Tanggal Dokumentasi
Modul Asisten
Praktikum Praktikum
KARAKTERISTIK DAN
Alfian Nur Rafli
RANGKAIAN BIAS 01 Juni 2021
TRANSISTOR Huzaini
PENGUAT
TRANSISTOR 03 Juni 2021 Arnold Prajna
MULTISTAGE
AMPLIFIER 07 Juni 2021 Arnold Prajna
RANGKAIAN
TERINTEGRASI DAN 09 Juni 2021 Aldy Helnawan
BEBERAPA APLIKASI
MODUL II
KARAKTERISTIK DAN RANGKAIAN-BIAS TRANSISTOR I.
I. Tujuan
Memahami karakteristik dan cara kerja tansistor.
II. Tugas Pendahuluan
1. Buat resume mengenai cara kerja transistor bipolar dan FET.
2. Pelajari data-sheet transistor BD 139.
III. Dasar Teori
A. Transistor Dasar
Transistor adalah komponen yang memiliki 3 terminal. Terdapat dua macam
transistor: BJT (Bipolar Junction Transistors) dan FET (Field Effect
Transistor). Perbedaan utama diantara keduanya adalah transistor BJT
dikontrol oleh arus sedangkan transistor FET dikontrol oleh tegangan
(Gambar 1). Misalnya untuk transistor BJT, arus pengontrolnya adalah 𝐼 dan
arus yang dikontrol adalah 𝐼 . Untuk transistor FET, tegangan pengontrol
adalah 𝑉 dan arus yang dikontrol adalah 𝐼 .
Gambar 6
2. Langkah Percobaan
Untuk rangkaian pada gambar 6
1. Buat rangkaiannya seperti gambar 6. Set dc variable pada 0V.
2. Hidupkan kedua power supply. Naikkan 0-20V dc variable sehingga VCE =
0.5V.
3. Gunakan potensiometer (10k) untuk mengatur arus IB yang mengalir sesuai
dengan nilai pada tabel 1.4 yaitu 0, 10, 20, 30, 40 dan 50 μA. Catat besarnya
a rus IC untuk masing-masing nilai tersebut dan lengkapi tabel 1.1
4. Naikkan VCE menjadi 1 volt. Lakukan hal yang sama seperti pada langkah
3 diatas.
5. Lakukan hal yang sama dengan langkah no. 4 diatas untuk masing -masing
VCE 2V, 5V, dan 10V. Lengkapi tabel 2. 1 pada data percobaan.
6. Dari tabel 2.1, dapatkan plot IC thd VCE pada kurva gambar 2.1.
3. Tugas Kelompok
1. Dari tabel 2.1, dapatkan plot IC thd VCE pada kurva gambar 2.1
menggunakan excel!
2. Apa yang terjadi pada IC jika VCE lebih kecil dari 0.6 volt? Jelaskan
jawaban anda!
3. Apakah efek VCE pada IC pada saat VCE lebih besar dari 1 volt?
4. Simulasikan percobaan di atas mengguna kan Proteus atau Multisim!
B. Penguat Arus DC
1. Rangkaian Percobaan
Gambar 7
2. Langkah Percobaan
Untuk rangkaian pada gambar 7
1. Rangkai komponen sehingga terbentuk rangkaian tersebut.
2. Nyalakan power supply dan naikkan tegangan sehingga didapat arus basis
30 μA.Catat arus kolektornya tabel 2.2.
3. Kemudian turunkan tegangan sehingga arus basis mencapai 20 μA. Catat
arus kolektornya pada tabel 2.2.
3. Tugas Kelompok
1. Carilah gainnya dengan rumus berikut dan catat hasilnya!
Saat Ib = 30 d 𝜇𝐴 an Vce =
10
Saat Ib =10 𝜇𝐴
Saat Ib = 20 𝜇𝐴
Saat Ib = 30 𝜇𝐴
C. PENGUAT ARUS AC
DATA PERCOBAAN
A. Tabel Karakteristik Output Transistor
Ic(mA)
0.5V 1V 2V 5V 10V
0 0 0 0 0 0
Gambar 2.1
B. Penguat Arus DC
IB(uA) IC(mA)
10 0.49
20 0.92
30 1.34
C. Penguat Arus AC
FEATURES
*High current (max.1.5A)
APPLICATION
*Driver stages in hi-fi amplifiers and television circuits.
THERMAL CHARACTERISTICS
PARAMETER SYMBOL CONDITIONS VALUE UNIT
Thermal resistance from junction to ambient Rth j-a Note1 100 K/W
Thermal resistance from junction to mounting base Rth j-mb 10 K/W
QW-R204-007,A
UTC BD139 NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR
160
hFE VCE=2
120
80
40
UTC assumes no responsibility for equipment failures that result from using products at values that
exceed, even momentarily, rated values (such as maximum ratings, operating condition ranges, or
other parameters) listed in products specifications of any and all UTC products described or contained
herein. UTC products are not designed for use in life support appliances, devices or systems where
malfunction of these products can be reasonably expected to result in personal injury. Reproduction in
whole or in part is prohibited without the prior written consent of the copyright owner. The information
presented in this document does not form part of any quotation or contract, is believed to be accurate
and reliable and may be changed without notice.
QW-R204-007,A