CENTRO DE CIÊNCIAS EXATAS E TÉCNOLÓGICAS

ENGENHARIA DA COMPUTAÇÃO

RAFAEL VINICIUS JOSÉ BRUNELLO

MEMÓRIAS RAM, ROM E FLASH:

Definição e características

Londrina
2010
RAFAEL VINICIUS JOSÉ BRUNELLO

MEMÓRIAS RAM E ROM:

Definição e características

Trabalho apresentado à Universidade Norte do Paraná -

UNOPAR, como requisito parcial para a obtenção de
média bimestral na disciplina de eletrônica digital II.

Professora: Maria Carolina Romero Figueroa

Londrina
2010
 SUMÁRIO

1 INTRODUÇÃO...........................................................................................................3
2 memórias....................................................................................................................4
3 CONCLUSÃO...........................................................................................................18
REFERÊNCIAS..........................................................................................................19
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1 INTRODUÇÃO

O presente trabalho tem como objetivo caracterizar as memórias

ROM (read-only memory) e RAM (random-access memory) descrevendo seus
principais tipos bem como aspectos significativos desses dispositivos tais como:
frequência, latência, encapsulamento, tecnologia, entre outros. Considerando que
para possibilitar a execução das tarefas o processador busca na memória todas as
informações necessárias ao processamento, torna-se relevante compreender esse
aspecto dos computadores por serem as memórias as responsáveis pelo
armazenamento de dados e instruções em forma de sinais digitais. Incluimos ainda
neste estudo a memória FLASH e tendência dos SSDs (Solid State Disks) visto que
esses são possivelmente a maior revolução dentro do ramo dos hds desde o ibm
350, pois eles utilizam um princípio de armazenamento completamente diferente,
com os discos magnéticos dando lugar aos chips de memória flash. Para realização
desse estudo, caracterizado como uma pesquisa bibliográfica buscamos subsídios
em artigos publicados em diversos sites, como também em outros trabalhos que
possibilitaram alcançar os objetivos apresentados. Compreendemos que esse é um
conteúdo essencial do curso e por isso, a revisão da literatura sobre a temática,
oportunizou o aprofundamento do conteúdo contribuindo para a nossa formação
pessoal e profissional.
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2 MEMÓRIAS

A memória é um componente básico do computador e diferencia-se

basicamente entre ROM e RAM, seu intuito é armazenar dados para que o
processador possa utilizá-los.

2.1 MEMÓRIA ROM

As memórias ROM (Read-Only Memory - Memória Somente de

Leitura) atualmente são informalmente indicadas como uma gama de tipos de
memória que são usadas para a leitura na operação principal de dispositivos. Os
dados são gravados apenas uma vez. As informações não podem ser apagadas ou
alteradas, exceto utilizando mecanismos especiais. Sua outra característica é que
são do tipo não voláteis (dados gravados não serão perdidos na falta de energia
elétrica). Dentre os tipos de memórias ROM, temos:

2.1.1 PROM (Programmable Read-Only Memory)

A gravação de dados é feita por meio de aparelhos que trabalham

através de uma reação física com elementos elétricos. Porém estes dados, uma vez
escritos não podem sofrer alteração ou serem apagados.

2.1.2 EPROM (Erasable Programmable Read-Only Memory)

Os dados são gravados através de um dispositivo que emite luz

ultravioleta. Há o destaque para sua capacidade de regravação, porém os dados
registrados devem ser apagados por completo, pelo uso de radiação ultravioleta,
para após ocorrer o processo de gravação

2.1.3 EEPROM (Electrically-Erasable Programmable Read-Only Memory)

Com a mesma característica da memória EPROM quanto a

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regravação de dados, este tipo de memória se destaca pelo processo ser feito com
eletricidade.

2.1.4 EAROM (Electrically-Alterable Programmable Read-Only Memory)

Utilizado para quando há necessidade de regravação de parte de

dados (reescrita parcial).

2.1.5 CD-ROM, DVD-ROM

De forma mais ampla, essas memórias terciárias são uma categoria

de discos ópticos onde são gravados apenas uma vez dados, tanto comercialmente
(CDs de músicas), como pessoalmente (usuário grava dados pessoais). De certa
forma imprópria, há também uma categoria que pode ser comparada ao tipo
EEPROM, pois permite a regravação de dados, no caso de CD-RW e DVD-RW.

2.1.6 FLASH

Memória do tipo EEPROM (será estudado), desenvolvida pela

Toshiba, cujos chips são semelhantes ao da memória RAM, pelo método em que
múltiplos endereços sejam apagados ou escritos numa só operação e é re-
escrevível. O detalhe é que ela consegue preservar os dados mesmo sem energia
elétrica, o que a torna um tipo de memória não volátil. Esta memória oferece um
tempo de acesso rápido e melhor resistência do que discos rígidos.

