MAKALAH

PRINSIP KERJA PADA SETIAP TIPE

THYRISTOR
MATA KULIAH ELEKTRONIKA DAYA

OLEH:

GERY DASAYEV NAINGGOLAN (170402080)

ELEKTRONIKA DAYA

DEPARTEMEN TEKNIK ELEKTRO

FAKULTAS TEKNIK

UNIVERSITAS SUMATERA UTARA

2021
 DAFTAR ISI

DAFTAR ISI................................................................................................................2
BAB 1........................................................................................................................3
PENDAHULUAN........................................................................................................3
1.1 Latar Belakang................................................................................................3
1.2 Tujuan............................................................................................................4
1.3 Manfaat..........................................................................................................4
BAB 2........................................................................................................................5
PEMBAHASAN..........................................................................................................5
2.1 Pengertian......................................................................................................5
2.2 Pembentukan Thyristor.................................................................................5
2.3 Struktur Thyristor...........................................................................................6
2.4 Tipe-Tipe Thyristor.........................................................................................8
2.4.1 Phase-Controlled Thyristors (SCRs)....................................................9
2.4.2 Fast-Switching Thyristor.....................................................................9
2.4.3 Gate Turn Off Thyristor....................................................................10
2.4.5 Reverse-Conducting Thyristor..........................................................11
2.4.6 Static Induction Thyristor.................................................................11
2.4.7 Light-Activated Silicon-Controlled Rectifier.....................................12
2.4.8 FET-Controlled Thyristor..................................................................12
2.4.9 MOS-Controlled Thyristor................................................................13
BAB 3......................................................................................................................14
PENUTUP................................................................................................................14
DAFTAR PUSTAKA..................................................................................................15
 BAB 1
PENDAHULUAN
1.1 Latar Belakang
Berkembangnya teknologi elektronika daya, khususnya dengan adanya
penemuan Thyristor,maka pemanfaatan konverter dan inverter merupakan sebuah
solusi pemutakhiran pengendali kelistrikan, misalnya dalam pengaturan tegangan
ac / dc yang mudah, luwes, praktis, dan ekonomis.
Thyristor adalah komponen elektronika yang berfungsi sebagai saklar
(switch) atau pengendali yang terbuat dari bahan semikonduktor. Thyristor yang
secara ekslusif bertindak sebagai saklar ini pada umumnya memiliki dua hingga
empat kaki terminal. Meskipun terbuat dari semikonduktor, Thyristor tidak
digunakan sebagai Penguat sinyal seperti Transistor. Istilah “Thyristor” berasal
dari bahasa Yunani yang artinya adalah “Pintu”.
Pada prinsipnya, Thyristor yang berterminal tiga akan menggunakan
arus/tegangan rendah yang diberikan pada salah satu kaki terminalnya untuk
mengendalikan aliran arus/tegangan tinggi yang melewati dua terminal lainnya.
Sedangkan untuk Thyristor yang berterminal dua yang tidak memiliki terminal
kendali (GATE), fungsi saklarnya akan diaktifkan apabila tegangan pada kedua
terminalnya mencapai level tertentu. Level tegangan yang dimaksud tersebut
biasanya disebut dengan Breakdown Voltage atau Breakover Voltage. Pada saat
dibawah tegangan breakdownnya, kedua kaki terminal tidak akan mengaliri arus
listrik atau berada di posisi OFF.
Membahas mengenai Saklar (Switch) elektronik, pada dasarnya kita juga
dapat menggunakan Transistor. Namun jika dibandingkan dengan Transistor,
Thyristor yang didedikasi sebagai Komponen Saklar ini akan dapat berfungsi
lebih baik. Hal ini dikarenakan Transistor memerlukan tegangan/arus yang tepat
untuk mengoperasikan fungsi saklarnya, jika tegangan/arus yang diberikannya
tidak sesuai dengan spesifikasi yang ditentukan makaTransistor tersebut akan
berada diantara keadaan ON dan OFF. Saklar yang berada diantara keadaan ON
dan OFF bukanlah suatu saklar yang baik. Berbeda dengan Transistor, Thyristor
dirancang untuk hanya berada di dua keadaan yaitu keadaan ON atau keadaan
OFF saja.

