UTS Komponen EC IKI

JURUSAN TEKNIK ELEKTRO

POLITEKNIK NEGERI JAKARTA EVA-O4A
SOAL UJIAN TENGAH SEMESTER
Mata Kuliah : Komponen Elektronika : Sifat Ujian : Close Book/Laptop/Hp Program Studi : Instrumentasi dan
Kontrol Industri (IKI) : Semester/Kelas : 1/IKI Hari / Tanggal : Senin /9 November 2020 : Tahun Akademik :
2020/2021 Waktu : 90 menit : Dosen : Syafrizal Syarief

Nama mhs/ Nim : Donizetta daffa aqila harley

PERHATIAN :
1.Berdoalah terlebih dahulu sebelum mengerjakan soal-soal ini

2 .Bacalah pertanyaan / soal ujian dengan teliti.

3.Periksa kembali jawaban Saudara sebelum diserahkan.
4.Jawaban di buat dilembar soal ini juga..
5. Total bobol soal 100.

Soal :
1. Bagaimanakah struktur atom bahan semikonduktor yang anda ketahui ?. (bobot 8)

2. Apa tujuan penambahan atom bahan lain (doping) seperti boron atau fosfor untuk bahan
semikonduktor? (bobot 8)

3. Jelaskan fungsi resistor pada rangkaian elektronika. (bobot 8)

4. Tentukan nilai resistansi resistor berikut: (bobot 10)

a. coklat+hitam+emas+emas
b. merah+merah+coklat+emas
c. biru+abu-abu+hitam+merah+coklat.

5.Tentukan nilai kapasitansi dari kapasitor dengan kode angka dan huruf sebagai berikut : (bobot
10)

a. 823J 200V
c. 561
d. 47.
6. Jelaskan prinsip pengisian (charge) dan pengosongan (discharge) muatan kapasitor ! (bobot 8)

7. Sebuah trafo daya tegangan primernya 220 V, tegangan sekundernya 30 V.

Jumlah lilitan primernya 1100 lilit. Hitunglah banyaknya lilitan sekundernya. (bobot 10)

8. Sebuah kumparan mempunyai induktansi diri 2,5 H. Kumparan tersebut dialiri arus searah yang besarnya
50 mA. Berapakah besar ggl induksi diri kumparan apabila dalam selang waktu 0,4 sekon kuat arus
menjadi nol? (bobot 12)
 by .syafrizalsyarief Page 1
UTS Komponen EC IKI
9. Jelaskan karakteristik Dioda berikut : (bobot 10)

10. Pada rangakain dibawah diketahui tegangan sumber (VS) = 20 V, tegangan dioda zener (VZ) = 10 V,
resistor seri 270 ohm dan resistor beban 1 Kohm. (bobot 12)

Ditanya : Is (arus pada Rs) = ..?? dan Iz (arus pada diode).

Jawaban

• 1. Inti atom mengandung mix proton dan neutron. Elektron-elektron pada suatu atom terikat
pada inti atom oleh gaya elektromagnetik. Semikonduktor merupakan elemen dasar dari
komponen elektronika seperti dioda, transistor

Semikonduktor Tipe P

Apabila bahan semikonduktor murni (intrinsik) didoping dengan bahan impuritas (ketidak-
murnian) bervalensi tiga, maka akan diperoleh semikonduktor type p. Bahan dopan yang
bervalensi tiga tersebut misalnya boron, galium, dan indium. Struktur kisi-kisi kristal
semikonduktor (silikon) type pAtom pengotornya disebut atom akseptor. – Pembawa muatan
disebut hole. Contoh: Boron (B), Galium (Ga).

Semikonduktor Tipe N

Apabila bahan semikonduktor intrinsik (murni) diberi (didoping) dengan bahan bervalensi
lain maka diperoleh semikonduktor ekstrinsik. Pada bahan semikonduktor intrinsik, jumlah
elektron bebas dan holenya adalah sama. Konduktivitas semikonduktor intrinsik sangat
rendah, karena terbatasnya jumlah pembawa muatan yakni hole maupun elektron bebas
tersebut. Jika bahan silikon didoping dengan bahan ketidak murnian (impuritas) bervalensi
lima (penta-valens), maka diperoleh semikonduktor tipe n. Bahan dopan yang bervalensi
lima ini misalnya antimoni, arsenik, dan pospor

Pemberian Doping dimaksudkan untuk mendapatkan elektron valensi bebas dalam jumlah
lebih banyak dan permanen, yang  diharapkan akan dapat menghantarkan listrik

Ikatan Kristal Semikonduktor

Elektron valensi antara bahan semikonduktor dan bahan isolator, tidak sama dengan elektron
valensi yang terdapat dalam logam, yaitu biasanya tidak dapat bergerak dengan bebas. Elektron
valensi ini biasanya merupakan elektron terikat (bound electron). Terdapat satu jenis kristal/hablur
yang sangat penting yaitu kristal valensi. Susunan ikatan antara dua atom yang berdampingan
membentuk sepasang elektron valensi ikatan ganda atau covalent electron.

