BRUNO OLIVA

MAÍRA SABADIN BATISTA

RAFAEL CONSTÂNCIO GODINHO NATAL

LABORATÓRIO 2 – TRANSISTORES

Relatório submetido à Universidade Federal

do ABC como parte dos requisitos para
aprovação na disciplina EN2701 –
Fundamentos de Eletrônica .

Profº Dr. Amaury Kruel Budri

Santo André – SP

2010
versão 1.4
Introdução
Transistores
Em dezembro de 1947, Walter H. Brattain e John Bardeen demonstraram a
função de amplificação do primeiro transistor nos laboratórios da empresa Bell
Telephone. O transistor original era um transistor de contato de ponto. As vantagens
desse dispositivo de estado sólido de três terminais em relação à válvula eram óbvias:
era menor, mais leve, não necessitava de aquecimento nem apresentava perda por
aquecimento; era mais robusto e eficiente, pois absorvia menos potência; estava pronto
para o uso sem a necessidade de um período de aquecimento e, ainda, funcionava com
tensões de operação mais baixas [1].

O transistor é um dispositivo semicondutor que consiste em duas camadas de

material do tipo n e uma camada do tipo p ou em duas camadas do tipo p e uma camada
do tipo n. O primeiro é denominado transistor npn e o outro, transistor pnp [1]. A Figura
1 mostra um desenho esquemático destes dois dispositivos.

Figura 1: Desenho esquemático dos transistores npn e pnp.

Esses dispositivos possuem uma camada emissora (E), coletora (C) e a base (B).
A camada emissora é fortemente dopada, a base é menos dopada e a coletora possui
dopagem bem leve. Este nível de dopagem reduz a condutividade (aumenta a
resistência) desse material, limitando o número de portadores livres. As camadas
externas possuem larguras muito maiores do que a camada interna e material de tipo n
ou p [1].

As notações e os símbolos para o transistor usados na maioria dos textos e

manuais publicados estão indicados na Figura 2 para a configuração base-comum com
transistores pnp e npn [1].
 Figura 2: Notação e símbolos usados para a configuração base-comum: (a)
transistor pnp; (b) transistor npn.

A seta do símbolo gráfico define o sentido da corrente de emissor (fluxo

convencional) através do dispositivo [1].

Pode-se observar que: Ie = Ic + Ib. Para se descrever totalmente o comportamento de

um dispositivo de três terminais como os amplificadores em base-comum são
necessários dois conjuntos de características: um para o ponto de acionamento ou
parâmetros de entrada, e o outro para a saída. O conjunto de parâmetros de entrada para
o amplificador base-comum relaciona uma corrente de entrada (Ie) com uma tensão de
entrada (Vbe) para diversos valores de tensão de saída (Vcb) [1].

O conjunto de parâmetros de saída relaciona uma corrente de saída (Ic) com uma
tensão de saída (Vcb) para diversos valores de corrente de entrada (Ie). O conjunto de
características de saída ou de coletor tem três regiões de interesse: a ativa, a de corte e a
de saturação. Na região ativa, a junção base-emissor está polarizada diretamente,
enquanto a junção base-coletor está polarizada reversamente [1]. A Figura 3 mostra de
forma esquemática estas três regiões.
 Figura 3: Curva característica do transistor.

Na região de corte, as junções base-emissor e base-coletor de um transistor são ambas

polarizadas reversamente. Na região de saturação, as junções base-emissor e base-
coletor são polarizadas diretamente [1].

Equações do Transistor

onde Is é a corrente de saturação.

Polarização Simples
 Figura 4: Esquema da polarização simples.

Equações de Polarização

Polarização com Resistor no Emissor

Figura 5: Esquema da polarização com resistor no emissor.

Equações de Polarização

Polarização com Divisor de Tensão

Figura 6: Esquema da polarização com divisor de tensão.