1.2 Tujuan
Adapun tujuan dibuatnya makalah ini, yaitu:
a) Menambah pengetahuan mengenai thyristor.
b) Dapat menjelaskan dan mendeskripsikan thyristor.
c) Mengetahui tipe-tipe thyristor.
d) Mengetahui Prinsip kerja dari setiap jenis thyristor.
e) Memenuhi tugas mata kuliah elektronika daya.

1.3 Manfaat
Manfaat yang diharapkan dari dibuatnya makalah ini adalah sebagai bahan
pembelajaran untuk menambah pengetahuan dan juga referensi singkat mengenai
thyristor bagi pembaca.
 BAB 2

PEMBAHASAN

2.1 Pengertian
Thyristor adalah komponen elektronika yang berfungsi sebagai saklar
(switch) atau pengendali yang terbuat dari bahan semikonduktor. Thyristor yang
secara ekslusif bertindak sebagai saklar ini pada umumnya memiliki dua hingga
empat kaki terminal. Meskipun terbuat dari semikonduktor, Thyristor tidak
digunakan sebagai Penguat sinyal seperti Transistor. Istilah “Thyristor” berasal
dari bahasa Yunani yang artinya adalah “Pintu”. Pada prinsipnya, Thyristor yang
berterminal tiga akan menggunakan arus/tegangan rendah yang diberikan pada
salah satu kaki terminalnya untuk mengendalikan aliran arus/tegangan tinggi yang
melewati dua terminal lainnya. Sedangkan untuk Thyristor yang berterminal dua
yang tidak memiliki terminal kendali (GATE), fungsi saklarnya akan diaktifkan
apabila tegangan pada kedua terminalnya mencapai level tertentu. Level tegangan
yang dimaksud tersebut biasanya disebut dengan Breakdown Voltage atau
Breakover Voltage. Pada saat dibawah tegangan breakdownnya, kedua kaki
terminal tidak akan mengaliri arus listrik atau berada di posisi OFF.

2.2 Pembentukan Thyristor

Gambar 2.1 Pembentukan Thyristor

 Bahan thyristor yang paling banyak digunakan adalah Silicon. Sedangkan
bahan lainnya yaitu: silicon carbide (SiC), gallium nitride (GaN), dan semi-
widegap semikonduktor material gallium arsenide (GaAs). Tingkatan doping pada
thyristor bervariasi antar lapisannya. Katoda adalah bagian yang paling banyak
didoping. Yang diberi banyak doping berikutnya adalah Anoda dan Gate. Dan
yang paling rendah dopingnya adalah diantara lapisan tipe N. Ini juga lebih tebal
daripada laisan lain dan dua faktor ini yang menyebabkan tegangan blocking yang
besar muncul. Lapisan tipis dimaksudkan juga bahwa perangkat akan mengalami
breakdown pada tegangan yang rendah.

2.3 Struktur Thyristor

Ciri-ciri utama dari sebuah thyristor adalah komponen yang terbuat dari
bahan semiconductor silicon. Walaupun bahannya sama, tetapi struktur P-N
junction yang dimilikinya lebih kompleks dibanding transistor bipolar atau MOS.
Komponen thyristor lebih digunakan sebagai saklar (switch) ketimbang sebagai
penguat arus atau tegangan seperti halnya transistor.

Gambar 2.2 Struktur Thyristor

Struktur dasar thyristor adalah struktur 4 layar PNPN seperti yang
ditunjukkan pada gambar 2.2a. Jika dipilah, struktur ini dapat dilihat sebagai dua
buah struktur junction PNP dan NPN yang tersambung di tengah seperti pada
gambar-lb. Ini tidak lain adalah dua buah transistor PNP dan NPN yang
tersambung pada masing-masing kolektor dan base. Jika divisualisasikan sebagai
transistor Q1 dan Q2, maka struktur thyristor ini dapat diperlihatkan seperti pada
gambar 2.3 yang berikut ini.

