Insulated Gate Bipolar Transistor

Transistor Bipolar Gerbang Terisolasi

The IGBT is a power switching transistor which combines the advantages of MOSFETs and
BJTs for use in power supply and motor control circuits
IGBT adalah transistor switching daya yang menggabungkan keunggulan MOSFET dan BJT
untuk digunakan dalam catu daya dan sirkuit kontrol motor

The Insulated Gate Bipolar Transistor also called an IGBT for short, is something of a cross
between a conventional Bipolar Junction Transistor, (BJT) and a Field Effect Transistor,
(MOSFET) making it ideal as a semiconductor switching device.
Transistor Bipolar Gerbang Terisolasi juga disingkat IGBT, adalah persilangan antara
Transistor Bipolar Junction, (BJT) dan Field Effect Transistor, (MOSFET) membuatnya ideal
sebagai perangkat switching semikonduktor.

The IGBT Transistor takes the best parts of these two types of common transistors, the high
input impedance and high switching speeds of a MOSFET with the low saturation voltage of
a bipolar transistor, and combines them together to produce another type of transistor
switching device that is capable of handling large collector-emitter currents with virtually zero
gate current drive.
GBT Transistor mengambil bagian terbaik dari dua jenis transistor umum ini, impedansi input
tinggi dan kecepatan switching yang tinggi dari MOSFET dengan tegangan saturasi rendah
dari transistor bipolar, dan menggabungkan keduanya bersama-sama untuk menghasilkan
jenis perangkat switching transistor lain yang mampu menangani arus kolektor-emitor besar
dengan hampir nol gerbang arus drive.

typical insulated gate bipolar transistor

transistor bipolar gerbang terisolasi yang khas

Typical IGBT
IGBT khas

The Insulated Gate Bipolar Transistor, (IGBT) combines the insulated gate (hence the first
part of its name) technology of the MOSFET with the output performance characteristics of a
conventional bipolar transistor, (hence the second part of its name).
Transistor Bipolar Gerbang Terisolasi, (IGBT) menggabungkan teknologi gerbang terisolasi
(maka bagian pertama dari namanya) dari MOSFET dengan karakteristik kinerja keluaran
dari transistor bipolar konvensional, (maka bagian kedua dari namanya).

The result of this hybrid combination is that the “IGBT Transistor” has the output switching
and conduction characteristics of a bipolar transistor but is voltage-controlled like a
MOSFET.
Hasil dari kombinasi hybrid ini adalah “IGBT Transistor” memiliki karakteristik switching dan
konduksi keluaran dari transistor bipolar tetapi dikontrol tegangan seperti MOSFET.

IGBTs are mainly used in power electronics applications, such as inverters, converters and
power supplies, were the demands of the solid state switching device are not fully met by
power bipolars and power MOSFETs. High-current and high-voltage bipolars are available,
but their switching speeds are slow, while power MOSFETs may have higher switching
speeds, but high-voltage and high-current devices are expensive and hard to achieve.
IGBT terutama digunakan dalam aplikasi elektronik daya, seperti inverter, konverter dan
catu daya, sedang tuntutan perangkat switching keadaan padat tidak sepenuhnya dipenuhi
oleh bipolar daya dan MOSFET daya. Tersedia bipolar arus tinggi dan tegangan tinggi,
tetapi kecepatan switchingnya lambat, sementara MOSFET daya mungkin memiliki
kecepatan switching yang lebih tinggi, tetapi perangkat tegangan tinggi dan arus tinggi
mahal dan sulit dicapai.

