.3-(c), observamos que o coletor do transistor PNP é ligado na
base do transistor NPN. O coletor do transistor NPN é ligado na base do transistor PNP.
Temos uma realimentação positiva conhecido como regeneração. Se a corrente da base do
transistor NPN aumentar, a corrente do coletor do transistor também NPN aumentará,
consequentemente, a corrente na base do transistor PNP também aumentará. A corrente na
base do transistor NPN aumentará mais e o ciclo continua até os dois transistores entrarem em
saturação, funcionado como uma chave fechada.
Por outro lado, se alguma coisa fizer a corrente da base do transistor NPN diminuir, a
corrente do coletor também diminuíra. Como conseqüência, a corrente da base do transistor
PNP também diminuirá ocasionando uma diminuição na corrente do coletor do transistor PNP.
O ciclo irá se repetir até que os dois transistores entrem na região de corte. Teremos uma
chave aberta.
O modo mais comum de disparar do diodo Schockley é através da interrupção,
conhecida como tensão de (UBO). A tensão de significa aplicar uma
tensão de alimentação suficientemente grande no emissor do transistor PNP, de forma a
saturar os dois transistores. O efeito é o mesmo que aplicar um disparo, ou aplicar uma
corrente na base do transistor NPN. Desta forma o diodo Schockey irá funcionar como uma
chave fechada.
O único modo de abri-lo é através do desligamento por baixa corrente. Significa
reduzir a corrente para um valor abaixo da corrente de manutenção (IH) ou tensão de
manutenção (UH). A curva característica do diodo Schockley é mostrada na Figura 9.5.
Figura 9.5. Curva característica do diodo de quatro camadas Schockley.
Com polarização reversa o diodo se comporta como um diodo comum, apresentando

altíssima resistência. Se a tensão reversa exceder a tensão de (UBK) o diodo será
destruído. Com polarização direta o diodo apresenta alta resistência enquanto a tensão for
menor do que um valor chamado de tensão de (UBO). Acima deste valor o
dispositivo dispara passando a conduzir, somente voltando a cortar quando a tensão (corrente)
de anodo cair abaixo de um valor chamado de tensão (corrente) de manutenção, UH (IH).
146
K!
%

%-G¢9H
O SCR é um dispositivo de quatro camadas que foi desenvolvido no ?
(EUA) em 1957. É um dos mais usados e difundidos tiristores. Tiristor é um nome
genérico dado a uma família de componentes semicondutores formado por quatro camadas
(PNPN). Esses componentes são aplicados principalmente na área de eletrônica de potência.
Um SCR é basicamente um diodo de quatro camadas unilateral no qual foi colocado
um terceiro eletrodo chamado de gate (G) ou porta usado para controlar o disparo do diodo por
injeção de corrente. A estrutura básica de um SCR é mostrada na Figura 9.6 e seu
funcionamento é explicado a seguir.
(a) (b) (c)
Figura 9.6 (a) Camadas e junções do SCR, (b) símbolo do componente, (c) exemplo de
encapsulamento (TO220).
9.3.1 Estrutura e funcionamento do SCR
O funcionamento de um SCR é semelhante à de um diodo de silício após o ³disparo´