Gambar 2.3 Visualisasi dengan transistor

Terlihat di sini kolektor transistor Ql tersambung pada base transistor Q2
dan sebaliknya kolektor transistor Q2 tersambung pada base transistor Q1.
Rangkaian transistor yang demikian menunjukkan adanya loop penguatan arus di
bagian tengah. Dimana diketahui bahwa I.= In, yaitu arus kolektor adalah
penguatan dari arus base.
Jika misalnya ada arus sebesar Is yang mengalir pada base transistor Q2,
maka akan ada arus I. yang mengalir pada kolektor Q2. Arus kolektor ini
merupakan arus base Is pada transistor QI, sehingga akan muncul penguatan pada
pada arus kolektor transistor QI. Arus kolektor transistor Q1 tdak lain adalah arus
base bagi transistor Q2. Demikian seterusnya sehingga makin lama sambungan
PN dari thyristor ini di bagian tengah akan mengecil dan hilang. Tertinggal
hanyalah lapisan P dan N dibagian luar.
Jika keadaan ini tercapai, maka struktur yang demikian tidak lain adalah
struktur dioda PN (anoda-katoda) yang sudah dikenal. Pada saat yang demikian,
disebut bahwa thyristor dalam keadaan ON dan dapat mengalirkan arus dari anoda
menuju katoda seperti layaknya sebuah dioda.
 Gambar 2.4 Thyristor diberi tegangan
Bagaimana kalau pada thyristor ini kita beri beban lampu de dan diberi
suplai tegangan dari nol sampai tegangan tertentu seperti pada gambar 2.4. Apa
yang terjadi pada lampu ketika tegangan dinaikkan dari nol. Ya betul, tentu saja
lampu akan tetap padam karena lapisan N-P yang ada ditengah akan mendapatkan
reverse-bias (teori dioda). Pada saat ini disebut thyristor dalam keadaan OFF
karena tidak ada arus yang bisa mengalir atau sangat kecil sekali. Arus tidak dapat
mengalir sampai pada suatu tegangan reverse-bias tertentu yang menyebabkan
sambungan NP ini jenuh dan hilang. Tegangan ini disebut tegangan breakdown
dan pada saat itu arus mulai dapat mengalir melewati thyristor sebagaimana dioda
umumnya.
Pada thyristor tegangan ini disebut tegangan breakover Vbo.

2.4 Tipe-Tipe Thyristor

Adapun thyristor dapat dikelompokkan ke dalam beberapa tipe berikut:
1 Phase-controlled thyristors (or SCR)
2 Fast switching asymmetrical thyristors (or ASCR)
3 Gate-turn-off thyristor (GTO)
4 Bidirectional triode thyristors (TRIAC)
5 Reverse-conducting thyristors (RCT)
6 Static induction thyristor (SITH)
7 Light-activated silicon-controlled rectifier (LASCR)
8 FET-controlled thyristor (FET-CTH)
9 MOS-controlled thyristors (MCTs)
2.4.1 Phase-Controlled Thyristors (SCRs)

Gambar 2.5 Kontrol Phase Thyristor

Thyristor type ini secara umum beroperasi pada line-frequency dan dimatikan
dengan komutasi natural. Turn off time tq, berada dalam orde 50 sampai 100 us.
Alat ini sangat cocok untuk aplikasi pensaklaran kecepatan rendah yang dikenal
sebagai thyristor konverter. Karena terbuat dari silikon yang dikontrol maka
thyristor ini disebut silicon-controlled rectifier (SCR). Dalam keadaan on, VT,
bervariasi disekitar 1,15 V untuk devais 600 V hingga 2,5 V untuk devais 4000 V;
dan untuk thyristor 5500 A, 1200 V, sekitar 1,25 V.

