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1. Hallar I y V en los circuitos de la Figura siguiente, para todos los transistores, suponer
que 100 y VBE 0.7 , tanto en la región activa como en la de saturación. Repetir el
problema para 300
a.
b.
2. Determinar la región de trabajo a temperatura ambiente de un transistor de silicio npn
que tiene 100 , si:
a. VCE 10V e I B 20 A
b. IC I B 0
c. VCE 3V y VBE 0.4V
d. IC 1mA e I B 50 A
3. Considerar el circuito de la Figura. Se necesita un valor del punto Q para I c comprendido
entre un mínimo de 4mA y un máximo de 5mA. Suponer valores de resistencia constantes,
y suponer que oscila entre 100 y 300. Se desea que RB tenga el mayor valor posible
cumpliendo las otras restricciones. Hallar los valores de RB y RE . En este problema no se
exige que las resistencias tengan valores nominales.
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a.
4. Considerar el circuito de la siguiente figura. Hallar R1 y Rc , si se necesita un punto de
polarización de VCE 5V e I c 2mA . ¿Cuáles son los valores nominales más cercanos
con tolerancia del 5% para R1 y Rc ?
a.
5. Dibujar los símbolos esquemáticos de un transistor npn. Indicar las terminales y las
corrientes. Elegir el sentido de referencia que coincidan con el sentido verdadero de la
corriente para funcionamiento en la región activa
6. Para polarizar en directa una unión pn, ¿Qué lado de la unión debería conectarse a la
tensión positiva?. En la región activa, ¿Qué tipo de polarización (directa o inversa) se
aplica a la unión base-emisor?¿ Y a la unión colector-base?
7. Dibujar el diagrama de un circuito regulador de tensión simple. Definir los conceptos de
regulación de la fuente y regulación de la carga.
8. Considere el circuito cargador de baterías de la siguiente figura, con
Vm 20V , R 10 y VB 14V
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