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Diapositiva 1

ELECTRONICA ANALOGICA

EL TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO

Concepto
Su funcionamiento se basa en el control de
la corriente mediante un campo eléctrico.

Dispositivos unipolares
La corriente depende únicamente del flujo
de portadores mayoritarios
Diapositiva 2

ELECTRONICA ANALOGICA

EL TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO


Transistores de efecto de campo

JFET
Transistores de unión
de efecto de campo

MOS de deplexión
MOSFET

Transistores de unión de
efecto de campo y puerta
aislada
(metal-óxido-semiconductor)
MOS de acumulación
Diapositiva 3

ELECTRONICA ANALOGICA

EL TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO


J Ventajas de los FETs frente a los transistores
bipolares
Fabricación sencilla, ocupando menor espacio en su integración
J

J Son más estables térmicamente

J Son relativamente más inmunes a la radiación

J Tiene una gran resistencia de entrada (MΩ): se pueden


conectar como resistencias de carga en sistemas digitales
J No tienen tensión umbral para corriente de drenaje cero:
excelentes recortadores y muestreadores de señal
J Debido a sus capacidades internas o propias pueden funcionar
como elementos de memoria
J Tienen menor ruido

L Inconvenientes
L Como amplificadores, menor producto ganancia-anchura de
banda
Diapositiva 4

ELECTRONICA ANALOGICA

EL TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO


JFET. Morfología, clasificación y símbolos
JFET de canal p JFET de canal n

Fuente Drenaje
p n
Fuente Drenaje

+
n P +

Puerta Puerta

Entrada Salida Entrada Salida


Diapositiva 5

ELECTRONICA ANALOGICA

EL TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO


Polarización del JFET.
Zona de
deplexión
Puerta
S D
Fuente Canal n 2a 2b(x) Drenaje
IS ID VDD
+ _

VGG G w

_ +

VDD
Diapositiva 6

ELECTRONICA ANALOGICA

EL TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO


Polarización del JFET: Tensión de
contracción Vp o de estricción
| V GS |>> VDS
Zona de
deplexión

qND
VGS = ( a − b)2
S D 2ε
Canal n 2a 2b

IS ID + b=0
_ VDS qND 2
G w Vp = a
VGS 2ε
+ _

IIDD=
= 00
Diapositiva 7

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EL TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO


Polarización del JFET. Característica tensión-
intensidad

+
VDS VDD
+ _
V GS _

Región de
corte
Diapositiva 8

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EL TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO


Característica tensión-intensidad: Región
óhmica o de no saturación.
G_
_ VGS-Vp > VDS
w

_ +
S + D
ID 2a 2b

_ 2awqND µ n   VGS 
1/2

ID = 1− VDS
G L   V p  
L  
Diapositiva 9

ELECTRONICA ANALOGICA

EL TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO


Región óhmica o de no saturación: JFET como
resistencia variable con tensión (VVD o VDR)
G_
_ VGS-Vp > VDS
w

_ + Conductancia
S + D drenador-
ID 2a
fuente

_ I D 2awqND µ n   VGS 
1/ 2

gd = = 1−  
  V p  
G VDS L 
 
L
VGS=0
∆VDS L
rd ( ON ) = =
∆I D 2awqND µ n
Diapositiva 10

ELECTRONICA ANALOGICA

EL TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO


Región de saturación: Característica de
transferencia
G_
_ VGS-Vp< VDS

_ +
S + ID 2
L’  V 
I DS = I DSS 1 − GS 
_  V p 
G
Portadores mayoritarios Zona de Canal de ancho
(electrones) deplexión mínimo δ
Diapositiva 11

ELECTRONICA ANALOGICA

EL TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO


Característica tensión-intensidad: Región de
corte

Región de
corte
|V
|VGS|> |VP||
GS|> |V P

IIDD=
= 00
Diapositiva 12

ELECTRONICA ANALOGICA

EL TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO


Característica tensión-intensidad: Región de
ruptura
Diapositiva 13

ELECTRONICA ANALOGICA

EL TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO


Circuitos amplificadores básicos con JFETs
(SC)
n Circuito autopolarizado o polarización de fuente

Equivalente

Thevenin
Diapositiva 14

ELECTRONICA ANALOGICA

EL TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO


Circuitos amplificadores básicos con JFETs
(SC)
n Circuito autopolarizado o polarización de fuente

••Condiciones
Condicionesde
decontinua
continua

VGG = VGS + RS I DS
VDD = (R D + RS )I DS +2
VDS
 V 
I DS ≅ I DSS 1 − GS 
 V p 

••Condiciones
Condicionesde
dealterna
alterna

vDS − V DSQ
iD − I DSQ = −
Rp
Diapositiva 15

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EL TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO


MOSTFETs. Morfología, clasificación y símbolos

MOST
MOST de
de acumulación
acumulación MOST
MOST de
dedeplexión
deplexión
Fuente Puerta Drenaje Puerta Drenaje
Fuente
Aluminio Aluminio
SiO2 SiO2

n + n +
n n+
pn
+
p

P (subtrato) P (subtrato)

