(II) – DETECCIÓN Y MEDIDA DE LA RADIACIÓN

8a. ESPECTROMETRÍA GAMMA

8a.1 DETECTORES PARA ESPECTROMETRÍA

INTRODUCCIÓN

El primer detector para partículas nucleares individuales fue la pantalla de centelleo de

Rutherford y sus colaboradores. Cuando una partícula α incide sobre una pantalla de SZn,
pueden verse en la oscuridad los pequeños destellos producidos por los fotones originados en
el choque. Este principio fue revalorizado en 1947 por Coltman y Marshall, quienes
contribuyeron con importantes mejoras en la detección de los destellos de luz al inventar el
tubo fotomultiplicador (TFM),. Evidentemente esto fue un gran adelanto, ya que el conteo de
las partículas fue más eficiente. También en 1947, Kallman fue el primero que utilizó un cristal
de antraceno con el cual se logró detectar radiación electromagnética; y en 1950, Halstadter
dio a conocer los resultados de sus investigaciones con un cristal de NaI(Tl), y con esto se
obtuvo uno de los detectores más eficientes que tiene la instrumentación nuclear. En
resumen, un detector de centelleo se puede describir como el arreglo de dos transductores.
Primeramente. Él material centellador transforma la radiación incidente en luz; la luz pasa a
través de una ventana ópticamente transparente al TFM, el cual produce a su salida un pulso
eléctrico. Sin embargo este tipo de detectores muestra una pobre resolución, ya que existe
un encadenamiento de varios eventos que permiten convertir la energía de radiación incidente
en el detector en luz y esta por medio del TFM en un pulso eléctrico.

El descubrimiento de detector de NaI(Tl) y la invención TFM abrió las puertas para ampliar las
investigaciones y estudios sobre la radiación; se obtuvo acceso, con mayor eficiencia, en el
análisis de energía de las partículas alfa y beta emitidas por fuentes radiactivas, pero sobre
todo de las que emiten radiación electromagnética. Si bien, con anterioridad, se realizaba
espectrometría con cámaras de ionización y con detectores proporcionales, el análisis era
lento y sobre todo, poco eficiente, debido a que estos utilizan gas para la detección.

La siguiente generación de detectores se basó en los cristales semiconductores (Ge y Si

fundamentalmente), cuya técnica se desarrolló durante la década de lo cincuenta
obteniéndose ya excelentes resultados en los sesenta. Estos cristales perfectamente
ordenados, permiten obtener una mayor resolución en energía, ya que en primer lugar la
conversión en portadores de carga es directa, además de que se produce una carga
portadora de información con poca energía.

Para producir un par electrón-hoyo en si se necesita 3.76 eV y en Ge es necesario una

energía de 2.76 eV. La movilidad de los electrones en el cristal bajo la influencia de un campo
eléctrico es muy alta lo cual permite una colección eficiente de cargas antes de que exista la
recombinación de estas, lo cual aumenta sensiblemente la resolución en energía. La densidad
de los materiales es alta, razón por la cual la conversión de la energía a un número
proporcional de portadores de carga es eficiente, si bien hay que reconocer que no es tan
eficiente como en los detectores de NaI(Tl).

8a.2. CARACTERISTICAS DE LOS DETECTORES DE ESTADO SÓLIDO

1.- Alta eficiencia para convertir la energía de radiación ionizante en portadores de carga
electrón-hoyo.

AVANZADO DE SR 63
 (II) – DETECCIÓN Y MEDIDA DE LA RADIACIÓN

2.- La conversión de energía en portadores de carga es lineal, lo que significa que la carga
producida es proporcional a la energía incidente en el material.

3.- Alta resolución en energía, ya que los portadores de carga tienen alta movilidad. Al aplicar
campos eléctricos moderadamente altos es posible colectar rápidamente los portadores de
carga generados que se producen cuando incide la radiación sobre el detector, esto impide
que existan recombinaciones de carga liberada, pérdida de información debido a choques
de los portadores de carga con los átomos del cristal.

4.-Los detectores construidos con Si tiene características de bajo ruido electrónico a

temperatura ambiente, ya que la formación de un par electrón-hoyo requiere una energía
de 3.76 eV, es de esperar que existan pocos portadores de carga liberados por la energía
térmica ambiental. Por su densidad y sus características a temperatura ambiente se utilizan
para detectar partículas cargadas como: los fragmentos de fisión ; las partículas α ; las
partículas β ; etc.

5.- Los detectores construidos con Ge no tienen características de bajo ruido electrónico a
temperatura ambiente, ya que la formación de un par electrón-hoyo requiere una energía
de 2.96 eV, es de esperar que exista mayor cantidad de portadores de carga liberados por
la energía térmica ambiental. Este problema se ha resuelto enfriando con nitrógeno líquido
el detector, por su densidad se utiliza para la detección de radiación gamma.

8a.2.1. PRINCIPIOS FÍSICOS DE UN DETECTOR DE ESTADO SÓLIDO

Un cristal semiconductor está formado por una celda molecular que se repite periódicamente,
tal arreglo recibe el nombre de lattice; característica física que define al semiconductor.
Aspectos muy importantes surgen de la existencia de una celda. Si un electrón de valencia del
cristal recibe suficiente energía, puede liberarse del átomo y entrar en el campo de acción de
otros átomos. En el interior de la estructura cristalina regular, las fuerzas que ejercen los
átomos se compensan, de modo que el electrón liberado puede moverse libremente por la
estructura cristalina con una velocidad media que dependerá de la temperatura ambiente, y
por supuesto, podrá ser desplazado por la acción de un campo eléctrico.

Existen dos aspectos muy importantes que deben mencionarse: primero, dependiendo del
número de electrones libres se puede expresar un índice de conductividad, sí a temperatura
ambiente tenemos un gran número de electrones libres tendremos un material conductor, en
caso contrario tendremos un material aislador, y como punto intermedio se tendrá el material
semiconductor de nuestro interés, cuya conductividad depende fuertemente de la
temperatura; como segundo aspecto importante tenemos, que al aumentar la temperatura
ambiente del material, conductor, semiconductor o aislador, aumentará la densidad de
portadores, puesto que al cederle energía térmica o de otro tipo se rompen mas ligaduras de
electrones con sus átomos.

