Praktikum Komponen Listrik dan Piranti Elektronika

Percobaan 1
DIODE

Disusun Oleh:
Alya Nabilah Hikari
2320600046

PROGRAM STUDI D4 TEKNIK ELEKTRO INDUSTRI

POLITEKNIK ELEKTRONIKA NEGERI SURABAYA
2021
 ABSTRAK

Pada laporan ini telah dilakukan praktikum diode dengan tujuan memahami karakteristik
arus dan tegangan forward serta reverse diode. Karakterisik ini penting untuk dipahami
agar tidak terjadi kesalahan dalam aplikasi dioda. Dengan mengetahui karakteristik diode
nantinya akan dapat memperkirakan tegangan minimum yang dapat dilalui oleh diode
sehingga arus dan tegangan dapat terukur. Dalam karakteristik ini dapat diketahui
keadaan-keadaan yang terjadi pada dioda ketika mendapat tegangan bias maju dan
tegangan bias mundur. Percobaan ini dilakukan secara simulasi menggunakan software
Proteus 8 Professional dengan menyusun rangkaian diode pada posisi forward bias dan
reverse bias yang dihubungkan dengan resistor dan power supply serta diukur arus dan
tegangan outputnya menggunakan multimeter . Data yang didapat dari percobaan ini
berupa arus dan tegangan ouput yang terukur saat diode pada posisi forward bias maupun
reverse bias. Hasil yang dapat disimpulkan yakni pada keadaan forward bias arus
mengalir dengan mudah meskipun dengan sumber tegangan yang sangat kecil. Hal ini
sesuai yang terjadi dalam praktikum. Arus sudah bisa mengalir pada tegangan 0,7 Volt.
Hal ini dikarenakan resistansi lapisan deplesi yang rendah yang hanya berkisar 0,7 V
untuk silikon. Pada kondisi reverse bias ini, dioda bersifat tidak dapat melewatkan arus
atau bisa dikatakan arus yang mengalir sangat kecil sampai pada batas tertentu akan
mengalami penurunan yang sangat curam dan nilainya tidak tergantung pada tegangan
dioda. Arus ini membawa muatan minoritas yang mengalir dari anoda ke katoda yang
disebut arus penjenuhan.

Kata Kunci : karakteristik diode, forward bias, reverse bias

I. PENDAHULUAN
I.1 LATAR BELAKANG
Dioda adalah komponen elektronik dua terminal yang menghantarkan arus terutama
dalam satu arah (konduktansi asimetris); ia memiliki resistansi rendah (idealnya nol)
dalam satu arah, dan resistansi tinggi (idealnya tak terbatas) di sisi lain. Tabung vakum
dioda atau dioda termionik adalah tabung vakum dengan dua elektroda, katoda yang
dipanaskan dan sebuah pelat, di mana elektron hanya dapat mengalir dalam satu arah,
dari katoda ke pelat. Dioda semikonduktor, jenis yang paling umum digunakan saat ini,
adalah potongan kristal dari bahan semikonduktor dengan sambungan p – n yang
terhubung ke dua terminal listrik. [1] Dioda semikonduktor adalah perangkat elektronik
semikonduktor pertama. Penemuan konduksi listrik asimetris yang melintasi kontak
antara mineral kristal dan logam dilakukan oleh fisikawan Jerman Ferdinand Braun pada
tahun 1874. Saat ini, kebanyakan dioda terbuat dari silikon, tetapi bahan semikonduktor
lain seperti galium arsenida dan germanium juga digunakan. [ 2]
Fungsi dioda yang paling umum adalah membiarkan arus listrik lewat dalam satu arah
(disebut arah maju dioda), sambil memblokirnya ke arah yang berlawanan (arah
sebaliknya). Dengan demikian, dioda dapat dilihat sebagai versi elektronik dari check
valve. Perilaku searah ini disebut rektifikasi, dan digunakan untuk mengubah arus bolak-
balik (ac) menjadi arus searah (dc). Bentuk penyearah, dioda dapat digunakan untuk
tugas-tugas seperti mengekstraksi modulasi dari sinyal radio di penerima radio.[3]
Namun, dioda dapat memiliki perilaku yang lebih rumit daripada aksi on-off
sederhana ini, karena karakteristik tegangan arus nonliniernya. [3] Dioda semikonduktor
mulai menghantarkan listrik hanya jika tegangan ambang atau tegangan cut-in tertentu
ada ke arah depan (keadaan dioda dikatakan bias maju). Penurunan tegangan pada dioda
bias maju hanya bervariasi sedikit dengan arus, dan merupakan fungsi dari suhu; efek ini
dapat digunakan sebagai sensor suhu atau sebagai referensi tegangan. Juga, resistansi
tinggi dioda terhadap arus yang mengalir dalam arah sebaliknya tiba-tiba turun ke
resistansi rendah ketika tegangan balik dioda mencapai nilai yang disebut tegangan rusak.
[3]