2.4.2 Fast-Switching Thyristor

Gambar 2.6 Fast Switching Thyristor

Biasanya thyristor ini digunakan pada penerapan teknologi pensaklaran
kecepatan tinggi dengan forced-commutation. Thyristor jenis ini memiliki waktu
turn off yang cepat, umumnya dalam 5 sampai 50 us bergantung pada daerah
tegangannya. Tegangan jatuh forward pada keadaan on bervarasi kira-kira seperti
fungsi invers dari trun off time tą, dikenal juga sebagai thyristor inversi. Thyristor
ini memiliki dvídt yang tinggi biasanya 1000 V/us dan di'dt sebesar 1000 /us. Turn
off yang cepat akan sangat penting untuk mengurangi berat dan ukuran dari
komponen rangkaian reaktif. Thyristor ini memiliki kemampuan blocking yang
sangat terbatas kira-kira 10 V, biasanya dikenal asymmetrical thyristor (ASCR).
 2.4.3 Gate Turn Off Thyristor

Gambar 2.7 Gate Turn Off Thyristor

Alat ini dihidupkan dengan memberi sinyal gerbang positif. GTO memiliki
beberapa keuntungan dibandingkan SCR; (1) turn-off yang cepat, memungkinkan
komponen commulating pada forced-commutation, yang menghasilkan
pengurangan biaya, berat dan volume; (2) pengurangan usikan akustik dan
elektromagnetik karena hilangya commutation chokes; (3) trun-off yang cepat,
memungkinkan frekuensi pensaklaran yang tinggi; dan (4) meningkankan efisiensi
converter. Pada aplikasi daya rendah , GTO memiliki keuntungan dibandingkan
bipolar transistor: (1) kemampuan bloking tegangan yang lebih tinggi; (2) rasio
arus puncak yang dapt dikontrol dengan arus rata-rata yang tinggi; (3) rasio atus
surge puncak terhadap arus terhadap arus rata-rata tinggi, umumnya 10 :1; (4)
penguatan keadaan on tinggi (arus anode/arus gerbang), umumnya 600; dan (5)
durasi sinyal gerbang sinyal pulsa pendek. Controllable peak on-state current
ITGQ adalah nilai puncak dari arus keadaan on, yang dapat dimatikan oleh control
gerbang. Dengan CS adalah kapasitansi snubber.

2.4.4 TRIAC

Gambar 2.8 Karakteristik TRIAC

 TRIAC dapat bersifat konduktifdalam dua arah. Karena itu TRIAC
menupakan device bidirectional, terminalnya tidak dapat ditentukan sebagai
anode/katode. Dalam prakteknya sensitivitas bervariasi antara satu kuadran
dengan kuadran lain, dan TRIAC biasanya beroperasi di kuadran I+ (tegangan)
dan arus gerbang positif) atau kuadran III- (tegangan dan arus gerbang negative).

2.4.5 Reverse-Conducting Thyristor

Suatu RCT dapat dipandangi sebagai suatu kompromi antara
karakteristikdevais dan kebutuhan dari rangkaian RCT dapat dianggap sebagai
suatu thyristor dengan built-in mode antipapralel. Tegangan forward blocking
bervariasi antara 400 samapi dengan 2000 V dan rating arus maju bergerakhingga
500 A. Tegangan blocking reverse biasanya sekitar 30 sampai dengan 40 V.

2.4.6 Static Induction Thyristor

Gambar 2.9 Static Induction Thyristor

Karakteristik dari SITH mirip dengan karakteristik dari MOSFET. SITH
biasanya dihidupkan dengan memberikan tegangan gerbang positif. SITH
merupakan devais pembawa muatan minoritas. SITH memiliki kecepatan
switching yang tinggi denagn kemampuan dvídt dan di/dt yang tinggi. Waktu
switchingnya berada pada orde 1 sampai 6 us. Rating tegangan mencapai 2500 V
dan rating arus dibatasi 500 A. devais ini sangat sensitive terhadap proses
produksi, ganguan kecil dapat megakibatkan perubahan besar pada
karakteristiknya.

