PRINSIP-PRINSIP ELEKTRONIKA

(Albert Paul Malvino,2003)

Nama Mahasiswa : Dani Betran Hutasoit

Nim : 5203131023

Prodi : PTE-A

Dosen Pengampu : Drs. Marsangkap Silitonga, M.Pd.

JURUSAN PENDIDIKAN TEKNIK ELEKTRO

FAKULTAS TEKNIK
UNIVERSITAS NEGERI MEDAN
2020
1
 KATA PENGANTAR

Puji dan syukur penulis ucapkan kepada Tuhan Yang Maha Esa, karena atas berkat
dan Rahmat-Nya sehingga penulis dapat menyelesaikan tugas makalah mata kuliah ini yang
berjudul “CRITICAL BOOK REPORT”. Penulis berterima kasih kepada semua yang telah
membantu penulis dalam menyelesaikan tugas ini.

Penulis juga menyadari bahwa tugas ini masih banyak kekurangan oleh karena itu
penulis meminta maaf jika ada kesalahan dalam penulisan dan penulis juga mengharapkan
kritik dan saran yang membangun guna kesempurnaan tugas ini.

Akhir kata penulis mengucapkan terimakasih semoga dapat bermanfaat dan bisa
menambah pengetahuan bagi pembaca.

Oktober,2020

Penulis,

Dani Betran Hutasoit

5203131023

2
 DAFTAR ISI

KATA PENGANTAR.........................................................................................................2

DAFTAR ISI.......................................................................................................................3

BAB I PENDAHULUAN

A. Latar Belakang...............................................................................................................4

B. Tujuan............................................................................................................................4

C. Manfaat..........................................................................................................................4

D. Identitas Buku................................................................................................... ............. 4

BAB II ISI

Ringkasan BUKU..................................................................................................... 6

BAB III PEMBAHASAN

A. Keunggulan.............................................................................................................. 18
B. Kelemahan...............................................................................................................18

BAB IV PENUTUP

A. KESIMPULAN...............................................................................................................19

B. SARAN...........................................................................................................................19

LAMPIRAN……………………………………………………………………………… 20

3
 BAB I

PENDAHULUAN

A. LATAR BELAKANG
Thyristor adalah sebuah alat yang terdiri dari 4 lapisan semikonduktor yang
menggunakan umpan balik dalam (internal feedback) untuk mendapatkan perilaku
penahanan (latching). Thyristor umumnya digunakan sebagai switch. Penggunaan  utamanya
adalah pada pengendalian arus beban yang besar pada motor, pemanas, instalasi penerangan
dan sejenisnya.

Operasi kerja thyristor dapat dijelaskan dengan menggunakan model penahan ideal
seperti ditunjukkan pada gambar 4.1. Transistor Q1 adalah PNP dan transistor Q2 adalah
NPN. Kolektor dari transistor Q1 menjalankan basis transistor Q2 dan kolektor transistor
Q2 menjalankan basis transistor Q1.

Dengan susunan seperti ini akan diperoleh umpan balik positif yang dinamakan
sebagai regenerasi. Artinya apabila arus basis Q2 naik, maka arus kolektor Q2 juga naik.
Kenaikan arus kolektor Q2 ini mengakibatkan kenaikan pada arus basis Q1, sehingga arus
kolektor Q1 juga ikut naik, yang mengakibatkan arus basis Q2 akan semakin besar. Kenaikan
arus yang terus menerus ini akan terus berlangsung sampai kedua transistor menjadi jenuh.
Pada keadaan ini penahan akan berlaku sebagai switch yang tertutup.

B. TUJUAN
Mengkritisi topic yang terdapat didalam suatu buku yang berbeda untuk mengetahui
keunggulan dan kelemahan suatu buku.

C. MANFAAT
agar kita dapat memahami dan mengetahui kelemahan dan kelebihan buku yang kita
kritik.

D. Identitas Buku
 Buku pertama(buku utama)

4


Judul : Prinsip Prinsip Elektronika

Penulis : AlbertPaul Malvino
Penerbit : Salemba Teknika
Tahun terbit : 2003
 Buku kedua(buku pembanding)

Judul : Elekronika Daya

Penulis : Muhammad H. Rashid
Penerbit : Prenhallindo
Tahun terbit : 1999

5
 BAB II
ISI BUKU
1. BUKU UTAMA

 BAB I: DIODA 4 LAPIS

Dioda shockley adalah dioda dengan empat lapisan bahan semikonduktor, atau yang
sering disebut dioda PNPN. Perhatikan gambar ilustrasi dioda shockley dengan empat lapis
bahan semikonduktor berikut ini.

Untuk simbol skematik dan diagram skematik dari dioda shockley akan terlihat seperti ini.