1.2 TUJUAN
  Memahami karakteristik Arus dan Tegangan Forward Diode
 Memahami Karakteristik Arus dan Tegangan Reverse Diode
II. TINJAUAN PUSTAKA
Dalam berbagai rangkaian elektronika pada komponen semikonduktor dioda
sering kita jumpai jenis dan type yang berbeda beda tergantung dari model dan tujuan
penggunaan rangkaian tersebut dibuat Dioda adalah suatu komponen elektronika yang
dapat melewatkan arus pada satu arah saja. Ada berbagai macam dioda yaitu dioda
tabung, dioda sambungan p-n, dioda kontak titik (point-contact diode) dan sebagainya.
Dioda memegang peranan amatpenting dalam elektronika, diantaranya adalah untuk
menghasilkan tegangan searah dari tegangan bolak-balik, untuk mengesan gelombang
radio, untuk membuat berbagai bentuk gelombang isyarat, untuk mengatur tegangan
searah agar tidak berubah dengan beban maupun dengan perubahan tegangan jala-jala
(PLN), untuk saklar elektronik, LED, laser semikonduktor, mengesan gelombang mikro
dan sebagainya.[4]
Dioda merupakan perangkat semikonduktor sambungan P – N paling sederhana
yang memiliki sifat mengalirkan arus hanya dalam satu arah. Penipisan dan penebalan
lapisan deplesi antar persambungan menjadi kunci dari sifat dioda sambungan P – N.
Berbeda dengan sebuah resistor, sebuah dioda tidak berperilaku linier terhadap tegangan
yang diberikan melainkan dioda menghasilkan karakteristik I – V yang eksponensial.[5]
Notasi atau simbol dioda sambungan P – N ditunjukkan pada gambar berikut.

Gambar 1. Notasi dan Simbol Dioda

Di daerah sambungan P-N dioda akan terjadi difusi (gerakan zat karena perbedaan
konsentrasi) elektron dari kanan ke kiri, dan hole dari kiri ke kanan. Oleh karena hole
yang menyeberang ke kanan meninggakan ion negatif dan elektron yang menyeberang ke
kiri meninggalkan ion positif, maka di daerah sambungan terjadilah dua lapisan ion,
lapisan ion positif di sebelah kanan dan lapisan ion di sebelah kiri. Jumlah dari masing-
masing ion adalah sama. Daerah sambungan, karena tidak berisi pembawa muatan,
dinamakan lapisan atau daerah kosong atau daerah transisi (deplesion region,
transitionregion).
Karakteristik dasar dioda dikenal dengan karakteristik V-I. Karakterisik ini penting untuk
dipahami agar tidak terjadi kesalahan dalam aplikasi dioda. Dalam karakteristik ini dapat
diketahui keadaan-keadaan yang terjadi pada dioda ketika mendapat tegangan bias maju
dan tegangan bias mundur.[6]
Terdapat dua daerah operasi dioda sambungan P – N dan ada tiga kondisi bias yang dapat
diberikan:
1. Zero Bias – kondisi di mana tidak ada potensial eksternal yang diberikan kepada kedua
ujung dioda menghasilkan keseimbangan jumlah pembawa mayoritas, elektron dan hole,
dan keduanya bergerak dalam arah yang berlawanan. Kondisi keseimbangan ini dikenal
sebagai keseimbangan dinamis (dynamic – equilibrium).
2. Reverse Bias – kondisi di mana kutub positif sumber potensial eksternal dihubungkan
ke sisi N dioda dan kutub negatif sumer potensial eksternal dihubungkan ke sisi P dioda.