2.4.7 Light-Activated Silicon-Controlled Rectifier

Perangkat ini dihidupkan dengan memberikan radiasi langsung pada wafer
silicon. Pasangan electron-hole yang terbentuk selama proses radiasi
menghasillkan arus trigger pada pengaruh medan elektris. LASCR digunakan
untuk pemakaian arus dan tegangan yang tinggi dan kompensasi daya reaktif
statis. LASCR menediakan isolasi elektris penuh antara sumber cahaya pen-
trigger dan devais switching dari converter daya, dengan potensial mengambang
tinggi.

2.4.8 FET-Controlled Thyristor

Gambar 2.10 Skema FET-Controlled Thyristor

Device FET - CTH merupakan kombinasi MOSFET dan thyristor secara
parallel. Jika tegangan tertentu diberikan pada gerbang MOSFET, biasanya 3 V,
arus pen-tringger dari thyristor akan bangkit secara internal. FET-CTH memiliki
kecepatan switching tinggi.
2.4.9 MOS-Controlled Thyristor

Gambar 2.11 Rangkaian Ekuivalen dan Skematik untuk Channel P MCT MOS-
Controlled Thyristor (MCT)
MCT mengkombinasikan sifat-sifat regeneratif thyristor dan struktur gerbang
MOS. Karena strukturny NPNP anode berlaku sebagai terminal acuan relatif
terhadap semua sinyal gerbang yang diberikan. Diasumsikan bahwa MCT berada
dalam keadaaan blocking state dan tegangan negatif VGA diberikan. Kanal p
(layer inversion) dibentuk dalam material n-doped, yang mengakibatkan hole-hole
mengalir secara lateral dari emiter. MCT dapat beroperasisebagai devais yang
dikontrol oleh gerbang jika arusnya lebih kecil dari arus maksimum yang dapat
dikontrol. Usaha untuk membuat MCT off pada arus yang melebihi nilai itu akan
menyebabkan kerusakan pada devais. Untuk nilai arus yang tinggi, MCT harus
dimatikan seperti thyristor biasa. Lebar pulsa gerbang tidak kritis untuk arus
devais yang lebih kecil. Untuk arus besar, lebar pulsa turn off harus lebih besar
dari pulsa turn-off harus lebih besar. Secara umum, aplikasi thyristor adalah :
Mengontrol kecepatan dan frekuensi, penyearahan pengubahan daya, manipulasi
robot, kontrol temperature, kontrol cahaya
 BAB 3
PENUTUP
Thyristor adalah komponen elektronika yang berfungsi sebagai saklar
(switch) atau pengendali yang terbuat dari bahan semikonduktor. Thyristor yang
secara ekslusif bertindak sebagai saklar ini pada umumnya memiliki dua hingga
empat kaki terminal. Meskipun terbuat dari semikonduktor, Thyristor tidak
digunakan sebagai Penguat sinyal seperti Transistor. Istilah “Thyristor” berasal
dari bahasa Yunani yang artinya adalah “Pintu”.
Bahan thyristor yang paling banyak digunakan adalah Silicon. Sedangkan
bahan lainnya yaitu: silicon carbide (SiC), gallium nitride (GaN), dan semi-
widegap semikonduktor material gallium arsenide (GaAs). Tingkatan doping pada
thyristor bervariasi antar lapisannya. Katoda adalah bagian yang paling banyak
didoping. Yang diberi banyak doping berikutnya adalah Anoda dan Gate. Dan
yang paling rendah dopingnya adalah diantara lapisan tipe N.
 DAFTAR PUSTAKA

H.Rashid, Muhammad. 2014. Power Electronics Devices, Circuits, and

Aplications. USA: PEARSON.
Kho, Dickson. 2020. https://teknikelektronika.com/pengertian-thyristor-
jenisthyristor/

Unknown.2012. http://utomoanggabudi.blogspot.com/2016/10/tipe-thyristor.html