Lalu sekarang coba kita lihat apa yang terjadi bila perangkat ini dihubungkan dengan sumber
tegangan yang variabel. Perhatikan gambar dibawah ini.

rangkaian dioda shockley dengan sumber tegangan

Saat tidak ada tegangan yang diterapkan tentu tidak ada arus yang mengalir. Dan saat
tegangan mulai meningkat, masih tetap saja tidak ada arus karena transistor belum
mampu untuk hidup/turn  on. Dalam kedua keadaan seperti ini perangkat dikatakan
berada dalam mode cutoff. Untuk memahami keadaan seperti ini, coba kita ingat – ingat
kembali apa yang diperlukan oleh transistor bipolar untuk aktif, yang diperlukannya
adalah arus basis (arus yang melalui sambungan basis dan emitor). Seperti yang kita lihat
pada diagram, arus basis transistor bawah dikontrol oleh transistor yang berada diatas,
sedangkan arus basis transistor atas dikontrol oleh transistor yang berada dibawah.
Dengan kata lain, transistor tidak akan bisa menyala atau aktif sampai ada salah satu
transistor yang menyala.
Jadi kita bisa memaksa dioda sockley untuk aktif/ON dengan menerapkan atau
memberikan tegangan yang cukup antara anoda dan katoda. Seperti yang kita ketahui
sebelumnya bahwa transistor akan breakdown dan menghidupkan transistor yang lainnya,
setelah itu kedua transistor mengunci (latching) dan saling menjaga untuk tetap aktif.

6
  BAB II: SCR (SILICON CONTROLLED RECTIFIER)

SCR adalah singkatan dari Silicon Controlled Rectifier yang merupakan salah satu jenis
dioda yang memiliki fungsi sebagai pengendali. Berbeda dari dioda pada umumnya yang
hanya memiliki dua kaki, yakni kaki anoda dan katoda, SCR ini memiliki tiga kaki.
Disamping anoda dan katoda, SCR memiliki sebuah kaki yang disebut terminal gate atau
gerbang.

Terminal tersebut berfungsi sebagai pengontrol. Perlu diketahui bahwa komponen SCR
ini masih masuk ke dalam keluarga komponen thyristor yang pertama kali diperkenalkan
pada tahun 1956. SCR memiliki kemampuan dapat mengendalikan daya maupun tegangan
yang cukup tinggi. Oleh sebab itu komponen ini biasa difungsikan sebagai sebuah switch
tegangan atau arus menengah ke atas.

Beberapa jenis rangkaian yang sering menggunakan komponen SCR diantaranya adalah
rangkaian logika, lampu dimmer, osilator, chopper, pengendali kecepatan motor, inverter,
timer, dan masih banyak lagi yang lainnya. SCR memiliki 4 lapis semikonduktor, yakni
Positif-Negatif-Positif-Negatif (PNPN). Cara kerja SCR tak berbeda dari dua buah bipolar
transistor yang disambung.

Fungsi SCR

 Sebagai pengendali atau sebagai saklar (switch).

Prinsip Kerja SCR

 kaki ketiga (gate) dari komponen SCR ini memerlukan tegangan positif sebagai
trigger atau pemicu.
 Saat SCR dalam keadaan ON, maka seterusnya akan dalam keadaan ON walaupun
tegangan pemicu dilepas. Dan untuk mengembalikannya ke posisi OFF, arus maju
pada anoda dan katoda harus diturunkan sampai berada di posisi Ih (Holding Current)
SCR.

 BAB III: DIAC

DIAC bukanlah termasuk keluarga thyristor, namun prisip kerjanya membuat ia

digolongkan sebagai thyristor. DIAC dibuat dengan struktur PNP mirip seperti transistor.
Lapisan N pada transistor dibuat sangat tipis sehingga elektron dengan mudah dapat
menyeberang menembus lapisan ini. Sedangkan pada DIAC, lapisan N di buat cukup tebal
sehingga elektron cukup sukar untuk menembusnya. Struktur DIAC yang demikian dapat

7
juga dipandang sebagai dua buah dioda PN dan NP, sehingga dalam beberapa literatur DIAC
digolongkan sebagai dioda.

Sukar dilewati oleh arus dua arah, DIAC memang dimaksudkan untuk tujuan ini.
Hanya dengan tegangan breakdown tertentu barulah DIAC dapat menghantarkan arus. Arus
yang dihantarkan tentu saja bisa bolak-balik dari anoda menuju katoda dan sebaliknya. Kurva
karakteristik DIAC sama seperti TRIAC, tetapi yang hanya perlu diketahui adalah berapa
tegangan breakdown-nya.

