A B S T RACT
Manufacture of semiconductor material ofzinc oxide (ZnO) doped with copper (Cu) aims to
obtain a good p-type semiconductor material ZnO1-xCuxO. Materials zinc nitrate tetra hydrate and
copper nitrate trihydratearean initial material which are combined through a process of mixing
the powder in solution with varying content Cu of 0%, 2%, 4%, 6% and 8% mol. Next, the solution
is dried, calcined and compacted into pellet form. The pellet is sintered with temperature 1300oC.
Results of testing showed the characteristics of materials Zn1-xCuxO containing Cu and testing
operating temperature at 450oC generates biggest value for the thermal conductivity of 1.85 W /
mK. The amount of material doping affect the the thermal conductivity
Keywords: p–type semiconductor materials , thermal conductivity, Cu doped ZnO.
Selanjutnya, dalam penelitian ini akan diteliti semikonduktor yang digunakan dalam
proses pembuatan semikonduktor ZnO tipe-p termoelektrik harus mempunyai sifat
berbentuk pellet yang material pendopingnya konduktivitas listrik tinggi, konduktivitas termal
adalah Cu dengan proses manufakturnya rendah, dan koefisien seebeck yang tinggi
mechanical alloy-kalsinasi-annealing- (Fergus, J.W., 2012; Min, Z., JingFeng, L., et al.,
kompaksi-sintering. Hasilnya akan diuji dan 2007; Pengxian, L., et al., 2011).
dianalisa dengan menggunakan X-Ray Untuk mendapatkan material semikonduktor
Fluorescence(XRF), 4-point probe. yang mempunyai sifat konduktivitas listrik
tinggi, konduktivitas termal rendah, dan
TINJAUAN PUSTAKA koefisien seebeck tinggi secara bersamaan tidak
mudah (Pengxian, L., et al., 2011). Pada
Material semikonduktor menjadi komponen
umumnya material semikonduktor memiliki
yang penting dalam termoelektrik sebagai
konduktivitas listrik rendah karena memiliki
pengubah energi panas menjadi energi listrik.
hambatan (resistivity) yang tinggi yaitu di atas
Terdapat dua jenis material semikonduktor, yaitu
108.cm(Moezzi, A., et al., 2012). Material
tipe-p dan tipe-n. Material semikonduktor
semikonduktor dikatakan memiliki
disebut tipe-p jika memiliki pembawa muatan
konduktivitas termal tinggi jika nilainya di atas
yang bernilai positif sedangkan tipe-n jika
10 W/mK (Hilaal, A. and Seeram, R., 2012).
memiliki pembawa muatan yang bernilai negatif
Namun demikian telah ada beberapa usaha untuk
(Zeng, Y.J., et al., 2007). Hal ini berpengaruh
meningkatkan nilai ZT antara lain meningkatkan
pada nilai koefisien seebeck dari material
konduktivitas listrik yaitu dengan cara
semikonduktor tersebut yaitu untuk tipe-p
menurunkan hambatan listriknya melalui cara
bernilai positif dan tipe-n bernilai negatif.
memperkecil ukuran butirannya (Medlin, D.L.
Koefisien seebeck yang dihasilkan merupakan
and Snyder, G.J., 2009; Pengxian, L., et al., 2011;
besarnya perbedaan tegangan yang berbanding
Son, J.H., et al., 2013). Memperkecil ukuran
lurus terhadap perubahan temperatur (Chen, Z.-
butiran harus memperhatikan panjang dari mean
G., et al., 2012). Efek seebeck menggambarkan
free path phonon (mfpph) dan mean free path
induksi tegangan (V) pada sirkuit yang terdiri
electron (mfpe), hal ini untuk bisa menurunkan
dari dua material semikonduktor yaitu tipe-n dan
termal konduktivitas namun tetap menjaga
tipe-p, yang terhubung temperatur yang berbeda
ketinggian konduktivitas listriknya (Chen, Z.-G.,
pada kedua sisi berlawanan: V=(T1-T2) di mana
et al., 2012; Medlin, D.L. and Snyder, G.J., 2009;
adalah koefisien seebeck, (T1-T2) adalah Pengxian, L., et al., 2011; Pichanusakorn, P. and
gradien temperatur yang melintasi antara dua sisi Bandaru, P., 2010). Cara lain meningkatkan
berlawanan pada modul termoelektrik konduktivitas listrik yaitu dengan doping
(Dziurdzia, P., 2011). Performa termoelektrik material logam atau dibuat komposit yang
dapat diketahui dari figure-of-merit (ZT): berukuran nano (Chen, Z.-G., et al., 2012; Hilaal,
ZT=σ2T/K, di mana σ,, T, dan K adalah A. and Seeram, R., 2012).