de sua porta ( ). Sem esse disparo, o SCR permanece bloqueado mesmo quando está
diretamente polarizado.
Figura 9.7 SCR polarizado diretamente, mas com corrente de porta nula.
147
Quando o circuito mostrado na Figura 9.7 é montado em laboratório, verifica-se que o
SCR funciona como uma chave aberta. Este estado é alterado após um disparo de corrente no
. A porta de um SCR é aproximadamente equivalente a um diodo. Por esta razão, é
necessário pelo menos uma tensão de 0,7V para disparar o SCR. Além disso, será necessário
uma corrente mínima, que irá depender do SCR utilizado, ou seja, a corrente de disparo será
especificada pelo fabricante.
Após disparar, o SCR passa da condição de alta resistência para baixa resistência. A
tensão de anodo cai para um valor baixo (0,5V a 1,5V ). O SCR só volta a cortar quando a
tensão (corrente) cair abaixo de um valor chamado de tensão (corrente) de manutenção, UH
(IH) cujo valor depende do tipo de SCR. Por exemplo, o TIC106 tem IHw 0,5mA enquanto o
TIC116 tem IH w 15mA.
Como vimos anteriormente, um diodo de quatro camadas pode ser representado por
dois transistores ligados com realimentação de um para o outro. Se adicionarmos um terceiro
eletrodo, a porta, poderemos injetar corrente nesse eletrodo disparando a estrutura de quatro
camadas. A corrente de gate necessária para disparar o SCR é designada IGT e pode ser da
ordem de A no caso do TIC 106.
9.3.2 Aplicações em CC típicas para o SCR
Em CC deve ser previsto circuito de

após o SCR disparar. No circuito da Figura
9.8, a chave A é usada para disparar e a chave B para
o SCR.
Figura 9.8 SCR em circuito CC.
Bloqueio por capacitor. Para o circuito mostrado na Figura 9.9, a analise de funcionamento
leve em conta os seguintes passos:
a)c com as chaves Ch1 e Ch2 abertas;
b)c fechando a chave Ch1;
c)c fechando a chave Ch2;
148
Figura 9.9 SCR em circuito CC com bloqueio por capacitor.
K(
O diodo de quatro camadas bilateral (DIAC = Diode AC) é um dispositivo de quatro

camadas que pode conduzir nos dois sentidos quando a tensão aplicada, com qualquer
polaridade, ultrapassar um determinado valor chamado de tensão de (UBO),
voltando a cortar quando a tensão (corrente) cair abaixo de um valor chamado de tensão
(corrente) de manutenção, UH (IH). O símbolo do diac e a sua estrutura interna são mostrados
na Figura 9.10. Já a Figura 9.11 mostra a sua curva característica.
(a) (b) .
Figura 9.10. (a) Símbolo do diac e (b) sua estrutura interna.
149
Figura 9.11. Curva característica do diac.
O DIAC não conduz até que a tensão através dele exceder a tensão de interrupção em
qualquer sentido. Uma vez que o diac está conduzindo, a única forma de abri-lo é através de
um desligamento por baixa corrente. Isto significa reduzir a corrente abaixo da corrente de
manutenção especificada pelo componente.
KC;
Quando é necessário controlar a potência em uma carga AC, com corrente nos dois
sentidos, pode ser usado o circuito visto com dois SCRs em antiparalelo, como mostra a
Figura 9.12, ou usar um TRIAC, também mostrado na Figura 9.12. O TRIAC, desta forma,
pode ser entendido como sendo equivalente a dois SCR¶s ligados em antiparalelo.
Figura 9.12. (a) Hipotético circuito de controle de carga AC usando dois SCRs, (b) símbolo do TRIAC.
O TRIAC também pode ser entendido como um DIAC no qual foi adicionado um
terminal de controle permitindo disparar o dispositivo com diferentes valores de tensão. Como
o TRIAC dispara com tensão positiva ou negativa não tem mais sentido em falar em anodo
(terminal +) e catodo (terminal - ), ao invés disso os dois terminais são chamados de terminal
principal 1 (T1) e terminal principal 2 (T2).
150
9.4.2 Aplicações típicas para o TRIAC
A seguir, apresentamos algumas aplicações típicas para o TRIAC.
CHAVE ESTÁTICA ASSINCRONA
O uso do TRIAC como chave assíncrona em circuitos CA leva algumas vantagens em
relação à chave mecânica. Permite, por exemplo, controlar grandes potências a partir de
potências relativamente pequenas, TRIAC não apresenta ³trepidação´ (o que acontece com
um relé) ao conduzir, não há aparecimento de arco voltaico (o que acontece com um relé),
permitindo um grande número de operações. A grande desvantagem é a dissipação de calor,
sendo necessário o uso de um dissipador. Outra desvantagem é a possibilidade de
aparecimento de grandes picos de corrente ao ligar o circuito a primeira vez, principalmente
no caso de circuitos resistivos. A Figura 9.13 ilustra essa aplicação.
Figura 9.13. Chave assíncrona com TRIAC.
CHAVE ESTÁTICA SÍNCRONA