Entrada Salida Entrada Salida

Canal
Canal nn
Diapositiva 16

ELECTRONICA ANALOGICA

EL TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO


MOSTFET. Morfología, clasificación y símbolos

MOST
MOST de
de acumulación
acumulación MOST
MOST de
dedeplexión
deplexión
Fuente Puerta Drenaje Puerta Drenaje
Fuente
Aluminio Aluminio
SiO2 SiO2

p+ p+ p p+
pp
+
p

n (subtrato) n (subtrato)

Entrada Salida Entrada Salida

Canal
Canal pp
Diapositiva 17

ELECTRONICA ANALOGICA

EL TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO


Polarización del M0STFET de acumulación.
Característica tensión-intensidad
Canal
Canal nn
Fuente
_ Puerta
+ + Drenaje

_+++++
____
+++++
___
pn
+ __ n+

P (subtrato)

Portadores minoritarios
(electrones)
Diapositiva 18

ELECTRONICA ANALOGICA

EL TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO


Característica de transferencia de un NMOS
de acumulación: Tensión umbral
Canal
Canal nn
Fuente Puerta
_ + + Drenaje

_+++++
____
+++++
___
pn
+ __ n+

P (subtrato)

Portadores minoritarios
(electrones)
Diapositiva 19

ELECTRONICA ANALOGICA

EL TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO


Característica tensión-intensidad: Región
óhmica o de no saturación
Canal
Canal nn VVDS
DS<< VVGS
GS-- V
VTT
Fuente Puerta
_ + + Drenaje

_+++++
____
+++++
___
pn + __ n+

P (subtrato)

Portadores minoritarios
(electrones)
Diapositiva 20

ELECTRONICA ANALOGICA

EL TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO


Característica tensión-intensidad: Región de
saturación
Canal
Canal nn
Fuente Puerta V DS> VGS- VT
_ + + Drenaje

_+++++
____
+++++
___
pn + __ n+

P (subtrato)

Portadores minoritarios
(electrones)
Diapositiva 21

ELECTRONICA ANALOGICA

EL TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO


Característica tensión-intensidad: Región de
corte
Canal
Canal nn
Fuente Puerta
_ + + Drenaje

_+++++
____
+++++
___
pn + __ n+

P (subtrato)

Portadores minoritarios
(electrones) VVGS<<VVT
GS T

IIDD=
= 00
Diapositiva 22

ELECTRONICA ANALOGICA

EL TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO


Polarización del M0STFET de deplexión.

Canal
Canalnncomo
comoacumulación
acumulación Canal
Canalnncomo
comodeplexión
deplexión

Fuente Drenaje Fuente Drenaje


_ Puerta
_ Puerta
_
+ + +
_____
_+++++
____ +++++
+++++
+++++ _____
___ +++
pn + __ n+ pn + ++ n+

P (subtrato) P (subtrato)

Portadores mayoritarios Cargas descubiertas


(electrones) (impurezas dadoras)
Diapositiva 23

ELECTRONICA ANALOGICA

EL TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO


Polarización del M0STFET de deplexión.
Característica tensión-intensidad
Fuente Puerta Drenaje
_ + +
_+++++
____
+++++
___
pn + __ n+

P (subtrato)
Fuente Puerta Drenaje
_ _ +
_____
+++++
+++++
_____
+++
pn + ++ n+

P (subtrato)
Diapositiva 24

ELECTRONICA ANALOGICA

EL TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO


Característica de transferencia del M0STFET
de deplexión.
Fuente Puerta Drenaje Puerta Drenaje
_ _
Fuente
_
+ + +
_____
+++++
+++++ _+++++
____
_____ +++++
+++ ___
pn + ++ n+ pn + __ n+

P (subtrato) P (subtrato)
Diapositiva 25

ELECTRONICA ANALOGICA

EL TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO


Circuitos amplificadores básicos con MOSTs
de acumulación (SC)
n Circuito autopolarizado o polarización de fuente

Equivalente

Thevenin
Diapositiva 26

ELECTRONICA ANALOGICA

EL TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO


Circuitos amplificadores básicos con MOSTs
de acumulación (SC)
n Circuito autopolarizado o polarización de fuente

••Condiciones
Condicionesde
decontinua
continua

VGG = VGS + RS I DS
VDD = (RD + RS )I DS + VDS
I DS ≅ kn (VGS − VT ) 2

••Condiciones
Condicionesde
dealterna
alterna

vDS − VDSQ
iD − I DSQ = −
Rp
Diapositiva 27

ELECTRONICA ANALOGICA

EL TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO


Circuito inversor MOSFET
n Concepto: Puerta lógica NO ( Y = A )

A Y
0 1
1 0
V i V 0

0 VD D
V D D V D D -IR
Diapositiva 28

ELECTRONICA ANALOGICA

EL TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO


Circuito inversor MOSFET
n Carga saturada. Puerta lógica NO (Y = A )

A Y
0 1
1 0
V i V 0

0 V D D -V T
VDD VO N
Diapositiva 29

ELECTRONICA ANALOGICA

EL TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO


Circuito inversor MOSFET
n Carga no saturada: Puerta lógica NO ( Y = A)

A Y
0 1
1 0 V i V0

0 VDD
VDD V ON
Diapositiva 30

ELECTRONICA ANALOGICA

EL TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO


Circuito inversor CMOSFET
n Puerta lógica NO ( Y = A )

A Y
0 1
1 0 Vi V0
0 VD D
VD D 0