The advantage gained by the insulated gate bipolar transistor device over a BJT or MOSFET
is that it offers greater power gain than the standard bipolar type transistor combined with
the higher voltage operation and lower input losses of the MOSFET. In effect it is an FET
integrated with a bipolar transistor in a form of Darlington type configuration as shown.
Keuntungan yang diperoleh oleh perangkat transistor bipolar gerbang terisolasi atas BJT
atau MOSFET adalah bahwa ia menawarkan gain daya yang lebih besar daripada transistor
tipe bipolar standar dikombinasikan dengan operasi tegangan yang lebih tinggi dan kerugian
input yang lebih rendah dari MOSFET. Efeknya adalah FET yang terintegrasi dengan
transistor bipolar dalam bentuk konfigurasi tipe Darlington seperti yang ditunjukkan.

Insulated Gate Bipolar Transistor

Transistor Bipolar Gerbang Terisolasi

We can see that the insulated gate bipolar transistor is a three terminal, transconductance
device that combines an insulated gate N-channel MOSFET input with a PNP bipolar
transistor output connected in a type of Darlington configuration.
Kita dapat melihat bahwa transistor bipolar gerbang berinsulasi adalah perangkat tiga
terminal, transkonduktansi yang menggabungkan input MOSFET gerbang N-saluran
terisolasi dengan output transistor bipolar PNP yang terhubung dalam jenis konfigurasi
Darlington.

As a result the terminals are labelled as: Collector, Emitter and Gate. Two of its terminals (C-
E) are associated with the conductance path which passes current, while its third terminal
(G) controls the device.
Akibatnya terminal diberi label sebagai: Kolektor, Emitor dan Gerbang. Dua terminalnya (C-
E) dikaitkan dengan jalur konduktansi yang melewati arus, sedangkan terminal ketiga (G)
mengontrol perangkat.

The amount of amplification achieved by the insulated gate bipolar transistor is a ratio
between its output signal and its input signal. For a conventional bipolar junction transistor,
(BJT) the amount of gain is approximately equal to the ratio of the output current to the input
current, called Beta.
Jumlah amplifikasi yang dicapai oleh transistor bipolar gerbang terisolasi adalah rasio antara
sinyal output dan sinyal inputnya. Untuk transistor persimpangan bipolar konvensional, (BJT)
jumlah penguatan kira-kira sama dengan rasio arus keluaran terhadap arus input, yang
disebut Beta.

For a metal oxide semiconductor field effect transistor or MOSFET, there is no input current
as the gate is isolated from the main current carrying channel. Therefore, an FET’s gain is
equal to the ratio of output current change to input voltage change, making it a
transconductance device and this is also true of the IGBT. Then we can treat the IGBT as a
power BJT whose base current is provided by a MOSFET.
Untuk transistor efek medan semikonduktor oksida logam atau MOSFET, tidak ada arus
input karena gerbang diisolasi dari saluran pembawa arus utama. Oleh karena itu,
keuntungan FET sama dengan rasio perubahan arus keluaran terhadap perubahan
tegangan input, menjadikannya perangkat transkonduktansi dan ini juga berlaku untuk IGBT.
Kemudian kita dapat memperlakukan IGBT sebagai kekuatan BJT yang arus basisnya
disediakan oleh MOSFET.

The Insulated Gate Bipolar Transistor can be used in small signal amplifier circuits in much
the same way as the BJT or MOSFET type transistors. But as the IGBT combines the low
conduction loss of a BJT with the high switching speed of a power MOSFET an optimal solid
state switch exists which is ideal for use in power electronics applications.
Transistor Bipolar Gerbang Terisolasi dapat digunakan dalam sirkuit penguat sinyal kecil
dengan cara yang sama seperti transistor tipe BJT atau MOSFET. Tetapi karena IGBT
menggabungkan kehilangan konduksi yang rendah dari BJT dengan kecepatan switching
yang tinggi dari MOSFET, ada saklar solid state yang optimal yang ideal untuk digunakan
dalam aplikasi elektronik daya.

