LAPORAN PRATIKUM ELEKTRONIKA DASAR

No Percobaan :5

Judul percobaan : Karakteristik Transistor

Nama pratikan : AULIA RAHMAYANTI PUTRI

No Bp : 1901032005

Kelas : 1C Reguler

Team labor : Efendi Muchtar, S.T., M.T.

Wiwik Wiharti, S.T, M.T

Zulka Hendri,ST., MT.

Program Studi Teknik Listrik

Jurusan Teknik Elektro

POLITEKNIK NEGERI PADANG

TA 2019/2020
 BAB I

TUJUAN

Setelah melaksanakan praktikum,praktikan diharapkan dapat:

1. Mengukur karakteristik-keluaran transistor (NPN)

2. Mengukur karakteristik-kontrol-arus transistor
3. Menghitung faktor penguatan arus,h FE
4. Menghitung karakteristik-kontrol-tegangan transistor
5. Menghitung transkonduktansi,q m
6. Mengukur karakteristik masukan transistor
 BAB II

TEORI DASAR

Transistor berada dalam kondisi kerja bila sambungan(junction)

basis-amitor mendapat bias maju dan sambungan basis-kolektor mendapat bias
balik,untuk transistor NPN,tegangan pada rasis (S) harus lebih positif daripada
amitor (E) dan tegangan pada kolektor ( C ) harus lebih positif daripada basis.

Transistor NPN  pergerakan pembawa Arus Negatif (Elektron) melalui wilayah

Basis yang merupakan aksi transistor, karena elektron menyediakan hubungan
antara sirkuit Collector dan Emitter. Hubungan antara rangkaian Input dan Output,
Fitur aksi transistor karena transistor yang memperkuat properti berasal dari
kontrol konsekuen yang diberikan oleh Base pada Collector ke Emitter.

Cara kerja NPN adalah ketika tegangan yang mengenai  kaki basis, hingga
dititik saturasi, maka akan menginduksi arus dari kaki kolektor ke emitor. Dan
transistor akan berlogika 1 (aktif). Dan apabila arus yang melalui basis berkurang,
maka arus yang mengalir pada kolektor ke emitor akan berkurang, hingga titik
cutoff. Penurunan ini sangatlah cepat karena perbandingan penguatan yang terjadi
antara basis dan kolektor melebihi 200 kali.
 Karakteristik Dan Daerah Kerja

1. Daerah Aktif
Daerah kerja transistor yang normal adalah pada daerah aktif, dimana arus
IC konstan terhadap berapapun nilai VCE.

2. Daerah CuttOff
Jika tegangan VCC dinaikan perlahan-lahan, sampai tegangan VCE
tertentu tiba-tiba konstan.
 3. Daerah Saturasi
Daerah saturasi adalah mulai dari VCE = 0 Volt sampai kira kira 0,7 Volt
(transistor silikon), yaitu akibat dari efek dioda kolektor-base yang mana
tegangan VCE belum mencukupi untuk dapat menyebabkan aliran
elektron.

Karakteristik keluaran memperlihatkan hubungan antara arus

kolektor(i C) dan tegangan kolektor-enitor (V CE) pada arus basis(iS) konstan,

Ic= f ( V CE).

Karakteristik kontrol arus memperlihatkan hubungan antara arus

yang lektor dan arus basis pada tegangan kolektor-enitor konstan.iC=f(iy).

iC
Faktor penguatan arus dc: h FE=
IB

Karakteristik kontrol tegangan memperlihatkan hubungan antara arus kolektor dan

tegangan basis-enitor (V BE). Pada tegangan enitor konstan , i C=¿¿ f( V d E).

ΔiC ΔiB
Transkonduktansi, gm = ≈ h FE
ΔV BE ΔV BE

Karakteristik memperlihatkan hubungan antara arus basis dan

tegangan basis-enitor pada tegangan kolektor-enitor konstan, i F =¿¿ f( V BEE.

Karakteristik ini dapat digambar dengan data dari kedua karakteristik-kontrol

tersebut diatas.