Gambar 2. Kondisi reverse bias dioda

Kondisi ini menghasilkan suatu nilai resistansi yang tinggi antar persambungan dan
praktis tidak menghasilkan aliran pembawa muatan mayoritas dengan meningkatnya
potensial sumber. Namun, sejumlah arus kebocoran yang sangat kecil akan melewati
persambungan yang dapat diukur dalam orde mikroampere (mA).
3. Forward Bias – Kondisi di mana kutub positif sumber potensial eksternal dihubungkan
ke sisi P dioda dan kutub negatif sumer potensial eksternal dihubungkan ke sisi N dioda.
Kondisi ini menghasilkan suatu nilai resistansi persambungan P – N yang sangat rendah
sehingga memungkinkan arus yang sangat besar mengalir walaupun hanya dengan
potensial sumber yang relatif kecil. Perbedaan potensial aktual yang timbul pada kedua
ujung persambungan dioda akan bernilai tetap akibat aksi dari lapisan deplesi yang
bernilai sekitar 0,3 V untuk germanium dan 0,7 V untuk silikon.

Gambar 3. Kondisi forward bias dioda

Telah dibahas sebelumnya bahwa dioda menahan arus dalam kondisi reverse bias dan
akan menghasilkan kerusakan (breakdown) bila tegangan balik yang diberikan terlalu
besar. Berbeda halnya dengan dioda zener atau biasa disebut dioda breakdown, pada
dasarnya sama dengan dioda sambungan P – N standar kecuali dirancang secara khusus
menghasilkan tegangan balik atau breakdown yang lebih rendah dan relatif konstan
sehingga sangat baik digunakan dalam arah reverse bias sebagai regulator tegangan. Titik
di mana dioda zener mengalami breakdown atau konduksi disebut tegangan zener ”VZ”.
III. METODOLOGI
III.1 ALAT DAN BAHAN
1. Software Proteus 8
2. DC Ammeter
3. DC Voltmeter
4. Resistor
5. DC Power Supply
6. Diode type 1N4001
7. Diode type 1N4002
8. Ground
III.2 LANGKAH-LANGKAH PERCOBAAN
1. Buka Software Proteus 8 Professional pada layar windows anda dengan cara
mengklik dua kali software tersebut. (Gambar 1)

Gambar 1

2. Setelah itu, akan terbuka tampilan home dari Proteus, kemudian pilih New
Project pada menu Start. (Gambar 2)

Gambar 2
3. Setelah memilih New Project, akan terbuka tampilan seperti pada gambar. Ganti
Name dan Path sesuai keinginan. Setelah itu, klik Next (Gambar 3).

Gambar 3

4. Akan muncul tampilan seperti pada gambar-gambar berikut, klik Next saja seperti
contoh (Gambar 4, 5 dan 6) agar anda bisa leluasa ketika menggunakan software
Proteus 8 Professional ni. Setelah itu, klik Finish (Gambar 7).

Gambar 4
 Gambar 5

Gambar 6

Gambar 7

5. Tampilan dari worksheet akan terbuka seperti (Gambar 8). Untuk memilih
komponen yang ingin digunakan klik tanda P pada devices, kemudian akan
terbuka jendela menu seperti (Gambar 9).

Gambar 8
 Gambar 9

6. Pilih komponen yang diinginkan. Pada percobaan pertama kali ini kita
membutuhkan resistor, diode type 1N4001, diode type 1N4002, DC power
supply, DC ammeter, DC voltmeter dan ground. Lalu rangkailah hingga menjadi
seperti gambar rangkaian dibawah ini (Gambar 10). Atur nilai resistor dan
tegangan dengan cara mengklik dua kali komponen tersebut hingga muncul Edit
Component, ubah nilai sesuai yang dibutuhkan lalu klik Ok (Gambar 11,12,13
dan 14).
+88.8
Volts

(+) D1
+88.8
mA
1N4001

+88.8 +88.8 R1
Volts Volts 5

Gambar 10
Gambar 11

Gambar 12

Gambar 13
 Gambar 14
7. Ketika dirasa sudah sesuai dengan yang dibutuhkan, klik tombol segitiga biru
bertuliskan Run The Simulation untuk menrunning rangkaian tersebut (Gambar
15). Setelah dirunning akan keluar nilai arus (I), tegangan (V) yang terukur pada
diode, tegangan input (Vin) sebelum melewati diode dan tegangan output (Vout)
setelah melewati diode (Gambar 16).

Gambar 15
+0.67
Volts

(+) D1
+5.01
mA
1N4001

+0.70 +0.02 R1
Volts Volts 5

Gambar 16
 8. Catat hasil pengukuran dan ulangi percobaan 1 dengan mengubah-ubah nilai
tegangannya. Jika sudah selesai, ulangi percobaan 1 dengan mengganti jenis
diodenya ke diode type 1N4002 dan nilai tegangan yang sama seperti percobaan
menggunakan diode type 1N4001. Catat hasilnya dan amati perbedaannya.

