BAB I

PENDAHULUAN

A. Latar Belakang

Prinsip dasar dari transistor efek-medan (FET) pertama kali

diusulkan oleh fisikawan Austria-Hungaria Julius Edgar Lilienfeld pada

tahun 1926, ketika dia mengisi paten pertama untuk transistor efek-medan

gerbang-terisolasi (IGFET). Selama dua tahun berikutnya dia menjelaskan

berbagai struktur FET. Dalam konfigurasi MOS-nya aluminum

dilambangkan oleh M, aluminum oksida dilambangkan oleh O, sedangkan

tembaga sulfida digunakan sebagai semikonduktor. Akan tetapi, dia tidak

mampu membuat perangkat FET yang bekerja secara praktis. Konsep FET

kemudian juga dikembangkan teorinya oleh insinyur Jerman Oskar Heil

pada 1930-an dan fisikawan Amerika William Shockley pada 1940-an.

MOSFET diciptakan oleh Mohamed Atalla dan Dawon Kahng di

Bell Labs, di mana mereka berhasil memfabrikasi perangkat MOSFET

pertama pada November 1959. Perangkat tersebut dicakup oleh dua paten,

masing-masing diajukan secara terpisah oleh Atalla dan Kahng pada Maret

1960. Mereka menerbitkan hasil mereka pada Juni 1960, di Solid-State

Device Conference yang digelar di Universitas Carnegie Mellon.Pada

tahun yang sama, Atalla mengusulkan agar MOSFET digunakan untuk

membuat cip sirkuit terpadu MOS (MOS IC), dengan alasan mudahnya

fabrikasi MOSFET.

1
B. Rumusan Masalah

1. Apa itu MOSFET?

2. Bagaimana prategangan MOSFET?

3. Apa saja tipe peningkatan MOSFET?

C. Tujuan

1. Memahami pengertian MOSFET

2. Mengetahui prategangan dari MOSFET

3. Mengetahui apa saja tipe-tipe peningkatan MOSFET

2
 BAB II

PEMBAHASAN

A. Pengertian MOSFET

Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor atau biasa

disebut MOSFET adalah sebuah perangkat semionduktor yang secara luas

di gunakan sebagai switch dan sebagai penguat sinyal pada perangkat

elektronik. MOSFET adalah inti dari sebuah IC ( integrated Circuit ) yang

di desain dan di fabrikasi dengan single chip karena ukurannya yang

sangat kecil. MOSFET memiliki empat gerbang terminal antara lain

adalah Source (S), Gate (G), Drain (D) dan Body(B).

Ada dua jenis MOSFET menurut jenis bahan semikonduktor

pembuatnya, yaitu tipe N (nMOS) dan tipe P (pMOS). Bahan

semikonduktor yang digunakan untuk membuat MOSFET adalah silikon,

namun beberapa produsen IC, terutama IBM, mulai menggunakan

campuran silikon dan germanium (SiGe) sebagai kanal MOSFET.

Sayangnya, banyak semikonduktor dengan karakteristik listrik yang lebih

baik daripada silikon, seperti galium arsenid (GaAs), tidak membentuk

3
 antarmuka semikonduktor-ke-isolator yang baik sehingga tidak cocok

untuk MOSFET. Hingga kini terus diadakan penelitian untuk membuat

isolator yang dapat diterima dengan baik untuk bahan semikonduktor

lainnya. MOSFET bekerja secara elektonik memvariasikan sepanjang jalur

pembawa muatan ( electron atau hole ). Muatan listrik masuk melalui

Saluran pada Source (S) dan keluar melalui Drain (D). Lebar Saluran di

kendalikan oleh tegangan pada electrode yang di sebut dengan Gate atau

gerbang yang terletak antara Source (S) dan Drain (D). ini terisolasi dari

saluran di dekat lapisan oksida logam yang sangat tipis. Kapasitas MOS

pada komponen ini adalah bagian Utama nya. Mosfet memiliki dua mode,

mode pertama adalah Depletion Mode dan Enhancement Mode.1

B. Prategangan MOSFET

Bila VGS lebih besar dari VT terdapat sebuah saluran penghantar dan

VDS menyebabkan arus hanyut (ID) mengalir dari drain ke source.