konduktivitas elektrik, koefisien seebeck,
Ada beberapa proses manufaktur dalam
temperatur absolut, dan konduktivitas termal.
membuat material semikonduktor tipe-p dan
Selain memiliki pembawa muatan, material
tipe-n yang digunakan dalam termoelektrik
semikonduktor juga mempunyai penyebaran
antara lain dengan metode pulse laser deposition
phonon yang mempengaruhi konduktivitas
(PLD), molecular-beam epitaxy (MBE),
termal (Chen, Z.-G., et al., 2012; Pengxian, L., et
chemical vapor deposition (CVD), metal–
al., 2011). Untuk hal tersebut, material
organic chemical vapor deposition (MOCVD),
magnetron sputtering, sol–gel, ultrasonic spray tekan hidrolik dengan tekanan sebesar 30 bar
pyrolysis, ion implantation, hydrothermal ditahan selama 5 menit.
method, dan hybrid beam deposition (HBD)(Fan, Selanjutnya material disintering pada suhu
J.C., et al., 2013). Semua proses manufaktur 1400oC selama 2 jam. Selesai di sintering, pelet
tersebut menghasilkan material semikonduktor tersebut dibentuk menjadi ukuran 10 x 10 x 3
ZnO tipe-p dalam bentuk thin film. mm.
Untuk serbuk hasil sintering pada suhu 840°C
METODE PENELITIAN dilakukan pengujian untuk mengetahui
Semikonduktor ZnO tipe-p dibuat dengan kandungan oksida yang terkandung di dalamnya
menggunakan bahan Zn(NO3)2.4H2O (99.9%) dengan menggunakan X-ray Fluorence (XRF).
dari Merck, serbuk Cu (NO3)2.3H2O (99.9%) dari Kemudian setelah serbuk ditekan dan
Merck dan citric acid [C6H8O7] (99.5%) dari P.T. menjadi pelet, untuk mengetahui kandungan
Budi Acid Jaya. Larutan ZnxCu1-xO disiapkan oksida yang terkandung di dalamnya dengan
yang mana kandungan Cu sebanyak 2%, 4%, menggunakan X-ray Fluorence (XRF). Selain
6%, 8%. Larutan tersebut didapat dengan pengujian tersebut akan dilakukan pengujian
mencampur serbuk Zn (NO3)2.4H2O (99.9%) nilai konduktivitas termal. Nilai konduktivitas
dari Merck dan serbuk Cu (NO3)2.3H2O (99.9%). termalnya diuji dengan menggunakan sistem
Campuran tersebut dicampur lagi dengan differential scanning calorimetry (DSC).
aquades/air suling dengan perbandingan 1:5wt%.
Proses homogenisasi larutan yang didoping HASIL DAN PEMBAHASAN
dilakukan dengan cara pengadukan selama 4 jam
Material semikonduktor ZnO tipe-p telah
dengan menjaga suhu larutan ketika diaduk
dibuat dengan doping Cu 2%mol, 4%mol,
konstan sebesar 70°C dengan menggunakan
6%mol, dan 8%mol, pada suhu 1300oC selama
mesin magnetic stirrer Nesco MS-H280-Pro.
2 jam. Semua material semikonduktor tersebut
Larutan yang sudah jadi dicampur lagi dengan
diuji komposisi material, konduktivitas termal.
citric acid [C6H8O7] (99.5%) dari P.T. Budi Acid
Jaya dengan perbandingan 4:1 selama 4jam Tabel 1. Hasil uji XRF
dengan suhu sebesar 70oC. Selanjutnya
No. Doping Cu (%mol) CuO ZnO
didiamkan hingga void dan busa menghilang
pada suhu ruang selama 24 jam. 1 0 0 99,36
Selanjutnya larutan tersebut dikeringkan 2 2 2,39 97,61
dengan cara memanaskannya pada suhu
130°Cselama 2 jam untuk mendapatkan xerogel 3 4 4,38 95,62
yang benar-benar kering dengan menggunakan 4 6 6,37 93,63
furnace merk XD-1700M. Setelah itu, material
yang sudah menjadi padatan dihancurkan dengan 5 8 8,22 91,78
agate mortar hingga menjadi serbuk secara
Hasil Uji Konduktivitas Termal
manual. Serbuk tersebut kemudian dikalsinasi
pada suhu 400°C selama 1 jam dan diteruskan Semua material semikonduktor ZnO yang
dengan sintering pada suhu 840°C selama 2 jam. didoping Cu dengan kadar 0%, 2%, 4%, 6% dan
Serbuk tersebut selanjutnya di tekan menjadi 8% at telah diukur konduktivitas termalnya dan
pelet ukuran 13x3 mm menggunakan mesin disajikan pada Gambar1. Temperatur operasi
yang digunakan adalah 400°C dan 450°C.