Cuando un electrón deja un átomo se deja un hueco positivo por este hecho se dice que al
incidir energía sobre un cristal se forman pares electrón-hoyo. Indudablemente todos los
electrones ligados al átomo se comportan de acuerdo a las leyes de la mecánica cuántica, sin
embargo los electrones libres se pueden manejar con la mecánica clásica; ¿pero sucede lo
mismo con la abstracción físico matemática de que el hueco dejado por el electrón pueda sea
tratado como una partícula positiva?, afortunadamente sí, y permite que esta “partícula ficticia”
se le asocien características particulares como una carga positiva y una vida efímera, ya que
desaparece al recombinarse con un electrón.
AVANZADO DE SR 64
 (II) – DETECCIÓN Y MEDIDA DE LA RADIACIÓN

Como es necesario cederle energía a un electrón para separarlo de su átomo, se infiere que
los electrones libres tienen un nivel de energía superior al de los átomos ligados. Este nivel de
energía es un nivel discreto, es decir cuánticamente está de acuerdo a la hipótesis de Plank.
Nuevamente por medio de una abstracción físico matemática se propone el siguiente modelo;
en el seno del

AVANZADO DE SR 65
 (II) – DETECCIÓN Y MEDIDA DE LA RADIACIÓN

cristal la interacción de los niveles de energía individuales produce la formación de bandas de

energía, ver la figura 8.a.1, la banda de conducción (donde actúan los electrones libres), y la
banda de valencia (de donde se liberaron los electrones y se han dejado hoyos). Estas
bandas se separan por una zona de niveles no ocupados, que se denomina banda prohibida.
Esta banda prohibida en silicio tiene el valor de 1.11 eV y para el germanio se tiene el valor es
0.66 eV.

Las propiedades de los semiconductores son descritas mas adecuadamente en términos de

las bandas de energía mencionadas con anterioridad. La excitación de un electrón de la
banda de valencia hacia la banda de conducción es completamente parecido al proceso por el
cual la energía térmica (en general la energía radiante) pueden hacer pasar electrones de
capas atómicas de baja energía a capas de electrones de mayor energía o liberarlos
completamente, lo cual significa que los electrones han pasado por la banda prohibida.

En la teoría de bandas, si la banda de valencia esta completamente llena y la banda de

conducción esta totalmente vacía el material será un aislador. Por otro lado, en un conductor
se tiene que la banda de valencia esta llena y la banda de conducción parcialmente llena, tal
que si se aplica un campo eléctrico existirá un flujo de cargas. Contrastando con los
aisladores y los conductores, un semiconductor a temperatura ambiente (300 °K, kT = 0.25
eV) puede tener la banda de valencia completamente llena y la banda de conducción
parcialmente vacía, de tal manera que al aplicar un campo eléctrico se tendrá un pequeño
flujo de cargas.

Supóngase que a un cristal semiconductor se le reduce la temperatura, tal que la banda de

conducción queda libre de cargas, este se expone a la radiación ionizante cuya energía se
puede considerar que es mayor a la energía de la banda prohibida. La radiación es
dispersada a través de la lattice del cristal a la cual cederá su energía, ocurriendo diferentes
procesos de ionización. Los electrones liberados pasan a la banda de conducción, algunos
con tal energía que liberan mas electrones a la banda de conducción, donde cualquier
electrón liberado creará un hoyo en la banda de valencia; y recordando que para crear un par
electrón-hoyo se requiere una energía definida, entonces el número de electrones y hoyos
creados son proporcionales, dentro de las fluctuaciones estadísticas, a la cantidad de energía
impartida por la radiación ionizante. Afortunadamente, si un campo eléctrico es aplicado a
través de cristal, los electrones podrán ser colectados rápidamente por el polo positivo
(ánodo) y los hoyos por el polo negativo (cátodo), las cargas por supuesto fluirán hacia un
circuito externo. Desde este punto de vista se tiene un detector de estado sólido que se ha
construido con un cristal semiconductor.

AVANZADO DE SR 66
 (II) – DETECCIÓN Y MEDIDA DE LA RADIACIÓN

Banda de Conducción

EC
EC

Eg
Eg

EV
EV
Banda de Valencia

AISLADORES SEMICONDUCTORES

EC

EV

CONDUCTORES

Ec: nivel de energía donde se inicia la banda de conducción.

Ev: nivel de energía donde termina la banda de valencia.
Eg: salto de energía o banda de energía prohibida ( Ec-Ev).

Figura 8a.1.En el seno del cristal la interacción de los niveles de energía individuales
produce la formación de bandas de energía: la banda de conducción (donde
actúan los electrones libres), y la banda de valencia (de donde se liberaron los
electrones y se han dejado hoyos). Estas bandas se separan por una zona de
niveles no ocupados, que se denomina banda prohibida.

AVANZADO DE SR 67
 (II) – DETECCIÓN Y MEDIDA DE LA RADIACIÓN

8a.3. INTERACCION DE LOS RAYOS GAMMA CON LA MATERIA

Existen varios mecanismos de interacción de la radiación gamma con la materia, pero solo
son tres los que presentan una importancia real en la espectrometría de los rayos gamma,
estos son: el efecto fotoeléctrico, la dispersión Compton, y la producción de pares. El efecto
fotoeléctrico, predomina para radiación gamma de bajas energías (algunos cientos de keV), la
producción de pares es predominante para altas energías (en el intervalo de 5-10 MeV), y la
dispersión Compton es el proceso probable en todo el intervalo comprendido entre estas
energías. El número atómico del material en el cual inciden los rayos gamma tiene una fuerte
influencia en las probabilidades relativas para estas interacciones. El efecto fotoeléctrico es
desde el punto de vista de la espectrometría gamma el efecto más importante, ya que es la
huella digital de un emisor gamma que permite identificarlo, pero es necesario buscar el tipo
de material en el cual se obtenga mayor probabilidad de que la absorción fotoeléctrica ocurra.
Esta probabilidad se ha encontrado que aumenta significativamente en los materiales sólidos
que tienen un número atómico alto (Ge, Si y NaI(Tl), entre otros).