Equações de Polarização
Parâmetro beta (β)

No modo cc, os valores de Ic e Ib são relacionados por uma quantidade chamada

de beta e definida pela seguinte equação:

βcc = Ic/Ib

onde Ic e Ib são determinados em um ponto específico de operação da curva

característica. Para os dispositivos práticos, o valor de β varia geralmente de 50 a mais
de 400, estando a maioria no meio desta faixa. β certamente revela o valor relativo de
uma corrente em relação a outra. Assim, para um dispositivo com β de 200, a corrente
do coletor é 200 vezes o valor da corrente de base [1].

Comportamento do transistor com o aumento da temperatura

Existe uma relação direta entre temperatura e corrente de coletor do transistor.

Aumentando-se a temperatura de um transistor, sua corrente de coletor também é
aumentada. Da mesma forma, aumentando-se a corrente de base, aumenta-se
conseqüentemente a corrente de coletor que por sua vez aumenta a temperatura (Efeito
Joule) constituindo assim uma "reação em cadeia". Variando-se a temperatura do
transistor, seja esta variação causada pelo simples aumento da temperatura ambiente ou
pelo aumento da intensidade da corrente de coletor, o ponto de operação escolhido tende
a se deslocar. Temperaturas da ordem de 200ºC para transistores de silício e cerca de
105ºC para transistores de germânio nunca deverão ser atingidas. É possível, às vezes,
mediante cuidadoso projeto, que o pico de potência (VCE x [IC+IB] ) exceda este regime
médio por curto período de tempo desde que os picos de temperatura no dispositivo não
sejam excessivos. A Figura 7 nos dá uma idéia de como a temperatura influi no
funcionamento de um transistor de silício [2].

Figura 7: Máxima dissipação contínua do componente x Temperatura em um transistor

de silício.

Circuito TTL

O circuito TTL montado em laboratório é um dispositivo formado por uma porta

NAND.

Objetivos

Este laboratório aborda aspectos básicos dos transistores. São investigadas as

características elétricas dos transistores e algumas questões relacionadas à polarização
destes componentes e suas regiões de operação (saturação, corte e ativa).

Metodologia

Lista de equipamentos

- transistores - TIP31, BC327, BC337 e 2N3055

- multímetro portátil

- resistor de fio de 10 Ω

- fonte de tensão
- resistores (47 Ω, 100 Ω, 1,8 kΩ, 4,7 kΩ, 10 kΩ, 15 kΩ, 100 kΩ,)

- protoboard

Tabela 1: Dados dos equipamentos utilizados.

Marca Modelo Nº de serie

Fonte de tensão Minipa - -
Multímetro portátil Minipa ET-2510 ET2510000587

Experimento 1 – Identificando as junções de transistores

Com o multímetro ajustado na função teste de diodo foi realizada as medidas
para cada par de terminais dos transistores TIP31, BC327, BC337 e 2N3055. As
medidas foram feitas entre Base-Coletor, Base-Emissor e Coletor-Emissor na
polaridade direta e reversa.

Experimento 2 – Operação básica do transistor

Para a prática deste experimento foi montado o circuito conforme Figura 8.

Figura 8: Circuito de operação básica.

Após a montagem do circuito no protoboard a fonte de tensão foi conectada ao

circuito regulada para uma saída de 5V, dessa forma foi medida as tensões sobre os
resistores. Em seguida inverteu-se os terminais do Emissor e Coletor, e novamente foi
tomada as medidas das tensões nos resistores, isso foi feito para três transistores BC337
diferentes e um TIP31.
Utilizando o mesmo circuito foi montado um aparato de forma que um resistor
de fio de 10 ohms fosse posicionado próximo ao transistor BC337, e o resistor foi
conectado a fonte de tensão em 5V com a finalidade de aquecer o transistor. Foi medida
a tensão no resistor R3, e observado o comportamento do transistor com o aumento da
temperatura.

Experimento 3 – Curvas do transistor

A montagem utilizada para traçar a curva característica do transistor está
esquematizada na Figura 9.

Figura 9: Circuito para curva característica.

