Anda di halaman 1dari 52

3.

0 Pengenalan

Setelah kita membincangkan apakah semikonduktor dan bagaimana bahan


jenis N dan P terhasil, kita bincangkan pula komponen-komponen elektronik
yang diperbuat dari bahan semikonduktor ini. Antara komponen-komponen
elektronik yang popular ialah diod dan transistor,.

3.1 Diod

3.1.1 Binaan dan Simbol Skematik Diod

 Struktur Binaan bagi diod adalah sama dengan cantuman P-N. ( Unit
2)
 Diod ialah komponen elektronik dua pin yang terdiri dari anod dan
katod.
 Anod adalah bahan jenis P dan katod bahan jenis N.
 Arah anak panah (anod) pada simbol diod menunjukkan arah arus
konvensional.
 Rajah 3.1 menunjukkan struktur binaan dan simbol skematik diod.

Anod
Melukis gambarajah struktur binaan , simbol
skematik , dan melabelkan transistor NPN dan

P Arah arus
Menerangkankonvensional
2 syarat utama memberikan
N voltan pincang pada transistor.

Menjelaskan kendalian transistor sehingga


Katod dapat mengenalpasti jenis arus dalam

Menyatakan
Rajah 3.1 Struktur Binaan dan formula IE =Diod
Simbol Skematik Ic + IB dan menerbitkan
formula untuk mengira IC dan IB.
uunitnit33::

Memahami struktur binaan, simbol


skematik, ciri-ciri diod, diod zener,
LED dan transistor.

Melukis simbol skematik diod dan melabelkan


bahagian anod dan katod.

Melukis rajah skematik diod yang diberi voltan


pincang hadapan dan pincang songsang

Melukis gambarajah lengkuk ciri I-V bagi diod


silikon dan menerangkan dan melabel ciri-

Melukis simbol skematik dan lengkuk ciri I-V


bagi diod zener dan menjelaskan

Melukis simbol skematik bagi LED dan


menyatakan ciri-ciri LED.

3.1.2 Voltan Pincang

 Voltan yang dikenakan merentasi diod dipanggil Voltan Pincang


 Dengan merujuk rajah 3.2, apabila anod mendapat voltan lebih
positif dari katod atau katod mendapat voltan lebih negatif dari
anod, diod dikatakan berada dalam keadaan pincang depan.
 Apabila anod mendapat voltan lebih negatif dari katod atau katod
mendapat voltan lebih positif dari anod, diod dikatakan berada
dalam keadaan pincang songsang.
K A K
A

+   +

Litar diod pincang depan Litar diod pincang songsang


Rajah 3.2 : Litar skematik diod pincang depan dan songsang.

Contoh:

Nyatakan samada diod berada dalam keadaan pincang depan atau pincang
songsang.

A K
a) +2V +1V

A K
b) -2V 0V

Penyelesaian:

a) Diod pincang depan kerana anod mendapat voltan lebih positif dari katod.
b) Diod pincang songsang kerana anod mendapat voltan lebih negatif dari
katod.

UJIKAN KEFAHAMAN ANDA SEBELUM MENERUSKAN INPUT


SETERUSNYA………….DAN ……….SEMAKLAH JAWAPAN ANDA PADA
MAKLUMBALAS DI HALAMAN BERIKUTNYA. SELAMAT MENCUBA !!!!!!

3a-1. Tentukan keadaan diod samada pincang hadapan atau pincang songsang.
A K
a) +2V 0V Diod pincang _______________
A K
b) +2V -2V Diod pincang _______________

A K
c) +2V +4V Diod pincang _______________

A K
d) -2V -4V Diod pincang _______________

A K
e) 0V +4V Diod pincang _______________

A K
f) -2V +1V Diod pincang _______________

g) Lakarkan diod ( di dalam kotak yang bergarisan putus ) supaya ia


berkeadaan pincang depan.
R = 8

10V
D

Aktiviti 3a-1

a) Diod Pincang Depan


b) Diod Pincang Depan
c) Diod Pincang Songsang
d) Diod Pincang Depan
e) Diod Pincang Songsang
f) Diod Pincang Songsang
g)

R = 8

10V

3.1.3 Lengkok Cirian I-V bagi Diod

 Apabila suatu diod dipincang depan dan dipincang songsang, di


mana setiap nilai voltan pincang itu dicatat, dan bagi tiap-tiap nilai
voltan pincang itu dicatat juga nilai-nilai arus yang mengalir melalui
diod itu, maka suatu graf Lengkok Cirian I-V bagi diod akan terhasil
seperti rajah 3.3.

Id (mA)

Voltan
pecah tebat

Vs Vd
Voltan
sawar

Is (A)

Rajah 3.3 : Lengkuk Cirian I-V bagi diod

 Arus Depan (Id) ialah arus yang mengalir melalui diod semasa
pincang depan. Biasanya Id diukur dalam mA.

 Arus Songsang (Is) ialah arus yang sangat kecil iaitu arus bocor
yang mengalir melalui diod semasa pincang songsang. Biasanya Is
diukur dalam A.

 Voltan Lutut ialah takat voltan di mana berlakunya kenaikan arus


depan yang tiba-tiba. Voltan lutut sama dengan voltan sawar. ( Si =
0.7 V, Ge = 0.3 V )

 Voltan Pecah Tebat ialah takat voltan di mana berlakunya kenaikan


arus songsang yang tiba-tiba. Arus yang besar melampaui takat
pecahtebat boleh menyebabkan cantuman PN terbakar dan rosak.

3.1.4 Konsep Diod Unggul

 Semasa diod beroperasi, ciri-ciri dalam diod akan menyulitkan kerja-


kerja menganalisa litar-litar elektronik. Ciri-ciri tersebut ialah :-
a. Voltan Sawar
b. Arus Depan
c. Arus Songsang ( arus bocor )
 Dalam konsep diod unggul, diod dianggap tidak mempunyai voltan
sawar, tiada arus bocor, tiada kerintangan depan ( r d )dan tiada takat
pecah tebat.

 Rajah 3.4 menunjukkan lengkuk cirian diod menjadi unggul apabila


beberapa perkara diabaikan.

Id Id Id

Vd Vd Vd

normal abaikan rd abaikan voltan


sawar

Vs Vs Vs

Is Is abaikan voltan Is
normal abaikan
pecah tebat
arus bocor

Rajah 3.4 : Lengkuk cirian I-V apabila diod diunggulkan

 Dalam konsep diod unggul, semasa pincang depan, diod diumpama suis
tertutup (ON) kerana rintangan kosong dan tidak ada kejatuhan voltan.
 Semasa pincang songsang, diod diumpama suis terbuka iaitu
rintangan infiniti dan tidak ada sedikitpun arus bocor.