Efecto Fotoeléctrico.
El efecto fotoeléctrico o absorción fotoeléctrica es una interacción en la cual del rayo gamma
incidente desaparece, para producir un fotoelectrón, ver la figura 8.a.2, el cual es arrancado
de una de las capas de electrones de un átomo del absorbente, la energía con la cual es
emitido es dada por la energía del fotón incidente menos la energía de amarre de la capa
correspondiente del átomo. Para las energías típicas que se manejan, el fotoelectrón que
emerge es muy probable que haya pertenecido a la capa k de un átomo, donde la energía de
amarre para materiales de baja Z es de algunos keV y para materiales de alto número atómico
es de algunas decenas de keV, por lo que generalmente se considera, sin mucho error, que la
energía (Ee) con la que es emitido el fotoelectrón es la energía Eγ = hν del fotón incidente.
La absorción fotoeléctrica es por consiguiente un proceso ideal si se tiene interés en medir la
energía del rayo gamma original. Se considera que la energía cinética total del fotoelectrón es
la energía del rayo gamma incidente, y siempre será la misma energía si se trata del mismo
isótopo emisor, la cual es identificada con seguridad en un espectro de energías gamma. El
espectro de energía de una fuente emisora gamma monoenergética idealmente se representa
como una función delta, como se observa en la figura 8.a.2, a la que usualmente se le asigna
el nombre de Fotopico, la cual representa la energía hν de los fotones incidentes.

Dispersión Compton.
Es el resultado de la interacción entre un rayo gamma incidente Eγ y un electrón orbital.
Después de la interacción el electrón, llamado electrón de retroceso, y el de rayo gamma de
menor energía E´γ, emergen dispersados de la trayectoria original del fotón incidente,
dividiéndose entre ellos la energía del fotón original, ver la figura 8a.3., esta interacción es del
tipo de choque elástico, razón por la cual solamente se lleva a cabo con electrones cuasi-
libres en el material, como son los electrones de valencia.
El espectro de energías es un continuo desde la zona de bajas energías hasta la zona
conocida como límite Compton; el continuo se explica como una función del ángulo de
dispersión entre el fotón y el electrón de retroceso de acuerdo a la siguiente ecuación:
Eγ
Ec ≅
2E γ m0c2 es la energía del electrón en reposo
1+ (1 − cos θ)
m 0c 2
Si θ = 180°(θ=π) debido a una colisión de cabeza en la cual el fotón γ´ es dispersado
directamente hacia atrás, la ecuación anterior puede ser escrita como:

AVANZADO DE SR 68
 (II) – DETECCIÓN Y MEDIDA DE LA RADIACIÓN

Eγ
Ec ≅
θ =π
Eγ
1+4
m0c2
Que es precisamente el valor del Límite Compton.

La separación en energía entre el Límite Compton y el Fotopico, Evc viene dada por

E vc =E γ −E θ=π

Para energías Eγ>>m0c2 , se observa que el valor de la separación en energía entre el Límite
Compton y el Fotopico tiende a tiende a

Evc= 0.256 Mev

Existe una cierta probabilidad de que suceda nuevamente el efecto de Dispersión Compton de
un fotón que lo ha sufrido con anterioridad, es decir se pueden tener para un mismo fotón
Dispersiones Compton Múltiples. Ya que este tipo de interacción es muy rápida la carga
liberada se acumula y es colectada como un solo evento; por consiguiente si una observa un
espectro de energía gamma el valle existente entre el límite Compton y el Fotopico se levanta
puesto que se ha colectado mas carga originada por la suma en energía de los múltiples
eventos Compton, ver la figura 8a.3.

Producción de pares
Otro tipo de interacción muy importante es la producción de pares electrón–positrón. El
proceso se lleva a cabo en las cercanías del campo del núcleo del material absorbedor y tiene
mayor probabilidad de producirse en presencia de núcleos pesados. En el proceso de
interacción un fotón, cuya energía debe ser mayor a 1.022 MeV, desaparece completamente
para producir dos partículas, un electrón y un positrón.
El electrón y el positrón poseen la misma masa pero sus cargas son opuestas. De acuerdo a
la relación masa-energía (E=moc2 , donde mo es la masa del electrón), se tiene que la energía
necesaria que debe tener un fotón para producir un electrón es igual a 0.511 MeV, por
consiguiente la energía mínima para producir el par es 1.022 MeV, la indicada con
anterioridad. Si el rayo gamma excede este valor, el exceso de energía aparecerá como
energía cinética, distribuida igualmente para el electrón y el positrón.
Desde otro punto de vista, el proceso se debe entender de acuerdo a la siguiente relación,
E e − + E e * = hν − 2m o c 2 ≥1.022MeV
Se debe señalar que el par viaja una corta distancia debido a la energía cinética E que
poseen antes de desaparecer, interaccionando con el medio y liberando carga hasta
detenerse. La carga liberada es proporcional a la energía E del par electrón-positrón la cual es
igual a la energía del fotón menos la energía requerida para crear el par. En la figura 8a.4 se
muestra lo anteriormente descrito, el pico debido a la creación del par se encuentra alejado
una distancia 2moc2 de la posición hν en la que debería estar situado el fotopico.
Si bien el electrón al detenerse se confunde con los electrones libres existentes en el material
o se une a un átomo del mismo, el positrón, que no es una partícula estable en el medio en
que se mueve, cuando diminuye su energía cinética a una energía comparable a la energía
térmica desaparece al aniquilarse con un electrón del medio absorbente creando dos rayos
gamma, cada uno con una energía de 0.511MeV. Estos dos rayos gamma a su vez
interaccionan con el medio por medio de los efectos de dispersión Compton y Fotoeléctrico.

AVANZADO DE SR 69
 (II) – DETECCIÓN Y MEDIDA DE LA RADIACIÓN

dN/dE

Fotopico
E≈ hν

hν

Ee=hν-Eb

Eγ =hν

Figura 8a.2. Absorción fotoeléctrica; es una interacción en la cual el fotón del rayo
gamma incidente desaparece. En su lugar, un fotoelectrón es producido
separando un electrón de las capas electrónicas de átomo absorbente con
una energía cinética dada por la energía del fotón incidente (hν) menos la
energía de amarre del electrón en su capa electrónica(Eb).

AVANZADO DE SR 70
 (II) – DETECCIÓN Y MEDIDA DE LA RADIACIÓN

θ E´γ =hν´
e-

Eγ =hν
e-

1 2

dN/dE

Eγ=hν
Fotopico
Dispersiones Compton θ=π
Múltiples Límite
Compton
θ=0

Evc
Continuo
Compton
Dist. Compton E

Figura 8a.3. El resultado de una interacción Compton (1) es la creación de un electrón de

retroceso y un fotón gamma dispersado (2). El espectro (3) se explica de acuerdo
a la siguiente ecuación:
Eγ
Ec ≅
1 2E γ
1+ (1 − cos θ)
m 0c 2

AVANZADO DE SR 71
 (II) – DETECCIÓN Y MEDIDA DE LA RADIACIÓN

dN/dE hν≥ 1.022MeV

2moc2

Figura 8a.4 Producción de pares

AVANZADO DE SR 72
 (II) – DETECCIÓN Y MEDIDA DE LA RADIACIÓN

8a.4. DETECCION DE LA RADIACION GAMMA RELACIONADO CON EL TAMAÑO DE

LOS DETECTORES DE ESTADO SOLIDO.