BAB III
 ALAT DAN BAHAN

 1 Transistor silicon NPN,AC 107 C

 1 Resistor 100 Ohm
 1 Resistor 1K Ohm
 1 Resistor 180K Ohm
 1 Potensiometer 1K Ohm
 1 Potensiometer 10K Ohm
 4 Dioda Penyearah
 3 Multimeter
 1 Osiloskop dua-saluran
 1 Sumber tegangan DC 10 V
 1 Sumber tegangan AC Variabel 0-9 v/50Hz

BAB IV
DIAGRAM RANGKAIAN

BAB V

LANGKAH KERJA
1. Membuat sebuah rangkaian seperti diagram rangtkaian pada BAB IV tanpa
memasang V1,kita lakukan pengukuran IC sebagai fungsi VCE dengan IB
konstan yaitu 10 mikroAmpere,20mikroAmpere,30 mikro Ampere. Masukkan
hasilnya pada tabel 1.
2. Menggambarkan karakteristik keluaran transistor tersebut,apabila terjadi
kenaikan tajam arus kolektor dan bilamanakah terjadi arus kolektor jenuh?
3. Dengan rangkaian ini,kita melakukan pengukuran IB sebagai fungsi IC dengan
VCE konstan (5V),lalu masukkan hasilnya pada tabel 2.
4. Menggambarkan karakteristik control arus transistor tersebut,bagaimanakah
hubungan antara arus basis dan arus kolektornya?
5. Menghitung faktor penguatan arusnya..
6. Lalu dengan menghubung singkat A1 dan memasang V1,kita lakukan
pengukuran VBE sebagai fungsi IC dengan VCE konstan (5V),dan masukkan
hasilnya pada tabel 2.
7. Menggambarkan karakteristik control tegangan resistor tersebut,Bilamanakah
mulai terjadi kenaikan arus kolektor yang relative dasar?
8. Lalu kita menghitung transkondukstansi gm transistor?
Dengan menggunakan karakteristik kontol tegangan yang telah didapat
9. Menggambarkan karakteristik masukan transistor dengan menggunakan data
dari kedua karakteristik kontrolnya.
Apakah hubungan karakteristik masukan dengan karakteristik control
tegangannya?

BAB VI

TABEL DATA
TABEL 1

V CE I C (mA )
(Volt) I B=10 μA I B=20 μA I B=30 μA
0,2 10 nA 10 nA 10 nA
0,5 55 nA 55 nA 55 nA
1 1,0 mA 2,0 mA 3,0 mA
2 1,0 mA 2,0 mA 3,0 mA
4 1,0 mA 2,0 mA 3,0 mA
6 1,0 mA 2,0 mA 3,0 mA
8 1,0 mA 2,0 mA 3,0 mA

Grafik Karakteristik Transistor NPN pada Tabel 1

3.5

2.5

1.5

0.5

0
0.2 0.5 1 2 4 6 8

IC (IB = 10) IC (IB = 20) IC (IB = 30)

BAB VII

HASIL PERCOBAAN TABEL DATA

1. V CE = 0,2 Volt
A. I B=10 μA
R1 = 7500 Ohm,R2 = 2500 Ohm,R3 = 980 Ohm,dan R4 = 20 Ohm
 B. I B=20 μA
R1 = 5650 Ohm, R2 = 4350 Ohm, R3 = 980 Ohm, dan R4 = 20 Ohm

C. I B=30 μA
R1 = 3800 Ohm, R2 = 6200 Ohm, R3 = 980 Ohm, dan R4 = 20 Ohm

2. V CE = 0,5 Volt
A. I B=10 μA
R1 = 7500 Ohm, R2 = 2500 Ohm, R3 = 950 Ohm, dan R4 = 50 Ohm

B. I B=20 μA
R1 = 5650 Ohm, R2 = 4350 Ohm, R3 = 950 Ohm, dan R4 = 50 Ohm

C. I B=30 μA
R1 = 3800 Ohm, R2 = 6200 Ohm, R3 = 950 Ohm, dan R4 = 50 Ohm
3. V CE = 1 Volt
A. I B=10 μA
R1 = 7500 Ohm, R2 = 2500 Ohm, R3 = 890 Ohm, dan R4 = 110 Ohm

B. I B=20 μA
R1 = 5650 Ohm, R2 = 4350 Ohm, R3 = 880 Ohm, dan R4 = 120 Ohm

C. I B=30 μA
R1 = 3800 Ohm, R2 = 6200 Ohm, R3 = 865 Ohm, dan R4 = 135 Ohm
4. V CE = 2 Volt
A. I B=10 μA
R1 = 7500 Ohm, R2 = 2500 Ohm, R3 = 783 Ohm, dan R4 = 217 Ohm

B. I B=20 μA
R1 = 5650 Ohm, R2 = 4350 Ohm, R3 = 763 Ohm, dan R4 = 237 Ohm
 C. I B=30 μA
R1 = 3800 Ohm, R2 = 6200 Ohm, R3 = 742 Ohm, dan R4 = 258 Ohm