Anod Katod

Suis Tertutup

Diod dipincang depan

Anod Katod

Suis Terbuka
Diod dipincang songsang

Rajah 3.5 : Diod unggul semasa pincang depan dan songsang


Contoh

Kirakan nilai voltan keluaran bagi semua litar di bawah.


R = 8

D Vk
10V

Penyelesaian

Diod berada dalam keadaan pincang hadapan ( rintangan = 0 )

R = 8

Suis
tertutup Vk = 0 V
10V

UJIKAN KEFAHAMAN ANDA SEBELUM MENERUSKAN INPUT


SETERUSNYA………….DAN ……….
SEMAKLAH JAWAPAN ANDA PADA MAKLUMBALAS DI HALAMAN
BERIKUTNYA. SELAMAT MENCUBA !!!!!!
3b-1 Kirakan nilai voltan keluaran bagi semua litar di bawah.

R = 8

(a)
10V
D Vk

(b)
10V
R = 8 Vk

(c) 10V
R = 8 Vk

3b-2. Bila arus yang mengalir melalui diod adalah besar maka diod dalam
keadaan pincang

a) hadapan. c) lemah.
b) songsang. d) terbalik.

3b-3. Diod yang tidak mengalirkan arus dikatakan diod pincang

a) depan. c) lemah.
b) mara. d) songsang.

3b-4. Voltan sawar pada diod adalah bersamaan dengan


a) voltan bekalan.
b) bezaupaya kawasan kesusutan.
c) voltan pecah tebat.
d) voltan hadapan.

3b-5. Jika rintangan hadapan ( rd ) diabaikan, lengkuk cirian I-V selepas voltan
sawar akan menjadi

a) menegak. c) bersudut 45 darjah.


b) mendatar. d) selain dari a, b dan c.

3b-1. a) -10 V
b) 0V
c) 10 V

3b-2. a
3b-3. d
3b-4. b
3b-5. a

3.2 Diod Zener

 Diod Zener sangat penting dalam bekalan kuasa. Ia digunakan sebagai


penstabil voltan.
 Simbol bagi diod zener ialah seperi rajah 3.6 di bawah.
Katod Anod

Rajah 3.6 : Simbol skematik bagi Diod Zener

3.2.1 Lengkuk Cirian Diod Zener

 Rajah 3.7 menunjukkan lengkuk cirian I-V bagi diod zener.

Id

Voltan pecah tebat = Voltan zener

Vz
Vs Vd

Is

 Rajahpincang
Semasa 3.7 : Lengkuk
depan,Cirian bagicirian
lengkuk Diod tidak
Zenerbanyak beza dengan
diod biasa.
 Semasa pincang songsang, lengkuk kenaikan arus pada takat
pecahtebat adalah lebih tajam dan curam.
 Bezanya diod zener berbanding dengan diod biasa ialah diod zener
beroperasi semasa pincang songsang.
 Semasa pincang depan, diod zener beroperasi seperti diod biasa.
 Di antara keistimewaan diod zener ialah :-

 Ia dibuat supaya mampu mengalirkan arus songsang yang tinggi


nilainya tanpa merosakkan diod.
 Pada takad zener dan selepasnya voltan merentasi diod akan
tetap dan sama nilainya dengan voltan zener.
 Diod zener boleh dibuat supaya voltan zener ditentukan pada nilai
yang terpilih (2.4V - 200V).

3.2.2 Konsep Diod Zener Unggul

 Semasa diod zener beroperasi di kawasan zener, voltan merentasi


diod itu adalah bersamaan dengan nilai voltan zener ( Vd = Vz ).
Sebarang perubahan pada voltan luar akan hanya mengubah nilai
arus yang melaluinya.
 Oleh kerana itu, diod zener dianggap seperti sebuah bateri bernilai
Vz. (Rajah 3.8)

Katod Anod

+ -

Rajah 3.8

Contoh

R = 820 

20 – 40 V
Rajah : 3.9
Dz
Katakan diod zener dalam rajah 3.9 mempunyai voltan pecah tebat 10 V.
Kirakan nilai voltan keluaran.

Penyelesaian

Oleh kerana diod zener berkeadaan pincang songsang, maka kita


menganggap diod zener seperti sebiji bateri yang bernilai sama dengan
voltan pecah tebat (diod zener unggul)
R = 820 

20 – 40 V
10 V Vk = 10 V

3.3 LED
 LED ialah sejenis diod istimewa yang mengeluarkan cahaya bila disambung
dalam litar. Ia biasanya digunakan sebagai lampu penunjuk yang
menentukan samada alatan elektrik dalam keadaan “ON” dan “OFF”.
 Rajah 3.10 menunjukkan simbol skematik bagi LED. Simbol LED hampir
sama dengan simbol diod. Anak panah menghala keluar dari cantuman P-N
menunjukkan cahaya keluar dari LED.

Katod Anod

Rajah 3.10 : Simbol skematik bagi LED

 Seperti diod, LED akan beroperasi apabila diberi voltan pincang depan.
Elektron dari bahan jenis N akan bercantum dengan hol pada bahan jenis
P. Jika bahan separuh pengalir adalah Silikon dan Germanium
percantuman ini akan menghasilkan haba. Tetapi jika bahan separuh
pengalir adalah gallium arsenide ( GaAs ), gallium phosphide ( GaP ) dan
gallium-ardenide-phosphide ( GaAsP ) percantuman ini akan menghasilkan
cahaya. Warna cahaya adalah bergantung kepada jenis bahan yang
digunakan
GaAs = radiasi infra merah
GaP = merah atau hijau
GaAsP = merah atau kuning

 Led beroperasi pada voltan yang rendah iaitu antara 1 dan 4 V dan boleh
mengalirkan arus antara 10 dan 40 mA. LED juga mempunyai voltan pecah
tebat yang rendah iaitu lebih kurang 3 dan 5 V. Voltan dan arus yang
melebihi had akan merosakkan chip LED. Kecerahan LED bergantung pada

arus.

3c-1. Tandakan Betul atau Salah.


a) LED mengeluarkan cahaya semasa pincang Betul Salah
hadapan.

b) Cahaya dihasilkan oleh LED semasa Betul Salah


percantuman elektron dan hol.

c) LED yang menggunakan bahan GaP Betul Salah


menghasilkan radiasi infra merah.

d) LED tidak mengeluarkan cahaya semasa Betul Salah


pincang songsang.