 BAB IV: PRINSIP OPRASI DASAR THYRISTOR

Meskipun ada berbagai jenis thyristor tetapi prinsip operasi dasar dari semua thyristor
kurang lebih sama. Gambar di bawah ini merupakan pandangan konseptual dari thyristor
khas. Ada tiga persimpangan p-n J 1, J 2 dan J 3. Ada juga tiga terminal anoda (A), katoda (K)
dan gerbang (G) sebagai diratakan pada gambar. Ketika anoda (A) adalah potensi yang lebih
tinggi sehubungan dengan katoda, persimpangan J1 dan J3 yang maju bias dan J2 adalah
sebaliknya bias dan thyristor dalam modus blocking depan. Sebuah thyristor dapat dianggap
sebagai kembali ke belakang terhubung dua transistor bipolar.
Struktur PNPN dari thyristor dapat diwakili oleh pnp dan npn transistor, seperti yang
ditunjukkan pada gambar. Di sini, di perangkat ini, kolektor saat ini dari satu transistor
digunakan sebagai dasar saat transistor lainnya. Bila perangkat berada dalam modus blocking
maju jika lubang saat disuntikkan melalui pintu gerbang (G) terminal, perangkat dipicu pada.

Ketika potensial diterapkan di arah sebaliknya, yang thyristor berperilaku sebagai bias
terbalik dioda. Itu berarti blok saat mengalir ke arah memuja. Mengingat saya CO menjadi
kebocoran arus dari masing-masing transistor dalam kondisi cut-off, arus anoda dapat
dinyatakan dalam hal gerbang saat.

Dimana α adalah dasar umum saat gain dari transistor (α = I C / I E). Anoda saat
menjadi sewenang-wenang besar sebagai (α 1 + α 2) pendekatan kesatuan. Sebagai anoda-katoda
tegangan meningkat, wilayah penipisan mengembang dan mengurangi lebar dasar netral dari
n 1 dan p 2 daerah. Hal ini menyebabkan peningkatan yang sesuai dalam α dari dua transistor.

8
 Jika gerbang arus positif dari besarnya cukup diterapkan thyristor, sejumlah besar
elektron akan disuntikkan di seluruh-bias maju junction, J 3, ke dasar n 1 p 2 n 2 transistor. Yang
dihasilkan kolektor saat memberikan dasar saat ke p 1 n 1 p 2 transistor.

Kombinasi dari koneksi umpan balik positif dari npn dan pnp BJTs dan faktor
transportasi arus basis-dependent akhirnya mengubah thyristor oleh tindakan regeneratif. Di
antara kekuatan semikonduktor perangkat diketahui, thyristor menunjukkan maju terendah
tegangan penurunan pada umumnya saat ini kepadatan. Besar saat aliran antara anoda dan
katoda mempertahankan kedua transistor di wilayah jenuh, dan kontrol gerbang hilang
setelah thyristor kait pada.

Operasi transien Thyristor

Sebuah thyristor tidak diaktifkan segera setelah pintu gerbang saat disuntikkan, ada
satu minimum waktu tunda diperlukan untuk tindakan regeneratif. Setelah waktu ini delay,
arus anoda mulai meningkat dengan cepat untuk di-negara nilai. Tingkat kenaikan anoda saat
ini hanya dapat dibatasi oleh eksternal saat elemen. Sinyal gerbang hanya dapat mengaktifkan
thyristor tetapi tidak dapat mematikan perangkat. Dimatikan secara alami ketika arus anoda
cenderung mengalir dalam arah sebaliknya selama siklus kebalikan dari arus bolak-balik.
Sebuah thyristor pameran turn-off karakteristik pemulihan terbalik seperti sebuah
dioda. Kelebihan muatan dihapus setelah saat salib nol dan mencapai nilai negatif pada
tingkat ditentukan oleh elemen sirkuit eksternal. Puncak pemulihan sebaliknya tercapai ketika
salah persimpangan J 1 atau J 3 menjadi reverse bias. Pemulihan terbalik saat mulai
membusuk, dan anoda-katoda tegangan cepat mencapai nilai off-negaranya.
Karena waktu yang terbatas diperlukan untuk menyebarkan atau mengumpulkan
biaya plasma selama turn-on atau turn-off panggung, dI maksimum / dt dan dV / dt yang
dapat dikenakan di perangkat terbatas besarnya. Selanjutnya, produsen perangkat
menentukan waktu pemulihan sirkuit-commutated, untuk thyristor, yang mewakili waktu
minimum untuk mana thyristor harus tetap dalam modus blocking terbalik sebelum maju
tegangan yang diterapkan kembali