5. V CE = 4 Volt
A. I B=10 μA
R1 = 7500 Ohm, R2 = 2500 Ohm, R3 = 575 Ohm, dan R4 = 425 Ohm

B. I B=20 μA
R1 = 5650 Ohm, R2 = 4350 Ohm, R3 = 550 Ohm, dan R4 = 450 Ohm
 C. I B=30 μA
R1 = 3800 Ohm, R2 = 6200 Ohm, R3 = 524 Ohm, dan R4 = 476 Ohm

6. V CE = 6 Volt
A. I B=10 μA

R1 = 7500 Ohm, R2 = 2500 Ohm, R3 = 376 Ohm, dan R4 = 624 Ohm

 B. I B=20 μA
R1 = 5650 Ohm, R2 = 4350 Ohm, R3 = 354 Ohm, dan R4 = 646 Ohm

C. I B=30 μA
R1 = 3800 Ohm, R2 = 6200 Ohm, R3 = 332 Ohm, dan R4 = 668 Ohm

7. V CE = 8 Volt
A. I B=10 μA

R1 = 7500 Ohm, R2 = 2500 Ohm, R3 = 185 Ohm, dan R4 = 815 Ohm

B. I B=20 μA
R1 = 5650 Ohm, R2 = 4350 Ohm, R3 = 171 Ohm, dan R4 = 829 Ohm

C. I B=30 μA
R1 = 3800 Ohm, R2 = 6200 Ohm, R3 = 159 Ohm, dan R4 = 841 Ohm
 BAB VIII

ANALISA

Pada percobaan ini kita akan melakukan praktikum percobaan

karakteristik transistor NPN,pada rangkaian kita artur sumber tegangan 10 Volt
lalu R1 dan R2 kita atur menjadi 7500 ohm dan 2500 ohm untuk mencari IB 10
mikro Ampere,lalu R1 dan R2 5650 ohm dan 4350 ohm untuk mencari IB 20
mikro Ampere dan R1 dan R2 3800 ohm dan 6200 ohm untuk mencari IB 30
mikro Ampere.Lalu untuk mencari VCE kita gunakan voltmeter yang
masukannya kita sambungkan pada keluaran IC dan keluarannya pada keluaran
sumber.

Pada rangkaian ini kirta akan mengukur IC saat IB 10 mikro Ampere,20

mikro Ampere dan 30 mikro Ampere,dan saat VCE 0,2 volt, 0,5 volt,1 volt,2
volt,4 volt,6 volt dan 8 volt.untuk mengukur IC kita pasangkan amperemeter yang
masukannya pada keluaran R3 /masukan R4 atau pada rangkaian sebenarnya
pada keluaran potensiometer 1K ohm dan untuk IB kita gunakan ampere meter
dengan masukan ke keluaran R5 dan keluaran tersambung ke transistor NPN.

Pada hasil percobaan dapat kita analisa bahwa dengan meningkatkannya

VCE akan menyebabkan R3 pada rangkaian ini semakin mengecil dan R4
semakin besar untuk IB 10,20 dan 30 mikro Ampere.berkurangnya R3 untuk
menambah tegangan dan arus yang mengfalir ke VCE melalui IC dan masukan R4
sehingga arus dan tegangan yang didapat semakin besar,jika R3 lebih besar dari
R4 maka didapat VCE semakin kecil.

Dari hasil didapat IC pada 0,2 volt dan 0,5 volt didapat IC yang sama
pada setiap IB baik 10,20 dan 30 mikro Ampere hal ini bisa terjadi karena
arus/tegangan yang masuk ke VCE sedikit karena R4 mendapatkan resistansi yang
rendah daripada R3,sementara untuk IC 2,4,6, dan 8 Volt didapat IC beragam
pada IB 10,20 dan 30 mikro Ampere dapat kita lihat pada table bahwa hasilnya
setiap kenaikan IB maka IC didapat mengalami peningkatan/penambahan arus
seperti contoh saat VCE 6 volt didapat IB pada 10 mikro Ampere yakni 1mA lalu
pada IB 20 mikro Ampere 2 mA dan IB 30 mikro Ampere didapat 3Ma dapat kita
lihat pengaruh peningkatan resistansi R4 yang membuat arus pada IC semakin
meningkat dan mengalami kenaikan di setiap penambahan arus IB nya.