3c-2. Cahaya LED bergantung pada

a) pincang depan.
b) pincang songsang.
c) arus hadapan.
d) jenis bahan separuh pengalir yang digunakan.

3c-3. Kecerahan cahaya LED bergantung pada

a) pincang depan.
b) pincang songsang.
c) arus hadapan.
d) jenis bahan separuh pengalir yang digunakan.

3c-1 a) Betul

b) Betul

c) Salah

d) Betul

3c-2 D

3c-3 C
3.4 Transistor Dwipolar
 Seperti diod, transistor juga diperbuat daripada cantuman bahan jenis N
dan P tetapi mengandungi tiga lapisan. Lapisan-lapisan itu sama ada NPN
atau PNP.

PEMUNGUT

P TAPAK

N
PENGELUAR

Struktur Binaan Simbol

PEMUNGUT

N TAPAK

P
PENGELUAR

Struktur Binaan Simbol

Rajah 3.11 : Struktur Binaan Dan Simbol Bagi Transistor

 Rajah 3.11 menunjukkan struktur binaan dan simbol bagi transistor NPN
dan PNP.
 Arah kepala anak panah pada simbol transistor menunjukkan arah aliran
arus konvensional jika transistor itu beroperasi.
 Sama ada transistor jenis NPN atau PNP, lapisan bagi tapak adalah amat
nipis dan sengaja dibuat supaya mengandungi hanya sedikit sahaja
pembawa arus majoriti.
 Pengeluar berfungsi sebagai pembekal cas-cas atau pembawa arus majoriti
dalam transistor.
 Pemungut pula bertugas untuk mengutip cas-cas ini untuk operasi litar.
 Tapak pula merupakan sebagai simpang yang akan mengawal pengaliran
arus.

3.3.1 Voltan Pincang

 Untuk membolehkan suatu transistor itu beroperasi secara


sempurna, ia mestilah diberikan voltan pincang.

 Ada dua jenis voltan pincang yang mesti dibekalkan kepada


transistor sebagai syarat untuk membolehkannya beroperasi, tanpa
mengira jenis transistor tersebut NPN atau PNP. Dengan bantuan
rajah 3.12 dua syarat itu ialah :

i. cantuman E - B mesti mendapat voltan pincang depan.


ii. cantuman C - B mesti mendapat voltan pincang songsang.

E C E C
N P N P N P

B B

Rajah 3.12 Voltan pincang bagi transistor


3.4.2 Bagaimana Transistor Beroperasi
N P N
E
++ - - - -
- - - - C

- - - - + - - - -
- - - - - - - -

B
V1 V2

Rajah 3.13 : Pengaliran arus elektron di dalam transistor


 Merujuk rajah 3.13 di atas, oleh kerana cantuman E - B telah di
pincang depan oleh V1, litar E - B itu akan mengalirkan arus kerana
elektron-elektron pada pengeluar ( jenis N ) akan tertolak oleh
upayaan negatif bekalan V1. Elektron-elektron ini cuba untuk pergi
ke upayaan positif V1 melalui tapak (jenis P). Tetapi oleh kerana
tapak hanyalah suatu lapisan yang amat nipis dan mempunyai
bilangan hol yang sangat sedikit, tidak semua elektron-elektron itu
dapat mengalir. Hanya sedikit saja arus elektron yang mengalir di
litar tapak, dikenal sebagai arus tapak ( IB).
 Elektron-elektron yang selebihnya itu terkumpul dengan banyaknya
di lapisan tapak. Oleh kerana lapisan pemungut telah dihubungkan
kepada terminal positif bakalan V2, keupayaan positif itu akan
menarik elektron-elektron yang terkumpul di tapak tadi mengalir
melalui litar pemungut sebagai arus pemungut ( I C )

IE IC

IB

Rajah 3.14 : Arah arus elektron di dalam transistor

 Anak panah pada rajah 3.14 di atas menggambarkan aliran arus


elektron yang terhasil dalam transistor. Ditunjukkan bahawa I C ialah
pecahan besar dari IE dan pecahan kecil IE itu mengalir sebagai IB.
Dari sini terbitlah satu rumus:

IE = IC + IB
Contoh :

10mA 9.8mA

Rajah

Berdasarkan kepada rajah di atas, kirakan nilai dan arah arus tapak.

a) 0.2 mA mengalir ke dalam tapak


b) 0.2 mA mengalir keluar dari tapak
c) 19.8 mA mengalir ke dalam tapak
d) 29.8 mA mengalir keluar dari tapak

Penyelesaian :

Diberi IE = 10 mA
IC = 9.8 mA

IE = IC + IB

10 mA = 9.8 mA + IB
IB = 10 mA - 9.8 mA
= 0.2 mA

Oleh kerana IE keluar dari transistor, maka IC dan IB mengalir masuk ke dalam
transistor.

Jawapan bagi contoh di atas ialah a) iaitu 0.2 mA mengalir ke dalam tapak.
UJIKAN KEFAHAMAN ANDA SEBELUM MENERUSKAN INPUT
SETERUSNYA………….DAN ……….
SEMAKLAH JAWAPAN ANDA PADA MAKLUMBALAS DI HALAMAN
BERIKUTNYA. SELAMAT MENCUBA !!!!!!

3d-1. Perhubungan arus dalam transistor bipolar ialah

a) IC = IE + IB b) IB = IE + IC
c) IE = IC + IB c) IC = IE - IB

3d-2. Rajah yang manakah menunjukkan arah arus konventional dalam


transistor bipolar NPN?

IE IC IE IC IE IC IE IC

IB IB IB IB

(a) (b) (c) (d)

3d-3. Rajah yang manakah menunjukkan arah arus konventional dalam


transistor bipolar PNP?

IE IC IE IC IE IC IE IC

IB IB IB IB

(a) (b) (c) (d)


3d-4. Pembawa arus majoriti dalam transistor NPN ialah

a) elektron bebas.
b) hol.
c) selain dari a) dan b).
d) kedua-dua a) dan b).

3d-5. Kebanyakkan elektron pada tapak transistor mengalir

e) keluar dari tapak.


f) masuk ke pemungut.
g) masuk ke pengeluar.
h) masuk ke bekalan kuasa.

