MODUL PRAKTIKUM

“Elektronika Dasar”

Nama : Naufal Azel Muzakkiy

NIM : 09011281924065
Jurusan : Sistem Komputer
Dosen : Aditya P. P. Prasetyo, S.Kom., M.T.

LABORATORIUM ELEKTRONIKA DAN SISTEM DIGITAL

JURUSAN SISTEM KOMPUTER
UNIVERSITAS SRIWIJAYA
2021
 4. Bipolar Transistor.

A. Kompetensi dasar.
Mahasiswa dapat :
 Mempelajari dan memahami karakteristik transistor NPN.
 Mendiskusikan karakteristik transistor yang ideal.

B. Peralatan yang digunakan.

1. Logic circuit trainer.
2. Kabel seperlunya.
3. Multimeter dan osciloskop.
4. Transistor NPN dan resistor.

C. Prosedur praktikum.
Karakteristik transistor (NPN)
1. Buatlah rangkaian transistor bipolar seperti gambar 4.1.

Vcc 15V

Vcc

R2 Rvariabel2
5 6
50%

Vbb 15V + 0
0.000 A Ic
-

Vbb
4
Ib
Rvariabel R1 + -
1 3 A 2 NPN
50% 0.000 +
2SC254 0.000 V Vce
7 -

0 0 0

Gambar 4.1. Rangkaian transistor bipolar.

2. Untuk R1 = 100 Kohm dan R2 = 100 ohm.

3. Aturlah potensiometer 10 Kohm untuk mendapatkan tegangan dan arus
yang dikehendaki.
4. Gunakan Vcc = 2 V. lalu ukur dan catat Ic dan Vce ketika Ib (arus basis)
berubah-ubah menggunakan potentiometer.

8
Laboratorium Elektronika dan Sistem Digital
 5. Gunakan Vcc = 4 V. lalu ukur dan catat Ic dan Vce ketika Ib (arus basis)
berubah-ubah menggunakan potentiometer.
6. Gunakan Vcc = 6 V. lalu ukur dan catat Ic dan Vce ketika Ib (arus basis)
berubah-ubah menggunakan potentiometer.
7. Gunakan Vcc = 10 V. lalu ukur dan catat Ic dan Vce ketika Ib (arus
basis) berubah-ubah menggunakan potentiometer.
8. Buat grafik Ib dan Ic terhadap Vce untuk masing – masing Vcc yang
ditentukan.

D. Tugas.
1. Cari materi dan karakteristik tentang BJT (bipolar junction transistor) !.
2. Apa yang dimaksud daerah saturasi, daerah aktif dan daerah breakdown ?

Karakteristik transistor (NPN)

lb lc Vce
0,06 0,37 0,04
0,06 0,74 0,06
0,06 1,12 0,08
0,06 1,88 0,12

9
Laboratorium Elektronika dan Sistem Digital
BJT (bipolar junction transistor)

Pengertian transistor Bipolar adalah komponen semikonduktor yang terdiri dari 3 lapis P-N junction.
Transistor bipolar merupakan pengembangan dari dioda. Jika dioda tersusun dari gabungan P-N junction
saja, maka transistor bipolar dibedakan menjadi dua jenis didasarkan atas urutan material yang
menyusun-nya yaitu jenis transistor PNP dan transistor NPN.

Penjelasan mengenai Pengertian transistor seperti yang diterangkan diatas merupakan

pengertian transistor BJT (bipolar junction transistor) yaitu transistor yang memiliki tiga kaki yaitu
Kolektor, Basis, dan emitor. Mengenai transistor jenis lain akan sedikit disinggung nanti.

Dalam mengoperasikan transistor Bipolar kita perlu memberikan tegangan kerja pada transistor. Untuk
transistor jenis PNP maupun NPN adalah sama, yaitu dengan memberikan tegangan maju (forward
bias) pada kaki basis-emittor (BE = base-emitter) dan tegangan balik (reverse bias) pada kaki basis-
kolektor (BC = base-collector).

Cara kerja Transistor Bipolar

Kita dapat dianalogikan dengan prinsip kerja kran air di rumah kita. Air dari bak penampungan akan
keluar ketika tuas kran diputar. Semakin diputar kran, semakin besar pula arus air yang keluar.

