Republica Bolivariana de Venezuela

Ministerio para la educación del Poder Popular

Universidad del Zulia

LUZ -COL

INTEGRANTES:

Enrique Rivas CI. 19071351

Pablo Andrade CI. 20861397

Carlos Marcano CI. 18807461

ESQUEMA
INTRODUCCIÓN

1.- DIODOS

1.1 La unión P-N.

1.2 Características Tensión-Intensidad del diodo

1.3 rectificación y Filtraje

1.4 Diodos especiales

2.- TRANSISTORES

2.1 Transistor de unión bipolar

2.2 Circuito emisor común

2.3 Circuito colector común

2.4 Circuito base común

2.5 Transistores de efecto de campo

3.- AMPLIFICADOR OPERACIONAL

3.1 Amplificador operacional ideal

3.2 Parámetros del Amplificador operacional

3.3 Inversor de Fase

3.4 No inversor de Fases

3.5 Seguidor de Fase

3.6 Sumador

3.7 Integrador

CONCLUSION

DESARROLLO
1.- DIODOS
Un diodo (del griego: dos caminos) es un dispositivo semiconductor que
permite el paso de la corriente eléctrica en una única dirección con
características similares a un interruptor. Los primeros diodos eran
válvulas o tubos de vacío, también llamados válvulas termoiónicas
constituidos por dos electrodos rodeados de vacío en un tubo de cristal,
con un aspecto similar al de las lámparas incandescentes. El invento fue
desarrollado en 1904 por John Ambrose Fleming, empleado de la
empresa Marconi, basándose en observaciones realizadas por Thomas
Alva Edison.

1.1 La unión P-N

Los diodos pn, son uniones de dos materiales semiconductores
extrínsecos tipos p y n, por lo que también reciben la denominación de
unión pn. Hay que destacar que ninguno de los dos cristales por
separado tiene carga eléctrica, ya que en cada cristal, el número de
electrones y protones es el mismo, de lo que podemos decir que los dos
cristales, tanto el p como el n, son neutros. (Su carga neta es 0).

Al unir ambos cristales, se manifiesta una difusión de electrones del

cristal n al p (Je).
Al establecerse estas corrientes aparecen cargas fijas en una zona a
ambos lados de la unión, zona que recibe diferentes denominaciones
como zona de carga espacial, de agotamiento, de deplexión, de
vaciado, etc.

A medida que progresa el

proceso de difusión, la zona de
carga espacial va incrementando
su anchura profundizando en los
cristales a ambos lados de la
unión. Sin embargo, la
acumulación de iones positivos
en la zona n y de iones negativos
en la zona p, crea un campo
eléctrico (E) que actuará sobre
los electrones libres de la zona n
con una determinada fuerza de
desplazamiento, que se
opondrá a la corriente de
electrones y terminará
deteniéndolos.

Este campo eléctrico es

equivalente a decir que aparece
una diferencia de tensión entre las zonas p y n. Esta diferencia de
potencial (VD) es de 0,7 V en el caso del silicio y 0,3 V si los cristales son
de germanio.

La anchura de la zona de carga espacial una vez alcanzado el equilibrio,

suele ser del orden de 0,5 micras pero cuando uno de los cristales está
mucho más dopado que el otro, la zona de carga espacial es mucho
mayor.

Al dispositivo así obtenido se le denomina diodo, que en un caso como el

descrito, tal que no se encuentra sometido a una diferencia de potencial
externa, se dice que no está polarizado. Dado que los electrones fluyen
desde la zona n hacia la zona p, al extremo p se le denomina ánodo
(representándose por la letra A) mientras que al extremo n se le
denomina cátodo (se representa por la letra C o K).

Existen también diodos de protección térmica los cuales son capaces de

proteger cables.
 A C ó K
(p) (n)

Representación simbólica del diodo pn

Cuando se somete al diodo a una diferencia de tensión externa, se dice

que el diodo está polarizado, pudiendo ser la polarización directa o
inversa.

1.2 Características Tensión-Intensidad del diodo

Tensión umbral, de codo o de partida (Vγ).

La tensión umbral (también llamada barrera de potencial) de

polarización directa coincide en valor con la tensión de la zona de carga
espacial del diodo no polarizado. Al polarizar directamente el diodo, la
barrera de potencial inicial se va reduciendo, incrementando la corriente
ligeramente, alrededor del 1% de la nominal. Sin embargo, cuando la
tensión externa supera la tensión umbral, la barrera de potencial
desaparece, de forma que para pequeños incrementos de tensión se
producen grandes variaciones de la intensidad de corriente.