 BAB V: KONSTRUKSI DASAR THYRISTOR

Sebuah wilayah resistif, n-base tinggi, menyajikan dalam setiap thyristor. Wilayah n-
dasar ini biasanya diolah dengan atom pengotor fosfor pada konsentrasi 10 13 ke 10 14 per
kubus sentimeter. Wilayah ini biasanya dibuat 10 sampai 100 mikrometer tebal untuk
mendukung besar tegangan.
Tegangan tinggi thyristor umumnya dibuat dengan menyebarkan aluminium atau
gallium ke kedua permukaan untuk membuat p-doped daerah membentuk persimpangan yang
mendalam dengan n-base. Profil doping dari p-daerah berkisar dari sekitar 10 15 ke 10 17 per

9
kubus sentimeter. Ini p-daerah bisa sampai puluhan mikrometer tebal. Katoda wilayah
(biasanya hanya beberapa mikrometer tebal) dibentuk dengan menggunakan atom fosfor
dengan kepadatan doping dari 10 17 ke 10 18 kubus sentimeter.

Untuk maju-blocking tinggi tegangan rating dari thyristor, wilayah n-dasar dibuat
lebih tebal. Tapi lebih tebal n - berdasarkan daerah tinggi-resistif melambat pada off
pengoperasian perangkat. Hal ini karena biaya lebih yang disimpan selama konduksi. Sebuah
perangkat dinilai untuk maju memblokir tegangan dari 1 kV akan beroperasi jauh lebih
lambat daripada thyristor dinilai untuk 100 V.
daerah tinggi-resistif tebal juga menyebabkan maju yang lebih besar tegangan
penurunan selama konduksi. Atom pengotor, seperti platina atau emas, atau iradiasi elektron
yang digunakan untuk membuat situs rekombinasi biaya-operator di thyristor. Banyaknya
situs rekombinasi mengurangi seumur hidup rata-rata pembawa (rata-rata waktu yang
elektron atau lubang bergerak melalui Si sebelum mengkombinasikan dengan jenis biaya-
carrier berlawanan). Seumur hidup pembawa berkurang lebih pendek kali beralih (khususnya
turn-off atau waktu pemulihan) dengan mengorbankan meningkatkan drop maju-konduksi.
Ada efek lain yang terkait dengan ketebalan relatif dan tata letak dari berbagai daerah
yang membentuk thyristor modern, tetapi perdagangan utama off antara maju-blocking
tegangan rating dan beralih kali dan antara maju-blocking tegangan rating dan penurunan
maju-tegangan selama konduksi harus diingat. (Dalam elektronik sinyal tingkat trade off
analog muncul sebagai penurunan amplifikasi (gain) untuk mencapai frekuensi operasi yang
lebih tinggi, dan sering disebut sebagai produk gain-bandwidth.)

10
 2. BUKU PEMBANDING
Thyristor adalah komponen elektronika yang berfungsi sebagai saklar (switch) atau
pengendali yang terbuat dari bahan semikonduktor. Thyristor yang secara ekslusif bertindak
sebagai saklar ini pada umumnya memiliki dua hingga empat kaki terminal. Meskipun
terbuat dari semikonduktor, Thyristor tidak digunakan sebagai Penguat sinyal seperti
Transistor. Istilah “Thyristor” berasal dari bahasa Yunani yang artinya adalah “Pintu”.

 BAB I: KARAKTERISTIK THYRISTOR

Thyristor merupakan devais semikonduktor 4 lapisan berstruktur pnpn dengan tiga
pn-junction.devais ini memiliki 3 terminal: anode,katode dan gerbang.Thyristor dibuat
melalui proses difusi.
Ketika tegangan anode dibuat lebih positif dibandingkan dengan katode,sambungan
J1 dan J3 berada pada kondisi forward bias.Sambungan J2 berada pada kondisi reverse
bias,dan akan mengalir arus bocor yang kecil antara anode ke katode.Pada kondisi ini
thyristor dikatakan pada kondisi forward blocking stau kondisi off-state,dan arus bocor
dikenal sebagai arus off-state ID.Jika tegangan anode ke katode VAK ditingkatkan hingga
suatu tegangan tertentu,sambungan J2 akan bocor.
Hal ini dikenal dengan avalanche breakdown dan tegangan VAK tersebut dikenal
sebagai forward breakdown voltage,VBO .Dan karena J1 dan J3 sudah berada pada kondisi
forward bias,maka akan terdapat lintasan pembawa muatan bebas melewati ketiga
sambungan,yang akan menghasilkan arus anode yang besar.Thyristor pada kondisi ini disebut
berada pada keadaan konduksi atau keadaan hidup.
Ketika pada kondisi on,thyristor akan bertindak seperti diode yang tidak dapat
dikontrol.Devais ini akan terus berada pada kondisi on karena tidak adanya lapisan deplesi
pada sambungan J 2 karena pembawa-pembawa muatan yang bergerak bebas.Akan tetapi,jika
arus maju anode berada dibawah suatu tingkatan yang disebut holding current I H,daerah
deplesi akan terbentuk di sekitar J 2 karena adanya pengurangan banyak pembawa muatan
bebas dan thyristor akan berada pada keadaan blocking.Holding current adalah arus anode
minimum untuk mempertahankan thyristor pada kondisi on.