Elektron Valensi Akibat Rungutan

perbedaan antara elektron valensi semikonduktor dan isolator secara normal tidak mungkin dapat
menyebabkan aliran arus karena keduanya merupakan elektron berikat. Untuk membuat elektron-
elektron berikat tersebut terlepas dari ikatan inti atom, dapat dilakukan dengan cara pemberian
panas dari luar.
2. Proses “doping” sebuah atom dari unsur lain ke dalam kristal silikon untuk mengubah sifat
listriknya.
Fosfor
doping memiliki baik tiga atau lima elektron valensi, sebagai lawan silikon empat. atom fosfor,
yang memiliki lima elektron valensi, digunakan untuk doping silikon tipe-n (fosfor menyediakan
kelima, bebas, elektron).
Sebuah atom fosfor menempati tempat yang sama dalam kisi kristal yang diduduki sebelumnya
oleh atom silikon diganti. Empat dari elektron valensi yang mengambil alih tanggung jawab ikatan
elektron valensi empat silikon yang mereka diganti. Namun elektron valensi kelima tetap gratis,
tanpa tanggung jawab ikatan. Ketika banyak atom fosfor yang diganti untuk silikon dalam kristal,
banyak elektron bebas menjadi tersedia. Mengganti atom fosfor untuk atom silikon dalam kristal
silikon daun tambahan, elektron tak terikat yang relatif bebas untuk bergerak di sekitar kristal.
Metode yang paling umum dari doping adalah untuk melapisi bagian atas lapisan silikon dengan
fosfor dan kemudian panas permukaan. Hal ini memungkinkan atom-atom fosfor untuk berdifusi ke
silicon

Boron

tipe-n silikon tidak dapat membentuk medan listrik dengan sendirinya; itu juga perlu untuk memiliki
beberapa silikon diubah untuk memiliki sifat listrik yang berlawanan. Jadi boron, yang memiliki tiga
elektron valensi, yang digunakan untuk doping silikon tipe-p. Boron diperkenalkan selama
pemrosesan silikon, di mana silikon dimurnikan untuk digunakan dalam perangkat PV. Ketika atom
boron mengasumsikan posisi dalam kisi kristal sebelumnya ditempati oleh atom silikon, ada ikatan
hilang elektron (dengan kata lain, lubang tambahan). Mengganti atom boron (dengan tiga elektron
valensi) untuk atom silikon dalam kristal silikon meninggalkan lubang (ikatan hilang sebuah
elektron) yang relatif bebas untuk bergerak di sekitar kristal.

3. Resistor adalah komponen elektronik berfungsi untuk mengatur tegangan lstrik dan arus listrik

4. a. Coklat hitam emas emas 1 ohms ±5% 1 0 x 0.1 = 1 ohm / emas = 5%

b. merah+merah+coklat+emas 220 ohm ±5% = 2 2 x 10 = 220 / emas = 5%
c. biru+abu-abu+hitam+merah+coklat. 68.6 kΩ ±1% (F) = 6 80 x 100 = 68K ohm / coklat = 1%

5. a.82000 MikroF 823J 200V = 82 x 10 3  pF ± 5%; Vmax: 200 V = 82.000 pF ± 5%;Vmax: 200
V = 82 nF ± 5%; Vmax: 200 V = 0,082 µF ± 5%; Vmax: 200 V

b.560 MikroF 560 pF = 0,56 nF = 0,00056 µF

c.47 MikroF 47 = 47 pF = 0,047 nF = 0,000047 µF

6. Proses pengisian pengisian pada kapasitor terjadi ketika kapasitor diisi atau dilewati arus yang
menyebabkan timbulnya muatan atau beda potensial antar keping kapasitor.Dimana semakin terisi
kapasitor oleh muatan maka waktu yang dibutuhkan untuk mengisi muatan hingga mencapai
penuh semakin lama,sehingga menyebabkan bentuk grafik pengisian berupa grafik
eksponensial.Begitu juga pada proses pengosongan yaitu ketika muatan telah terisi penuh
kemudian sumber tegangan diputus maka akan terjadi proses pengosongan, Dimana semakin
sedikit isi kapasitor oleh hilangnya muatan maka waktu yang dibutuhkan untuk mencapai keadaan
muatan nol semakin lama,sehingga menyebabkan bentuk grafik pengisian berupa grafik
eksponensial. Gejala pengisian dan pengosongan kapasitor tidak dipengaruhi oleh time constant
(konstanta waktu).

7. Vₚ / Vₛ = Nₚ / Nₛ
220 . 30 = 1100 . Ns
=1100.30 = 33000 /220 = 150

8. e= -L(AI/At)
-2.5(0-0,5) x 0,8 = 1 x 0,5 = 0,5 volt

9.Sebuah dioda mengalami Forward bias ketika jumlah hole lebih banyak daripada elektronnya
sehingga hole menjadi mayoritas dan
elektronnya menjadi minoritas sehingga sisi P lebih potensial daripada sisi N maka elektron akan
saling tarik menarik mengakibatkan
depletion pointnya kecil sehingga tegangan yang masuk dengan batas minimal 0,6 atau 0,55
akan mengakibatkan arus meningkat dengan
cepat,sebaliknya Reverse Bias ketika jumlah elektron lebih banyak daripada hole sehingga
elektron menjadi mayoritas dan hole menjadi
minoritas Sehingga sisi N lebih positif daripada sisi P mengakibatkan tolak menolak
Mengakibatkan depletion pointnya besar sehingga tegangan minimal yang masuk besar sekali
bahkan hampir tidak bisa menghantarkan
arus listrik.
10.Is = Vin- Vout/ Rs, Is = 20 – 10/270 = 0,036 A
Iz = Is – Irl, Irl = Vout/RL = 10/1000 = 0,01, maka didapatkan Iz = 0,036 – 0,01 = 0,026 A

Acuan: Soal ini dibua toleh: Ditinjau & divalidasi oleh:

1. Silabus Ketua Program Studi:
Komponen Elektronika 2. Kurikulum : 2014 Drs.SyafrizalSyarief, ST.MT

Pengajar: Nip.195905081986031002
RikaNovita ST.MT NIP. 197011142008122001

by .syafrizalsyarief Page 2