3d-6. Voltan tapak-pengeluar bagi transistor yang unggul ialah

a) 0 V c) 0.7 V
b) 0.3 V d) 1 V

3d-7.
10.2mA

0.2mA

Arus pengeluar bagi litar di atas ialah

a) 10 mA mengalir ke dalam transistor.


b) 10 mA mengalir keluar dari transistor.
c) 10.4 mA mengalir ke dalam transistor.
d) 10.4 mA mengalir keluar dari transistor.
3d-1. c
3d-2. c
3d-3. a
3d-4. a
3d-5. b
3d-6. a
3d-7. d
PENILAIAN
PENILAIANKENDIRI
KENDIRI

TAHNIAH ! ANDA TELAH MENGHAMPIRI KEJAYAAN. SILA CUBA SEMUA


SOALAN DALAM PENILAIAN KENDIRI INI DAN SEMAK JAWAPAN ANDA PADA
MAKLUMBALAS YANG DISEDIAKAN.
JIKA ADA MASALAH TIMBUL , SILA BERBINCANG DENGAN PENSYARAH
ANDA. SELAMAT MENCUBA SEMOGA BERJAYA !!!!!!

3.1 Lakar dan labelkan simbol skematik bagi diod.

3.2 Lakarkan litar skematik yang menunjukkan diod pincang hadapan


dan pincang songsang.

3.3 Lakarkan lengkuk ciri I-V bagi diod silikon dan terangkan ciri-cirinya.

3.4 Lakarkan simbol skematik bagi diod zener.

3.5 Jelaskan keistimewaan diod zener berbanding diod biasa.

3.6 Lakarkan simbol skematik bagi LED.

3.7 Lakar dan labelkan struktur binaan dan simbol skematik bagi
transistor NPN dan PNP.

3.8 Nyatakan dua syarat utama untuk mengoperasikan transistor.

3.9 Dengan bantuan gambarajah struktur binaan transistor NPN,


terangkan kendalian transistor.

MAKLUMBALAS
MAKLUMBALAS
PENILAIAN
PENILAIANKENDIRI
KENDIRI
3.1
Anod Katod

K A K
A
3.2

+   +

Litar diod pincang depan Litar diod pincang songsang

3.3
Id (mA)

Voltan
pecah tebat

Vs Vd
Voltan
sawar

Is (A)

Rajah 3.3 : Lengkuk Cirian I-V bagi diod

 Arus Depan (Id) ialah arus yang mengalir melalui diod semasa pincang depan.
Biasanya Id diukur dalam mA.
 Arus Songsang (Is) ialah arus yang sangat kecil iaitu arus bocor yang
mengalir melalui diod semasa pincang songsang. Biasanya Is diukur dalam A.

 Voltan Lutut ialah takat voltan di mana berlakunya kenaikan arus depan yang
tiba-tiba. Voltan lutut sama dengan voltan sawar. ( Si = 0.7 V, Ge = 0.3 V )

 Voltan Pecah Tebat ialah takat voltan di mana berlakunya kenaikan arus
songsang yang tiba-tiba. Arus yang besar melampaui takat pecahtebat boleh
menyebabkan cantuman PN terbakar dan rosak.

3.4
Anod Katod

3.5 Di antara keistimewaan diod zener berbanding diod biasa ialah :-

 Ia dibuat supaya mampu mengalirkan arus songsang yang tinggi nilainya


tanpa merosakkan diod.

 Pada takad zener dan selepasnya voltan merentasi diod akan tetap dan
sama nilainya dengan voltan zener.

 Diod zener boleh dibuat supaya voltan zener ditentukan pada nilai yang
terpilih (2.4V - 200V).

3.6

Anod Katod

PEMUNGUT

P TAPAK

N
PENGELUAR

Struktur Binaan Simbol


3.7

PEMUNGUT

N TAPAK

P
PENGELUAR

Struktur Binaan Simbol

3.8 Dua syarat untuk mengoperasikan transistor ialah :-

i. cantuman E - B mesti mendapat voltan pincang depan.


ii. cantuman C - B mesti mendapat voltan pincang songsang.

N P N
E
- - - - + - - - - C

3.9 - - - + - - -
- - - - + - - - -
- B
-
V1 V2

 Merujuk rajah di atas, oleh kerana cantuman E - B telah di pincang depan oleh
V1, litar E - B itu akan mengalirkan arus kerana elektron-elektron pada
pengeluar ( jenis N ) akan tertolak oleh upayaan negatif bekalan V1. Elektron-
elektron ini cuba untuk pergi ke upayaan positif V1 melalui tapak (jenis P).
Tetapi oleh kerana tapak hanyalah suatu lapisan yang amat nipis dan
mempunyai bilangan hol yang sangat sedikit, tidak semua elektron-elektron itu
dapat mengalir. Hanya sedikit saja arus elektron yang mengalir di litar tapak,
dikenal sebagai arus tapak ( IB).

 Elektron-elektron yang selebihnya itu terkumpul dengan banyaknya di lapisan


tapak. Oleh kerana lapisan pemungut telah dihubungkan kepada terminal
positif bakalan V2, keupayaan positif itu akan menarik elektron-elektron yang
terkumpul di tapak tadi mengalir melalui litar pemungut sebagai arus pemungut
( IC )

IE IC
IB

 Anak panah di atas menggambarkan aliran arus elektron yang terhasil dalam
transistor. Ditunjukkan bahawa I C ialah pecahan besar dari I E dan pecahan kecil
IE itu mengalir sebagai IB. Dari sini terbitlah satu rumus:

IE = IC + IB
IF

Arus Penahan
IG2>IG IG1=0 SCR”ON
1 ”
Voltan Pecah Tebat
SCR “OFF”
VF
VR VBRF2 VBRF1
Arus Sekat Songsang Arus Sekat Depan

IR
4.0 Pengenalan

Unit-unit sebelum ini membincangkan peranti-peranti separuh pengalir


yang sangat popular dalam litar elektronik. Selain daripada diod dan
transistor, terdapat beberapa peranti-peranti separuh pengalir yang
digunakan dalam litar elektronik. Antaranya ialah SCR, DIAK, TRIAK, FET,
MOSFET dan UJT.

4.0 SCR

4.1.1 Pengenalan

SCR merupakan peranti 4 lapis ( tiristor ) yang mempunyai 3 terminal iaitu


anod, katod dan get. Secara asasnya, SCR sama seperti satu diod penerus
yang mempunyai elemen kawalan.