O TRIAC operando no modo assíncrono tem como principal inconveniente o fato da
possibilidade de serem gerados surtos de corrente muito elevados no instante que o TRIAC é
chaveado, principalmente se no instante que o TRIAC for gatilhado a tensão da rede estiver
passando por um pico e a carga for resistiva. No modo síncrono o TRIAC somente será levado
à condução quando a tensão da rede estiver passando próximo do zero, daí os circuitos que
efetuam este tipo de controle ser chamados de F 8% ¢O (ZVS). Na Figura
9.14, o circuito ZVS comanda o disparo do TRIAC somente quando a tensão de entrada
estiver passando próximo de zero, não deixando o TRIAC disparar se a tensão de entrada for
muito alta.
151
Figura 9.14. Chave síncrona com TRIAC.
Controle de Potência ±

A luminosidade de uma lâmpada pode ser controlada através da variação da potência
elétrica que lhe é entregue, e isso pode ser feito alterando-se o angulo de disparo durante cada
semi ciclo. A Figura 9.15 mostra um circuito simples que controla a potência de uma lâmpada
usando o TRIAC. O seu funcionamento, em linhas gerais, é dados logo a seguir.
Figura 9.15. Circuito de controle de potência ±
O capacitor C1 é carregado (no semiciclo positivo ou semiciclo negativo) através do

potenciômetro de controle Rv e a resistência R1, C2 se carrega depois gerando um atraso.
Após um tempo, o DIAC dispara quando a tensão no capacitor C2 atingir a tensão de disparo
(breakover). O capacitor C2 se descarrega através do DIAC e no do TRIAC disparando-o
para um determinado ângulo de disparo.
152
A mudança brusca de corrente de zero para um determinado valor produz rádio
freqüência (RF) que causa interferências em aparelhos de rádio colocados na mesma rede. O
indutor Lf e o capacitor Cf, mostrados na Figura 9.16, funcionam como um filtro que reduzem
essas interferências a níveis aceitáveis.
A Figura 9.17 mostra as formas de onda da tensão na carga para um determinado
angulo de disparo.
Figura 9.16. Circuito de controle de potência com filtro de RF (Lf e Cf).
Figura 9.17. Formas de onda da tensão na carga para um ângulo de disparo.
153
,-
Ex1: Dado o circuito determine a corrente no diodo. Considere a tensão de interrupção do
diodo de 12V e a queda tensão de 1,2V; R = 1,2 k.
a)c Para Vf = 8V
b)c Para Vf = 20V
Ex2: Dado o circuito determine o valor da tensão de alimentação que produz o desligamento
do diodo por baixa corrente. Considere a corrente de manutenção no diodo de 6mA e a queda
de tensão de 0,6V no ponto de desligamento. R= 2,2K.
Ex3: O circuito abaixo é um detector de sobretensão. Explique o funcionamento. Dado: Fonte

de alimentação = 10V, Tensão de interrupção do diodo de 12V.
154
BIBLIOGRAFIA CONSULTADA
BOYLESTAD, Robert; NASHELSKY, Louis.3 7% P

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FERNANDES, Fabíola Soares. 3 %3

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155

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Diodos

CAPÍTULO 2 ± TEORIA DOS DIODOS ......................................................................................................... 21

CAPÍTULO 3 ± CIRCUITOS COM DIODOS .................................................................................................. 29

