LEMBAR MONITORING

PRAKTIKUM RANGKAIAN ELEKTRONIKA

SEMESTER GENAP 2020/2021

NAMA : Ik Ricky Andhika

NRP : 07111940000055 FOTO
3x4

Tanggal Dokumentasi
Modul Asisten
Praktikum Praktikum

PRINSIP KERJA DAN Martin

PENGGUNAAN 27 Mei 2021 Pardamean
DIODA Batubara

KARAKTERISTIK DAN
Alfian Nur Rafli
RANGKAIAN BIAS 01 Juni 2021
TRANSISTOR Huzaini

PENGUAT
TRANSISTOR 03 Juni 2021 Arnold Prajna

MULTISTAGE
AMPLIFIER 07 Juni 2021 Arnold Prajna

RANGKAIAN
TERINTEGRASI DAN 09 Juni 2021 Aldy Helnawan
BEBERAPA APLIKASI
 MODUL II
KARAKTERISTIK DAN RANGKAIAN-BIAS TRANSISTOR I.
I. Tujuan
Memahami karakteristik dan cara kerja tansistor.
II. Tugas Pendahuluan
1. Buat resume mengenai cara kerja transistor bipolar dan FET.
2. Pelajari data-sheet transistor BD 139.
III. Dasar Teori
A. Transistor Dasar
Transistor adalah komponen yang memiliki 3 terminal. Terdapat dua macam
transistor: BJT (Bipolar Junction Transistors) dan FET (Field Effect
Transistor). Perbedaan utama diantara keduanya adalah transistor BJT
dikontrol oleh arus sedangkan transistor FET dikontrol oleh tegangan
(Gambar 1). Misalnya untuk transistor BJT, arus pengontrolnya adalah 𝐼 dan
arus yang dikontrol adalah 𝐼 . Untuk transistor FET, tegangan pengontrol
adalah 𝑉 dan arus yang dikontrol adalah 𝐼 .

Gambar 1: Transistor BJT dan FET

B. Transistor Bipolar BJT
Transistor bipolar dapat diklasifikasikan menjadi dua macam transistor, npn
dan pnp. Gambar 2 berikut menunjukkan keduanya. Pada kondisi normal
Diode Emitter – Base diberi tegangan maju (forward bias) dan Diode
Collector – Base diberi tegangan mundur (reverse bias). Hal ini ditunjukkan
oleh Gambar 3.
 Gambar 2: Transistor PNP dan NPN

Gambar 3: Pemberian Tegangan (biasing)

C. Transistor FET
Klasifikasi transistor FET ditunjukkan oleh Gambar 4.

Gambar 4: Klasifikasi Transistor FET

 Gambar 5: Konstruksi Transistor FET
IV. Refrensi
Boylestad, R. and Nashelky, L., “Electronic Devices and Circuit Theory”, Englewood
Cliffs, New Jersey, Prentice Hall.
V. Peralatan dan komponen yang dibutuhkan
1. Circuit Construction Desk
2. Basic Electricity dan electronic kit 3. Power Supply 0-20 Volt DC variable.
3. Multimeter
4. Osiloskop
5. Resistor 100kΩ, 2.2kΩ, 22kΩ, 1kΩ, 10kΩ, 220Ω
6. Kapasitor 1 uF
7. Transistor
VI. Percobaan
A. Karakteristik Transistor Bipolar
1. Rangkaian Percobaan