SCR banyak digunakan sebagai peranti pensuisan di dalam aplikasi


kawalan kuasa. Struktur asas bagi SCR ialah seperti rajah 4.1 dan simbol
skematik bagi SCR ialah seperti rajah 4.2.

N Anod Katod

P
G

N Get

K
Rajah 4.1: Struktur Binaan SCR Rajah 4.2 : Simbol SCR
4.1.2 Lengkuk Cirian I-V bagi SCR

Rajah 4.3 menunjukkan gambarajah lengkuk cirian I-V bagi SCR.


IF

Arus Penahan
IG2>IG1 IG1=0 SCR”ON

Voltan Pecah Tebat
SCR “OFF”
VF
VR VBRF2 VBRF1
Arus Sekat Songsang Arus Sekat Depan

IR

Rajah 4.3 : Lengkuk Cirian I-V bagi SCR

Lengkuk cirian SCR hampir sama dengan lengkuk cirian diod biasa kecuali
terdapatnya sebahagian kawasan di peringkat awal yang menggambarkan
arus depan yang tersekat seketika.

Semasa pincang depan (VF), ketika IG=0, tiada arus anod (IA) yang dialirkan
oleh SCR itu kecuali sedikit arus bocor. Sekalipun V F dinaikkan, IA tetap
tiada melainkan sedikit kenaikan arus bocor. Arus pada paras ini dinamakan
Arus Sekat Depan ( Forward Blocking Current ).

Dengan keadaan IG masih 0 dan VF terus dinaikkan, akan sampai pada


suatu nilai voltan di mana I A tiba-tiba mengalir dan meninggi dengan cepat.
Nilai VF pada masa itu khususnya dinamakan Voltan Pecah Tebat Depan
(Forward Breakover Voltage, VBRF1). VBRF1 ialah ketika IG = 0.

Jika ada IG ( disebabkan oleh voltan positif kepada pintu ), yang di dalam
rajah itu dilabelkan sebagai I G2, kejadian voltan pecah tebat depan akan
berlaku lebih awal lagi (V BRF2). Takat VBRF boleh direndahkan lagi dengan
menambahkan nilai IG. Begitulah seterusnya sehingga jika I G dilaras kepada
suatu nilai yang cukup tinggi, SCR akan berlagak seperti diod biasa.

Sewaktu SCR dipincang songsang (VR), SCR tidak akan mengalirkan arus
kecuali sedikit arus bocor atau arus sekat songsang. Jika V R terlalu tinggi,
akan sampai ke takat voltan pecah tebat songsang. SCR bertindak seperti
diod biasa dalam keadaan pincang songsang.
Arus Penahan ( Holding Current ) ialah paras di mana arus SCR berpindah
dari keadaan tersekat ( OFF ) kepada keadaan pengaliran ( ON ).

Semasa pincang hadapan, SCR mempunyai dua keadaan operasi iaitu


keadaan “OFF” dan “ON” ( rujuk rajah 4.3 ). Semasa keadaan “OFF” , SCR
bertindak seperti litar terbuka manakala semasa keadaan “ON” SCR
bertindak seperti litar tertutup.

Semasa pincang songsang, SCR bertindak seperti litar terbuka.

Rajah 4.4 menunjukkan keadaan SCR semasa pincang depan dan pincang
songsang.

+Vcc +Vcc +Vcc - Vcc

R1 R1 R1 R1

-
S1 + S1 + S1
Vcc
Vcc 0V
+
- -

tanpa diberi
isyarat isyarat
SCR
picuan picuan
pincang
songsang
SCR pincang depan

Rajah 4.4 : Keadaan SCR semasa pincang depan dan pincang songsang

4.1.3 Operasi SCR

Seperti diod biasa, untuk membolehkan arus mengalir melalui SCR,


anod mestilah diberikan voltan pincang depan. Namun begitu, bagi
SCR, voltan pincang depan itu masih belum boleh mengalirkan arus.
Hanya setelah get diberikan voltan positif yang seketika ( denyut )
dengan magnitud yang cukup, barulah berlaku pengaliran arus dari
anod ke katod.
Sebaik saja SCR beroperasi, voltan denyut positif pada get tadi
sudah tidak diperlukan lagi, get telah hilang daya kawalannya.
Walaupun denyut positif itu kemudiannya dihapuskan, SCR masih
boleh terus mengalirkan arus tinggi tanpa henti.

Operasi SCR hanya boleh dihentikan dengan beberapa cara, di antaranya


ialah dengan :-

 memutuskan litar laluan arus SCR, misalnya dengan meletakkan


alat pemutus litar pada mana-mana tempat laluan arus.

 memintaskan anod dan katod.

 mematikan bekalan voltan positif pada anod.

 menukar kekutuban voltan kepada anod itu menjadi negatif.


4.2 TRIAK

4.2.1 Pengenalan

TRIAK merupakan peranti 5 lapis yang boleh mengalirkan arus dua arah.
TRIAK juga boleh dipicu pada get dengan voltan picuan positif atau negatif.

Seperti SCR, TRIAK juga merupakan peranti 3 terminal. Bezanya ialah SCR
mengalirkan arus satu arah sahaja tetapi TRIAK mengalirkan arus dua arah.

TRIAK boleh diumpamakan dua SCR yang disambung selari dan


berlawanan arah seperti rajah 4.5. Oleh kerana Anod SCR 1 disambung
dengan Katod SCR 2, maka terminal TRIAK dilabelkan MT 1 (main terminal
1) dan MT2 (main terminal 2). Terminal get masih digunakan pada TRIAK
kerana terminal get SCR 1 dan SCR 2 dicantumkan.

Rajah 4.6 menunjukkan struktur binaan dan simbol skematik bagi TRIAK .

MT2

A K

SCR 1 SCR 2

K A

MT1
Rajah 4.5 : Litar setara TRIAK menggunakan SCR
MT2 MT2
N4
P1

N1
G
P2 MT1
N3 N2

G MT1
Rajah 4.6 : Struktur Binaan dan Simbol skematik TRIAK

4.2.2 Lengkuk Cirian I-V bagi triak

Rajah 4.2.3 menunjukkan gambarajah lengkuk cirian I-V bagi TRIAK.

IMT

IH1
IH2
-VBR( R )1 -VBR( R )2
-VMT VMT
VBR( F )2 VBR( F )1
-IH2
-IH1

-IMT

Rajah 4.7 : Lengkuk Cirian I-V bagi TRIAK

Lengkuk cirian TRIAK hampir sama dengan lengkuk cirian SCR kecuali
semasa pincang songsang.