O experimento foi realizado para os transistores BC337, TIP31. Para a

montagem foi utilizada as duas saídas da fonte, sendo V1 ajustada em 0,5V e V2
variando entre 0,5V e 5V. Foi medida a tensão no coletor de Q1, as medidas foram
repetidas para as tensões de 1V, 2V e 4V da fonte V1. A partir destas medições é
possível traçar uma curva característica do transistor.

Experimento 4 – Polarização
No experimento descrito a seguir foi montado o circuito esquematizado na
Figura 10.
 Figura 10: Polarização com divisor de tensão.

Após a montagem do circuito utilizando o transistor TIP31 foi medida as tensões

sobre os resistores, em seguida o transistor TIP31 foi substituído por um BC337 e as
medidas foram realizadas novamente. O experimento foi repetido para o transistor
BC337 elevando sua temperatura com o resistor de fio.

Experimento 5 - Circuitos TTL

Para esta parte do experimento foi montado o esquema mostrado na Figura 11.

Figura 11: Circuito TTL.

Após a montagem do circuito foi conectado os emissores de Q2 e Q3 no pólo

positivo da fonte, e medida a tensão no coletor de Q1. Depois foi desconectado o
emissor de Q2 do pólo positivo e conectado ao terra da fonte, e repetida a medida no
coletor de Q1. Em seguida foi conectado os emissores de Q2 e Q3 ao terra da fonte e
repetida a medida de tensão no coletor de Q1, com os resultados obtidos é possível
explicar o comportamento do circuito.
Resultados
Experimento 1 – Identificando as junções de transistores
O teste de transistores bipolares nos dá as seguintes informações:

As junções emissor/base e coletor/base estão, segundo Figura 01, diretamente

polarizadas e, portanto, têm resistência baixa.

As junções emissor/base e coletor base estão inversamente polarizadas. A

resistência deve ser alta para ambas. Na medição entre coletor e emissor, a resistência
deve ser alta nos dois sentidos.

O transistor PNP opera de modo inverso. As junções coletor/base e emissor/base

estão inversamente polarizadas.
 No transistor PNP as junções coletor/base e emissor/base estão diretamente
polarizadas, resultando em resistência baixa. A resistência entre coletor e emissor é alta
nos dois sentidos, da mesma forma do tipo NPN.
Como tivemos dificuldades para realizar estas medições e a maior parte das
medições medimos de forma errada, pois ao invés de medirmos a resistência entre os
pontos medimos a tensão. Assim, pegamos emprestado com outro grupo os dados
mostrados abaixo.
Falta coletar os dados
Após estes dados podemos afirmar que:
• TIP31 - pnp
• BC327 - pnp
• BC337 - npn
• 2N3055 - pnp

Experimento 2 – Operação básica do transistor

Abaixo são mostrados os valores medidos para as tensões nos resistores como
também os valores calculados para as correntes com base nestas tensões assossiadas:

Tabela 2: Voltagens medidas e correntes calculadas para o primeiro transistor BC337.

Normal Invertido
V (V) I (A) beta V (V) I (A) beta
R1 3,564 3,56E-05 263,75 4,592 4,59E-05 7,40
R2 0,94 9,40E-03 0,029 2,90E-04
R3 0,969 9,69E-03 0,034 3,40E-04

Assim, sabendo que:

Ic = 9,40E-03 A
Ib = 3,56E-05 A
e β = Ic/Ib, temos que:
β = 263,75
e para o caso invertido temos que:
Ic = 3,40E-04 A
Ib = 4,59E-05 A
β = 7,40

Tabela 3: Voltagens medidas e correntes calculadas para o segundo transistor BC337.

Normal Invertido
V (V) I (A) beta V (V) I (A) beta
R1 3,558 3,56E-05 265,04 4,591 4,59E-05 7,41
R2 0,943 9,43E-03 0,029 2,90E-04
R3 0,969 9,69E-03 0,034 3,40E-04

Assim, sabendo que:

Ic = 9,43E-03 A
Ib = 3,56E-05 A
e β = Ic/Ib, temos que:
β = 265,04
e para o caso invertido temos que:
Ic = 3,40E-04 A
Ib = 4,59E-05 A
β = 7,41

Podemos observar que não houve muita variação entre as medições para transistores
BC337.