Corriente máxima (Imax).

Es la intensidad de corriente máxima que puede conducir el diodo sin

fundirse por el efecto Joule. Dado que es función de la cantidad de calor
que puede disipar el diodo, depende sobre todo del diseño del mismo.

Corriente inversa de saturación (Is).

Es la pequeña corriente que se establece al polarizar inversamente el

diodo por la formación de pares electrón-hueco debido a la temperatura,
admitiéndose que se duplica por cada incremento de 10º en la
temperatura.

Corriente superficial de fugas.

Es la pequeña corriente que circula por la superficie del diodo (ver

polarización inversa), esta corriente es función de la tensión aplicada al
diodo, con lo que al aumentar la tensión, aumenta la corriente
superficial de fugas.

Tensión de ruptura (Vr).

Es la tensión inversa máxima que el diodo puede soportar antes de
darse el efecto avalancha.

Teóricamente, al polarizar inversamente el diodo, este conducirá la

corriente inversa de saturación; en la realidad, a partir de un
determinado valor de la tensión, en el diodo normal o de unión abrupta
la ruptura se debe al efecto avalancha; no obstante hay otro tipo de
diodos, como los Zener, en los que la ruptura puede deberse a dos
efectos:

Efecto avalancha (Diodos poco dopados). En polarización inversa se

generan pares electrón-hueco que provocan la corriente inversa de
saturación; si la tensión inversa es elevada los electrones se aceleran
incrementando su energía cinética de forma que al chocar con
electrones de valencia pueden provocar su salto a la banda de
conducción. Estos electrones liberados, a su vez, se aceleran por efecto
de la tensión, chocando con más electrones de valencia y liberándolos a
su vez. El resultado es una avalancha de electrones que provoca una
corriente grande. Este fenómeno se produce para valores de la tensión
superiores a 6 V.

Efecto Zener (Diodos muy dopados). Cuanto más dopado está el

material, menor es la anchura de la zona de carga. Puesto que el campo
eléctrico E puede expresarse como cociente de la tensión V entre la
distancia d; cuando el diodo esté muy dopado, y por tanto d sea
pequeño, el campo eléctrico será grande, del orden de 3·105 V/cm. En
estas condiciones, el propio campo puede ser capaz de arrancar
electrones de valencia incrementándose la corriente. Este efecto se
produce para tensiones de 4 V o menores.

Para tensiones inversas entre 4 y 6 V la ruptura de estos diodos

especiales, como los Zener, se puede producir por ambos efectos.

1.3 rectificación y Filtraje

La familia de diodos rectificadores está concebida especialmente para

esta aplicación aunque los de baja potencia también pueden ser
empleados como diodos de señal o conmutación en circuitos de CD o
baja frecuencia y en aquellos de tipo digital que no requieran velocidad
muy elevada. Cualquier sistema rectificador de corrientes, tanto
monofásicas como trifásicas o polifásicas, se realiza empleando varios
diodos según una forma de conexión denominada Puente

El proceso de filtrado también se utiliza para disminuir el efecto de

ciertas in- terferencias (señales no deseables que se insertan en el
sistema de medición). En estos casos, éstos son diseñados para rechazar
señales en los rangos de frecuencia específi- cos que se desee

1.4 Diodos especiales

Son diodos con características eléctricas particulares, que los diferencian

del diodo de propósito general. El funcionamiento de estos diodos es
fundamentado por principios de la mecánica cuántica y teoría de
bandas.

• Diodo avalancha
• Diodo rectificador
• Fotodiodo
• Diodo Gunn
• Diodo láser
• Diodo emisor de luz (LED e IRED)
• Diodo p-i-n
• Diodo Schottky o diodo de barrera Schottky
• Diodo Shockley (diodo de cuatro capas)
• Diodo túnel o diodo Esaki
• Diodo Varicap o diodo varactor
• Diodo Zener o diodo estabilizador