El tipo de respuesta que tienen los detectores la radiación gamma no únicamente depende de
la energía de esta, también el tamaño físico de los detectores es importante, como
observaremos en los siguientes puntos:

Respuesta de Detectores Pequeños

Como un primer paso se analiza la respuesta de detectores cuyo tamaño es pequeño,

comparado con la longitud del camino libre medio de la radiación gamma secundaria
producida por la interacción de los rayos gamma originales. Esta radiación gamma
secundaria son: los rayos gamma producidos después de una dispersión Compton; los
fotones de aniquilación producidos al desaparecer los positrones productos de la
formación de pares. Además, para facilitar el análisis se supondrá que todas las
partículas cargadas producidas son completamente absorbidas dentro del volumen del
detector, tal es el caso de los fotoelectrones, los electrones Compton y el par electrón-
positrón

La figura 8a.5 muestra para un detector pequeño las interacciones gamma más
importantes, además de los espectros que se deben esperar para energías menores y
mayores a 1.022 MeV respectivamente. Si la energía del rayo gamma es menor a la
necesaria para la producción de pares, el espectro resultante solo contendrá información
concerniente a la dispersión Compton y a la absorción Fotoeléctrica . El continuo de
energía corresponde a los electrones producidos en las dispersiones Compton y recibe
el nombre de distribución Compton, en el cual se observa el límite Compton. A la
derecha del límite Compton se distingue el Fotopico, entre este y el límite Compton
existe el valle donde se registran las dispersiones Compton múltiples.
Si la radiación incidente es suficientemente alta (algunos MeV), se observa en el
espectro el pico correspondiente a la producción de pares, además de los eventos
descritos con anterioridad. En los detectores pequeños se deposita la energía cinética
del par electrón positrón pero no la energía de los rayos gamma debidos a la
aniquilación del positrón, el efecto es que aparece en el espectro un pico llamado de
doble escape localizado a una energía de 1.02 MeV por debajo de la energía del
fotopico; el término de doble escape se refiere a la salida del detector sin interacción de
los rayos de aniquilación con el medio detector.

Respuesta de Detectores Infinitamente Grandes:

En el extremo opuesto, referente al tamaño del detector, tendríamos a los detectores

infinitamente grandes, el cual se define como aquellos que tiene las dimensiones
suficientemente grandes para que toda la radiación secundaria, incluyendo los rayos
gamma de dispersión Compton y los fotones de aniquilación se absorban dentro del
detector y ninguna radiación escape por la superficie de este. Supongamos que el rayo
gamma penetra sin realizar una interacción hasta un punto cercano al centro del
detector y en este lugar existe una probabilidad que se realice una interacción de
absorción fotoeléctrica, de tal forma que tendríamos una colección de carga equivalente
a hν, la energía del fotón incidente, como se muestra en el espectro de la figura 8a.6.
Otro tipo de interacción es la dispersión Compton, en una primera interacción el rayo
gamma original produce un rayo gamma secundario de menor energía, y este a su vez
AVANZADO DE SR 73
 (II) – DETECCIÓN Y MEDIDA DE LA RADIACIÓN

puede desaparecer por tener una interacción de absorción fotoeléctrica producir o tener
una dispersión Compton por segunda ocasión y así sucesivamente hasta desaparecer.
Toda la carga colectada durante los múltiples eventos de interacción que sufrió el fotón
original equivale a hν la energía del fotón incidente. Lo anterior se explica, sin perder de
vista el tamaño infinito del detector, que toda la energía hν que portaba el fotón original
se ha disipado liberado el número de cargas equivalentes.
Una explicación equivalente se tiene para energías mayores a 1.022 MeV, a estas o
mayores energías se crean pares electrón-positrón; el positrón cuando se aniquila da
lugar a los rayos de aniquilación que se comportan en una forma similar a los rayos de
producción Compton, donde la suma de las cargas producidas después de la creación
de pares mas las cargas producidas durante la disipación de los fotones de aniquilación
son equivalentes a hν, la energía del fotón incidente.
Por consiguiente, cuando se tiene un detector de tamaño infinito los fotones incidentes
disipan totalmente su energía por medio de los diferentes eventos que tienen lugar
dentro de el, produciendo finalmente una carga equivalente a la energía hν del fotón
original. Lo cual nos explica la forma del espectro y también es un indicativo del por que
un detector de gran tamaño tiene una buena eficiencia fotoeléctrica, y una distribución
Compton menos significativa.

Respuesta de Detectores Intermedios

El tamaño real de los detectores de estado sólido es el tamaño intermedio, si bien estos
se llegan a producir con un gran volumen, no se pueden considerar infinitos, ya que se
debe tomar en cuenta que existen interacciones de fotones gamma que se llevan a cabo
cerca de la superficie del detector, obteniéndose respuestas aplicables a los detectores
pequeños, y también este tipo de detectores tiene repuestas similares a los detectores
de tamaño infinito. Por lo cual, todas las respuestas que se han mencionado con
anterioridad son aplicables a los detectores intermedios, además de algunas otras
respuestas.
En la figura 8a.7(A) se muestran los principales tipos de interacciones que se llevan a
cabo en un detector de tamaño intermedio, y en la figura 8a.7 (B) se presentan
separadamente los espectros de energía que se obtienen para fotones de energías
menores a 1.022 MeV, y mayores a esta energía.
El espectro para bajas y medianas energías menores a 1.022 MeV, consiste de una
distribución Compton continua y un Fotopico. La razón de las áreas bajo la curva del
Fotopico a la de la distribución Compton mejora significativamente respecto a los
detectores pequeños por la siguiente razón: este detector se comporta parcialmente
como un detector infinitamente grande, ya que se suman al Fotopico las interacciones
de los eventos múltiples que se llevan a cabo en el detector y que permiten que la
energía del fotón incidente se disipe totalmente en este. Lo que se debe notar en un
detector de volumen intermedio es que el área bajo la curva del Fotopico se incrementa
al disminuir la energía del fotón incidente y simultáneamente disminuye el área bajo de
curva del continuo de la distribución Compton, de tal manera que para energías muy
bajas la distribución Compton tiende desaparecer, lo que sucede de acuerdo a reportes
existente alrededor de 100 keV.
En un detector intermedio para energías ligeramente menores a 1,022 MeV existe la
posibilidad, después de una serie de eventos de dispersión Compton, que el fotón
escape del detector, provocando que el valle existente entre la distribución Compton y el
Fotopico se incremente. Si el volumen de detector es mayor, la altura de este valle
disminuye y el área bajo la curva del Fotopico se incrementa, es decir al incrementar el

