ELEKTRONIKA DAYA

BAB 2
Power Diodes
SUB BAB

1. INTRODUCTION
2. DIODE CHARACTERISTIC
3. REVERSE RECOVERY CHARACTERISTIC
4. POWER DIODES TYPE
5. EFFECT OF FORWARD AND REVERSE RECOVERY
TIME
6. SERIES CONNECTED DIODES
7. PARALLEL CONNECTED DIODES
8. EXAMPLE
INTRODUCTION

Power diodes adalah switch yang ideal dalam banyak

aplikasi. Power diode hampir mirip dengan dioda
biasa hanya saja power diode dapat menahan daya,
tegangan, maupun arus yang lebih tinggi dari dioda
biasa. Selain itu, power diode mempunyai switching
speed yang relatif rendah dibandingkan dioda biasa
KARAKTERISTIK

Secara garis besar karakteristik dioda dapat terlihat

dari grafik berikut
Forward biased region
Reverse biased region
Breakdown region
PROPERTIES PN-JUNCTION

Parameter Dioda DC
1. Forward voltage(VF): tegangan jatuh dioda
yang melewati A dan K pada level arus tertentu
saat forward biased.
2. Breakdown voltage(VB): tegangan jatuh yang
melewati dioda saat level arus tertentu ketika
melebihi level reverse-biased. Umumnya
dikenal sebagai Avalanche.
3. Reverse current(Ig): arus saat tegangan
tertentu yang nilainya lebih rendah dibawah
berakdown voltage.
Parameter Dioda AC
1.Forward recovery time(tFR): waktu yang dibutukan
untuk tegangan dioda jatuh hingga nilai tertentu setelah
arus forward mulai mengalir.
2.Reverse recovery time(trr): interval waktu antara
penerapan tegangan reverse dan arus reverse jatuh
pada nilai tertentu.

Pada interval waktu tersebut, minority carrier akan

melakukan rekombinasi dengan muatan lawannya dan
menjadi netral.
REVERSE RECOVERY CHARACTERISTIC

• Total reverse recovery time terdiri dari 2 komponen

yaitu ta dan tb , dinyatakan
trr  ta  tb
ta : waktu interval antara persilangan arus dioda
melewati titik nol dan ketika menjadi IRR
tb : waktu interval antara arus maksimum reverse
recovery (IRR) hingga mendekati 0.25 IRR
• Perbandingan nilai ta dan tb dikenal sebagai softness
factor(SF).
tb
SF 
ta
Tipe soft-recovery lebih lambat dari fast recovery
namun kelebihannya noisenya minimum, sehingga
lebih umum dikenal.
Tipe abrupt recovery lebih cepat dalam proses
recovery namun memiliki noise.
• Arus peak-reverse dinyatakan sebagai
di
I RR  ta
dt
• Reserse recovery time tergantung pada suhu sambungan,
nilai jatuhnya arus forward dan besar arus forward sebelum
turning off.
• Ketika dioda pada kondisi reverse-biased, terdapat aliran arus
bocor karena ada minority carrier. Lalu penerapan tegangan
forward akan memaksa dioda untuk membawa arus ke arah
forward, tetapi dibutuhkan waktu turn-ON, yang biasa
dikenal juga forward recovery (or turn on) time, sebelum
seluruh majority carriers pada sambungan ikut memberikan
aliran arus.
• forward recovery time membatasi tingkat kenaikan arus
forward dan kecepatan switching.
• Reverse recovery charge(QRR) : sejumlah muatan carier
yang mengalir melewati dioda saat reverse ketika
perubaha dari konduksi forward menjadi kondisi reverse
blocking.
• Penyimpanan muatan dimana area dilingkupi oleh jalur
arus recovery di dekati dengan :

1 di 2
QRR  trr
2 dt
dimana arus reverse recovery :

di
I rr  2QRR
dt
EXAMPLE
The manufacturer of a selected diode gives the rate of fall of the
diode current di/dt = 20A/μs, and the reverse recovery time trr =
5μs. Determine (a) the storage charge QRR (b) the peak reverse
current IRR!
Answer:
a.
QRR 
1 di 2 1
2 dt 2

trr  (20 A s) 5 x10 6
2
 50C

b.
di
I rr  2QRR  (20)(2)(50)  44,72 A
dt
TIPE DIODA DAYA

Berdasarkan karakteristik recovery dan teknik

manufakturnya maka dioda daya dibagi menjadi 3,
yaitu
1.General-Purpose Diode
2.Fast-Recovery Diode
3.Schottky Diode
1. GENERAL-PURPOSE DIODES