9. Ulangi langkah ke 6 sampai dengan ke 8 untuk percobaan 2, 3 dan 4 yang mana

percobaan 2, 3 dan 4 memiliki beberapa ketentuan yang berbeda dari percobaan 1
seperti peletakan arah diode dan jumlah diode yang digunakan. Lakukan semua
percobaan sesuai dengan modul panduan yang telah diberikan.

3.3 FLOWCHART

START

Komponen dirangkai

Resistor diberi hambatan

tetap sebesar 5Ω

Jika ada maka ulangi

Power Supply diberi tegangan dan lanjut ke
sesuai yang diinginkan rangkaian berikutnya

Arus dan Tegangan Output

dapat diketahui

Apakah terdapat variasi

pada percobaan?

Finish
IV. HASIL DAN ANALISA PEMBAHASAN
4.1 HASIL
 Percobaan 1
Diode 1N4001 Diode 1N4002

+0.67
+0.67

Volts
Volts
(+) D2 (+) D1
+5.01 +5.01
mA mA
1N4001 1N4002

+0.70 +0.02 R1 +0.70 +0.02 R1

Volts Volts 5 Volts Volts 5

(1)

+0.76
Volts
+0.76
Volts

(+) D2 (+) D1
+47.7 +47.7
mA mA
1N4001 1N4002

+1.00 +0.24 R1 +1.00 +0.24 R1

Volts Volts 5 Volts Volts 5

(2)
+0.79

+0.79
Volts

Volts
(+) D2 (+) D1
+102 +102
mA mA
1N4001 1N4002

+1.30 +0.51 R1 +1.30 +0.51 R1

Vo lts Vo lts 5 Vo lts Volts 5

(3)
+0.81
Volts
+0.81
Volts

(+ ) D2 ( +) D1
+158 +158
mA mA
1N4001 1N4002

+1.60 +0.79 R1 +1.60 +0.79 R1

Vo lts Vo lts 5 Volts Volts 5

(4)
+0.82
+0.82
Volts

Volts

(+) D2 (+) D1
+215 +215
mA mA
1N4001 1N4002

+ 1.90 +1.08 R1 +1.90 +1.08 R1

Volts Volts 5 Volts Volts 5

(5)
+0.84
Volts

+0.84
Volts

(+ ) D2 (+) D1
+ 273 +273
mA mA
1N4001 1N4002

+2.20 +1.36 R1 +2.20 +1.36 R1

Volts Volts 5 Volts Volts 5

(6)
 +0.85
Volts

+0.85
Volts
(+) D2 ( +) D1
+ 331
+ 331
mA
1N4001 mA
1N4002

+2.50 + 1.65 R1 +2 .50 + 1.65 R1

Volts Volts 5 Volts Volts 5

(7)

+0.85
Volts

+0.85
Volts
(+ ) D2 ( +) D1
+389 +389
mA mA
1N4001 1N40 02

+2.80 + 1.95 R1 + 2.80 +1.95 R1

Volts Volts 5 Vo lts Volts 5

(8)
+0.86

+0.86
Volts

Volts
(+) D2 (+) D1
+448 +448
mA mA
1N4001 1N4002

+3.10 +2.24 R1 +3.10 +2.24 R1

Volts Vo lts 5 Volts Volts 5

(9)
+0.87
+0.87
Volts

Volts

(+) D2 (+) D1
+506 +506
mA mA
1N4001 1N 40 02

+3.40 +2 .53 R1 +3 .40 +2.5 3 R1

Volts Volts 5 Vo lts Volts 5

(10)

Tabel Hasil Percobaan 1

Diode 1N4001 Diode 1N4002
Resistor 5Ω
Vin I V Vout Vin I V Vout
(Volt (Ampere) Diode (Volt) (Volt) (Ampere) Diode (Volt)
)
0,45 0,01 0,45 0 0,45 0,01 0,45 0
0,5 0,04 0,5 0 0,5 0,04 0,5 0
0,55 0,18 0,54 0 0,55 0,18 0,54 0
0,6 0,63 0,6 0 0,6 0,63 0,6 0
0,65 1,98 0,64 0 0,65 1,98 0,64 0
0,7 5,01 0,67 0.02 0,7 5,01 0,67 0.02
0,75 9,87 0,7 0,04 0,75 9,87 0,7 0,04
0,8 16,1 0,72 0,08 0,8 16,1 0,72 0,08
0,85 23,3 0,73 0,12 0,85 23,3 0,73 0,12
0,9 31,1 0,74 0,16 0,9 31,1 0,74 0,16
 Percobaan 2
Diode 1N4001+1N4001 Diode 1N4001+1N4002