2.- TRANSISTORES

El transistor es un dispositivo electrónico semiconductor que cumple

funciones de amplificador, oscilador, conmutador o rectificador. El
término "transistor" es la contracción en inglés de transfer resistor
("resistencia de transferencia"). Actualmente se los encuentra
prácticamente en todos los aparatos domésticos de uso diario: radios,
televisores, grabadoras, reproductores de audio y video, hornos de
microondas, lavadoras, automóviles, equipos de refrigeración, alarmas,
relojes de cuarzo, computadoras, calculadoras, impresoras, lámparas
fluorescentes, equipos de rayos X, tomógrafos, ecógrafos, reproductores
mp3, teléfonos móviles, etc.
2.1 Transistor de unión bipolar

El transistor de unión bipolar, o BJT por sus siglas en inglés, se fabrica

básicamente sobre un monocristal de Germanio, Silicio o Arseniuro de
galio, que tienen cualidades de semiconductores, estado intermedio
entre conductores como los metales y los aislantes como el diamante.
Sobre el sustrato de cristal, se contaminan en forma muy controlada tres
zonas, dos de las cuales son del mismo tipo, NPN o PNP, quedando
formadas dos uniones NP.

La zona N con elementos donantes de electrones (cargas negativas) y la

zona P de aceptadores o "huecos" (cargas positivas). Normalmente se
utilizan como elementos aceptadores P al Indio (In), Aluminio (Al) o Galio
(Ga) y donantes N al Arsénico (As) o Fósforo (P).

La configuración de uniones PN, dan como resultado transistores PNP o

NPN, donde la letra intermedia siempre corresponde a la característica
de la base, y las otras dos al emisor y al colector que, si bien son del
mismo tipo y de signo contrario a la base, tienen diferente
contaminación entre ellas (por lo general, el emisor está mucho más
contaminado que el colector).

2.2 Circuito emisor común

La señal se aplica a la base del transistor y se extrae por el colector. El

emisor se conecta a las masas tanto de la señal de entrada como a la de
salida. En esta configuración se tiene ganancia tanto de tensión como de
corriente y alta impedancia de entrada. En caso de tener resistencia de
emisor, RE > 50 Ω, y para frecuencias bajas, la ganancia en tensión se
aproxima bastante bien por la siguiente expresión:

; y la impedancia de salida, por RC

Como la base está conectada al emisor por un diodo

en directo, entre ellos podemos suponer una tensión
constante, Vg. También supondremos que β es constante. Entonces
tenemos que la tensión de emisor es: VE = VB − Vg

Para tener en cuenta la influencia de frecuencia se deben utilizar

modelos de transistor más elaborados. Es muy frecuente usar el modelo
en pi.

2.3 Circuito colector común

La señal se aplica a la base del transistor y se extrae por el emisor. El
colector se conecta a las masas tanto de la señal de entrada como a la
de salida. En esta configuración se tiene ganancia de corriente, pero no
de tensión que es ligeramente inferior a la unidad. Esta configuración
multiplica la impedancia de salida por β.

2.4 Circuito base común

La señal se aplica al emisor del transistor y se extrae por el colector. la
base se conecta a las masas tanto de la señal de entrada como a la de
salida. En esta configuración se tiene ganancia sólo de tensión. La
impedancia de entrada es baja y la ganancia de corriente algo menor
que uno, debido a que parte de la corriente de emisor sale por la base.
Si añadimos una resistencia de emisor, que puede ser la propia
impedancia de salida de la fuente de señal, un análisis similar al
realizado en el caso de emisor común, nos da la ganancia aproximada

siguiente: .

La base común se suele utilizar para adaptar fuentes de señal de baja

impedancia de salida como, por ejemplo, micrófonos dinámicos.
2.5 Transistores de efecto de campo
El transistor de unión unipolar, también llamado de efecto de campo de
unión (JFET), fue el primer transistor de efecto de campo en la práctica.
Lo forma una barra de material semiconductor de silicio de tipo N o P. En
los terminales de la barra se establece un contacto óhmico, tenemos así
un transistor de efecto de campo tipo N de la forma más básica. Si se
difunden dos regiones P en una barra de material N y se conectan
externamente entre sí, se producirá una puerta. A uno de estos
contactos le llamaremos surtidor y al otro drenador. Aplicando tensión
positiva entre el drenador y el surtidor y conectando a puerta al surtidor,
estableceremos una corriente, a la que llamaremos corriente de
drenador con polarización cero. Con un potencial negativo de puerta al
que llamamos tensión de estrangulamiento, cesa la conducción en el
canal.