Tabela 4: Voltagens medidas e correntes calculadas para o transistor TIP31.

Normal Invertido
V (V) I (A) beta V (V) I (A) beta
R1 3,707 3,71E-05 230,37 4,683 4,68E-05 3,84
R2 0,854 8,54E-03 0,013 1,30E-04
R3 0,879 8,79E-03 0,018 1,80E-04

Assim, sabendo que:

Ic = 8,54E-03 A
Ib = 3,71E-05 A
e β = Ic/Ib, temos que:
β = 230,37
e para o caso invertido temos que:
Ic = 1,80E-04 A
Ib = 4,68E-05 A
β = 3,84

Abaixo são mostrados os valores de tensão de R3 medidos ao colocarmos o

resistor de fio de 10 Ω ao circuito proposto para o experimento anterior.

Tabela 5: Valores medidos com o passar do tempo da tensão de R3.

Tempo (s)
T<0 0 30 60 90 120 130
0,94
0,949 1,026 1,110 1,148 1,176 2,000
Tensão em R3 (V) 1

Podemos observar que aumentando-se a tensão de R3 para continuar a valer a 1ª

lei de ohm, temos que a corrente de I3, ou seja, a corrente do emissor (Ie) também
aumenta. Assim, como adotamos, que Ie é aproximadamente igual a Ic, podemos
concluir que a corrente de coletor também aumenta.
Podemos afirmar também que existe uma temperatura onde o transistor não
muda mais seus valores, que no nosso experimento ocorreu entre 120 e 130 segundos,
pois a tensão medida a partir desse tempo permaneceu em 2 V.

Experimento 3 – Curvas do transistor

Para montarmos as curvas para o transistor, foram feitas medidas com pequenas
mudanças nas fontes de tensão que estavam calibradas para funcionar
independentemente. Abaixo são mostrados os valores obtidos:

Tabela 6: Valores Medidos da tensão Vce (tensão do coletor Q1) com variação das
fontes V1 e V2 para o transistor BC337.
V2 (V)
0,5 1 1,5 2 2,5 3 3,5 4 4,5 5
 0,5 0,4 0,8 1,44 1,96 2,41 2,96 3,39 3,8 4,34 4,98
V1 1 0,094 0,15 0,47 1,04 1,49 1,89 2,51 2,94 3,43 3,91
(V) 2 0,49 0,07 0,09 0,11 0,13 0,16 0,21 0,45 0,89 1,4
4 0,03 0,04 0,06 0,08 0,09 0,1 0,11 0,12 0,13 0,14

Tabela 6: Valores Medidos da tensão sobre o resistor de 100 Ω (tensão do coletor Q1)
com variação das fontes V1 e V2 para o transistor BC337.
V2 (V)
0,5 0,1 0,2 0,06 0,04 0,09 0,04 0,11 0,2 0,16 0,02
V1 1 0,406 0,85 1,03 0,96 1,01 1,11 0,99 1,06 1,07 1,09
(V) 2 0,01 0,93 1,41 1,89 2,37 2,84 3,29 3,55 3,61 3,6
4 0,47 0,96 1,44 1,92 2,41 2,9 3,39 3,88 4,37 4,86

Tabela 6: Valores Medidos da corrente sobre o resistor de 100 Ω (Ic) em mA com

variação das fontes V1 e V2 para o transistor BC337.
V2 (V)
0,5 1 1,5 2 2,5 3 3,5 4 4,5 5
0,5 1 2 0,6 0,4 0,9 0,4 1,1 2 1,6 0,2
V1 1 4,06 8,5 10,3 9,6 10,1 11,1 9,9 10,6 10,7 10,9
(V) 2 0,1 9,3 14,1 18,9 23,7 28,4 32,9 35,5 36,1 36
4 4,7 9,6 14,4 19,2 24,1 29 33,9 38,8 43,7 48,6

Com base nesses valores plotamos o seguinte gráfico:

Ic x Vce

55
50
45
40
35
Ic (mA)

30
25
20
15
10
5
0
0 0,5 1 1,5 2 2,5 3 3,5 4 4,5 5 5,5
Vce (V)

V1 = 0,5 V V1 = 1 V V1 = 2 V V1 = 4 V

Gráfico 1: Curvas do transistor BC337 para diferentes tensões V1.