Karakteristiknya:
- Memiliki waktu reverse recovery yang tinggi,
biasanya 25μs.
- Digunakan untuk aplikasi frekuensi rendah,seperti
dioda penyearah.
- Rating tegangan dan arusnya dapat mencapai 5KV &
3500A
- Biasa dimanufaktur dengan proses diffusi.
Diffusi : proses dimana partikel cenderung menyebar
atau terdistribusi kembali berpindah dari daerah
dengan konsentrasi partikel yang tinggi ke daerah
dengan konsentrasi partikel yang rendah
Berdasarkan aplikasinya, dioda dibagi
menjadi:
a.Small Signal Diode
Banyak digunakan sebagai switch pada penyearah, limiter
dan kapasitor.
b. Silicon Rectifier Diode
Dioda yang memiliki kemampuan menerima arus forward
yang tinggi,hingga beberapa ratus amper. Digunakan pada
power supply, UPS, rectifier, dll.
c. Photodiode
Ketika sambungan semikonduktor terkena cahaya maka
foton akan membangkitkan pasangan hole-elektron.
Bila muatan berdifusi melewati sambungan, mereka akan
menghasilkan photo current, maka dari itu divais ini
berperan sebagai sumber arus yang kenaikannya berdasar
intensitas cahaya.
d. Zener Diode
Memiliki peranan besar sebagai
voltage regulator.
• Pada kondisi normal, transistor
akan mentransmisikan daya ke
beban.
• Output daya akan tergantung arus
base.
• Arus yang besar akan menjatuhkan
tegangan yang melewati dioda
zener.
• Sehingga saat itu zener akan
membatasi tegangan yang
menyuplai beban sesuai batas dari
jenis zener.
2. Fast-Recovery Diode

Karakteristiknya:
- Memiliki waktu recovery yang rendah, kurang dari
5μs.
- Digunakan untuk aplikasi dengan frekuensi tinggi.
- Biasa dimanufaktur dengan proses diffusi.
Biasa digunakan untuk dc-dc atau dc-ac converter.
 3. SCHOTTKY DIODE
Schottky diode memiliki sambungan metal dan
semikonduktor. Pada jenis ini terdapat penghalang
besar yang menahan aliran elektron dari metal ke
semikonduktor.
• Jika Schottky diode di forward-biased maka elektron
bebas pada sisi-n akan menghasilkan energi yang
cukup untuk mengalir ke metal dan menyebabkan arus
forward.
• Schottky diode dapat melakukan switch-off lebih cepat
dari dioda pn-junction biasa karena metal yang dialiri
elektron bebas tadi tidak memiliki hole sehingga tidak
ada penyimpanan muatan, maka recovery time juga
kecil.
Karakteristik Schottky Diode:
- Memiliki tegangan jatuh forward yang rendah
- Arus bocornya lebih tinggi dibanding dioda pn-
junction
- Sesuai untuk aplikasi dengan frekuensi tinggi
- Batas rating tegangannya 100V dan rating arusnya
1-300A
Schottky Diode juga dikenal sebagai hot carrier
diode.
EFFECT OF FORWARD AND
REVERSE RECOVERY TIME
Gambar Rangkaian
KURVA I0 VS t
PENJELASAN KURVA (a)

SAKLAR SWITCH ON
(pada saat t = 0) ARUS MENGALIR

DIODA D1 DALAM KONDISI FORWARD BIASED

(dianggap ON atau SHORT )

DIODA Dm DALAM KONDISI REVERSE BIASED

(anggap Dm OFF)
PENJELASAN KURVA (b)

SAKLAR SWITCH OFF

(pada saat t = t1) DIODE D1 OFF DIANGGAP OPEN

DIODE Dm DIANGGAP SHORT

ARUS BEBAN MEMUTAR MELALUI Dm

PENJELASAN KURVA (b)

