RENCANA PEMBELAJARAN SEMESTER

Program Studi: Teknik Elektro Fakultas: Teknik

Mata Kuliah: Teknologi Rangkaian Terintegrasi Kode: SKS: 3 Sem: 6

Prasyarat Dasar Elektronika

Dosen Pengampu:

Capaian Pembelajaran Mampu menerapkan (C3) langkah-langkah proses teknologi proses fabrikasi divais semikonduktor & rangkaian
terintegrasi (IC), khususnya teknologi MOSFET dengan mengasumsikan (A3) kondisi ideal serta
Mata Kuliah: mengkombinasikan (P4) program perangkat lunak dengan menggunakan komputer minimal dapat dieksekusi

Deskripsi singkat Mata Kuliah:
1 2
Teknologi Rangkaian Terintegrasi adalah mata kuliah wajib untuk konsentrasi Elektronika. Mata kuliah ini
membekali mahasiswa tentang konsep dasar teknologi pemrosesan IC. Kemudian mahasiswa dikenalkan tentang
rincian teknik lithografi, manipulasi konsentrasi doping substrat, deposisi dan interkoneksi beserta instrumen
terkait. Untuk mengintegrasikan pemahaman yang diperoleh, mahasiswa diajari mensimulasikan teknik fabrikasi
untuk devais mikroelektronika dasar.
3 4 5 6 7

Pengalaman Penilaian
Minggu Kemampuan Akhir tiap Bahan Kajian/ Metode
Waktu Belajar Kriteria &
ke tahapan pembelajaran Pokok Bahasan Pembelajaran Bobot (%)
Mahasiswa Indikator

1 Mengetahui sejarah Perkembangan - Ceramah TM: 3 x 50” Diskusi kelompok • Ketepatan 5%

penemuan transistor semikonduktor BT + BM = menguraikan menyebutkan
semikonduktor dan dan teknologi IC - Small Group [(3 x 50”) + milestone kejadian penting
karakteristik silikon Discussion (3 x 60”)] perkembangan IC dalam
dan processor perkembangan IC
• Keaktifan
mahasiswa dalam
 diskusi