Gambar 6
2. Langkah Percobaan
Untuk rangkaian pada gambar 6
1. Buat rangkaiannya seperti gambar 6. Set dc variable pada 0V.
2. Hidupkan kedua power supply. Naikkan 0-20V dc variable sehingga VCE =
0.5V.
 3. Gunakan potensiometer (10k) untuk mengatur arus IB yang mengalir sesuai
dengan nilai pada tabel 1.4 yaitu 0, 10, 20, 30, 40 dan 50 μA. Catat besarnya
a rus IC untuk masing-masing nilai tersebut dan lengkapi tabel 1.1
4. Naikkan VCE menjadi 1 volt. Lakukan hal yang sama seperti pada langkah
3 diatas.
5. Lakukan hal yang sama dengan langkah no. 4 diatas untuk masing -masing
VCE 2V, 5V, dan 10V. Lengkapi tabel 2. 1 pada data percobaan.
6. Dari tabel 2.1, dapatkan plot IC thd VCE pada kurva gambar 2.1.
3. Tugas Kelompok
1. Dari tabel 2.1, dapatkan plot IC thd VCE pada kurva gambar 2.1
menggunakan excel!
2. Apa yang terjadi pada IC jika VCE lebih kecil dari 0.6 volt? Jelaskan
jawaban anda!
3. Apakah efek VCE pada IC pada saat VCE lebih besar dari 1 volt?
4. Simulasikan percobaan di atas mengguna kan Proteus atau Multisim!
B. Penguat Arus DC
1. Rangkaian Percobaan

Gambar 7
2. Langkah Percobaan
Untuk rangkaian pada gambar 7
1. Rangkai komponen sehingga terbentuk rangkaian tersebut.
2. Nyalakan power supply dan naikkan tegangan sehingga didapat arus basis
30 μA.Catat arus kolektornya tabel 2.2.
3. Kemudian turunkan tegangan sehingga arus basis mencapai 20 μA. Catat
arus kolektornya pada tabel 2.2.
3. Tugas Kelompok
1. Carilah gainnya dengan rumus berikut dan catat hasilnya!