Tabela 6: Valores Medidos da tensão Vce (tensão do coletor Q1) com variação das
fontes V1 e V2 para o transistor TIP31.
V2 (V)
0,5 1 1,5 2 2,5 3 3,5 4 4,5 5
0,5 0,334 1,01 1,46 1,85 2,4 2,87 3,4 3,87 4,36 4,92
V1 1 0,12 0,25 0,68 1,17 1,72 2,24 2,69 3,19 3,65 4,14
(V) 2 0,05 0,09 0,1 0,12 0,14 0,17 0,2 0,33 0,78 1,25
4 0,03 0,05 0,06 0,08 0,09 0,09 0,1 0,11 0,12 0,13

Tabela 6: Valores Medidos da tensão sobre o resistor de 100 Ω (tensão do coletor Q1)
com variação das fontes V1 e V2 para o transistor TIP31.
V2 (V)
0,5 1 1,5 2 2,5 3 3,5 4 4,5 5
0,5 0,166 -0,01 0,04 0,15 0,1 0,13 0,1 0,13 0,14 0,08
V1 1 0,38 0,75 0,82 0,83 0,78 0,76 0,81 0,81 0,85 0,86
(V) 2 0,45 0,91 1,4 1,88 2,36 2,83 3,3 3,67 3,72 3,75
4 0,47 0,95 1,44 1,92 2,41 2,91 3,4 3,89 4,38 4,87

Tabela 6: Valores Medidos da corrente sobre o resistor de 100 Ω (Ic) em mA com

variação das fontes V1 e V2 para o transistor TIP31.
V2 (V)
0,5 1 1,5 2 2,5 3 3,5 4 4,5 5
0,5 1,66 -0,1 0,4 1,5 1 1,3 1 1,3 1,4 0,8
V1 1 3,8 7,5 8,2 8,3 7,8 7,6 8,1 8,1 8,5 8,6
(V) 2 4,5 9,1 14 18,8 23,6 28,3 33 36,7 37,2 37,5
4 4,7 9,5 14,4 19,2 24,1 29,1 34 38,9 43,8 48,7

Com base nesses valores plotamos o seguinte gráfico:

 Ic x Vce

55
50
45
40
35
Ic (mA)

30
25
20
15
10
5
0
-5 0 0,5 1 1,5 2 2,5 3 3,5 4 4,5 5 5,5
Vce (V)

V1 = 0,5 V V1 = 1 V V1 = 2 V V1 = 4 V

Gráfico 1: Curvas do transistor TIP31 para diferentes tensões V1.

Podemos observar, a partir dos gráficos acima, que tanto para o transistor BC337
quanto para o transistor TIP31 apresentam-se na região de corte para um V1 igual a 0,5
V e apresentam-se na região de saturação para um V1 igual a 4 V. Para V1 igual a 1 V e
2 V temos o transistor situado na região ativa.

Experimento 4 – Polarização

Abaixo são mostrados os valores medidos em todos os resistores do circuito.

Tabela 7: Tensões medidas nos resistores para os diferentes transistores.

Tensão (V)
TIP31 BC337 BC337 - AQUECIDO
R1 3,585 3,552 3,467
R2 2,09 2,04 2,06
R3 0,969 0,956 0,971
R4 1,579 1,614 1,59

Com base nos valores medidos na Tabela 7, podemos calcular a corrente que passa
pelos resistores R1, R2, R3 e R4.
Tabela 8: Correntes calculadas com base nos valores da tabela 5.
Correntes (mA)
TIP31 BC337 BC337 - AQUECIDO
I1 0,239 0,2368 0,231133333
I2 20,9 20,4 20,6
I3 20,61702 20,34043 20,65957447
 I4 0,1579 0,1614 0,159

Com base nos valores medidos na Tabela 7, podemos calcular a corrente para os
diferentes transistores:

Tabela 8: Correntes calculadas com base nos valores da tabela 5.