+1.00
Volts
+1.00
Volts
(+) D2 D1 (+) D2 D1
+0.04 +0.04
mA mA
1N4001 1 N4 001 1 N40 01 1N 4002

+1.00 0.00 R1 +1.0 0 0.00 R1

Volts Volts 5 Volts Volts 5

(1.) +1.43

+1.43
Volts

Volts
(+) D2 D1 (+) D2 D1
+14.2 +14.2
mA mA
1 N4 001 1N4001 1N4 001 1 N4 002

+1.50 +0.07 R1 +1 .50 +0.07 R1

Vol ts Volts 5 Volts Vol ts 5

(2.)

+1.57
Volts
+1.57
Volts

(+) D2 D1 (+) D2 D1
+8 6.0 +86.0
mA mA
1N40 01 1 N4 001 1N40 01 1N40 02

+2 .00 +0.43 R1 +2.00 +0 .43 R1

Volts Volts 5 Vol ts Volts 5

(3.)
+1.63
Volts
+1.63
Volts

(+) D2 D1
(+) D2 D1 +174
+174 mA
mA 1 N4001 1N40 02
1N4 001 1N40 01

+2.50 +0 .87 R1
+2.50 +0.87 R1 Volts Volts 5
Volts Vol ts 5

(4.)
+1.67

+1.67
Volts

Volts

(+) D2 D1 (+) D2 D1
+2 66 +266
mA mA
1N4001 1N 40 01 1N40 01 1N40 02

+3.00 +1.33 R1 +3 .00 +1.33 R1

Volts Volts 5 Volts Vol ts 5

(5.)
+1.70
Volts

+1.70
Volts

(+) D2 D1 D2 D1
(+)
+360
+360
mA
1 N4001 1 N4001 mA
1N4001 1N4002

+3.50 +1.80 R1 +3.50 +1.80 R1

Volts Volts 5
Volts Volts 5

(6.)
 +1.73
Volts
+1.73
Volts
(+) D2 D1
(+) D2 D1 +4 55
+455 mA
1N4 001 1N4 002
mA
1N4001 1N4001

+4.00 +2.27 R1
+4 .00 +2 .27 R1 Volts Vol ts 5
Volts Vol ts 5

(7.)

+1.75
Volts
+1.75
Volts
(+) D2 D1 (+) D2 D1
+5 50 +5 50
mA
mA 1N40 01 1N4002
1N4001 1N4 001

+4.50 +2.75 R1 +4.50 +2.75 R1

Volts Volts 5 Volts Volts 5

(8.)

Tabel Hasil Percobaan 2

Diode 1N4001+1N4001 Diode 1N4001+1N4002
Resistor 5Ω
Vin I V Vout Vin I V Vout
(Volt (Ampere) Diode (Volt) (Volt) (Ampere) Diode (Volt)
)
1 0,04 mA 1 0 1 0,04 mA 1 0
1,5 14,2 mA 1,43 0,07 1,5 14,2 mA 1,43 0,07
2 86 mA 1,57 0,43 2 86 mA 1,57 0,43
2,5 174 mA 1,63 0,87 2,5 174 mA 1,63 0,87
3 288 mA 1,67 1,33 3 288 mA 1,67 1,33
3,5 380 mA 1,7 1,8 3,5 380 mA 1,7 1,8
4 455 mA 1,73 2,27 4 455 mA 1,73 2,27
4,5 550 mA 1,75 2,75 4,5 550 mA 1,75 2,75

 Percobaan 3
Diode 1N4001 Diode 1N4002
+47.0

+97.0
Volts

Volts

(+) D1 (+) D1
0.00 0.00
mA Amps
1N4001 1 N4 002

+47.0 0.00 R1 +97.0 0.00 R1

Volts Volts 5 Volts Volts 5

(1.)
+98.0
+48.0

Volts
Volts

(+) D1 (+) D1
0.00 0.00
mA mA
1N4001 1 N4 002

+48.0 0.00 R1 +9 8.0 0 .00 R1

Volts Volts 5 Volts Volts 5

(2.)
 +99.0
Volts
+49.0
Volts
D1 (+) D1
(+)
0.00
0.00
mA
mA 1N4 002
1 N4 001

+49.0 0.00 R1
+9 9.0 0.00 R1
Volts Volts 5
Volts Volts 5

(3.)