Also, the IGBT has a much lower “on-state” resistance, RON than an equivalent MOSFET.
This means that the I2R drop across the bipolar output structure for a given switching current
is much lower. The forward blocking operation of the IGBT transistor is identical to a power
MOSFET.
Juga, IGBT memiliki resistensi "on-state" yang jauh lebih rendah, RON daripada MOSFET
yang setara. Ini berarti bahwa penurunan I2R melintasi struktur keluaran bipolar untuk arus
switching yang diberikan jauh lebih rendah. Operasi pemblokiran maju transistor IGBT
identik dengan MOSFET daya.

When used as static controlled switch, the insulated gate bipolar transistor has voltage and
current ratings similar to that of the bipolar transistor. However, the presence of an isolated
gate in an IGBT makes it a lot simpler to drive than the BJT as much less drive power is
needed.
Ketika digunakan sebagai saklar kendali statis, transistor bipolar gerbang berinsulasi
memiliki voltase dan peringkat arus yang serupa dengan transistor bipolar. Namun,
kehadiran gerbang terisolasi di IGBT membuatnya lebih mudah untuk dikendarai daripada
BJT karena daya drive jauh lebih sedikit.

An insulated gate bipolar transistor is simply turned “ON” or “OFF” by activating and
deactivating its Gate terminal. Applying a positive input voltage signal across the Gate and
the Emitter will keep the device in its “ON” state, while making the input gate signal zero or
slightly negative will cause it to turn “OFF” in much the same way as a bipolar transistor or
eMOSFET. Another advantage of the IGBT is that it has a much lower on-state channel
resistance than a standard MOSFET.
Transistor bipolar gerbang terisolasi hanya dinyalakan "ON" atau "OFF" dengan
mengaktifkan dan menonaktifkan terminal Gate-nya. Menerapkan sinyal tegangan input
positif melintasi Gerbang dan Emitor akan menjaga perangkat dalam keadaan "ON",
sementara membuat sinyal gerbang input nol atau sedikit negatif akan menyebabkannya
mematikan "OFF" dengan cara yang sama seperti transistor bipolar atau eMOSFET.
Keuntungan lain dari IGBT adalah ia memiliki tahanan saluran on-state yang jauh lebih
rendah daripada MOSFET standar.

IGBT Characteristics
Karakteristik IGBT

Because the IGBT is a voltage-controlled device, it only requires a small voltage on the Gate
to maintain conduction through the device unlike BJT’s which require that the Base current is
continuously supplied in a sufficient enough quantity to maintain saturation.
Karena IGBT adalah perangkat yang dikontrol tegangan, ia hanya memerlukan tegangan
kecil pada Gerbang untuk mempertahankan konduksi melalui perangkat tidak seperti BJT
yang mengharuskan arus Basis terus menerus disediakan dalam jumlah yang cukup untuk
menjaga saturasi.

Also the IGBT is a unidirectional device, meaning it can only switch current in the “forward
direction”, that is from Collector to Emitter unlike MOSFET’s which have bi-directional
current switching capabilities (controlled in the forward direction and uncontrolled in the
reverse direction).
Juga IGBT adalah perangkat searah, yang berarti ia hanya dapat mengalihkan arus dalam
"arah maju", yaitu dari Kolektor ke Emitor tidak seperti MOSFET yang memiliki kemampuan
switching arus bi-directional (dikendalikan dalam arah ke depan dan tidak terkendali dalam
arah sebaliknya) .

The principal of operation and Gate drive circuits for the insulated gate bipolar transistor are
very similar to that of the N-channel power MOSFET. The basic difference is that the
resistance offered by the main conducting channel when current flows through the device in
its “ON” state is very much smaller in the IGBT. Because of this, the current ratings are
much higher when compared with an equivalent power MOSFET.
Prinsip operasi dan sirkuit drive Gate untuk transistor bipolar gerbang terisolasi sangat mirip
dengan MOSFET daya saluran-N. Perbedaan mendasar adalah bahwa hambatan yang
ditawarkan oleh saluran penghantar utama ketika arus mengalir melalui perangkat dalam
keadaan "ON" -nya jauh lebih kecil di IGBT. Karena itu, peringkat saat ini jauh lebih tinggi
jika dibandingkan dengan MOSFET daya yang setara.