Pada percobaan ini transistor NPN kita pasangkan dengan masukannya

pada masukan IC dan VCE lalu keluarannya pada keluaran R5 artinya transistor
ini mendapatkan arus/tegangan dari R1,R2,R5 dan R3,R4 karena trasinstor
dipasang melewati arus/tegangan dari semua resistor.

Transistor NPN ini menerima sinyal atau arus listrik melalui IC, VCE
dan R5 lalu arus yang diterima ini berfungis untuk menguatkan arus listrik,arus
yang mengalir antara kaki basis dan emitor berfungi sebagai saklar untuk
mengalirkan arus lebih besar dari kaki kolektor ke emitor.

Karakteristik transistor adalah:

 Saat base-emiter mendapat bias positif maka seperti pada dioda, electron
mengalir dari emiter menuju base. Kolektor pada rangkaian ini lebih positif, sebab
mendapat tegangan positif. Karena kolektor ini lebih positif, aliran elektron
bergerak menuju kutup ini. Misalnya tidak ada kolektor, aliran elektron
seluruhnya akan menuju base seperti pada dioda.

Tetapi karena lebar base yang sangat tipis, hanya sebagian elektron yang
dapat bergabung dengan hole yang ada pada base. Sebagian besar akan menembus
lapisan base menuju kolektor. Inilah alasannya mengapa jika dua diode
digabungkan tidak dapat menjadi sebuah transistor, karena persyaratannya adalah
lebar base harus sangat tipis sehingga dapat diterjang oleh elektron.
Tegangan base-emitor dibalik (reverse bias), maka tidak akan terjadi
aliran elektron dari emitor menuju kolektor. Jika pelan-pelan ‘keran’ base diberi
bias maju (forward bias), elektron mengalir menuju kolektor dan besarnya
sebanding dengan besar arus bias base yang diberikan. Dengan kata lain, arus base
mengatur banyaknya electron yang mengalir dari emiter menuju kolektor.
Ini yang dinamakan efek penguatan transistor, karena arus base yang kecil
menghasilkan arus emiter-colector yang lebih besar. Istilah amplifier  (penguatan)
sebenarnya bukanlah penguatan dalam arti sebenarnya, karena dengan penjelasan
di atas sebenarnya yang terjadi bukan penguatan, melainkan arus yang lebih kecil
mengontrol aliran arus yang lebih besar. Juga dapat dijelaskan bahwa base
mengatur membuka dan menutup aliran arus emiter-kolektor (switch on/off).

Dari karakteristik diatas dapat kita analisa fungsi dan karakteristik

transistor pada rangkaian adalah saat transistor NPN mendapatkan bias dari arus
IC/VCE maka transistor akan berfungsi menguatkan sinyal apabila sinyal yang
didapat lebih besar dari 0,5 V dan apabila kurang maka transistor ini berfungsi
sebagai saklar yakni mengatur membuka dan menutup aliran arus.

Pada rangkaian ini transistor NPN yang dipasang dimana mendapatkan

arus kolektor dari VCE/IC dan arus ini akan mengalir ke arus base lalu ke R5.lalu
areus base ini mengatur banyaknya arus yang mengalir ke emitter dan menuju
seluruh rangkaian.Saat didapat arus base kecil daripada arus emitter ke rangkaian
maka ini yang dinamakan penguatan artinya transistor menguatkan sinyal pada
rangkaian ini sehingga didapat sinyal yang bagus.

BAB IX

KESIMPULAN DAN SARAN

8.1 Kesimpulan

Setelah melakukan praktikum,praktikan mengambil kesimpulan:

1) Transistor adalah alat semi konduktor yang berguna untuk penguat,

penyambung, stabilisasi modulasi sinyal dan lain-lain pada suhu atau
keadaan tertentu.
2) Transistor NPN merupakan transistor bipolar yang terdiri dari 2 lapis
bahan semikonduktor N dan 1 lapis bahan semikonduktor P.
3) Pada rangkaian ini transistor NPN sebagai penguat sinyal atau tegangan
listrik pada rangkaian

8.2 Saran
 Setelah melakukan praktikum,praktikan memberikan saran:

1) Saat melakukan praktikum,diharapkan praktikan memasukkan komponen

dan nilai sesuai project diinginkan
2) Praktikan jangan menekan sembarang tombol pada laptop yang membuat
program PSIM error
3) Utamakan Sholat dalam bekerja
4) Utamakan Kesehatan dan Keselamatan Kerja