+100.0
+50.0
Volts

Volts
(+) D1 (+) D1
0.00 +0.00
mA mA
1N4001 1N4002

+50.0 0.00 R1 +100 0.00 R1

Volts Volts 5 Vol ts Volts 5

(4.)

+101
Volts
+50.5
Volts

(+) D1
(+) D1 +98.9
+99.0 mA
mA 1N4 002
1 N4 001

+101 +0 .49 R1
+5 1.0 +0.50 R1 Volts Volts 5
Vol ts Vol ts 5

(5.)

+101
+50.6

Volts
Volts

(+) D1 (+) D1
+289 +289
mA mA
1N4001 1N40 02

+52.0 +1.4 5 R1 +102 +1.45 R1

Volts Volts 5 Vol ts Volts 5

(6.)
+50.6
Volts

+101
Volts

(+) D1 (+) D1
+484 +484
mA mA
1 N4 001 1N4002

+5 3.0 +2.42 R1 +103 +2.42 R1

Vol ts Vol ts 5 Volts Volts 5

(7.)
+101
Volts
+50.6
Volts

(+) D1 (+) D1
+680 +680
mA mA
1 N4 001 1 N4 002

+54.0 +3.40 R1 +104 +3.40 R1

Volts Volts 5 Vol ts Volts 5

(8.)

Tabel Hasil Percobaan 3

Diode 1N4001 Diode 1N4002
Resistor 5Ω
Vin I V Vout Vin I V Vout
(Volt (Ampere) Diode (Volt) (Volt) (Ampere) Diode (Volt)
)
47 0 47 0 97 0 97 0
48 0 48 0 98 0 98 0
49 0 49 0 99 0 99 0
 50 0 50 0 100 0 100 0
51 99 mA 50,5 0,5 101 98,9 mA 101 0,49
52 289 mA 50,5 1,45 102 289 mA 101 1,45
53 484 mA 50,5 2,42 103 484 mA 101 2,42
54 680 mA 50,5 3,4 104 680 mA 101 3,4

 Percobaan 4
Diode 1N4001+1N4001 Diode 1N4001+1N4002

+147
Volts
+97.0
Volts

D1 D2 (+) D1 D2
(+)
+0.00
0.00
mA
mA 1N4001 1N4002
1 N40 01 1N40 01

+9 7.0 0 .00 R1 +147 0.00 R1

Volts Volts 5
Vol ts Vol ts 5

(1.)
+98.0

+148
Volts

Volts

(+) D1 D2 (+) D1 D2
0.00 +0.00
mA mA
1 N40 01 1N40 01 1 N4 001 1N4002

+9 8.0 0 .00 R1 +148 0.00 R1

Vol ts Vol ts 5 Volts Volts 5

(2.)
+99.0

+149
Volts
Volts

(+) D1 D2 (+) D1 D2
0 .00 +0.00
mA mA
1N 4001 1N 40 01 1N40 01 1N40 02

+99.0 0. 00 R1 +149 0.00 R1

Volts Volts 5 Volts Volts 5

(3.)
+100.0
Volts

+150
Volts

(+) D1 D2 (+) D1 D2
+0.00 +0.0 0
mA
1N4001 1N4001 mA
1 N40 01 1N4002

+100 0.0 0 R1 +150 0.0 0 R1

Volts Vol ts 5 Volts Volts 5

(4.)
 +101
Volts

+151
Volts
(+) D1 D2 (+) D1 D2
+21.9
+2 1.8
mA
1 N40 01 1N40 01 mA
1N4001 1N4002

+101 +0. 11 R1 +1 51 +0.11 R1

Vol ts Vol ts 5 Volts Vol ts 5

(5.)

+151
Volts
+101
Volts
D1 D2 (+) D1 D2
(+)
+1 87
+187
mA
mA 1N4001 1N40 02
1N 4001 1N4001

+102 +0.93 R1 +152 +0.93 R1

Volts Volts 5
Vol ts Volts 5

(6.)

+151
Volts
+101
Volts

D1 D2 (+) D1 D2
(+)
+373 +373
mA
mA 1N4 001 1N 40 02
1N 4001 1N4001

+103 +1.87 R1 +153 +1.87 R1

Vol ts Volts 5 Volts Volts 5

(7.)

+151
Volts
+101
Volts

(+) D1 D2 (+) D1 D2
+564 +564
mA mA
1N 4001 1N4001 1N4 001 1N 4002

+104 +2.82 R1 +154 +2.82 R1

Vol ts Volts 5 Volts Vol ts 5

(8.)

