MOSFET

MOSFET son las siglas de Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor.
Consiste en un transistor de efecto de campo basado en la estructura MOS.

Historia

Fue ideado teóricamente por el alemán Lilinfield en 1930, aunque debido a problemas de
carácter tecnológico y el desconocimiento acerca de cómo se comportan los electrones
sobre la superficie del semiconductor no se pudieron fabricar hasta décadas más tarde.

Estructura interna

Cross Section of an NMOS

Básicamente un MOSFET está formado por una placa de metal y un semiconductor, que
hace las veces de soporte físico, separados por una zona de óxido del semiconductor - por
ejemplo SiO2 - de unos 100 nm de espesor. En este sistema se disponen cuatro electrodos:

• Compuerta, gate en inglés, simbolizado con G; que se conecta a la plaquita

metálica.
• Fuente (Source) y drenador (Drain), ambos simétricos, que se internan en el sustrato
gracias a las zonas sobresaturadas (semimetal).
• Sustrato (Body), generalmente conectado eléctricamente con la fuente.
Distintos transistores MOSFET

Funcionamiento

Se basa en utilizar un sustrato tipo p (o n). En las regiones de surtidor y de fuente de

realizan difusiones para formar sendas islas tipo n (o p). Entre fuente y surtidor se
encuentra la estructura MOS que, polarizando la puerta adecuadamente, crea un canal tipo
n (o p) entre surtidor y drenador. Véase estructura MOS.

Según el tipo de sustrato, la función trabajo del metal de la puerta y las cargas en el óxido,
existen diversos tipos de transistor, como se ve en la figura. Estos son: (a)Transistor de
canal p de enriquecimiento (Normalmente OFF); (b)Transistor de canal n de
enriquecimiento (Normalmente OFF); (c)Transistor de canal p de empobrecimiento
(Normalmente ON); (d)Transistor de canal n de empobrecimiento (Normalmente ON); (e)A
veces, para señalar el surtidor, se pone la conexión de puerta desplazada hacia él;
(f)Transistor MOSFET de doble puerta. En los circuitos integrados es común utilizar
puertas de silicio policristalino.

Modelos matemáticos

• Para un MOSFET de canal inducido tipo n :

donde en la que b es el ancho del canal, μn la movilidad de los electrones, ε es
la permitividad eléctrica de la capa de óxido, L la longitud del canal y W el espesor de capa
de óxido.

Circuitos equivalentes

Este dispositivo, es equivalente a un interruptor, controlado por tensión. Vale la pena

recordar que su uso más común, es en modo de enriquecimiento

CMOS

Las compuertas de la familia CMOS se forman a partir de dos MOSFET complementarios:

un N-MOSFET y un P-MOSFET. Véase Tecnología CMOS

Aplicaciones

La principal aplicación de los MOSFET está en los circuitos integrados,p-mos,n-mos y c-

mos, debido a dos ventajas sobre los transistores bipolares:

• Funcionamiento por tensión.

• Un circuito realizado con MOSFET no necesita resistencias, con el ahorro de
superficie que conlleva.

Las aplicaciones de MOSFET discretos más comunes son:

• Resistencia controlada por tensión.

• Circuitos de conmutación de potencia (HEXFET, FREDFET, etc).
• Mezcladores de frecuencia, con MOSFET de doble puerta.