The main advantages of using the Insulated Gate Bipolar Transistor over other types of
transistor devices are its high voltage capability, low ON-resistance, ease of drive, relatively
fast switching speeds and combined with zero gate drive current makes it a good choice for
moderate speed, high voltage applications such as in pulse-width modulated (PWM),
variable speed control, switch-mode power supplies or solar powered DC-AC inverter and
frequency converter applications operating in the hundreds of kilohertz range.
Keuntungan utama menggunakan Transistor Bipolar Gerbang Terisolasi dibandingkan jenis
perangkat transistor lainnya adalah kemampuan tegangan tinggi, resistansi ON yang
rendah, kemudahan drive, kecepatan switching yang relatif cepat, dan dikombinasikan
dengan zero gate drive current menjadikannya pilihan yang baik untuk kecepatan sedang ,
aplikasi tegangan tinggi seperti dalam modulasi lebar-pulsa (PWM), kontrol kecepatan
variabel, catu daya mode sakelar atau inverter DC-AC bertenaga surya dan aplikasi
konverter frekuensi yang beroperasi dalam kisaran ratusan kilohertz.

A general comparison between BJT’s, MOSFET’s and IGBT’s is given in the following table.
Perbandingan umum antara BJT, MOSFET, dan IGBT diberikan dalam tabel berikut.

IGBT Comparison Table

Tabel Perbandingan IGBT
Device Power Power IGBT
Characteristic. Bipolar MOSFET
Voltage Rating High <1kV High <1kV Very High >1kV
Current Rating High <500A Low <200A High >500A
Input Drive Current, hFE Voltage, VGS Voltage, VGE
20-200 3-10V 4-8V
Input Impedance Low High High
Output Impedance Low Medium Low
Switching Speed Slow (uS) Fast (nS) Medium
Cost Low Medium High

We have seen that the Insulated Gate Bipolar Transistor is semiconductor switching device
that has the output characteristics of a bipolar junction transistor, BJT, but is controlled like a
metal oxide field effect transistor, MOSFET.
Kita telah melihat bahwa Transistor Bipolar Gerbang Terisolasi adalah perangkat switching
semikonduktor yang memiliki karakteristik output dari transistor persimpangan bipolar, BJT,
tetapi dikendalikan seperti transistor efek medan oksida logam, MOSFET.

One of the main advantages of the IGBT transistor is the simplicity by which it can be driven
“ON” by applying a positive gate voltage, or switched “OFF” by making the gate signal zero
or slightly negative allowing it to be used in a variety of switching applications. It can also be
driven in its linear active region for use in power amplifiers.
Salah satu keuntungan utama dari transistor IGBT adalah kesederhanaannya yang dapat
digerakkan "ON" dengan menerapkan tegangan gerbang positif, atau beralih "OFF" dengan
membuat sinyal gerbang nol atau sedikit negatif yang memungkinkannya digunakan dalam
berbagai beralih aplikasi. Itu juga dapat didorong di wilayah aktif liniernya untuk digunakan
dalam amplifier daya.
With its lower on-state resistance and conduction losses as well as its ability to switch high
voltages at high frequencies without damage makes the Insulated Gate Bipolar Transistor
ideal for driving inductive loads such as coil windings, electromagnets and DC motors.
Dengan tahanan negara yang lebih rendah dan kerugian konduksi serta kemampuannya
untuk mengganti tegangan tinggi pada frekuensi tinggi tanpa kerusakan menjadikan
Transistor Bipolar Gerbang Terisolasi ideal untuk menggerakkan beban induktif seperti
gulungan koil, elektromagnet, dan motor DC.

---------------------------------------- ooooo Selamat Belajar ooooo -------------------------------------