2. Simulasikan percobaan di atas mengguna kan Proteus atau Multisim!

C. Penguat Arus AC
1. Rangkaian Percobaan
 Gambar 8
2. Langkah Percobaan
Untuk rangkaian pada gambar 8
1. Buat rangkaiannya seperti pada gambar 8.
2. Hubungkan dengan function generator dan power supply (12 volt).
3. Hidupkan supply 12 Volt.
4. Hidupkan function generator dan set keluaran function generator bernilai
nol.
5. Atur potensiometer sehingga tegangan pada collector menjadi 6 Volt.
6. Nyalakan osiloskop dan set agar nilai Y1 dan Y2 ditampilkan (dual).
7. Sekarang, atur function generator hingga Y1 (tegangan kolektor) bernilai 6
Volt (peak-to-peak). Set frekuensi pada 1kHz. Sket sinyal tersebut pada
gambar 2.2 pada data percobaan! Dapatkan tegangan peak-to-peak nya.
8. Hubungkan Y2 ke titik B pada gambar, didapatkan sinyal (tegangan) pada
basis, sket sinyal tersebut pada gambar 2.3. Dapatkan tegangan peak-to-peak
nya.
9. Dapatkan sinyal tegangan antara titik A dan titik B. Sket sinyal tersebut p
ada gambar 2.4. Dapatkan tegangan peak-to-peak nya.
10. Dapatkan sinyal tegangan pada beban (RL). Gambarkan sinyal tersebut pada
gambar 2.5. Dapatkan tegangan peak-to-peak nya.
11. Dapatkan I B dan I C (Arus Gain dan Colector).
12. Dapatkan gainnya.
3. Tugas Kelompok
1. Hitunglah penguatan tegangan dengan cara membagi tegangan kolektor
(peak-to-peak) dengan tegangan basis (peak-to-peak).
2. Carilah nilai arus basis dengan cara membagi tegangan antara titik A dan B
(peak-to-peak) dengan resistor basis (hasil pengukuran).
3. Carilah nilai arus kolektor dengan cara membagi tegangan pada beban
(peakto-peak) dengan resistor kolektor (hasil pengukuran).
4. Hitunglah penguatan arus dengan cara membagi arus kolektor dengan arus
basis.
5. Apa fungsi masing-masing capasitor pada bagian input dan output?
6. Lakukan simulasi untuk rangkaian gambar 10 dengan Proteus atau
Multisim. Plot tegangan pada basis dan kolektor, bandingkan dengan hasil
percoabaan anda.
 TUGAS PENDAHULUAN
1. Buat resume mengenai cara kerja transistor bipolar dan FET.
Jawab: Transistor BJT sering digunakan untuk penguatan sinyal listrik serta pada
saklar digital, Bipolar Junction Transistor (BJT) adalah komponen semikonduktor
yang dibuat dengan tiga terminal/kaki Semikonduktor (Basis, Kolektor dan emitor),
biasanya kaki/terminal basis dan emitor memiliki tegangan penghalang sekitar 0,5
– 0,7 V, artinya bahwa dibutuhkan tegangan listrik minimal antara 0,5 – 0,7 volt
untuk bisa membuat arus listrik mengalir melalui kaki emitor ke basis (basis ke
emitor) dan atau kolektor ke basis (basis ke kolektor). Cara kerjanya adalah dengan
sebuah komponen aktif yang terdpat pada BJT dan terdiri dari tiga terminal
semikonduktor dan dapat berperan sebagai isolator ataupun konduktor dengan
tegangan dan sinyal kecil. Kemampuan transistor membuat komponen tersebut
digunakan dalam saklar maupun amplifier. Ketika kondisi aktif bertindak sebagai
amplifier dan sebagai saklar Ketika kondisi saturasi maupun cutoff.
Junction Field Effect Transistor (JFET) atau FET adalah transistor yang
menggunakan tegangan pada terminal inputnya, hal ini dalam istilah
dunia rangkaian elektronika disebut gerbang (gate), gerbang ini mengontrol arus
yang mengalir melalui kaki terminal komponen transistor ini dan menghasilkan
arus keluaran yang sebanding dengan tegangan input. Oleh karena itu komponen
ini disebut juga transistor yang bisa mengatur tegangan. Transistor FET mempunyai
3 terminal semikonduktor (Gate, Drain, Source) serta memiliki karakteristik yang
hampir sama dengan transistor BJT dan memiliki efisiensi kerja yang tinggi,
penggunaan yang praktis, murah, dan dapat digunakan pada hampir semua
perangkat elektronika perbedaannya terletak pada pengendali arus outputnya
dimana untuk transistor bipolar dikendalikan oleh arus input (IB) sedangkan pada
FET dikendalikan oleh tegangan input (VG). FET memiliki 2 jenis yaitu Junction
FET (JFET) dan Metal Oxide Semiconduction Field Effect Transistor (MOSFET).
Cara kerja FET yaitu arus yang mengalir dalam satu kanal konduksi dengan
depletion zone di kedua sisinya (dibandingkan dengan transistor bipolar yang
memiliki daerah basis memotong arah arus listrik dan ketebalan dari daerah
perbatasan ini dapat diubah dengan perubahan yang diberikan untuk mengubah
ketebalan kanal konduksi tersebut.
2. Pelajari data-sheet transistor BD 139.
Jawab: Terlampir di lampian.
 DASAR TEORI
Transistor adalah komponen elektronika multitermal, biasanya memiliki 3 terminal