2.2 MEMÓRIA RAM

As memórias RAM (Random-Access Memory - Memória de Acesso

Aleatório) são consideradas uma das principais partes de um computador,
armazenando dados que o processador está utilizando. Possuem uma escrita de
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dados extremamente rápida comparada as memórias ROM, porém sua

característica volátil impede que as informações armazenadas se mantenham
quando o computador é desligado (quando não há mais energia elétrica).
A memória RAM é dividida em três tipos, sendo que dois são muito
utilizados (SRAM/DRAM) e a terceira a ser citado é mais recente(MRAM).

2.2.1 TIPOS

2.2.1.1 SRAM (Static Random-Access Memory - RAM Estática)

Geralmente utilizada como cache, esta memória é muito rápida e

armazena poucos dados. Seu preço elevado e a dificuldade de diminuir seu
tamanho físico a tornam cara no quesito custo por megabyte.

2.2.1.2 DRAM (Dynamic Random-Access Memory - RAM Dinâmica)

Utilizada como memória principal do computador, se destaca na

capacidade alta de armazenamento de dados, porém com uma velocidade inferior
comparada a memória SRAM (estática). Seu custo por megabyte é bem menor
também comparado a memória estática, o que populariza e a torna a memória
principal.

2.2.1.3 MRAM (Magnetoresistive Random-Access Memory -RAM Magneto-resistiva)

Com resultados recentes de pesquisas que já vem sendo feitas a um

bom tempo, nos últimos anos foram feitas as primeiras unidades, que apresentam
algumas características semelhantes as memórias DRAM, porém com células
magnéticas. São mais rápidas e armazenam dados por um longo tempo, até mesmo
quando não há energia. Há também uma capacidade pequena para armazenamento
de dados e um consumo bem menor da quantidade de energia utilizada. O que
inviabiliza o uso em larga escala fica por conta da capacidade de armazenamento e
o custo elevado para fabricação.
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Serão apresentadas as características das duas memórias que

existem comercialmente hoje, a DRAM e a SRAM.
A memória DRAM (principal) é formada por chips com uma
quantidade elevadíssima de capacitores e transistores, respectivamente com a
função de armazenar corrente elétrica por certo tempo, e controle da passagem
desta corrente. Estes dois dispositivos formam a célula de memória.
A memória SRAM utiliza seis transistores (ou 4 transistores e 2
resistores) para formar a célula de memória. Esta condição faz com que o refresh de
armazenamento de dados na memória, feito na DRAM, não ocorra e torna a SRAM
mais rápida e com menor consumo de energia.
Um circuito importante no controle de operações da memória é o
controlador de memória, capaz de organizar todas as operações de gravação,
leitura, eliminação e acesso aos dados. A célula de uma memória é organizada em
forma e matriz, com linhas e colunas, facilitando assim para o controlador de
memória o acesso, obtendo o valor de coluna (RAS) e o valor de linha (CAS).
A memória RAM tem como características principais de dispositivo,
temporização e latência, freqüência, encapsulamento, módulo e tecnologia. Vamos
detalhar melhor sobre estas características abaixo.

2.2.2 TEMPORIZAÇÃO E LATÊNCIA DAS MEMÓRIAS

O tempo que o controlador de memória gasta com a leitura e escrita

é definido pelos parâmetros de temporização e latência. Quanto menor, mais rápido
se torna estas operações. Os parâmetros são descritos conforme a sintaxe: tCL-
tRCD-tRP-tRAS-CR. Em valores pode-se escrever da seguinte forma: 5-5-5-15-21T.
Para entender melhor cada parâmetro será descrito abaixo:
• tCL (CAS Latency): é o intervalo entre a requisição de um
dado pelo processador e a entrega deste pela memória. Este
intervalo é indicado em ciclos de clock.

• tRCD (RAS to CAS Delay): esse parâmetro indica o tempo

(também em clock) que há entre a ativação da linha e da
coluna de um determinado dado.
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• tRP (RAS Precharge): indica o intervalo em clocks do tempo

gasto para desativar o acesso a uma linha e ativar o acesso a
outra linha.

• tRAS (Active to Precharge Delay): o parâmetro que indica o

intervalo em clocks, necessário entre um comando de ativar
linha e a próxima ação do mesmo tipo.

• CR (Command Rate): intervalo que há entre a ativação do

sinal CS e qualquer outro comando. Em geral esse valor é de
1 ou 2 ciclos de clock acompanhado da letra T.