11
 Ketika tegangan katode lebih positif dibanding dengan anode,sambungan J2 ter
forward bias,akan tetapi sambungan J1dan J3 akan ter-reverse bias.
Thyristor akan dapat dihidupkan dengan meningkatkan tegangan maju VAK diatas
VBO,akan tetapi kondisi ini bersifat merusak.Thyristor dapat dikategorikan sebagai latching
device.

 BAB II: Dua Transistor Model SCR

Dasar prinsip operasi SCR, dapat dengan mudah dipahami oleh model yang dua
transistor SCR atau analogi dari silikon dikontrol rectifier, seperti juga kombinasi dari P dan
N lapisan, yang ditunjukkan pada gambar di bawah ini.

diagram skematik thyristor

Ini adalah thyristor pnpn. Jika kita membagi dua melalui garis putus-putus maka kita akan
mendapatkan dua transistor yaitu satu transistor pnp dengan J 1 dan J 2 persimpangan dan
lain dengan J 2 dan J 3 persimpangan seperti yang ditunjukkan pada gambar di bawah.

diagram skematik dua model transistor

Ketika transistor berada dalam keadaan off, yang hubungan antara arus kolektor dan emitor
saat ditampilkan di bawah

Model dua transistor

sini, saya C adalah kolektor saat ini, saya E adalah emitor saat ini, saya CBO kebocoran arus
maju, α adalah dasar umum gain arus maju dan hubungan antara aku C dan saya B adalah

12
B adalah arus basis dan β adalah emitor umum gain arus maju. Mari kita untuk transistor T 1
hubungan ini memegang

Dan bahwa untuk transistor T 2

Sekarang, dengan analisis dari dua transistor model yang bisa kita dapatkan anoda saat ini,

Dari persamaan (i) dan (ii), kita dapatkan,

Jika gerbang diterapkan saat ini adalah g maka katoda saat ini akan menjadi penjumlahan dari
anoda saat ini dan gerbang yaitu saat

Dengan menggantikan valyue ini saya k di (iii) yang kita dapatkan,

Dari hubungan ini kita dapat menjamin bahwa dengan meningkatnya nilai dari (α 1 + α 2)
menuju kesatuan, sesuai anoda saat ini akan meningkat.
Pada tahap pertama ketika kita menerapkan gerbang saat aku g, ia bertindak sebagai dasar
saat T, 2 transistor yaitu b2 = I g dan emitor yaitu saat k = I g T, 2 transistor. Oleh karena itu
pembentukan arus emitor menimbulkan α 2 sebagai

Kehadiran arus basis akan menghasilkan arus kolektor sebagai

C2 hanyalah mendasarkan saat B1 transistor T, 1, yang akan menyebabkan aliran arus

kolektor,

C1 dan B1 memimpin untuk meningkatkan C1 karena seorang = I C1 + I B1 dan karenanya,

α 1 meningkat. Sekarang, arus basis baru T 2 adalah g + I C1 = (1 + β 1 β 2) g, yang akan
menyebabkan peningkatan arus emitor k = g + I C1 dan sebagai hasilnya α 2 juga meningkat
dan lanjut ini meningkat C2 = β 2 (1 + β 1 β 2) g.

13
Seperti yang saya b1 = I C2, α 1 lagi meningkat. Ini terus menerus positif efek umpan balik
meningkat (a 1 + α 2) terhadap persatuan dan anoda saat ini cenderung mengalir pada nilai
yang sangat besar. Nilai saat ini maka hanya dapat dikontrol oleh eksternal resistensi dari
sirkuit.