AVANZADO DE SR 74
 (II) – DETECCIÓN Y MEDIDA DE LA RADIACIÓN

volumen del detector aumenta la eficiencia de detección del fotón de energía hν

reflejado en el incremento del área bajo la curva del Fotopico
Si la energía del fotón incidente es mayor que 1.022 MeV se tiene la posibilidad de
observar la creación de pares. De acuerdo al volumen del detector intermedio se puede
tener la posibilidad de absorber toda la energía debida a la creación de pares y a la
aniquilación del positrón contribuyendo al incremento de la altura del Fotopico. Si la
interacción de la aniquilación del positrón se realiza cerca de la superficie del detector
pueden escapar los dos rayos de aniquilación, contribuyendo al pico de doble escape ya
mencionado con anterioridad. Otra posibilidad es que se escape solo uno de los rayos
de aniquilación, este contribuirá a un pico llamado de simple escape, el cual aparece a
una distancia de 0.511 MeV del Fotopico, el cual se muestra en la figura 8a.7B.

AVANZADO DE SR 75
 (II) – DETECCIÓN Y MEDIDA DE LA RADIACIÓN

Absorción Fotoeléctrica

e- Escape del rayo.

gamma dispersado

hν Producción de pares
e-
e-

e+

Escape de fotones de
aniquilación

hν< 2moc2
dN/dE Fotopico
hν

Dist. Compton
E

dN/dE Fotopico
Pico Doble 1.02MeV hν
Escape

Dist. Compton

Figura 8a.5 Interacción de la radiación gamma con un Detector Sólido de

dimensiones pequeñas.

AVANZADO DE SR 76
 (II) – DETECCIÓN Y MEDIDA DE LA RADIACIÓN

Absorción Fotoeléctrica

Absorción del rayo.

e-
gamma dispersado

hν Producción de pares
e-
e-
Absorción de
e+
fotones de
aniquilación

dN/dE Pico de energía total

hν

Figura 8a.6. Interacción de la radiación gamma con un Detector Sólido de

Dimensiones Infinitas.

AVANZADO DE SR 77
 (II) – DETECCIÓN Y MEDIDA DE LA RADIACIÓN

Absorción
Fotoeléctrica

R. Gamma de
e- dispersión múltiple
Dispersión Compton
hν
e-
e-

Prod. de Pares

Absorción
e+ Fotoeléctrica

Fotón de Aniquilación,
simple escape

Figura 8a.7 A. Interacción de la radiación gamma con un Detector Sólido de

Dimensiones Intermedias.

AVANZADO DE SR 78
 (II) – DETECCIÓN Y MEDIDA DE LA RADIACIÓN

hν< 2moc2
dN/dE Fotopico
hν

Dist. Compton

Eventos Compton Múltiples

hν>> 2moc2

dN/dE Fotopico
Pico Simple Escape hν
0.511 MeV

Dist. Compton

Eventos Compton Múltiples

Figura 8a.7 B. Interacción de la radiación gamma con un Detector Sólido de

Dimensiones Intermedias.

AVANZADO DE SR 79
 (II) – DETECCIÓN Y MEDIDA DE LA RADIACIÓN

8a.5. LA ELECTRÓNICA ASOCIADA A UN DETECTOR DE ESTADO SÓLIDO.

Se ha mencionado que la colección de cargas debidas a la detección de un evento radiactivo

por un detector de estado sólido es muy eficiente, con la finalidad de darnos una idea se listan
seguidamente los datos de tiempo de colección para algunos detectores.
 1 ns a 10 ns para: detectores plásticos centelladores, detectores
semiconductores del tipo GeHP.
 5ns a 1.5µs para detectores de centelleo del tipo NaI(Tl) y CsI
 0.01µs a 5µs para detectores de llenos de gas.

Un valor típico de carga generada es del orden de 10-14 C por evento, pero llega a ser tan baja
como 10-18C. Esta carga es colectada por medio de campos eléctricos aplicados al detector
que de acuerdo a la velocidad de colección podemos considerarlos como pulsos. Estos pulsos
de carga dan lugar a pulsos de voltaje cuando pasan a través de una resistencia R
(∼ 1000MΩ) y una capacitancia C (∼ 1.0 pF). Anteriormente se ha mencionado que la carga
producida en el detector es proporcional a la energía radiactiva incidente en este, así mismo la
amplitud del pulso de voltaje a la salida del arreglo RC es proporcional a la carga colectada y
por consiguiente a la radiación depositada. El propósito de todos los subsiguientes
instrumentos es formar y amplificar estos pulsos preservado la proporcionalidad en la energía.
Debemos enfatizar, la rapidez con la que se colecciona las cargas la que debe permitir la total
colección de estas para que exista una proporcionalidad entre la energía depositada y la
carga generada, este punto de vista es muy importante y debe ser tomado en cuenta en los
circuitos de formación del pulso proporcionado por el detector. El tiempo de colección de las
cargas es del orden de nanosegundos y del mismo orden es el tiempo que tarda en levantarse
el pulso eléctrico a su máxima amplitud a la salida del detector.

El PREAMPLIFICADOR EN LOS DETECTORES DE ESTADO SOLIDO.