Semasa pincang songsang, lengkuknya adalah sama dengan lengkuk


semasa pincang depan tetapi berlawanan arah. Ciri-ciri lain adalah sama
dengan ciri-ciri lengkuk cirian SCR. Contohnya, voltan pecah tebat akan
berkurang apabila arus get bertambah.
4.3 DIAK

4.3.1 Pengenalan

Untuk memudahkan perbincangan kita, DIAK adalah sama dengan TRIAK


yang tidak mempunyai terminal get. Oleh sebab itu DIAK adalah peranti 2
terminal yang dilabelkan MT1 (main terminal 1) dan MT2 (main terminal 2)
sahaja. Rajah 4.8 menunjukkan simbol skematik bagi DIAK.

DIAK juga boleh diumpamakan seperti diod yang mempunyai 4 lapisan.


Rajah 4.9 menunjukkan struktur binaan bagi DIAK. Bezanya ialah diod
mengalirkan arus satu arah sahaja tetapi DIAK mengalirkan arus dua arah.
Apabila MT1 positif, laluan arus ialah melalui P2-N2-P1-N1. Sebaliknya bila
MT2 positif, laluan arus ialah melalui P1-N2-P2-N3.

MT2

MT1

Rajah 4.8 : Simbol Skematik DIAK


MT2

N1
P1

N2

P2 N3

MT1

Rajah 4.9 : Struktur Binaan DIAK

4.3.2 Lengkuk Cirian I-V bagi DIAK

Rajah 4.10 menunjukkan gambarajah lengkuk cirian I-V bagi DIAK.

IMT

IH1
-VBR( R )
-VMT VMT
VBR( F )
-IH1

-IMT

Rajah 4.10 : Lengkuk Cirian I-V bagi DIAK

Lengkuk cirian DIAK hampir sama dengan lengkuk cirian TRIAK kecuali ciri-
ciri get tidak ada.

Berlainan dengan SCR dan TRIAK, DIAK hanya akan beroperasi apabila
voltan merentasinya melebihi voltan pecah tebat. DIAK tidak mempunyai
get yang boleh mengurangkan voltan pecah tebat.

DIAK boleh mengalirkan arus dua arah. Oleh itu lengkuk cirian DIAK
semasa arus bertentangan arah adalah sama. ( rujuk rajah 4.10 )
UJIKAN KEFAHAMAN ANDA SEBELUM MENERUSKAN INPUT
SETERUSNYA………….DAN ……….
SEMAKLAH JAWAPAN ANDA PADA MAKLUMBALAS DI HALAMAN
BERIKUTNYA. SELAMAT MENCUBA !!!!!!

1. Lakarkan struktur binaan dan simbol skematik bagi :-

i. SCR
ii. TRIAK
iii. DIAK

2. Nyatakan 2 syarat untuk mengoperasikan SCR

3. Nyatakan 2 syarat untuk mematikan SCR.

4. Namakan terminal-terminal TRIAK.

5. Bolehkah terminal get bagi TRIAK dipicu dengan voltan picuan negatif?

6. Pada julat manakah DIAK biasanya mula mengalirkan arus?


A
1.
P

N Anod Katod

G P

N Get
K
Struktur Binaan SCR Simbol Skematik SCR
MT2
N4 MT2
P1

N1
P2 G
N3 N2 MT1

G MT1

Struktur Binaan TRIAK Simbol Skematik TRIAK

MT2 MT2
N1 P1

N2

P2 MT1
N3

MT1

Struktur Binaan DIAK Simbol Skematik DIAK


2. Dua syarat untuk mengoperasikan SCR ialah :-
i) voltan pincang hadapan merentasi anod dan katod
ii) diberi voltan picuan positif pada terminal get.

3. Dua syarat untuk mematikan SCR ialah :-


i) putuskan laluan arus ke SCR
ii) pintaskan anod dan katod

4. Terminal-terminal TRIAK ialah :-


i) Terminal utama 1 ( MT1 )
ii) Terminal utama 2 ( MT2 )
iii) Get

5. Boleh

6. Diak biasanya mula mengalirkan arus apabila voltan merentasi DIAK melebihi
voltan pecah tebat.
4.4 Transistor Kesan Medan ( FET )

4.4.1 Pengenalan

Transistor yang dipelajari sebelum ini ialah dalam kategori transistor


dwipolar, iaitu melibatkan kedua-dua pembawa arus elektron dan hol.
Transistor tersebut juga tergolong di dalam jenis komponen atau alat
terkawal arus (current controlled device).

Satu lagi kategori transistor ialah transistor “unipolar” iaitu yang hanya
melibatkan salah satu pembawa arus majoriti. Salah satu transistor
“unipolar” yang sering digunakan ialah Transistor Kesan Medan (Field
Effect Transistor) atau ringkasnya dipanggil FET. Ia merupakan komponen
atau alat terkawal voltan (voltage controlled device).

FET adalah terdiri daripada dua kategori iaitu JFET ( Junction FET ) dan
MOSFET ( Metal-oxide semiconductor FET ). Dalam input 4.4 ini, kita
membincangkan JFET dan input 4.5 membincangkan MOSFET.

4.4.2 JFET

Rajah 4.11 menunjukkan struktur binaan FET. Ia terbina daripada


satu bar semikonduktor bahan jenis N yang dari dua hujungnya
diterbitkan elemen atau kaki yang satunya bernama Punca (Source)
dan satu lagi bernama Parit (Drain). Di tengah-tengah bar tersebut
terdapat dua bahan jenis P yang bersetentang, dan darinya
diterbitkan satu elimen bernama Pintu (Gate). Untuk kemudahan,
kadangkala huruf-huruf S, D dan G akan digunakan sebagai
singkatan bagi punca, parit dan pintu.

Oleh kerana bar yang digunakan di antara punca dan parit ialah dari
semikonduktor bahan jenis N, maka FET ini dikenali dengan nama FET
Saluran N. Rajah 4.11 menunjukkan lukisan simbol skematik baginya.
Perhatikan bahawa anak panah pintu menunjuk ke dalam.
D
D

P P G
G

S
S

Rajah 4.11 : Struktur binaan dan Simbol Skematik bagi FET saluran N

Satu jenis FET lagi ialah FET Saluran P. Rajah 4.12 menunjukkan struktur
binaannya, di mana bar yang digunakan ialah bahan jenis P dan ditengah-
tengahnya dua bahan jenis N yang bersetentang. Namun demikian tidak
ada perbezaan pada nama-nama elemen. Cuma sedikti perubahan pada
lukisan simbol skematiknya seperti yang ditunjuk di rajah 4.12 iaitu anak
panah pintu menunjuk ke luar.