CAPÍTULO 4 - CIRCUITOS RETIFICADORES COM FILTRO ..................................................................... 50

CAPÍTULO 5 ± OUTRAS APLICAÇÕES PARA O DIODO ........................................................................... 66

CAPÍTULO 6 - CIRCUITOS LIMITADORES (CEIFADORES) E GRAMPEADORES ................................... 74

CAPÍTULO 7 ± DIODOS ESPECIAIS ............................................................................................................. 88

CAPÍTULO 8- TRANSISTOR BIPOLAR ...................................................................................................... 105

CAPÍTULO 9 - OUTROS COMPONENTES ELETRÔNICOS....................................................................... 143

BIBLIOGRAFIA CONSULTADA ................................................................................................................. 155

Figura 1.1 - Estrutura do átomo

A última órbita de um átomo define a sua valência, ou seja, a quantidade de elétrons

1.1.1 O átomo de silício

O átomo de silício contém 14 prótons e 14 elétrons distribuídos como indicado na

"# $%& 

Figura 1.2 ± átomo de silício

O átomo de germânio contém 32 prótons e 32 elétrons assim distribuídos:

"# $%& 

Figura1.3- átomo de gemânio

Devido os átomos de silício e de germânio serem tetravalentes, ou seja, possuir quatro

Figura 1.4 - Ligação dos átomos de silício

a)c Os semicondutores mais utilizados e mais comuns são o ______________ e o

1.1.3 Semicondutores do tipo P e N

Em um semicondutor podem-se acrescentar impurezas para se obter excesso de

Figura 1.5 ± Estrutura de silício dopada com antimônio (Sb).

Figura 1.6 ± Material tipo N.

Como a quantidade de elétrons livres é maior do que a quantidade de lacunas, os

Ao unir um semicondutor tipo P com um semicondutor tipo N, temos a formação do

Na junção PN os elétrons livres do material tipo N é atraído pelas lacunas do material

Figura 1.9 ± Símbolo do diodo de junção PN.

Na polarização direta, o potencial positivo da fonte é ligado ao anodo (material tipo P)

Figura 1.10 ± Diodo polarizado diretamente.

1.2.2 Polarização reversa

Na polarização reversa o potencial positivo da fonte é ligado ao catodo (material tipo

Figura 1.11 ± Diodo polarizado inversamente.

1.c Dado os circuitos, indique qual das lâmpadas irá acender.

-c Diodo de silício de uso geral

-c Diodos retificadores de silício

Tabela 1. Diodos Retificadores.

a) Quando átomos pentavalentes são adicionados ao cristal puro, temos a formação de um

I Ao longo da história da eletrônica, o germânio e o silício podem ser citados como

V O diodo semicondutor apresenta uma junção pn.

Estão certos apenas os itens

A I, II e IV. C I, III e V. E III, IV e V.

2. (ELETRONORTE 2006) Considerando que os diodos D1, D2 e D3 do circuito abaixo são

Experiência 1 ± Compreendendo a polarização em um diodo

Neste circuito, devem-se identificar os terminais anodo e catodo em um diodo com o

- 1 diodo 1N4001 (ou equivalente);

Procedimento 1: Identificação dos terminais anodo e catodo

1.c Coloque a chave seletora do multímetro na indicação do diodo.

Procedimento 2: Compreendendo a polarização direta e reversa em um diodo

1.c Monte o circuito da figura 1.12

2.c Inverta o diodo, veja a figura 1.13.

Figura 1.13 Polarização direta

Figura 2.1 Fonte de alimentação DC

  7 - 

Joelho (0,7V) para diodo de silício

Figura 2.2 Curva característica do diodo

Figura 2.3 Polarização direta

Observe no gráfico(figura 2.2), do lado direito, a polarização direta. Quando a tensão

Figura 2.4 Polarização reversa

Na polarização reversa, o diodo funciona basicamente como uma chave aberta,

2.4.1 Diodo Ideal

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