Para operar equipos de análisis debe amplificarse por muchos órdenes de magnitud de la
pequeña señal proporcionada por el detector, esta función se realiza en el amplificador
principal, pero este generalmente no se encuentra cercano al detector, si el detector se
encuentra alejado del amplificador puede ser que la amplitud del pulso disminuya con la
distancia detector-amplificador. La solución es colocar un preamplificador muy cerca del
detector: Existen tres tipos de premplificadores: sensible a la carga; sensible al voltaje; o
sensible a la corriente. El primer tipo de preamplificador es el que se utiliza con detectores
semiconductores, este se localiza cerca del detector, su primer etapa electrónica contiene un
transistor de efecto de campo (FET), el cual tiene una muy alta impedancia de entrada y muy
bajo ruido, este ruido se disminuye considerablemente si el FET es enfriado con nitrógeno
líquido, de hecho en los detectores de Ge enfriados por nitrógeno líquido, el FET se aloja en
la misma cámara que estos. La figura 8a.8 muestra en forma simplificada un diagrama de un
preamplificador sensible a la carga. Se debe observar que debido al FET el premplificador
tiene una alta impedancia de entrada (100 MΩ) y su salida es de baja impedancia (93Ω), lo cual
permite un buen acoplamiento al amplificador.

EL AMPLIFICADOR LINEAL

La señal del detector parcialmente formada por el preamplificador es amplificada y

nuevamente procesada por al amplificador lineal el cual prepara la señal para su análisis final
por un analizador de pulsos o para su conteo en un contador de pulsos. Como puede verse
en la figura 8a.9, el amplificador lineal consiste de varias etapas de amplificación, circuitos de
AVANZADO DE SR 80
 (II) – DETECCIÓN Y MEDIDA DE LA RADIACIÓN

retroalimentación con el fin de estabilizar la ganancia en cada etapa y circuitos de formación

de pulsos.

EL ANALIZADOR MONOCANAL.

El pulso obtenido del amplificador debe ser analizado por un sistema de espectroscopia que
permite obtener un espectro de la energía emitida por una fuente radiactiva. Hay dos formas
de obtener el espectro: manualmente utilizando un monocanal y contadores de pulsos y
automáticamente por medio de un multicanal, ver la figura 8a.10. La forma inmediata es
utilizar un analizador monocanal, ver la figura 8a.11. Un analizador monocanal contiene dos
niveles discriminadores por altura de pulsos (amplitud del voltaje de los pulsos), el primer
nivel, también llamado nivel de referencia, discrimina la altura mínima que deben tener los
pulsos (voltaje mínimo) para ser analizados, y el segundo nivel (voltaje máximo) discrimina su
altura máxima, formándose entre los dos niveles una ventana (de voltaje) ∆V. Si la altura un
pulso queda situada entre los niveles mínimo y máximo de la ventana el analizador generará
un pulso digital a su salida. Los pulsos digitales obtenidos del analizador monocanal son
entonces contados durante un tiempo preestablecido por un contador de pulsos,
seguidamente se incrementa valor del nivel de referencia; al mover el nivel de referencia este
mantiene el ancho de la ventana ∆V, y se repite el conteo durante el mismo tiempo
preestablecido: En cada caso se anota en una tabla el valor del nivel de referencia; el valor ∆V
del ancho de la ventana que es una constante; el tiempo de conteo, que también es
constante; y el número de cuentas obtenido. El proceso se repite hasta el momento que ya no
se tengan cuentas y se procede a realizar una gráfica de voltaje (valor del nivel de referencia),
contra el número de cuentas. La gráfica será un espectro de energía de los fotones gamma
emitidos por la fuente radiactiva, en el lenguaje del personal que trabaja en espectrometría
gamma se dice que se tiene un espectro gamma de la fuente radiactiva.

EL ANALIZADOR MULTICANAL

El mismo proceso anterior se puede realizar automáticamente con un equipo llamado

multicanal, ver la figura 8a.10. Este equipo permite realizar un análisis de energía en forma
diferencial utilizando el principio del monocanal. En el caso de un analizador monocanal se
puede definir una ventada ∆V, y los pulsos aceptados tienen una amplitud definida entre V y
V+∆V, este principio se puede repetir para una serie continua de ventanas; la primer ventana
llamémosla ∆V1 y las ventanas subsiguientes ∆V2,, etc., tal que ∆V1<∆V2<∆V3.......<∆VN , en
palabras; un multicanal puede ser construido por una serie de ventanas adyacentes
monocanales .

Con la idea anterior, en los días cercanos al término de la segunda guerra mundial, se
construyó el primer multicanal para análisis de altura de pulsos (MCA); este fue ensamblado
usando una serie de discriminadores monocanales para dividir un intervalo de energía en una
serie de ventanas de energía. Se utilizaron veinte analizadores de altura de pulsos (canales)
que se ensamblaron como canales adyacentes ∆V. Cada canal fue acoplado a un escalador y
a un registro (impresora) para contabilizar el número de pulsos en cada ventana de energía.
Algunos de estos primitivos MCA se operaron en el Canadá, Estados Unidos e Inglaterra
como antecedentes de los modernos multicanales.

Conforme pasó el tiempo y con la aparición de detectores de estado sólido de alta resolución,
fue necesario desarrollar nuevos MCA, con el fin de explotar el poder de resolución de los
nuevos detectores. Con el desarrollo de estos se incremento el número de canales
obteniéndose una mayor resolución y de la misma manera se aumento la capacidad de
almacenamiento de datos (memorias). Actualmente los MCA pueden ser producidos utilizando
AVANZADO DE SR 81
 (II) – DETECCIÓN Y MEDIDA DE LA RADIACIÓN

circuitos integrados y técnicas especiales para el análisis de la altura de pulsos, estos MCA
tienen 8192 canales o más.

Las nuevas técnicas para el análisis de la altura de pulsos fueron iniciadas por Wilkinson en
1949, en esta la señal de pulso entra al analizador y este la mantiene a su máximo valor
durante un intervalo de tiempo durante el cual se estará cargando un capacitor hasta igualar
el voltaje de la amplitud del pulso de entrada V. Después de alcanzar el voltaje V, el capacitor
se descarga linealmente por medio de una fuente de corriente constante y este tiempo de
descarga es medido utilizando un oscilador de frecuencia constante existente dentro del MCA
y un contador del número de oscilaciones. El número de oscilaciones es proporcional a la
altura del pulso de la señal de entrada. Esa técnica se conoce como la conversión analógica a
digital (ADC por sus siglas en inglés) que significa que la energía del evento detectado que
fue inicialmente proporcional a un voltaje se ha convertido en proporcional a un número
entero.