 BAB III: MEMBUAT THYRISTOR HIDUP

Suatu thyristor dihidupkan dengan meningkatan arus anoda. Hal ini dapat dicapai
dengan salah satu langkah berikut.
Ø Panas. Jika suhu thyristor cukup tinggi,akan terjadi peningkatan jumlahpasangan elektron-
hole,sehingga arus bocor meningkat. Peningkatan ini akan menyebabkan α 1 dan α 2
meningkat.karena aksi regeneratif akan menuju ke nilai satuan dan thyristor mungkin akan
on. Cara ini dapat menyebabkan thermal runaway dan biasanya dihindari.
Ø Cahaya. Jika cahaya diizinkan mengenai sambungan thyristor, pasangan elektron-hole akan
meningkat dan thyristor mungkin akan on.Cara ini dilakukan dengan membiarkan cahaya
mengenai silicon wafer dari thyristor.
Ø Tegangan Tinggi. Jika tegangan forward anode ke katode lebih besar dari tegangan maju
breakdown VBO, arus bocor yang dihasilkan cukup untuk membuat thyristor on. Cara ini
merusak dan harus dihindari.
Ø dv/dt. Jika kecepatan peningkatan tegangan anode-katode cukup tinggi,arus pengisian
sumber kapasitor mungkin cukup untuk membuat thyristor on.Nilai arus pengisian yang
tinggi dapat merusak thyristor,dan devais harus diproteksi melawan dv/dt yang tinggi.
Ø Arus gerbang. Jika suatu thyristor diberi tegangan bias forward, injeksi arus gerbang
dengan menerapkan tegangan gerbang positif antara terminal gerbangdan katode akan
membuat thyeistor on. Ketika arus gerbang ditingkatkan, tegangan forward blocking akan
menurun

Beberapa hal berikut harus diperhatikan ketika merancang rangkaian kendali

gerbang:
1. Sinyal gerbang harus dihilangkan setelah thyristor dihidupkan.Suatu sinyal penggerbangan
kontinyu akan meningkatkan daya yang terbuang di sambungan gerbang.
2. Ketika thyristor pada kondisi reverse bias,tidak boleh ada sinyal gerbang;jika ada sinyal
gerbang,thyristor akan rusak karena peningkatan arus bocor.
3. Lebar pulsa gerbang tG harus lebih lama dari waktu yang diperlukan untuk arus anode
meningkat ke nilai arus holding IH.Secara praktis,lebar pulsa tG biasanya diambil lebih dari
waktu turn-on ton dari thyristor.

14
  BAB IV: MEMBUAT THYRISTOR OFF
Thyristor yang berada dalam keadaan on dapat dimatikan dengan mengurangi arus
maju ke tingkat di bawah arus holding IH.Ada beberapa variasi teknik untuk membuat
thyristor off.Pada semua teknik komutasi,arus anode dipertahankan di bawah arus holding
cukup lama,sehingga semua kelebihan pembawa muatan pada keempat layer dapat
dikeluarkan.
Akibat dua sambungan pn,J1 dan J3,karakteristik turn-off akan miripdengan pada
diode,berkaitan dengan waktu pemulihan reverse trr dan aarus pemulihan reverse puncak
IRR.IRR dapat lebih besar daripada arus blocking baik nominal.IR .
Pada rangkaian konverter line-commutated yang tegangan masukannya bersifat bolak-
balik ,tegangan balik muncul pada thyristor seketika setelah arus maju menuju ke
nol.Tegangan balik ini akan mengakselarasi proses turn-off,dengan membuang semua
kelebihan muatan dari sambungan pn J1 dan J3.
Sambungan pn alam J2 akan memerlukan waktu yang dikenal sebagai recombination
time trc bergantung pada magnituda dari tegangan balik.Waktu turn-off tq adalah jumlah dari
reverse recovery time trr dan recombination time trc.Pada akhir masa turn-off ,lapisan deplesi
terbentuk sepanjang sambungan J2 dan thyristor memperoleh kembali kemampuan untuk
tahan terhadap tegangan forward.
Waktu turn-off tq merupakan interval waktu minimum ketika arus keadaan on
berkurang menjadi nol dan ketika thyristor dapat menahan tegangan forward tanpa menjadi
on.tq bergantung pada nilai puncak dari arus keadaan on dan tegangan keadaan on sesaat.
Reverse recovered charge QRR adalah besar muatan yang harus dicukupi lagi selama
proses turn-off.Nilainya ditentukan dari daerah yang dicakup oleh aliran arus pengisian
balik.Nilai QRR bergantung pada kecepatan turun arus keadaan on dan nilai puncak arus
keadaan on sebelum turn-off.QRR merupakan sebab dari kehilangan energi dalam devais.

 BAB V: Jenis-jenis Thyristor

 SCR (Silicon Controlled Rectifier)

SCR adalah jenis Thyristor yang memiliki tiga kaki terminal yang masing-masing terminal
dinamai dengan GATE, ANODA dan KATODA. Secara struktur, SCR terdiri dari 4 lapis
semikonduktor yaitu PNPN yang terminal pengendalinya terdapat pada lapisan P (Positif).
Cara Kerja SCR – Saat tidak dialiri arus listrik, SCR akan berada di keadaan OFF. Saat
terminal GATE-nya dialiri arus rendah, SCR akan menjadi ON dan menghantarkan arus
listrik dari ANODA ke KATODA. Meskipun arus listrik GATE-nya dihilangkan, SCR akan
tetap dalam keadaan ON hingga arus yang mengalir dari ANODA ke KATODA tersebut juga
dihilangkan atau 0V.