Menggunakan (C3) Hukum Moore - Ceramah TM: 3 x 50” Diskusi kelompok • Ketepatan 5%
hukum Moore untuk - Small Group BT + BM = memprediksi prediksi jumlah
prediksi teknologi IC Discussion [(3 x 50”) + trend berdasar transistor dalam
2 (3 x 60”)] hukum Moore chip
• Keaktifan
mahasiswa dalam
diskusi
Memahami teknologi Teknologi planar - Ceramah TM: 3 x 50” Diskusi kelompok • Ketepatan 5%
planar terkait dengan dalam tahapan - Small Group BT + BM = memahami menggambarkan
fabrikasi transistor pemrosesan IC Discussion [(3 x 50”) + langkah-langkah tahap teknologi
MOSFET secara umum (3 x 60”)] proses fabrikasi planar dalam
3
dan singkat. fabrikasi
• Keaktifan
mahasiswa dalam
diskusi
Memahami teknik Metode - Ceramah TM: 3 x 50” Diskusi kelompok • Ketepatan 5%
penumbuhan kristal penumbuhan - Small Group BT + BM = menonton video menjelaskan
silikon sehingga wafer silicon Discussion [(3 x 50”) + dan menguraikan teknik
menghasilkan wafer (3 x 60”)] perbedaan CZ dan pembuatan
4
silikon yang berkualitas. FZ wafer
• Keaktifan
mahasiswa dalam
diskusi
Menjelaskan teknik Photolithografi - Ceramah TM: 3 x 50” Diskusi kelompok • Ketepatan 5%
pemindahan pola - Small Group BT + BM = menonton video membedakan
kepada lapisan di Discussion [(3 x 50”) + dan menguraikan teknik lithografi
5
permukaan substrat (3 x 60”)] langkah lithografi untuk resist yang
semikonduktor. dengan resist + / - berlainan
• Keaktifan
 mahasiswa dalam
diskusi
Memahami teori, proses Oksidasi silicon - Ceramah TM: 3 x 50” Diskusi kelompok • Ketepatan 5%
fabrikasi dan - Small Group BT + BM = memperkirakan menghitung
karakterisasi dari lapisan Discussion [(3 x 50”) + ketebalan lapisn ketebalan lapisan
6 silikon dioksida (3 x 60”)] oksida dengan oksida
berkualitas baik proses termal • Keaktifan
mahasiswa dalam
diskusi
Memahami teori, proses Difusi pada wafer - Ceramah TM: 3 x 50” Diskusi kelompok • Ketepatan 5%
fabrikasi dan silicon - Small Group BT + BM = melakukan perhitungan
karakterisasi dari lapisan Discussion [(3 x 50”) + estimasi kedalaman
7 difusi tipe-N & tipe-P. (3 x 60”)] kedalaman junction
junction • Keaktifan
mahasiswa dalam
diskusi
8 UTS 100” 15%
Mempelajari dan Pengantar - Ceramah TM: 3 x 50” Diskusi kelompok • Ketepatan 5%
berlatih memodelkan simulasi fabrikasi - Small Group BT + BM = mengoperasikan pengoperasian
suatu proses fabrikasi menggunakan Discussion [(3 x 50”) + software untuk simulator untuk
9 dengan simulator SUPREM-III - Discovery (3 x 60”)] simulasi proses ketebalan lapisan
SUPREM-III. fabrikasi • Keaktifan
mahasiswa dalam
diskusi
Memahami teori, proses Implantasi ion - Ceramah TM: 3 x 50” Diskusi kelompok • Ketepatan 5%
fabrikasi dan - Small Group BT + BM = membandingkan membedakan
karakterisasi dari lapisan Discussion [(3 x 50”) + teknik junction profil junction
10 tipe-N dan tipe-P yang (3 x 60”)] antara difusi dan implant dan
dibentuk dari teknik implantasi difusi termal
implantasi ion. • Keaktifan
mahasiswa dalam
 diskusi
Mengenal teknik Deposisi lapisan - Ceramah TM: 3 x 50” Diskusi kelompok • Ketepatan 5%
deposisi lapisan tipis tipis - Small Group BT + BM = membandingkan membedakan
secara epitaksi, CVD dan menggunakan Discussion [(3 x 50”) + keunggulan teknik teknik deposisi
PVD. Memahami CVD dan PVD (3 x 60”)] deposisi lapisan lapisan tipis
11
kualitas lapisan tipis dan tipis • Keaktifan
proses fabrikasi isolator, mahasiswa dalam
polysilicon gate dan diskusi
lapisan metal pada IC.
Memahami pentingnya Kontak dan - Ceramah TM: 3 x 50” Diskusi kelompok • Ketepatan 5%
peran kontak dan interkoneksi - Small Group BT + BM = mencari bahan menjelaskan
interkoneksi agar divais pada IC Discussion [(3 x 50”) + terbaik untuk kinerja bahan
12 yang difabrikasi menjadi (3 x 60”)] interkoneksi interkoneksi
rangkaian terintegrasi • Keaktifan
(IC). mahasiswa dalam
diskusi
Mempelajari teknik Packaging dan - Ceramah TM: 3 x 50” Diskusi kelompok • Ketepatan 5%
pengemasan IC agar siap Yield - Small Group BT + BM = mencari bentuk prediksi yield
digunakan untuk Discussion [(3 x 50”) + packaging yang pada urutan
13 berbagai aplikasi. (3 x 60”)] popular untuk IC fabrikasi
• Keaktifan
mahasiswa dalam
diskusi
Menerapkan integrasi Integrasi proses - Ceramah TM: 3 x 50” Diskusi kelompok • Ketepatan 5%
proses pada teknologi - Small Group BT + BM = mengurai langkah merancang
bipolar, MOSFET, Discussion [(3 x 50”) + fabrikasi BJT, masker dan
14 MESFET, dan MEMS - Problem based (3 x 60”)] MOSFET, urutan proses
learning MESFET/MEMS • Keaktifan
mahasiswa dalam
diskusi
15 Mensimulasikan Simulasi devais - Ceramah TM: 3 x 50” Diskusi kelompok • Ketepatan 5%
 langkah-langkah diode dan - Small Group BT + BM = simulasi langkah struktur hasil
tahapan proses devais MOSFET Discussion [(3 x 50”) + fabrikasi secara simulasi
standar - Problem based (3 x 60”)] menyeluruh • Keaktifan
learning mahasiswa dalam
diskusi
16 UAS 100” 15%
8. Daftar Referensi: 1. Richard C. Jaeger: Introduction to Microelectronic Fabrication, Prentice-Hall, 2002
2. G.S. May & S.M. Sze: Fundamentals of Semiconductor Fabrication, John Wiley & Son, 2004. ISBN. 9812-
53-072-X.
3. Michael Quirk, Julian Serda (2000), Semiconductor Manufacturing Technology, Prentice Hall
4. S.A. Campbell: The Science and Engineering of Microelectronic Fabrication, Oxford University Press, 1996.
ISBN. 0-19-510508-7