Cpu-Z exibindo dados da memória

2.2.3 ENCAPSULAMENTO

Encapsulamento nada mais é do que o artefato que dá forma física

aos chips de memória, conforme segue as descrições:
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2.2.3.1 DIP (Dual In-line Package)

Um dos primeiros tipos de encapsulamento foi muito utilizado na

época dos computadores XT e 286. Seus terminais de contatos de grande
espessura tornam seu encaixe ou solda muito fácil de ser feito.

Figura – Encapsulamento DIP

Fonte: Wikipedia

2.2.3.2 SOJ (Small Outline J-Lead)

Muito utilizado nos módulos SIMM, recebeu este nome pois a solda
nas placas é feita sem a necessidade de furos, o que cria o formato da letra J.

Figura – Encapsulamento SOJ

Fonte: smd-on-line.com

2.2.3.3 TSOP (Thin Small Outline Package)

Suas placas mais finas com terminais de contatos também mais

finos e menores, a interferência na comunicação foi reduzida. É aplicado em
módulos de SDRAM e DDR. Há ainda uma variação deste tipo de encapsulamento
que é ainda mais fino, o STSOP (Shrink Thin Small Outline Package).
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Figura – Encapsulamento TSOP

Fonte: SanDIsk.com

2.2.3.4 CSP (Chip Scale Package)

O mais recente tipo, sem as famosas “perninhas”, utiliza um tipo de

encaixe BGA (Ball Grid Array) que elimina os pinos de contato e o torna utilizável
para os módulos de DDR2 e DDR3.

– Encapsulamento CSP
Figura
Fonte: infowester.com

2.2.4 MÓDULOS DE MEMÓRIA

São os pentes ou módulos, uma pequena placa onde são instalados

os encapsulamentos da memória. Essa placa é encaixada na placa mãe por meio de
encaixes (slots) específicos.
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2.2.4.1 SIPP (Single In-Line Pins Package)

Formado por chips com encapsulamento DIP. Soldado na placa

mãe, foi um dos primeiros tipos de módulos.

2.2.4.2 SIMM (Single In-Line Memory Module)

inicialmente formado por um conjunto de 8 chips (9 pra paridade),

não era soldado e sim encaixado na placa mãe devido seus 30 terminais de contato.
Conseguia passar um byte por ciclo de clock. Com sua evolução, criou-se a versão
de 72 pinos, maior e com maiores capacidades, passando 32 bits por vez.

2.2.4.3 DIMM (Double In-Line Memory Module)

Utilizados atualmente nas memórias DDR em suas versões, este

módulo tem os terminais de contato nos dois lados do pente, podendo assim
transmitir 64 bits por vez. A primeira versão surgiu com 168 pinos. Em seguida,
foram lançados módulos com 184 vias para memórias DDR e módulos de 240 vias
para memórias DDR2 e DDR3.

2.2.4.4 SODIMM (Small Outline DIMM)

Padrão DIMM utilizado em computadores portáteis como notebooks.

2.2.4.5 RIMM (Rambus In-Line Memory Module)

Utilizado para as memórias Rambus, com 168 vias, tem uma

característica peculiar, para cada pente de memória instalada, é necessário ter um
módulo “vazio”, de 184 vias, o C-RIMM (Continuity-RIMM).
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Figura– Módulo DIMM

Fonte: techlider.com.br

2.2.5 TECNOLOGIAS DAS MEMÓRIAS

Como a maioria das tecnologias, a memória sofreu mudanças ao

decorrer do tempo. Foram (e são) criadas várias tecnologias para as memórias. Por
este motivo vemos de tempos em tempos a evolução em questão de capacidades,
velocidades e economia de energia. Eis uma breve descrição dos tipos de memória
RAM:

2.2.5.1 FPM (Fast-Page Mode)

Utilizando o método de ler um bloco de instruções, o controlador não

lê o endereço RAS e CAS para cada bit a ser lido, e sim Le o Ras e uma seqüência
de 4 endereços CAS (coluna). Portanto demora mais para fazer a primeira leitura,
porém as três seguintes são rápidas. O processo de leitura de colunas pode ser
prolongado para até 8 ou 16 leituras, contanto que sejam lidos dados gravados em
endereços adjacentes, da mesma linha. Este tipo de memória utilizava módulos
SIMM de 30 ou 72 vias. A maior parte usava módulos de 70ns.
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Figura – memória FPM

2.2.5.2 EDO (Extended Data Output)

Evolução da tecnologia FPM, destaca-se pela capacidade de

permitir que um endereço de memória seja acessado ao mesmo tempo em que uma
solicitação anterior ainda está em andamento, ou seja, o controlador faz a leitura
enviando o endereço RAS e em seguida enviando os 4 endereços CAS sem a
necessidade de esperar o retorno do acesso anterior. Os módulos de memórias
utilizado foi o SIMM, também chegando a utilizar o DIMM, porém a chegada do
SDRAM e o alto custo na produção ofuscou a sua utilização. Pode-se diferenciar
estes módulos com os FPM pois estes são de 60ns.