Tegangan VDS menyebabkan prategangan balik (reverese bias) yang besar

dari drain ke body daripada dari source ke body. Jadi terdapat lapisan

pengosongan yang lebih lebar pada drain.2

1
Ady Setyo, Apa Itu MOSFET? dan Prinsip Kerjanya, diakses dari :
https://www.adysetyo.com/2019/02/apa-itu-mosfet-dan-prinsip-kerja.html
2
Maulana, Teori dasar MOSFET

4
 C. MOSFET Tipe Peningkatan

Enhancement MOSFET atau disingkat dengan E-MOSFET adalah

MOSFET yang hanya dapat bekerja pada mode enhancement

(peningkatan) saja (tidak seperti halnya D-MOSFET yang dapat bekerja

pada mode enhancement sekaligus mode deplesi). Hal ini mengharuskan

tegangan gate harus positif terhadap source.

1. Kondisi VGS = 0 volt (tidak diberi tegangan)

Pada kondisi VGS = 0 volt, berarti tidak ada kanal yang

menghubungkan antara source dan drain.

2. Kondisi VGS > 0 volt (VGS positif)

Pada kondisi VGS > 0 volt (positif), maka lubang-lubang bidang

valensi pada substrat akan ditolak. Pada kondisi ini:

 Jika VGS nilainya diperbesar, maka kanal akan menjadi lebih

lebar dan ID bertambah.

 Jika VGS nilainya diperkecil, maka kanal akan menjadi lebih

sempit dan ID berkurang.3

3
Taufik D. S. Suyadhi, Enchancement MOSFET diakses dari https://www.robotics-
university.com/2014/10/enhancement-mosfet-e-mosfet.html

5
 BAB III

PENUTUP

A. Kesimpulan

MOSFET diciptakan oleh Mohamed Atalla dan Dawon Kahng di

Bell Labs, di mana mereka berhasil memfabrikasi perangkat MOSFET

pertama pada November 1959. Perangkat tersebut dicakup oleh dua paten,

masing-masing diajukan secara terpisah oleh Atalla dan Kahng pada Maret

1960.MOSFET adalah inti dari sebuah IC ( integrated Circuit ) yang di

desain dan di fabrikasi dengan single chip karena ukurannya yang sangat

kecil. Bila VGS lebih besar dari VT terdapat sebuah saluran penghantar

dan VDS menyebabkan arus hanyut (ID) mengalir dari drain ke source.

Tegangan VDS menyebabkan prategangan balik (reverese bias).

Enhancement MOSFET atau disingkat dengan E-MOSFET adalah

MOSFET yang hanya dapat bekerja pada mode enhancement

(peningkatan)

B. Saran

Saya sebagai penulis menyadari jika makalah ini banyak sekali

memiliki kekurangan yang jauh dari kata sempurna. Tentunya, penulis

akan terus memperbaiki makalah dengan mengacu kepada sumber yang

busa dipertanggungjawabkan nantinya.Oleh sebab itu, penulis sangat

mengharapkan adanya kritik serta saran mengenai pembahasan makalah di

atas.

6
 DAFTAR PUSTAKA

Ady Setyo, Apa Itu MOSFET? dan Prinsip Kerjanya, diakses dari :

https://www.adysetyo.com/2019/02/apa-itu-mosfet-dan-prinsip-

kerja.html

Maulana, Teori dasar MOSFET

Taufik D. S. Suyadhi, Enchancement MOSFET diakses dari https://www.robotics-

university.com/2014/10/enhancement-mosfet-e-mosfet.html