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Em 1951, foi inventado o transistor. Ele foi

desenvolvido a partir da tecnologia utilizada no diodo de
j
junção,
ã como uma alternativa
lt ti em relação
l ã às à válvulas,
ál l para
realizar as funções de amplificação, detecção, oscilação,
comutação, etc. A partir daí o desenvolvimento da
eletrônica foi imenso. O impacto do transistor na
eletrônica foi enorme. Além de iniciar a indústria dos
multibilhões de dólares dos semicondutores, o transistor
contribuiu para todas as invenções relacionadas, como os
circuitos integrados, componentes optoeletrônicos e
microprocessadores. Praticamente todos os circuitos
eletrônicos projetados hoje em dia usam componentes
semicondutores.

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F t Dopagem
Forte D
Fraca Dopagem

Média Dopagem

Com os diferentes níveis de dopagem de cada

cristal, as camadas de depleção têm larguras diferentes.
Tanto maior a largura quanto menor a dopagem. Ela
penetra pouco na região do emissor, bastante na base e
médio na região do coletor.

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A bateria B1 polariza diretamente o diodo emissor, e

a bateria B2 polariza diretamente o diodo coletor. Os
elétrons livres entram no emissor e no coletor, juntam-se
na base e retornam para as baterias. O fluxo de corrente
elétrica é alto nas duas junções

Os diodos emissor e coletor ficam reversamente

polarizado. A corrente elétrica circulando é pequena
(corrente de fuga).

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O diodo
di d coletor
l t está
tá reversamentet polarizado
l i d e o
diodo emissor diretamente polarizado. A princípio espera-
se uma corrente de fuga no diodo coletor e uma alta
corrente no diodo emissor. No entanto isto não acontece,
nos dois diodos as correntes são altas.

• Se a tensão entre base e emissor (VBE) for maior que 0,7V,

muitos elétrons do emissor penetram na região da base;
• Os elétrons que a partir da base retornam a bateria VBE são
chamados de corrente de recombinação. Ela é pequena
porque a base é pouco dopada;
• Como a base é muito fina,
fina grande parte dos elétrons da
base passam a junção base-coletor;
•Esta junção, polarizada reversamente, dificulta a passagem
dos portadores majoritários do cristal de base (lacunas) para
o coletor, mas não dos elétrons livres.

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• Esses atravessam sem dificuldade a camada de depleção

penetrando na região de coletor. Lá os elétrons livres são
atraídos para o pólo positivo da bateria VCB;

Resumindo, com a polarização direta do diodo

emissor, é injetado uma alta corrente em direção
a base.
base Na base uma pequena parcela da
corrente, por recombinação, retorna ao pólo
negativo da bateria VBE e o restante da corrente
flui para o coletor e daí para o pólo positivo da
bateria VCB.

Dependendo da condição de polarização (direta ou

reversa) de cada uma das junções, são obtidos diferentes
modos de operação do transistor bipolar, conforme tabela
abaixo:
Modo Junção Junção Aplicações
Emissor/Base Coletor/Base
Corte Reversa Reversa Eletrônica digital
g
Automação
Ativo Direta Reversa Amplificadores

Saturação Direta Direta Eletrônica digital

Automação

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Muitas vezes o Beta (

IE = IC + IB Lei de αCC
Kirchhoff β CC =
1 − αCC
IC
αCC = Parâmetro
P â t
ALFA Muitas vezes o
IE BETA é chamado
IC Parâmetro de parâmetro “hFE”
β CC = BETA para o ganho da
IB corrente CC.

EXEMPLO 1 (Solução: LOUSA)

Se medirmos uma corrente do coletor de 5 mA e uma

corrente da base de 0,05 mA, determinar o BETA do
transistor.
Geralmente, o BETA se encontra entre 50 e 300
Geralmente 300. E alguns
transistores têm um BETA DE 1000

OBSERVAÇÃO
da ordem de 1000.
A folha de dados de um 2N3904 dá um valor mínimo
de hFE de 100 e um hFE máximo de 300. Isto quer dizer que
varia de 100 a 300.
300
EXEMPLO 2 (Solução: LOUSA)

Supondo um transistor com ALFA = 0,98, determinar

o parâmetro hFE.
BC 548

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Na Figura abaixo, o lado negativo de cada fonte de

tensão está conectado ao emissor. Neste caso denomina-
se o circuito como montado em EMISSOR COMUM.

VS = IB.RS + VBE Lei de Kirchhoff

VCC = IC.RC + VCE

Existe uma relação entre IB e VBE, ou seja, para

todos os IB existe uma tensão VBE correspondente.
Naturalmente, esta curva é semelhante à curva do diodo.

Junção PN

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A partir de VCC e VS é possível obter diversos

valores de IC e VCE. A Figura mostra esta relação supondo
um IB fixo.
Região de Corte
Região Ativa

Região de
Saturação

O gráfico da Figura abaixo mostra curva IC x VCE

para vários IBs. Habitualmente o gráfico fornecido pelo
fabricante leva em consideração diversos IB’s.

EXEMPLO 3 (Solução: LOUSA)

Determinar o Beta desse transistor.

BC 548