Tabel Hasil Percobaan 4

Diode 1N4001+1N4001 Diode 1N4001+1N4002
Resistor 5Ω
Vin I V Vout Vin I V Vout
(Volt (Ampere) Diode (Volt) (Volt) (Ampere) Diode (Volt)
)
97 0 97 0 147 0 147 0
98 0 98 0 148 0 148 0
99 0 99 0 149 0 149 0
100 0 100 0 150 0 150 0
101 21,9 mA 101 0,11 151 21,9 mA 151 0,11
102 187 mA 101 0,93 152 187 mA 151 0,93
103 373 mA 101 1,87 153 373 mA 151 1,87
104 564 mA 101 2,83 154 564 mA 151 2,83

4.2 ANALISA PERCOBAAN

Pada percobaan diatas telah dilakukan percobaan pada diode mengenai forward
dan reverse bias diode. Percobaan diatas dilakukan secara simulasi menggunakan
software Proteus 8 dengan menggunakan diode type 1N4001 dan diode type 1N4002
yang akan disusun secara forward dan reverse untuk diamati perbedaan hasil
pengukuran terhadap arus dan tegangannya. Kita melakukan sebanyak 4 macam
percobaan seperti berikut:
 Percobaan 1
 Pada percobaan kesatu ini kita hanya menggunakan satu diode dengan dua
tipe yang berbeda yakni 1N4001 dan 1N4002 yang disusun secara forward bias.
Dengan nilai resistor yang digunakan konstan sebesar 5Ω. Pada saat
menggunakan diode type 1N4001 pada tabel data percobaan dapat dilihat bahwa
jika diberikan tegangan input dibawah 0,7V maka tidak ada tegangan output yang
akan dihasilkan atau bernilai 0 sehingga agar menghasilkan nilai tegangan output
harus memasukkan nilai tegangan input ≥ 0,7V sedangkan jika kita liat saat diode
diganti menggunakan type 1N4002 dengan nilai tegangan dan resistor yang sama
tercetak hasil pengukuran yang sama persis seperti saat menggunakan diode type
1N4001.
 Percobaan 2
Pada percobaan kedua ini kita menggunakan dua diode yang disusun seri
yakni diode type 1N4001 yang diseri dengan type yang sama lalu diode type
1N4001 yang diseri dengan diode type 1N4002 yang semuanya disusun secara
forward bias. Nilai resistor yang digunakan masih sama seperti percobaan 1 yakni
5Ω dan tegangan yang digunakan bernilai dua kali lipat dari percobaan 1 karena
pada percobaan kedua menggunakan 2 diode. Pada saat posisi diode type 1N4001
diseri dengan 1N4001 berdasarkan tabel data percobaan kita mendapati bahwa
jika kita memasukkan nilai tegangan input dibawah 1,5V maka tegangan output
tidak akan terukur atau bernilai 0 sehingga untuk menghasilkan nilai tegangan
output harus memasuukan nilai tegangan input ≥ 1,5V nilai ini merupakan 2 kali
lipatnya dari batas minimum tegangan yang digunakan pada 1 diode, sedangkan
pada saat diode yang digunakan diganti dengan menseri diode type 1N4001
dengan type 1N4002 didapatkan hasil pengukuran yang sama seperti saat
digunakan 2 diode 1N4001.
 Percobaan 3
Pada percobaan ketiga ini kita hanya menggunakan satu diode dengan dua
tipe yang berbeda yakni 1N4001 dan 1N4002 yang disusun secara reverse bias.
Dengan nilai resistor yang digunakan konstan sebesar 5Ω. Pada kondisi reverse
ini diode menerapkan maximum dc blocking voltage yang mana tiap type diode
memiliki nilai yang berbeda. Pada diode type 1N4001 jika diberi tegangan ≤ 50V
maka tidak akan ada arus yang terukur karena belum mencapai batas maximum dc
blocking voltage yang berarti diode masih dapat bekerja dengan baik atau tidak
terjadi kerusakan dan jika diberi nilai tegangan input > 50V maka arus akan
terukur hal ini dapat terjadi karena diode sudah tidak bekerja dengan baik atau
mengalami kerusakan karena menerima tegangan melebihi batas maximum dc
blocking voltagenya. Untuk diode type 1N4002 juga berlaku sama seperti 1N4001
hanya saja batas maximum dc blocking voltagenya sebesar 100V, jika diberi ≤
100V maka tidak akan ada arus yang terukur dan jika diberi > 100V maka arus
akan terukur hal ini dapat terjadi karena diode sudah tidak bekerja dengan baik
atau mengalami kerusakan karena menerima tegangan melebihi batas maximum
dc blocking voltagenya. Jika diliat dari tabel hasil pengukuran arus dan tegangan
output yang didapat pada kedua diode bernilai sama dan hanya berbeda pada
tegangan diodanya.
 Percobaan 4
Pada percobaan keempat ini kita menggunakan dua diode yang disusun
seri yakni diode type 1N4001 yang diseri dengan type yang sama lalu diode type
1N4001 yang diseri dengan diode type 1N4002 yang semuanya disusun secara
reverse bias. Nilai resistor yang digunakan masih sama seperti percobaan 1 yakni
5Ω dan tegangan yang digunakan berarti dua kali lipat dari percobaan 3. Pada
diode 1N4001+1N4001 jika diberi nilai tegangan input ≤ 100V maka tidak akan
ada arus yang terukur karena belum mencapai batas maximum dc blocking
voltage yang sebesar 50V+50V = 100V yang berarti diode masih dapat bekerja
dengan baik atau tidak terjadi kerusakan dan jika diberi nilai tegangan input >
100V maka arus akan terukur hal ini dapat terjadi karena diode sudah tidak
bekerja dengan baik atau mengalami kerusakan karena menerima tegangan
melebihi batas maximum dc blocking voltagenya. Untuk diode type 1N4001 +
 1N4002 juga berlaku sama seperti 1N4001 + 1N4001 hanya saja batas maximum
dc blocking voltagenya sebesar 50V+100V = 150V sehingga jika diberi ≤ 150V
arus tidak akan terukur dan arus baru terukur saat diberi tegangan >150V hal itu
dikarenakan diode menerima tegangan melebihi batas maximum dc blocking
voltagenya.