D
D

N N
G G

S
S
Rajah 4.12 : Struktur binaan dan Simbol Skematik bagi FET saluran P

Untuk mudah mengingati simbol skematik kedua-dua jenis ini, ingatkan saja
bahawa yang ditunjuk oleh anak panah ialah bahan jenis N. Jika anak
panah menunjuk ke dalam, maka yang ditunjuk ialah bahan jenis N untuk
saluran.
Jika anak panah menunjuk ke luar, maka yang ditunjuk ialah bahan jenis N
untuk pintu.
Perhatikan juga pada rajah struktur binaan bahawa di antara bahan untuk
saluran dan bahan untuk pintu terdapat cantuman P-N yang tentunya
mempunyai kesan-kesan keujudan kawasan kesusutan dan voltan sawar.

4.4.3 Perbandingan di antara JFET dengan Transistor Dwipolar.

Jika dari segi bentuk fizikal, tidak banyak perbezaan yang ketara di antara
kedua-dua jenis transistor ini, malahan kedua-duanya agak sama. Tanpa
merujuk kepada nombor pengenalan dan buku manual, agak sukar untuk
membezakannya. JFET, seperti juga transistor dwipolar biasa, mempunyai
tiga kaki.

Dari segi penggunaannya di dalam litar-litar elektronik, JFET juga boleh


bertugas sebagai amplifier. Cara sambungan dan pendawaiannya juga tidak
banyak bezanya. JFET, seperti juga transistor biasa, disambungkan dengan
tatarajah punca sepunya, di mana litar pintu-punca menjadi terminal
masukan dan litar parit-punca menjadi terminal keluaran.

Namun, dari segi prinsip dan ciri-cirinya, perbezaan di antara JFET dengan
transistor dwipolar biasa tetap ada, di antaranya ialah:
 JFET tatarajah punca-sepunya mempunyai kerintangan masukan
yang sangat tinggi, lebih kurang 100M ohm ( kerana litar
masukannya ialah di antara pintu-punca yang dipincang
songsang )
 JFET ialah alat terkawal voltan, transistor biasa ialah alat terkawal
arus.
 JFET ialah transistor unipolar, iaitu melibatkan satu jenis
pembawa arus majoriti sahaja. Transistor biasa ialah dwipolar,
kerana melibatkan kedua-dua jenis pembawa arus.
 JFET tidak terlalu sensistif kepada perubahan suhu sekitar.
Pembawa arus minoriti tidak meninggalkan kesan-kesan besar.
Tiada pengaruh Beta.
 JFET mempunyai tatalaku Hukum Kuasa Dua, di mana, arus
keluaran berubah dengan kuasa dua masukan. Ciri seperti ini
tidak ada pada transistor biasa. Ada beberapa litar elektronik
yang memerlukan ciri seperti ini.
 JFET mempunyai kadar bising dalaman yang rendah dari
transistor biasa. Oleh itu ia kerap digunakan dalam amplifier hi-fi
dan alat terima radio FM.
4.5 MOSFET

4.5.1 Pengenalan

MOSFET adalah kategori kedua bagi FET. MOSFET (metal-oxide


semiconductor FET) mempunyai terminal-terminal seperti JFET iaitu punca,
parit dan get. Yang membezakan MOSFET dengan JFET ialah terminal get
diasingkan dengan saluran (channel) oleh satu lapisan silikon oksida (SiO 2).
Oleh sebab itu, arus get menjadi semakin kecil. MOSFET juga dipanggil
sebagai IGFET (insulated-get FET).

Terdapat dua jenis MOSFET, iaitu MOSFET ragam susutan dan


peningkatan (depletion-enhancement mode) dan MOSFET ragam
peningkatan sahaja (enhancement-only mode).

4.5.2 MOSFET Ragam Susutan Dan Peningkatan ( DE MOSFET )

DE MOSFET boleh beroperasi secara ragam susutan dan ragam


peningkatan dengan hanya menukar polariti voltan antara get dan punca
(VGS). Bila VGS adalah negatif, DE MOSFET beroperasi secara ragam
susutan. Sebaliknya bila VGS adalah positif, DE MOSFET beroperasi secara
ragam peningkatan.

Rajah 4.13 dan 4.14 menunjukkan struktur binaan dan simbol DE MOSFET.

Merujuk kepada struktur binaan, kita dapati saluran (channel) bersambung


dari parit ke punca. Ini menyebabkan arus parit (I D) boleh mengalir
walaupun VGS=0.
D
D
N
G
P
G
N
S
S
Rajah 4.13 : Struktur Binaan dan Simbol Skematik DE MOSFET
D
D
P
G
N G

P
S S

Rajah 4.14 : Struktur Binaan dan Simbol Skematik DE MOSFET

4.5.3 MOSFET Ragam Peningkatan Sahaja ( E MOSFET )

E MOSFET boleh beroperasi secara ragam peningkatan sahaja. Ia


beroperasi dengan nilai VGS yang besar.

Struktur binaan E MOSFET berbeza dengan DE MOSFET. Rajah 4.15


menunjukkan struktur binaan dan simbol E MOSFET.

Merujuk kepada struktur binaan, kita dapati saluran (channel) tidak


bersambung antara parit dan punca. Ini menyebabkan arus parit (I D) tidak
boleh mengalir jika VGS=0.
D
D
N
G
P G
N
S S

D
D
P
G
N G

P
S
S

Rajah 4.15 : Struktur Binaan dan Simbol Skematik E MOSFET


4.6 Transistor Ekasimpang ( UJT )

Satu lagi komponen semikonduktor yang termasuk dalam keluarga


transistor ialah Transistor Ekasimpang ( Unijunction Transistor ) atau
ringkasnya dipanggil UJT.

UJT berbeza dengan diod kerana UJT mempunyai 3 terminal. UJT berbeza
dengan FET kerana UJT tidak boleh menguatkan isyarat. UJT boleh
mengawal kuasa AU yang besar dengan isyarat yang kecil.

Rajah 4.16 menunjukkan struktur binaan UJT. Ia berbina daripada


satu bar semikonduktor bahan jenis N yang diserap untuk
mempunyai sedikit saja pembawa arus majoriti, dan dari dua
hujungnya diterbitkan dua terminal Tapak. Tapak yang di atas dilabel
sebagai B2 dan yang di bawah sebagai B1.