Figura – memória EDO

Fonte:infowester
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2.2.5.3 SDRAM (Synchronous Dynamic Random Access Memory)

a partir desta tecnologia, as memórias passaram a ser síncronas, ou

seja, sincronizadas com os ciclos do processador, evitando assim o problema
anterior de espera do processador para acesso à memória. A temporização das
memórias SDRAM é sempre de uma leitura por ciclo. Independentemente da
freqüência de barramento utilizada, os tempos de acesso serão sempre de 6-1-1-1,
ou mesmo 5-1-1-1, pois o primeiro acesso continua ativando a linha e depois as
colunas.
Outra novidade é o burst de leitura que pode estar em modo “full
Page”, onde o controlador pode especificar até 512 endereços a serem lidos
seqüencialmente.
Com estas condições, pode-se medir a velocidade da memória pela
sua freqüência, surgindo então as memórias SDR SDRAM (Single Data Rate
SDRAM), que podiam trabalhar com 66 MHz, 100 MHz e 133 MHz (também
chamadas de PC66, PC100 e PC133, respectivamente). Facilmente confundidas
com memórias SDRAM ou até DIMM, por causa do seu módulo, a denominação
correta é SDR.

Figura – memória SDR

2.2.5.4 DDR SDRAM (Double Data Rate SDRAM)

Capazes de lidar com o dobro de dados em cada ciclo de clock

quando comparadas as memórias SDR, uma memória com freqüência de 100MHz
consegue trabalhar a 200MHz, “dobrando” seu desempenho, pois o ganho é maior
quando faz a leitura em bursts maiores.
Nada impede que se use um módulo a freqüências mais baixas que
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o especificado, como por exemplo, um módulo DDR-400 em uma placa-mãe

configurada para trabalhar em a 133MHz.

Figura – memória DDR

Fonte: infowester

2.2.5.5 DDR2 SDRAM

A evolução da memória DDR, tem a capacidade de trabalhar com

quatro operações por ciclo de clock. Dizer que a “DDR2 são duas vezes mais
rápidas” é apenas uma figura de linguagem, pois a velocidade obtida dependerá da
quantidade de blocos de dados a serem lidos, resultando em menor diferença em
programas que requisitam menos dados. Os módulos DDR2 também contam com
apenas uma divisão em sua parte inferior,mas essa divisão fica um pouco mais para
o lado em conmparação com o módulo DDR.
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Figura – memória DDR2

Fonte: e-coyote

2.2.5.6 DDR3 SDRAM

A evolução das memórias fez mais uma vez duplicar os ciclos por
clock, agora com 8 transferências. O grande detalhe desta geração de memórias é
que o aumento na freqüência é obtido através do acesso simultâneo a endereços
adjacentes e não através do aumento da freqüência real das células da memória.
Houve também uma redução na tensão usada, caindo de 1,8V para 1,5V, o que
proporciona uma diminuição de energia utilizada. Para que o tempo de latência
inicial não fosse muito alto, o que deixaria praticamente de igual desempenho com
as memórias DDR2, os módulos de DDR3 incluem um sistema integrado de
calibragem do sinal, que melhora de forma considerável a estabilidade dos sinais,
possibilitando o uso de tempos de latência mais baixos, sem que a estabilidade seja
comprometida.
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Figura – memória DDR3

Fonte: techlider.com

2.2.5.7 Rambus (Rambus DRAM)

Criada pela Rambus Inc., chegaram ao mercado com o apoio da

Intel, mas não deram muito certo, pois tinham taxas de latências muito altas e
aquecimento elevado, tinham também a desvantagem de para cada módulo Rambus
instalado, um “módulo vazio” teria que ser instalado em outro slot. O custo elevado
também fez com que perdessem espaço e a popularização das memórias DDR
dominou o mercado. Um exemplo de sucesso foi na utilização dos módulos de
memória no console de jogos Nintendo 64.
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3 CONCLUSÃO

Conclui-se que as memórias são dispositivos muito importantes para

o funcionamento do computador e que houve e ainda há evolução na sua tecnologia
e suas características.
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REFERÊNCIAS

http://www.infowester.com/memoria.php.

http://www.guiadohardware.net/tutoriais/tecnologias-ram/pagina2.html.

http://pt.wikipedia.org/wiki/Mem%C3%B3ria_%28computador%29.

http://pt.wikipedia.org/wiki/Mem%C3%B3ria_ROM