 SCS (Silicon Controlled Switch)

15
SCS merupakan jenis Thyristor yang memiliki 4 kaki terminal yaitu terminal GATE,
ANODE GATE, ANODE dan CATHODE. Sama seperti SCR, SCS atau Silicon Controlled
Switch juga berfungsi sebagai Saklar.
Cara Kerja SCS – Cara Kerja SCS hampir sama dengan SCR, namun SCS dapat di-OFF-
kan dengan cara memberikan tegangan tertentu pada kaki terminal Anode Gate (Gerbang
Anoda). Perangkat ini juga dapat dipicu dengan memberikan tegangan negatif ke Anode
Gate, arus listrik akan mengalir satu arah yaitu dari Anoda (A) ke Katoda (K).

 TRIAC (Triode from Alternating Current)

TRIAC adalah Thyristor yang berkaki terminal tiga yang masing-masing terminalnya
dinamai dengan GATE, MI1 dan MI2. Setelah dipicu (trigger) menjadi ON, TRIAC mampu
menghantarkan arus listrik dari kedua arah. Oleh karena itu, TRIAC sering disebut juga
dengan Bidirectional Triode Thyristor.
Cara Kerja TRIAC – Cara Kerja TRIAC juga hampir sama dengan SCR, namun TRIAC
dapat mengendalikan arus listrik dari dua arah baik dari arah MT1 ke MT2 ataupun dari MT2
ke MT1. Dengan demikian TRIAC dapat digunakan sebagai saklar yang mengendalikan arus
DC maupun arus AC. TRIAC akan berubah menjadi kondisi ON dan menghantarkan arus
listrik apabila terminal GATE-nya diberikan arus listrik, jika arus listriknya dihilangkan
makan TRIAC akan berubah menjadi OFF.

 DIAC (Diode Alternating Current)

DIAC adalah Thyristor yang hanya memiliki dua kaki terminal dan dapat menghantar arus
listrik dari kedua arah apabila tegangan melampaui batas tegangan breakovernya (tegangan
breakdown). DIAC sering disebut juga dengan Bidirectional Thyristor.
Cara Kerja DIAC – DIAC akan berada di kondisi OFF apabila tegangan yang diberikannya
masih dibawah tegangan breakover-nya. Ketika tegangan mencapai atau melampaui batas
breakover-nya, DIAC akan berubah menjadi kondisi ON dan menghantarkan arus listrik.
Setelah DIAC dipicu menjadi ON, DIAC akan terus menghantarkan arus listrik (dalam
kondisi ON) meskipun tegangan yang diberikan tersebut turun dibawah tegangan breakover.
DIAC hanya akan berhenti menhantarkan arus listrik atau berubah menjadi kondisi OFF
apabila tegangan yang diberikannya menjadi “0” atau dengan kata lain arus listriknya
diputuskan.

 BAB VI: Transistor unijunction

Uni Junction Transistor (UJT) atau dalam bahasa Indonesia sering disebut dengan
Transistor Sambungan Tunggal adalah Komponen Elektronika Aktif yang terbuat dari bahan
semikonduktor, UJT memiliki tiga terminal dan hanya memiliki satu sambungan.

16
 Pada umumnya UJT digunakan sebagai Saklar Elektronik dan penghasil Isyarat
Pulsa. Seperti namanya, Uni Junction Transistor atau UJT juga digolongkan sebagai salah
satu anggota dari keluarga Transistor, namun berbeda dengan Transistor Bipolar pada
umumnya, Uni Junction Transistor atau UJT ini tidak memiliki Terminal/Elektroda Kolektor.
UJT yang memiliki Tiga Terminal ini terdiri dari 1 Terminal Emitor (E) dan 2
Terminal Basis (B1 dan B2). Oleh karena itu, Transistor UJT ini sering disebut juga dengan
Dioda Berbasis Ganda (Double Base Diode).

Struktur Dasar Uni Junction Transistor (UJT)

Struktur dasar Uni Junction Transistor atau UJT dapat dilihat pada gambar dibawah
ini. Pada dasarnya UJT terdiri dari semikonduktor jenis Silikon yang bertipe N yang didoping
ringan dan sepotong Silikon bertipe P yang berukuran kecil dengan doping tinggi (berat) di
satu sisinya untuk menghasilkan sambungan tunggal P-N (P-N Junction).
Sambungan Tunggal inilah yang kemudian dijadikan terminologi UJT yaitu Uni
Junction Transistor. Di kedua ujung batang silikon yang bertipe N, terdapat dua kontak
Ohmik yang membentuk terminal B1 (Basis 1) dan (Basis 2). Daerah Semikonduktor yang
bertipe P menjadi Terminal Emitor (E) pada UJT tersebut.