Cu yang didapat dari serbuk Cu (NO3)2.3H2O Kun, R., Populoh, S., Karvonen, L., Gumbert, J.,
(99.9%, Merck). Tahapan proses utama dari Weidenkaff, A., and Busse, M., 2013, Structural
manufaktur ZnxCu1-xO adalah pencampuran and Thermoelectric Characterization of Ba
larutan, pre-heating (130°C), grinding pertama, Substituted Lacoo3 Perovskite-Type Materials
Obtained by Polymerized Gel Combustion
sintering pertama (temperature < 800°C),
Method, Journal of Alloys and Compounds, Vol.
grinding kedua, compaction (30 bar), dan 579 pp. 147-155.
sintering kedua (1300°C).
Li, C., Lv, J., and Liang, Z., 2012, Effects of Al Doping
Nilai tertinggi konduktivitas termal terdapat on the Optical and Electrical Properties of Pre-
pada material semikonduktor ZnO tipe-p yang Synthesized Zno Powders by Solid State Method,
didoping material Cu 8% 1,85W/mK. Journal Material Science, Vol. 23 (-), pp. 1673-
1677.
Li, D., JunHu, Wu, R., and Lu, J.G., 2012,
DAFTAR PUSTAKA Conductometric Chemical Sensor Based on
Chen, Z.-G., Han, G., Yang, L., Cheng, L., and Zou, Individual Cuo Nanowires, Nanotechnology,
J., 2012, Nanostructured Thermoelectric Vol. 21 pp. 1 - 7.
Materials: Current Research and Future Liu, C., and Morelli, D.T., 2011, Thermoelectric
Challenge, Chinese Materials Research Society, Properties of Hot-Pressed and Pecs-Sintered
Vol. 22 pp. 535-549. Magnesium-Doped Copper Aluminum Oxide,
Chena, Z.-G., GuangHan, LeiYang, LinaCheng, and Journal of Electronic Materials, Vol. 40 (5), pp.
JinZoua, 2012, Nanostructured Thermoelectric 678-681.
Materials: Current Research and Future Madrea, M.A., Costa, F.M., Ferreira, N.M., Sotelo, A.,
Challenge, Progress in Natural Science: Torres, M.A., Constantinescu, et al., 2013,
Materials International, Vol. 6 pp. 535-549. Preparation of High-Performance
Choi, S.-M., Lee, K.-H., Lim, C.-H., and Seo, W.-S., Ca3co4o9thermoelectric Ceramics Produced
2011, Oxide-Based Thermoelectric Power by a New Two-Step Method, Journal of the
Generation Module Using P-Type Ca3co4o9 European Ceramic Society, Vol. 33 pp. 1747-
and N-Type (Zno)7in2o3legs, Energy 1754.
Conversion and Management, Vol. 52 pp. 335- Medlin, D.L., and Snyder, G.J., 2009, Interfaces in
339. Bulk Thermoelectric Materials a Review for
Dziurdzia, P., 2011, Sustainable Energy Harvesting Current Opinion in Colloid and Interface
Technologies - Past, Present and Future, Science, Current Opinion in Colloid & Interface
InTech, University Campus STeP Ri. Croatia. . Science, Vol. 14 pp. 226-235.
Fergus, J.W., 2012, Oxide Materials for High Min, Z., Feng, L.J., and Heng, W., 2007, Fabrication
Temperature Thermoelectric Energy and Property of High-Performance Ag-Pb-Sb-
Conversion, Journal of the European Ceramic Te System Semiconducting Thermoelectric
Society, Vol. 32 pp. 525–540. Materials, Chinese Science Bulletin, Vol. 52 (-),
Goldsmid, H.J., 2010, Introduction to pp. 990-996.
Thermoelectricity, Springer, New York. Moezzi, A., M., A., McDonagh, B., M., and Cortie,
Hilaal, A., and Seeram, R., 2012, A Review on the 2012, Zinc Oxide Particles: Synthesis,
Enhancement of Figure of Merit from Bulk to Properties and Application, Chemical
Nano-Thermoelectric Materials, Nano energy, Engineering, Vol. 185-186 pp. 1-22.
Vol. pp. 1-23. Pengxian, L., Chunhua, W., Guojin, Y., Wenjun, Z.,
Janotti, A., and Walle, C.G.V.d., 2009b, and Xing, H., 2011, Thermoelectric Properties
Fundamentals of Zinc Oxide as a of Lafe3cosb12skutterudite Materials with
Semiconductor, REPORTS ONPROGRESS Different Nanostructures, JOURNAL OF
INPHYSICS, Vol. 72. RARE EARTHS, Vol. 29 pp. 954.