SAKLAR SWITCH ON
(pada saat t = t2) ARUS MENGALIR

DIODA D1 DALAM KONDISI FORWARD BIASED

(dianggap ON atau SHORT )

DIODA Dm DALAM KONDISI SHORT

• Forward Recovery Time (trf)
yaitu waktu (dg t tertentu) yang dibutuhkan diode sampai turn on
sebelum seluruh junction menjadi konduktif
• di/dt harus dijaga rendah untuk mendapatkan limit waktu nyala / turn
on
Tingkat kenaikan arus yang melalui diode D1 harus sama
dengan tingkat jatuhnya arus melalui diode Dm, yang
ditunjukkan oleh persamaan :

di Vs

dt Ls

Jika trr adalah reverse recovery time of Dm , maka peak

reverse current of Dm sebesar :
di
I RR  2QRR
dt
di
I RR  t rr
dt
Vs
I RR  t rr
Ls
The peak current yang melewati induktor Ls yaitu

I P  I 0  I RR
VS
I P  I 0  t rr
LS
Pada saat arus induktor menjadi Ip, dioda Dm turn off dan
memutus aliran arus.
Karena beban induktif yang tinggi, arus tidak dapat berubah
dg cepat dari I0 menjadi Ip.
Kelebihan energi disimpan di dalam Ls. Energi tersebut akan
menginduksi sebuah tegangan balik yang bernilai tinggi
melalui Dm. Dan hal ini yang dapat menyebabkan diode Dm
menjadi rusak.
Berikut adalah rumus yang menunjukkan kelebihan energi
disimpan sebagai sebuah reverse recovery time (trr ), yaitu

1
2

WR  Ls I 0  I RR   I 0 
2 2

  Vs 
2

WR  Ls  I 0  t rr   I 0  
1 2

2  Ls  

Kelebihan energi juga dapat ditransfer dari induktor Ls ke
kapasitor Cs dengan cara menghubungkan dengan dioda Dm.
Rumus:
Dengan Vc adalah reverse voltage dioda yang diperbolehkan

1
WR  CSVC2

2
2WR
Cs  2
Vc
SERIES CONNECTED DIODES
SERI – REVERSE BIASED

• Gambar (b) menunjukkan karakteristik v-I untuk tipe dioda yang sama
namun berbeda toleransi dalam proses pembuatannya.
• Dalam kondisi forward bias kedua dioda beroperasi dengan nilai arus
yang sama dan voltage drop yang hampir sama.
• Dalam kondisi reverse bias, tiap dioda mempunyai arus bocor yang
sama
SERI – STEADY STATE

• Gambar (a) menunjukkan rangkaian yang digunakan untuk membuat

tegangan sharing yang sama besar dengan menghubungkan resistor
pada setiap dioda
• Karena tegangan sharing-nya sama maka arus bocor pada tiap dioda
akan berbeda
• Gambar (b) menunjukkan i-v pada rangkaian tersebut.
• Jika arus bocor harus dibagi dengan dioda dan
resistor

I s  I s1  I R1  I s 2  I R 2

VD1
I R1  VD1
R1 I R2 
R2
VD1 VD1
I s1   I s2 
R1 R2
VD1  VD 2  Vs
VD1 VD1
I s1   I s2 
R R
PARALEL CONNECTED
DIODES
 SNUBBER CIRCUIT
• Penting untuk dioda sebagai swicth.
• Mencegah terjadinya overvoltage spikes
yang terjadi saat proses reverse recovery.
 PARALEL CIRCUIT
Ketika Current Rating Dioda tersedia tidak
memenuhi kriteria > dioda dihubung paralel

Steady-state

Agar arus dapat

terbagi rata, maka
penting untuk memilih D1 D2
dioda dengan jenis Vs
yang sama, agar R1 R2
tegangan jatuh
forward biasnya sama.
PARALEL CIRCUIT
Dynamic Sharing

D1
D2
R1 R2 Vs
Referensi

• M. Rashid, “Power Electronics Circuits, Devices, and Applications”,

4th Edition, Prentice Hall, 2014
• R. Erickson, D. Maksimovic, “Fundamentals of Power Electronics”,
2nd Edition, Chapman and Hall, 1997
• PPT Mahasiswa group 4 Reguler 2014