Berikut ini adalah Bentuk dan Struktur dasar serta Simbol Uni Junction Transistor (Transistor
Sambungan Tunggal).

Cara Kerja Uni Junction Transistor (UJT)

Saat Tegangan diantara Emitor (E) dan Basis 1 (B1) adalah Nol, UJT tidak
menghantarkan arus listrik, Semikonduktor batang yang bertipe N akan berfungsi sebagai
penghambat (memiliki resistansi yang tinggi). Namun akan ada sedikit arus bocor yang
mengalir karena bias terbalik (reverse bias).
Pada saat tegangan di Emitor (E) dan Basis 1 (B1) dinaikan secara bertahap, resistansi
diantara Emitor dan Basis 1 akan berkurang dan arus terbalik (reverse current) juga akan
berkurang. Ketika Tegangan Emitor dinaikan hingga ke level bias maju, arus listrik di Emitor
akan mengalir. Hal ini dikarenakan Hole pada Semikonduktor yang di doping berat bertipe P
mulai memasuki daerah semikonduktor tipe N dan bergabung kembali dengan Elektron yang
di Batang Semikonduktor bertipe N (yang di doping ringan). Dengan demikian Uni Junction
Transistor atau UJT ini kemudian mulai menghantarkan arus listrik dari B2 ke B1.

17
 BAB III

PEMBAHASAN

A. KELEBIHAN
1. Buku utama
- Terdapat gambar yang bisa membantu kita untuk lebih memahami materi
- Materinya singkat dan jelas
- Dijelaskan mengenai diode 4 lapis, SCR, DIAC, Prinsip oprasi dasar thyristor, dan
konstruksi dasar thyristor

2. Buku pembanding
- Dijelaskan mengenai karekteristik thyristor, Dua Transistor Model SCR, membuat
thyristor hidup, membuat thyristor off, jenis jenis thyristor dan Transistor unijunction
- Terdapat rangakaian-rangkaian dan rumus-rumusnya
- Materinya lebih banyak

B. KEKURANGAN
1. Buku utama
- Materinya lebih sedikit dari materi yang ada di buku pembanding
- Ada beberapa kata yang sulit untuk dipahami

2. Buku pembanding

18
 - Tidak terdapat contoh soal
- Ada kata yang sulit dipahami

BAB IV

PENUTUP

A. Kesimpulan
1. Thyristor adalah komponen elektronika yang berfungsi sebagai saklar (switch) atau
pengendali yang terbuat dari bahan semikonduktor. Thyristor yang secara ekslusif
bertindak sebagai saklar ini pada umumnya memiliki dua hingga empat kaki terminal.
Meskipun terbuat dari semikonduktor, Thyristor tidak digunakan sebagai Penguat
sinyal seperti Transistor. Istilah “Thyristor” berasal dari bahasa Yunani yang artinya
adalah “Pintu”.

2. DIAC bukanlah termasuk keluarga thyristor, namun prisip kerjanya membuat ia

digolongkan sebagai thyristor. DIAC dibuat dengan struktur PNP mirip seperti
transistor. Lapisan N pada transistor dibuat sangat tipis sehingga elektron dengan
mudah dapat menyeberang menembus lapisan ini. Sedangkan pada DIAC, lapisan N
di buat cukup tebal sehingga elektron cukup sukar untuk menembusnya. Struktur
DIAC yang demikian dapat juga dipandang sebagai dua buah dioda PN dan NP,
sehingga dalam beberapa literatur DIAC digolongkan sebagai dioda.

3. Suatu thyristor dihidupkan dengan meningkatan arus anoda. Hal ini dapat dicapai
dengan salah satu langkah berikut: Panas, cahaya, tegangan tinggi, dv/dt, dan arus
gerbang

4. Jenis-jenis Thyristor yaitu: SCR (Silicon Controlled Rectifier), SCS (Silicon

Controlled Switch), TRIAC (Triode from Alternating Current), DIAC (Diode
Alternating Current)

5. Uni Junction Transistor (UJT) atau dalam bahasa Indonesia sering disebut dengan
Transistor Sambungan Tunggal adalah Komponen Elektronika Aktif yang terbuat dari
bahan semikonduktor, UJT memiliki tiga terminal dan hanya memiliki satu
sambungan. Pada umumnya UJT digunakan sebagai Saklar Elektronik dan penghasil
Isyarat Pulsa.

B . Saran

19
 Saran saya yaitu penulisan tentang buku ini pembahasanyan harus lebih luas lagi dan
agar dapat dimengerti ataupun dipahami bagi pembaca. Walaupun begitu kedua buku ini
sangat baik untuk dica karena kedua buku ini memiliki kelebihan dan kekurangan masing-
masing

20