El transistor de efecto de campo, o FET por sus siglas en inglés, que

controla la corriente en función de una tensión; tienen alta impedancia
de entrada.

• Transistor de efecto de campo de unión, JFET, construido mediante

una unión PN.

• Transistor de efecto de campo de compuerta aislada, IGFET, en el

que la compuerta se aísla del canal mediante un dieléctrico.

• Transistor de efecto de campo MOS, MOSFET, donde MOS significa

Metal-Óxido-Semiconductor, en este caso la compuerta es
metálica y está separada del canal semiconductor por una capa de
óxido.
3.- AMPLIFICADOR OPERACIONAL
Un amplificador operacional (comúnmente abreviado A.O. u op-amp),
es un circuito electrónico (normalmente se presenta como circuito
integrado) que tiene dos entradas y una salida. La salida es la diferencia
de las dos entradas multiplicada por un factor (G) (ganancia):
Vout = G· (V+ − V−)

El primer amplificador operacional monolítico, que data de los años

1960, fue el Fairchild μA702 (1964), diseñado por Bob Widlar. Le siguió
el Fairchild μA709 (1965), también de Widlar, y que constituyó un gran
éxito comercial. Más tarde sería sustituido por el popular Fairchild
μA741(1968), de David Fullagar, y fabricado por numerosas empresas,
basado en tecnología bipolar.

Originalmente los A.O. se empleaban para operaciones matemáticas

(suma, resta, multiplicación, división, integración, derivación, etc.) en
calculadoras analógicas. De ahí su nombre.

3.1 Amplificador operacional ideal

El A.O. ideal tiene una ganancia infinita, una impedancia de entrada
infinita, un ancho de banda también infinito, una impedancia de salida
nula, un tiempo de respuesta nulo y ningún ruido. Como la impedancia
de entrada es infinita también se dice que las corrientes de entrada son
cero. Un amplificador operacional es un dispositivo electrónico activo
siendo capaz de ofrecer una tensión de salida en función de una tensión
de entrada. Vamos a considerar única y exclusivamente el amplificador
operacional ideal, que aun no existiendo en la vida real, es una
aproximación muy precisa y perfectamente válida para el análisis de
sistemas reales. Un amplificador operacional presenta cinco patillas. Dos
de ellas son las entradas del dispositivo; la primera de ellas llamada
entrada inversora se halla indicada en los esquemas con un signo
menos, la otra denominada entrada no inversora se indica mediante un
signo más. Otro de las patillas del amplificador operacional corresponde
a la salida del dispositivo mientras que las dos restantes corresponden a
la alimentación requerida por el dispositivo (±Vcc).

3.2 Parámetros del Amplificador operacional

• Ganancia en lazo abierto. Indica la ganancia de tensión en
ausencia de realimentación. Se puede expresar en unidades
naturales (V/V, V/mV) o logarítmicas (dB). Son valores habituales
100.000 a 1.000.000 V/V.

• Tensión en modo común. Es el valor medio de tensión aplicado

a ambas entradas del operacional.

• Tensión de Offset. Es la diferencia de tensión, aplicada a través

de resistencias iguales, entre las entradas de un operacional que
hace que su salida tome el valor cero.

• Corriente de Offset. Es la diferencia de corriente entre las dos

entradas del operacional que hace que su salida tome el valor
cero.

• Margen de entrada diferencial. Es la mayor diferencia de

tensión entre las entradas del operacional que mantienen el
dispositivo dentro de las especificaciones.

• Corrientes de polarización (Bias) de entrada. Corriente media

que circula por las entradas del operacional en ausencia de señal

• Slew rate. Es la relación entre la variación de la tensión de salida

máxima respecto de la variación del tiempo. El amplificador será
mejor cuanto mayor sea el Slew Rate. Se mide en V/μs, kV/μs o
similares. El slew rate está limitado por la compensación en
frecuencia de la mayoría de los amplificadores operacionales.
Existen amplificadores no compensados (con mayor slew rate)
usados principalmente en comparadores, y en circuitos
osciladores, debido de hecho a su alto riesgo de oscilación.
 • Relación de Rechazo en Modo Común (RRMC, o CMRR en
sus siglas en inglés). Relación entre la ganancia en modo
diferencial y la ganancia en modo común.

3.3 Inversor de Fase

Se denomina inversor ya que la señal de salida es igual a la señal de

entrada (en forma) pero con la fase invertida 180 grados.

