Gambar 1.

Analisis XRD dari penumbuhan film tipis ZnO ditunjukkan pada Gambar 1. Hasil
menunjukkan adanya beberapa puncak dengan puncak intensitas tertinggi di sekitar
2 θ=3 4,13o ,3 6,5 o , dan 43,5 o yang mengindikasikan bidang (002), (101), dan (101). Bidang
(002) dan (101) berkorelasi dengan ZnO, sedangkan bidang (101) berkorelasi dengan Zn.
Adanya beberapa puncak pada analisis XRD ini menunjukkan bahwa struktur dari penumbuhan
film tipis ZnO adalah polikristal. Selain itu puncak dengan intensitas lebih tinggi adalah ZnO
(002). Hal tersebut berarti bahwa secara structural film tipis yang ditumbuhkan berorientasi ke
sumbu c. Perhitungan parameter kisi dengan menggunakan Persamaan 1 memperoleh nilai a =
3.03 Å dan c = 0.52 Å yang mengindikasikan struktur kristal hexagonal wurtzite (Marouf dkk.,
2016). Besar jarak antar bidang (dhkl) dan parameter kisinya ditunjukkan pada Tabel 1.

Selain itu, analisis XRD juga dapat digunakan untuk menghitung ukuran kristal D dengan
menggunakan Persamaan 2.
 dengan λ=0.15406nm dan βadalah full width at half maximum FWHM dari puncak
difraksi. Dengan menggunakan puncak dari Zn (002) yang memiliki intensitas lebih tinggi dari
puncak-puncak lain, diperoleh ukuran kristal dari penumbuhan film tipis ZnO adalah 19.21 nm.

Analisis XRD juga menunjukkan adanya puncak dari Zn (101) yang belum teroksidasi.
Hal ini mungkin disebabkan karena temperature annealing yang digunakan belum mencapai titik
leleh Zn tersebut (419.58oC). Temperatur yang lebih rendah akan membatasi reaksi Zn dengan
lingkungan (O2) (Bouhssira dkk., 2006).

Referensi

Marouf, S., Beniaiche, A., Guessas, H., & Azizi, A. (2016). Morphological, Structural and
Optical Properties of ZnO Thin Films Deposited by Dip Coating Method. Materials Research,
20(1), 88–95. doi:10.1590/1980-5373-mr-2015-0751.

Bouhssira, N., Abed, S., Tomasella, E., Cellier, J., Mosbah, A., Aida, M. S., & Jacquet, M.
(2006). Influence of annealing temperature on the properties of ZnO thin films deposited by
thermal evaporation. Applied Surface Science, 252(15), 5594–5597.
doi:10.1016/j.apsusc.2005.12.134