Este número entero –el número de oscilaciones proporcionales a las diferentes alturas de
pulsos- es utilizado para seleccionar su posición secuencial apropiada dentro de la memoria,
similar a la que utilizan las computadoras, que se conoce como direccionamiento de la
memoria. Cada localización en la memoria es llamada un “bin” entonces un pulso de entrada
que genera n oscilaciones, el cual será proporcional al pulso de altura Vn, será direccionado al
n-ésimo bin y será almacenado en el contador del bin como el evento número 1 en la ventana
n, similarmente un segundo pulso de la misma amplitud será direccionado al mismo bin y
almacenado incrementando al contador a 2. Al igual que todos los pulsos de la misma
amplitud, los pulsos de amplitud Vn+1 será direccionado al bin (n+1) y almacenado y
contabilizado ahí, y así será para todos los pulsos que lleguen con esta misma amplitud, cada
bin de la memoria corresponde a un canal. Entonces todos los pulsos que entran son
analizados y se les asigna el bin o canal apropiado a la magnitud de sus alturas de pulso,
formándose el espectro de energía de la radiación detectada de esta manera. Al final del
experimento la memoria es leída por técnicas convencionales en las computadoras y un
espectro de energía es mostrado en una pantalla, el que también puede ser graficado o
procesado por otro tipo de salida, de cualquier forma se tendrá la razón de pulsos como una
función de la energía o mejor dicho del número de canal.

AVANZADO DE SR 82
 (II) – DETECCIÓN Y MEDIDA DE LA RADIACIÓN

Figura 8a.8.- Diagrama simplificado de un circuito Preamplificador

B C D

Salida unipolar
A

Salida bipolar

Figura 8a.9 Diagrama esquemático del amplificador lineal, que muestra las diferentes
etapas electrónicas, no se muestran las retroalimentaciones.
• A, entrada del amplificador;
• B, primer diferenciador;
• C, Integrador;
• D, segundo diferenciador

AVANZADO DE SR 83
 (II) – DETECCIÓN Y MEDIDA DE LA RADIACIÓN

Analizador Contador
monocanal

(a)

Preamp Amplificador
Fuente
Det. GeHP
o
NaI(Tl)
Multicanal

Fuente de
alto
voltaje
(b)

Figura 8a.10. Sistema de espectroscopía gamma que utiliza un detector de GeHP o

NaI(Tl). La rama (a) utiliza para el análisis en energía manualmente un
discriminador monocanal. En la rama (b) es utilizado un multicanal para
realizar el análisis en energía automáticamente.

AVANZADO DE SR 84
 (II) – DETECCIÓN Y MEDIDA DE LA RADIACIÓN

LM

∆V

LI

0 volts

b
a

1µs
LM

∆V

6volts
LI

0 volts

c d

Figura 8a.11. Un analizador monocanal contiene dos niveles discriminadores por altura de
pulsos, ambos con referencia a 0.0 volts. El primer nivel discrimina la altura mínima
(LI) que deben tener los pulsos para ser analizados, y el segundo nivel discrimina su
altura máxima (LM), formándose entre los dos niveles una ventana ∆V. Si la altura
de un pulso queda situada entre los niveles mínimo y máximo de la ventana el
analizador generará un pulso digital a su salida, generalmente de 6 volts (c) y (d).
Cuando el pulso no está delimitado por la ventana no se produce un pulso en la
salida del analizador monocanal, (a) y (b).

AVANZADO DE SR 85
 (II) – DETECCIÓN Y MEDIDA DE LA RADIACIÓN

8a.6. ANALISIS DEL ESPECTRO DE 137Cs

Cuando incide un fotón en el detector semiconductor y choca con un electrón ligado a un

átomo cede toda su energía en el choque elástico y desaparece (absorción fotoeléctrica), esta
es la energía del fotón característico de la fuente radiactiva, que como huella digital lo
identifica. La energía del Fotopico, como única, identificará el tipo de radioisótopo, tomemos
como ejemplo el espectro del 137Cs, figura 8a.12, cuyo Fotopico característico se sitúa a
0.662MeV en su espectro de energía. Existen otras características que se deben comentar
respecto al espectro de energía de 137Cs, además del Fotopico, que usualmente están
presentes en el espectro; el límite Compton, la distribución continua de energía debida a la
dispersión Compton y el pico de retrodispersión, además de otras que se comentarán en el
párrafo siguiente.

La interacción Compton es una colisión elástica, entre un fotón gamma y un electrón libre en
el cristal semiconductor. Por medio de este proceso el fotón gamma incidente cede solamente
una parte de su energía al electrón. De acuerdo a la ecuación (1), la energía cedida al
electrón de retroceso depende de tipo de colisión; si esta es de cabeza (=180°) o con ángulo
diferente (<180°). Para una colisión de cabeza el fotón gamma imparte la máxima energía
disponible de la interacción Compton, que es la energía del límite Compton. La energía de
fotón gamma dispersado se determina resolviendo las ecuaciones de energía y cantidad de
movimiento del choque de dos cuerpos, estudiado en mecánica clásica. La solución de las
ecuaciones en términos de fotón gamma dispersado es:

Eγ
E γ′ ≅
1) 2E γ
1+ (1 − cos θ)
m 0c 2

Donde:
Eγ´ es la energía del rayo gamma dispersado, en MeV;
θ es el ángulo de dispersión de γ´, respecto a la dirección original del fotón incidente;
Eγ es la energía del rayo gamma incidente.
m0c2 = 0.511 MeV. La energía del electrón en reposo, de acuerdo a la ecuación de Einstein.

Tomemos el siguiente ejemplo para un fotón γ, cuya energía inicial es 0.511 MeV. Si θ = 180°
existe una colisión de cabeza en la cual γ´ es dispersada directamente hacia atrás, la
ecuación 1 se puede escribir como:

Eγ
2 E γ′ θ= π ≅
1 + 4E γ

La aplicación de la ecuación queda clara . Supóngase que sobre el detector incide una
gamma de 0.0511 MeV, Eγ´ será:

0.511
3 Eγ ′ θ =π = = 0.1022 MeV
1+4

por lo cual la energía de retroceso del electrón (E e) después de la colisión será 80%, 0.4088
MeV, lo cual indica que la posición del límite Compton, que es la máxima energía que puede
AVANZADO DE SR 86
 (II) – DETECCIÓN Y MEDIDA DE LA RADIACIÓN

ser impartida por la interacción Compton a un electrón, se calcula por medio de la relación

4 E e = Eγ − Eγ ′

El pico de retrodispersión existe por los fotones γ que se originan durante las interacciones
Compton con los materiales que rodean al detector, que retornan al detector como una
radiación γ de energía muy reducida. Esta dispersión producirá un pico en el espectro de
energía. Similarmente, los fotones de la fuente monoenergética sufren dispersiones en la
fuente, y también el uso de un colimador externo algunas veces puede introducir estos
efectos. El pico generalmente se encuentra distribuido cercanamente a una energía dada por;

Eγ
E RD =
5 E 
1+  γ
0.511 (1 − COSθ )
 

Donde ERD es la energía retrodispersada, θ el ángulo de retrodispersión, que es generalmente

de 150° a 170°, pero siempre menor a 180°, Eγ la energía del fotón emitido por la fuente
monoenergética; 0.511 MeV es la energía en reposos del electrón.