El análisis de este circuito es el siguiente: V+ = V- = 0

Definiendo corrientes: y de aquí se despeja

Para el resto de circuitos el análisis es similar.

Zin = Rin

Por lo cual podemos controlar la impedancia de entrada mediante la

elección de Rin.

Esta configuración es una de las más importantes, porque gracias a esta

configuración, se puede elaborar otras configuraciones, como la
configuración del derivador, integrador, sumador. En sistemas
microelectrónicos se puede utilizar como buffer, poniendo 2 en cascada.

3.4 No inversor de Fases

Como observamos, el voltaje de entrada, ingresa por el pin positivo,
pero como conocemos que la ganancia del amplificador operacional es
muy grande, el voltaje en el pin positivo es igual al voltaje en el pin
negativo, conociendo el voltaje en el pin negativo podemos calcular, la
relación que existe entre el voltaje de salida con el voltaje de entrada
haciendo uso de un pequeño divisor de tensión.

• Zin = ∞, lo cual nos supone una ventaja frente al amplificador

inversor.

3.5 Seguidor de Fase

• Es aquel circuito que proporciona a la salida la misma tensión que

a la entrada.

• Se usa como un buffer, para eliminar efectos de carga o para

adaptar impedancias (conectar un dispositivo con gran impedancia
a otro con baja impedancia y viceversa)
• Como la tensión en las dos patillas de entradas es igual: Vout = Vin
• Zin = ∞

Presenta la ventaja de que la impedancia de entrada es elevadísima, la

de salida prácticamente nula, y puede ser útil, por ejemplo, para poder
leer la tensión de un sensor con una intensidad muy pequeña que no
afecte apenas a la medición. De hecho, es un circuito muy recomendado
para realizar medidas de tensión lo más exactas posibles, pues al medir
la tensión del sensor, la corriente pasa tanto por el sensor como por el
voltímetro y la tensión a la entrada del voltímetro dependerá de la
relación entre la resistencia del voltímetro y la resistencia del resto del
conjunto formado por sensor, cableado y conexiones.

Por ejemplo, si la resistencia interna del voltímetro es Re (entrada del

amplificador), la resistencia de la línea de cableado es Rl y la resistencia
interna del sensor es Rg, entonces la relación entre la tensión medida
por el voltímetro (Ve) y la tensión generada por el sensor (Vg) será la
correspondiente a este divisor de tensión:

Por ello, si la resistencia de entrada del amplificador es mucho mayor

que la del resto del conjunto, la tensión a la entrada del amplificador
será prácticamente la misma que la generada por el sensor y se podrá
despreciar la caída de tensión en el sensor y el cableado.

Además, cuanto mayor sea la intensidad que circula por el sensor,

mayor será el calentamiento del sensor y del resto del circuito por efecto
Joule, lo cual puede afectar a la relación entre la tensión generada por el
sensor y la magnitud medida.

3.6 Sumador

• La salida está invertida

• Para resistencias independientes R1, R2,... Rn

o
 • La expresión se simplifica bastante si se usan resistencias del
mismo valor
• Impedancias de entrada: Zn = Rn

3.7 Integrador

• Integra e invierte la señal (Vin y Vout son funciones dependientes

del tiempo)

o Vinicial es la tensión de salida en el origen de tiempos

El integrador no se usa en la práctica de forma discreta ya que cualquier

señal pequeña de DC en la entrada puede ser acumulada en el capacitor
hasta saturarlo por completo. Este circuito se usa de forma combinada
en sistemas retroalimentados que son modelos basados en variables de
estado (valores que definen el estado actual del sistema) donde el
integrador conserva una variable de estado en el voltaje de su capacitor.
 CONCLUSION

Para concluir con el presente trabajo, se pude hacer referencia a la

importancia que tiene la investigación como proceso de aprendizaje y la
gama de adversidades que posee esta materia llamada circuitos
eléctricos; ya que la misma posee una gama de características
fundamentales, como lo son los diodos, transistores y amplificadores
operacionales, que se estrechan de manera muy compacta para poder
captar la información o para lograr objetivos, es preciso recordar que la
investigación científica es un método riguroso en el cual se obtiene una
serie de objetivos propuestos de manera muy técnica, y la investigación
es la que tiene por fin ampliar el conocimiento científico, sin perseguir,
en principio, la aplicación práctica e investigación.