Suatu lapisan bahan jenis P ditampalkan ke bar bahan N itu dan darinya
diterbitkan terminal Pengeluar (E). Pengeluar diserap supaya mengandungi
banyak pembawa arus majoriti. Lukisan simbol skematik bagi UJT ialah
seperti rajah 4.16

UJT biasanya digunakan di dalam litar aplikasi:-


 Kawalan fasa
 Pensuisan
 Pemasa
 Penjana isyarat

B2
B2

P N
E E

B1
B1

Rajah 4.16 : Struktur binaan dan simbol skematik bagi UJT.


UJIKAN KEFAHAMAN ANDA SEBELUM MENERUSKAN INPUT
SETERUSNYA………….DAN ……….
SEMAKLAH JAWAPAN ANDA PADA MAKLUMBALAS DI HALAMAN
BERIKUTNYA. SELAMAT MENCUBA !!!!!!

Tuliskan YA atau TIDAK pada kotak yang disediakan.

YA / TIDAK

1 FET ialah peranti unipolar.

2 FET ialah alat terkawal arus.

3 Punca dan parit merupakan satu bar separuh pengalir.

4 FET mempunyai tiga terminal iaitu Parit, Punca dan Get.

5 JFET terdiri daripada jenis saluran N sahaja.

6 Anak panah pada simbol JFET menunjukkan bahan jenis N.

7 Terminal get MOSFET diasingkan oleh lapisan SiO2

8 Saluran DE MOSFET tidak bersambung dari parit ke punca.

9 UJT ialah peranti unipolar

10 UJT mempunyai tiga terminal iaitu Pengeluar, Pemungut dan


Tapak.
1 Ya

2 Tidak

3 Ya

4 Ya

5 Tidak

6 Ya

7 Ya

8 Tidak

9 Ya

10 Tidak
PENILAIAN
PENILAIANKENDIRI
KENDIRI

TAHNIAH ! ANDA TELAH MENGHAMPIRI KEJAYAAN. SILA CUBA SEMUA


SOALAN DALAM PENILAIAN KENDIRI INI DAN SEMAK JAWAPAN ANDA PADA
MAKLUMBALAS YANG DISEDIAKAN.
JIKA ADA MASALAH TIMBUL , SILA BERBINCANG DENGAN PENSYARAH
ANDA. SELAMAT MENCUBA SEMOGA BERJAYA !!!!!!

3.10 Terangkan makna istilah yang diambil dari lengkuk cirian SCR
berikut:-

i) Arus Sekat Depan

ii) Arus Sekat Songsang

iii) Arus Penahan

iv) Voltan Pecah Tebat

3.11 Nyatakan dua perbezaan di antara SCR dan TRIAK.

3.12 Bagaimanakah kedudukan SCR di dalam TRIAK.

3.13 Nyatakan dua perbezaan di antara SCR dan DIAK.

3.14 Apakah yang membezakan JFET dan MOSFET.

3.15 Senaraikan perbezaan di antara JFET dan transistor biasa.

3.16 Nyatakan 2 perbezaan di antara DE MOSFET dan E MOSFET.

3.17 Senaraikan litar-litar yang menggunakan UJT.

Tugasan:
Terangkan operasi semikonduktur-semikonduktur berikut:-
i) FET
ii) MOSFET
iii) UJT
iv) SCR
v) TRIAK
vi) DIAK
( Tempoh penulisan tugasan ialah 2 minggu. )
MAKLUMBALAS
MAKLUMBALAS
PENILAIAN
PENILAIANKENDIRI
KENDIRI

4.1 Arus Sekat Depan : Arus bocor yang mengalir semasa voltan
pincang depan dan voltan merentasi SCR
tidak melebihi voltan pecah tebat.
Arus Sekat Songsang : Arus bocor yang mengalir semasa voltan
pincang songsang.
Arus Penahan : Paras di mana arus SCR berpindah dari
keadaan tersekat kepada keadaan
pengaliran.
Voltan Pecah Tebat : Nilai voltan di mana selepas voltan ini, arus
akan meningkat dengan cepat. Di dalam
SCR, terdapat dua voltan pecah tebat iaitu
voltan pecah tebat semasa pincang depan
dan voltan pecah tebat semasa pincang
belakang.

4.2 SCR TRIAK


i. Mengalirkan arus satu arah Mengalirkan arus dua arah
ii. Perlu voltan picuan positif untuk Boleh menerima voltan picuan
beroperasi positif dan negatif untuk
beroperasi.

4.3 Di dalam TRIAK, kedudukan SCR adalah seperti 2 SCR disambung


selari dan bertentangan arah.

4.4 SCR DIAK


i. mengalirkan arus satu arah mengalirkan arus dua arah
ii. beroperasi bila diberi voltan picuan beroperasi bila voltan merentasi
positif pada get diak melebihi voltan pecah tebat.

4.5 Yang membezakan JFET dan MOSFET ialah terminal get. Terminal get
MOSFET diasingkan dengan satu lapisan SiO2.

4.6 Perbezaan di antara FET dan transistor biasa ialah :-


 impedan masukan tinggi.
 alat kawalan voltan.
 melibatkan satu pembawa arus majoriti sahaja.
 tidak sensitif pada haba.

4.7 DE MOSFET E MOSFET


i. boleh beroperasi secara ragam hanya boleh beroperasi secara
peningkatan dan ragam susutan ragam peningkatan sahaja.
ii. saluran bersambung dari parit ke saluran tidak bersambung antara
punca. parit dan punca.

4.8. Litar-litar yang menggunakan UJT ialah litar pemasa, kawalan fasa,
pensuisan dan litar penjana isyarat.

Tugasan

Untuk menyiapkan tugasan, anda perlu:-


a. mendapatkan buku-buku “Electronics”, “Basic Electronics” atau
“Electronics Principle”.
b. Rujuk bab atau index untuk mendapat tajuk FET, MOSFET, UJT, SCR,
TRIAK dan DIAK.
c. Dapatkan bagi setiap peranti:-
i. Simbol skematik
ii. Struktur binaan
iii. Lengkuk cirian I-V
iv. Operasi
v. Litar contoh.
d. Setelah anda dapat melaksanakan langkah a hingga c, mulakan
penulisan tugasan. Mulakan tugasan dengan tajuk pengenalan dan
diakhiri dengan kesimpulan.
e. Setelah anda berpuas hati dengan isi-isi dalam penulisan, rujuk
pensyarah anda untuk mendapat kepastian.