8a.7. RESOLUCION EN ENERGIA

La resolución de un espectrómetro es la medida de su habilidad para resolver dos picos de

energía que se encuentran muy cercanos.

La resolución de un fotopico se encuentra resolviendo la siguiente ecuación;

δE
6 R= * 100
E

Donde:

R es la resolución en unidades porcentuales,

δE es el ancho que tiene el pico a la mitad del nivel del máximo del número de
cuentas, medido en canales o energía, este parámetro es conocido como FWHM.
E es el número de canal o la energía del centroide del fotopico.

Respecto a la resolución y la eficiencia entre los tipos de detectores de radiación γ mas

usuales se debe comentar lo siguiente; la resolución que puede ser obtenida con un detector
de NaI(Tl) es alrededor del 7 % para la radiación gamma que proviene de la fuente de 137Cs, la
resolución con detectores de GeHp (Germanio Hiperpuro) se mejora hasta 30% con respecto
a los detectores de NaI(Tl). Con respecto a la eficiencia, los detector de NaI(Tl) son superiores
a los detectores GeHp, ya que los factores de eficiencia llegan a ser hasta 5 veces mayores
para un mismo volumen de detectores.

La figura 8a.13 se observan dos espectros de 60Co obtenidos respectivamente con un detector
de NaI(Tl) y de GeHp, entre ambos espectros existe una gran diferencia en la resolución
AVANZADO DE SR 87
 (II) – DETECCIÓN Y MEDIDA DE LA RADIACIÓN

debido al tipo de material con el cual están fabricados los detectores, sin embargo, ambos
espectros exhiben: fotopicos; límites Compton; y picos de retrodispersión.

8A.8. CARACTERISTICAS SOBRESALIENTES DEL UN ESPECTRO MONOENERGÉTICO.

La figura 8a.14 muestra en forma exagerada otras características sobresalientes de un

espectro de energía provenientes de una fuente monoenergética, además de las discutidas
en los párrafos anteriores como son el Fotopico, la interacción Compton y el pico de
retrodispersión.

En la práctica a partir del espectro de energía se puede obtener información de las

características de la fuente radiactiva y del material que rodea al detector, ya que la extensión
del valle entre el límite Compton y el Fotopico depende grandemente del grosor de la fuente
radiactiva y de la composición del material localizado directamente enfrente y a los lados del
detector. Los espectros exhiben un pico de rayos X como un resultado de la conversión
externa de los electrones atómicos de los materiales del blindaje; por ejemplo, los rayos X del
plomo del blindaje. La energía del pico de rayos X depende del numero atómico de los
materiales del blindaje, pero generalmente es menor de 90 keV.

Para fotones γ que inciden en el detector con una energía ≥ 2mec2 (=1.022MeV) existe la
probabilidad de la creación de pares electrón-positrón. El positrón creado al interaccionar con
un electrón se aniquila produciendo dos rayos γ de 0.511 MeV cada uno, que pueden
escaparse ambas del detector sin detectarse, escaparse una o detectarse ambas.

Como se ha mencionado con anterioridad, los rayos gamma de aniquilación se pueden

escapar de los limites del detector sin realizar alguna interacción, recuérdese que los rayos γ
de aniquilación tienen una energía de 0.511 MeV. En un evento de doble escape en el
espectro aparecerá un pico distanciado una energía de exactamente 1.022 MeV a partir del
Fotopico. Es posible que solamente una de ellas escape, en tal caso el pico aparecerá a
0.511 MeV del Fotopico . Es posible que ambas γ 1 y γ 2 tengan una interacción fotoeléctrica y
no escapar, de tal forma que la energía original permanece en el detector, en este caso la
energía contribuirá al incremento de la altura del Fotopico. Por consiguiente el espectro que
es analizado tendrá tres picos para cada energía gamma. Estos picos son etiquetados como
picos de energía total, pico de simple escape y pico de doble escape, y entre cada uno de
ellos existe una diferencia de 0.511 MeV. La figura 8a.15 enseña un espectro que fue
obtenido para una muestra monoenergética cuya energía inicial es 2.511 MeV .

AVANZADO DE SR 88
 (II) – DETECCIÓN Y MEDIDA DE LA RADIACIÓN

Descripción Energía Número Fotopico 137Cs

(MeV) de Canal Canal 280
Fotopico 0.662 280
Límite Compton 0.478 180
P. Retrodispersión 0.184 100

δE 32
Resolución = x 100 = x 100 =11.5 %
E 280
Cuentas/Canal

Pico de
Retrodispersión

Límite Compton

Número de Canal

137
Figura 8a.12. Espectro de Cs obtenido utilizando un multicanal de 512 canales.

AVANZADO DE SR 89
 (II) – DETECCIÓN Y MEDIDA DE LA RADIACIÓN

(a)
Cuentas
1.173MeV 1.333MeV

(b)

MeV

Figura 8a.13. Espectros de 60Co obtenidos con un detector de GeHp (a) y uno de
NaI(Tl) (b).

AVANZADO DE SR 90
 (II) – DETECCIÓN Y MEDIDA DE LA RADIACIÓN

Cuentas Fotopico

G
C
F B
E D
A

Canal

Figura 8a.14. Características importantes de un espectro de altura de pulsos de una

fuente monoenergética.
A: Valle;
B: Límite Compton;
C: Pico de simple escape (E-0.51, MeV);
D: Pico de doble escape (E-1.022, MeV);
E: Pico de aniquilación (0.51 MeV);
F: Pico de retrodispersión (0.2 MeV);
G: Pico característico de rayos X (por ejemplo Pb);

AVANZADO DE SR 91
 (II) – DETECCIÓN Y MEDIDA DE LA RADIACIÓN

Cuentas

2.511 MeV
Energía
total
1.49 MeV
Doble escape

2.0 MeV
Simple escape

Canal

Figura 8a.15. Espectro de Doble y simple escape.

AVANZADO DE SR 92