Correntes (mA)
TIP31 BC337 BC337 – AQUECIDO
Ib 0,08 0,08 0,07
Ic 20,90 20,40 20,60
Ie 20,98 20,48 20,67

Podemos observar que realmente Ie é aproximadamente igual à Ic, uma vez que
o valor de Ib só influencia o valor de Ie a partir da segunda casa decimal.

Experimento 5 - Circuitos TTL

Ao montarmos o circuito TTL proposto foram encontrados os seguintes valores

descriminados na tabela abaixo:
Tabela 9: Valores medidos em Q1 para diferentes posições do emissor em Q2 e Q3
Q2 e Q3 Pólo Q2 Terra Q3 Pólo Q2 e Q3
Positivo Positivo Terra
Tensões em
0,010 5,167 5,170
Q1 (V)

O circuito se comporta como uma porta NAND, cuja tabela verdade pode ser
vista na Tabela 8 mostrada abaixo:

Tabela 10: Tabela Verdade de uma Porta NAND

Q2 Q3 Q1
0 0 1
1 0 1
0 1 1
1 1 0

A assossiação entre os valores encontrados e a tabela verdade é simples, ao

colocarmos Q2 e/ou Q3 ao pólo positivo do circuito, consideramos a existência de
voltagem (nível lógico alto) – na tabela consideramos por 1, ao colocarmos Q2 e/ou Q3
ao terra, consideramos que não há voltagem (nível lógico baixo) – na tabela
consideramos por 0.

Como Q2 e Q3 possuem as mesmas características e posicionamento no circuito

podemos dizer que Q2 no terra e Q3 no pólo positivo é igualmente equivalente a Q2 no
pólo positivo e Q3 no terra.

Portanto, as medidas em Q1 podem ser comparadas as sáidas de uma porta

lógica NAND:

• Quando Q2 e Q3 estão no nível lógico alto, é medida uma voltagem

praticamente nula – linha 5 da tabela 10;

• Quando Q2 no Terra e Q3 no Pólo Positivo é medida uma voltagem de 5,167 V

(nível lógico alto) – linha 3 e 4 da tabela 10 e

• Quando Q2 e Q3 estão no nível lógico baixo, é medida a voltagem de 5,170 V

(nível lógico alto) – linha 2 da tabela 10.

Conclusão

Um transistor bipolar dos tipos PNP e NPN podem ser aproximados a dois
diodos. Isso pode ser verificado através das medidas realizadas em seus terminais base-
coletor, base-emissor e emissor-coletor polarizados diretamente e reversamente.
Por possuir dopagens e tamanhos diferentes em suas regiões, os transistores
funcionam como amplificadores em função de um parâmetro β, característica que varia
de acordo com o tipo de transistor. Pode ser observado que esse parâmetro está
fortemente relacionado a temperatura de operação, aumentando com a elevação de
temperatura do transistor.
Através dos experimentos realizados também observou-se uma das aplicações
dos transistores que é a confecção de circuitos TTL, que se comportam como portas
lógicas. O circuito montado em laboratório se comportava de acordo com uma porta
lógica do tipo NAND, que é uma porta lógica do tipo AND com sua saída negada.
Quando os emissores de Q2 e Q3 estavam em nível lógico alto (aproximadamente 5V),
o coletor de Q1 estava em nível lógico baixo (aproximadamente 0V) , quando um dos
emissores estavam em nível lógico alto e o outro em nível lógico baixo a saída se
encontrava em nível lógico alto, e quando os dois emissores estavam em nível lógico
baixo a saída estava em nível lógico alto.

Referências bibliográficas

[1] BOYLESTAD, Robert L.; NASHELSKY, Louis.Dispositivos eletrônicos e teoria de

circuitos. 8 ed. São Paulo: Pearson Prentice Hall, 2004. 672 p.

[2] http://www.py6cj.qsl.br/transistores.htm