V. KESIMPULAN
Dari semua percobaan diatas dapat disimpulkan bahwasannya :
 Diode adalah sebuah komponen elektronika yang terdiri dari dua buah elektroda yang
berfungsi terhadap hubungan pengendalian arus dan tegangan.
 Diode disebut forward bias ketika diode dapat menghantarkan arus listrik dan disebut
reverse bias ketika diode tidak dapat menghantarkan arus listrik.
 Semua diode type 1N400x pada kondisi forward bias maka arus baru akan mengalir
jika diberi tegangan ±0,7V hal ini dikarenakan resistansi lapisan deplesi yang rendah
yang hanya berkisar 0,7 V untuk silikon.
 Arus berbanding lurus dengan tegangan, ketika tegangan semakin tinggi maka
arusnya semakin tinggi pula.
 Pada saat reverse bias, jika tegangan diode lebih kecil dari tegangan hambatan pada
pada Diode maka arus yang mengalir menjadi sangat kecil.
 Diode Type 1N4001 pada saat kondisi reverse bias memiliki maximum DC blocking
voltage sebesar 50V, jika diberikan tegangan >50V maka Diode tersebut akan
rusak/terbakar sehingga terjadi kebocoran arus saat dilakukan pengujian.
 Diode Type 1N4002 pada saat kondisi reverse bias memiliki maximum DC blocking
voltage sebesar 100V, jika diberikan tegangan >100V maka Diode tersebut akan
rusak/terbakar sehingga terjadi kebocoran arus saat dilakukan pengujian.
VI. DAFTAR PUSTAKA
[1] D. Bakri, Abdul Haris., Dasar-dasar Elektroniks Buku 1. Sulawesi Tengah:
Edukasi Mitra Grafika, 2015.
[2] L. W. Turner, Electronics Engineer’s Reference Book, 4th ed. Butterworth-
Heinemann, 2013.
[3] Malvino, Prinsip-prinsip Elektronik Edisi Kedua, 2nd ed. Jakarta: Erlangga, 1981.
[4] Sutrisno, Elektronika : Teori dan Penerapannya, Jilid I. Bandung: Penerbit ITB,
1986.
[5] KyleLancasterVishay, “The Constituents of Semiconductor Components,” 2010,
[Online]. Available:
https://web.archive.org/web/20110710183421/http://www.element14.com/commu
nity/docs/DOC-22518/l/the-constituents-of-semiconductor-components.
[6] MUHAMMAD RIZAL FAHLEPY, “Laporan Karakteristik Dioda Elektronika
Dasar,” 2020. [Online]. Available:
https://www.thinksphysics.com/2020/08/laporan-karakteristik-dioda-elektronika-
dasar.html.