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Funcionalidad:
La rama colector-emisor conducirá sólo si existe circulación de corriente
por la unión base-emisor.
La base actúa como terminal de control y permite regular la cantidad de
corriente que circula por la rama colector-emisor.
La forma de fabricación hace que las uniones de Base-Colector y de
Base-Emisor estén muy próximas físicamente, de modo que lo que ocurre
en la unión B-E influye grandemente en la otra unión B-C, apareciendo el
efecto transistor, que lo distingue de la simple unión de dos diodos en
oposición.
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Zona de CORTE
Si en nuestro anterior ejemplo hacemos que VBB<0.7V, la unión
base-emisor no podrá conducir, y la IB será cero. A esta situación
se la denomina CORTE.
En esta situación, todas las corrientes del transistor serán nulas.
El modelo del transistor en esta zona es un circuito abierto en
todos sus terminales.
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Zona de SATURACIÓN
ICSAT=(VCC-0.2V)/RC
IBMINSAT=ICSAT/ β
IBMINSAT =(VCC-0.2V)/RC)/ β
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IB=(VBB-0.7)/RB ;
IB= (2.7-0.7)/100k = 20µA;
Ahora, plantearemos la hipótesis de que el transistor se encuentre en zona
activa (posteriormente se ha de comprobar la validez de la hipótesis)
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Si suponemos que la entrada VBB es una tensión que conmuta entre 0V y 5V,
podemos comprobar fácilmente que la salida VC también conmutará entre
5V(Corte) y 0.2V (SAT).
De hecho, cualquier tensión de entrada VBB que esté por debajo de 0.7V hará
que el transistor esté cortado, por lo que la tensión de salida será de 5V.
Y cualquier tensión VBB de entrada que esté por encima de 2.62V producirá
la saturación del transistor, por lo que VC=0.2V.
Comprobación de la saturación:
Para que el trt. esté en SAT. Será necesaria una IBminSAT que valdrá:
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