Begitu pula pada prinsip kerja transistor, untuk dapat mengalirkan arus dari kolektor ke emitter, perlu ada
arus masukkan ke kaki basis. Semakin besar arus yang mengalir di basis, semakin besar pula arus listrik
dari kolektor yang mengalir ke emitor.

Pada umumnya, pemakaian komponen transistor pada rangkaian elektronika dibagi menjadi dua
klasifikasi, yaitu :

1. Transistor sebagai saklar (switching transistor)

10
Laboratorium Elektronika dan Sistem Digital
 2. Transistor sebagai penguat (amplifier)

Pengertian transistor sebagai saklar adalah memfungsikan transistor layaknya saklar dengan mengatur
arus basis, seperti prinsip kerja rangkaian sensor cahaya berikut.

Agar transistor dapat bekerja sebagai switch maka daerah kerja transitor adalah daerah saturasi dan
daerah cut off. Saat saturasi, maka transistor dianggap ON pada saklar. sedangkan jika kondisi transistor
cut off, ibarat saklar biasa yang dalam kondisi off atau open.

Sedangkan pengertian transistor sebagai penguat Anda dapat membacanya di artikel rangkaian amplifier.
Agar dapat beroperasi sebagai rangkaian penguat, transistor perlu bekerja di daerah bukan cut off dan
bukan pula daerah saturasi (jenuh) untuk jenis penguat sinyal kecil (small signal amplifier).

Tetapi untuk jenis penguat daya besar (power amplifier), transistor didesain bekerja didaerah cut off dan
daerah saturasi.

Pengertian transistor FET

Pengertian transistor FET (field effect transistor) merupakan piranti semikonduktor yang juga tersusun
atas material N dan P. FET merupakan modifikasi dari transistor BJT yang menggunakan tegangan
sebagai variable pengontrolnya. Hampir sama dengan BJT, transistor FET juga memiliki 3 kaki, tapi
dengan nama yang berbeda yaitu Gate, Source, dan Drain.

Prinsip kerja transistor FET pun tidak jauh berbeda dengan BJT. Jika sebelumya sudah dijelaskan bahwa
arus BJT diatur dengan besarnya arus basis, pada transistor FET arus listrik yang mengalir dari Drain ke
source diatur oleh tegangan gate.

Jadi, dua macam transistor diatas yaitu BJT dan FET berbeda dilihat dari varibel pengontrol arusnya. Jika
pada BJT arus listrik dikontrol dengan arus, sedangkan pada FET arus listriknya diatur dengan tegangan
Gate.
11
Laboratorium Elektronika dan Sistem Digital
Perkembangan teknologi modern berhasil membuat pengembangan dari FET menjadi dua macam yaitu
JFET (junction field effect transistor) dan MOSFET (metal Oxide semiconductor field effect transistor).

Daerah Aktif
Daerah kerja transistor yang normal adalah pada daerah aktif, yaitu ketika arus IC konstans terhadap
berapapun nilai VCE. Dari kurva ini diperlihatkan bahwa arus IC hanya tergantung dari besar arus IB.
Daerah kerja ini biasa juga disebut daerah linear (linear region)

Daerah Saturasi
Daerah saturasi adalah mulai dari VCE = 0 volt sampai kira-kira 0.7 volt (transistor silikon), yaitu akibat
dari efek dioda kolektor-base yang membuat tegangan VCE belum mencukupi untuk dapat mengalirkan
elektron.

Daerah Breakdown
Dari kurva kolektor, terlihat jika tegangan VCE lebih dari 40 V, arus IC menanjak naik dengan cepat.
Transistor pada daerah ini disebut berada pada daerah breakdown. Seharusnya transistor tidak boleh
bekerja pada daerah ini, karena akan dapat me-rusak transistor tersebut. Untuk berbagai jenis transistor
nilai tegangan VCE max yang diperbolehkan sebelum breakdown bervari-asi. VCE max pada data book
transistor selalu dicantumkan juga.
.

12
Laboratorium Elektronika dan Sistem Digital