yang tersusun dari dari bahan semi konduktor yang memiliki 3 kaki yaitu: basis (B),
kolektor (C) dan emitor (E). Secara harfiah, kata ‘Transistor’ berarti ‘ Transfer
resistor’, yaitu suatu komponen yang nilai resistansi antara terminalnya dapat
diatur. Berdasarkan susunan semikonduktor yang membentuknya, transistor
dibedakan menjadi dua tipe, yaitu transistor PNP dan transistor NPN. Untuk
membadakan transistor PNP dan NPN dapat dari arah panah pada kaki emitornya.
Pada transistor PNP anak panah mengarah ke dalam dan pada transistor NPN arah
panahnya mengarah ke luar. Pada prinsipnya, suatu transistor terdiri atas dua buah
dioda yang disatukan. Agar transistor dapat bekerja, kepada kakikakinya harus
diberikan tegangan, tegangan ini dinamakan bias voltage. Basisemitor diberikan
forward voltage, sedangkan basiskolektor diberikan reverse voltage. Sifat transistor
adalah bahwa antara kolektor dan emitor akan ada arus (transistor akan menghantar)
bila ada arus basis. Makin besar arus basis makin besar penghatarannya. Suatu arus
listrik yang kecil pada basis akan menimbulkan arus yang jauh lebih besar diantara
kolektor dan emitornya, maka dari itu transistor digunakan untuk memperkuat arus
(amplifier). Terdapat dua jenis transistor ialah jenis NPN dan jenis PNP. Pada
transistor jenis NPN tegangan basis dan kolektornya positif terhadap emitor,
sedangkan pada transistor PNP tegangan basis dan kolektornya negatif terhadap
tegangan emitor. Secara umum transistor terbagi dalam 3 jenis yaitu Transistor
Bipolar, Transistor Unipolar, dan Transistor Unijunction. Transistor bipolar bekerja
dengan 2 macam carrier, sedangkan unipolar satu macam saja, hole atau electron.
Pada transistor bipolar, arus yang mengalir berupa arus lubang (hole) dan arus
electron atau berupa pembawa muatan mayoritas dan minoritas. Transistor dapat
berfungsi sebagai penguat tegangan, penguat arus, penguat daya atau sebagai
saklar. Transistor di desain dari pemanfaatan sifat diode, arus menghantar dari
diode dapat dikontrol oleh electron yang ditambahkan pada pertemuan PN diode.
Dengan penambahan elekdiode pengontrol ini, maka diode semi-konduktor dapat
dianggap dua buah diode yang mempunyai electrode bersama pada pertemuan.
Dengan memilih electrode pengontrol dari type P atau type N sebagai electrode
persekutuan antara dua diode, maka dihasilkan transistor jenis PNP dan NPN.
Transistor dapat bekerja apabila diberi tegangan, tujuan pemberian tegangan pada
transistor adalah agar transistor tersebut dapat mencapai suatu kondisi menghantar
atau menyumbat. Baik transistor NPN maupun PNP tegangan antara emitor dan
basis adalah forward bias, sedangkan antara basis dengan kolektor adalah reverse
bias. Dari cara pemberian tegangan muka didapatkan dua kondisi yaitu menghantar
dan menyumbat. Pemberian tegangan pada transistor, tegangan pada Vcc jauh lebih
besar dari tegangan pada Veb. Diode basis-emitor mendapat forward bias,
akibatnya electron mengalir dari emitor ke basis, aliran electron ini disebut arus
emitor (IE). Elektron electron ini tidak mengalir dari kolektor ke basis, tetapi
sebaliknya sebagian besar electron-elektron yang berada pada emitor tertarik ke
kolektor, karena tegangan Vcc jauh lebih besar dari pada tegangan Veb dan
mengakibatkan aliran electron dari emitor menuju kolektor melewati basis.
Electron-elektron ini tidak semuanya tertarik ke kolektor tetapi sebagian kecil
menjadi arus basis (IB). Daerah kerja transistor dapat dibagi dalam 3 bagian sebagai
berikut yaitu daerah aktif, daerah saturasi, dan daerah cutoff. Pada daerah kerja
aktif, transistor biasanya digunakan sebagai penguat sinyal. Transistor dikatakan
bekerja pada daerah aktif karena transistor selelu mengalirkan arus dari kolektor ke
emitor walaupun tidak dalam proses penguatan sinyal, hal ini ditujukan untuk
menghasilkan sinyal keluaran yang tidak cacat. Daerah aktif terletak antara daerah
jenuh (saturasi) dan daerah mati (Cut off). Daerah kerja transistor yang normal
adalah pada daerah aktif, yaitu ketika arus IC konstans terhadap berapapun nilai
VCE. Dari kurva ini diperlihatkan bahwa arus IC hanya tergantung dari besar arus
IB. Daerah kerja ini biasa juga disebut daerah linear (linear region). Daerah kerja
transistor saturasi atau disebut saat jenuh adalah keadaan dimana transistor
mengalirkan arus secara maksimum dari kolektor ke emitor sehingga transistor
tersebut seolah-olah short pada hubungan kolektor – emitor. Pada daerah ini
transistor dikatakan menghantar maksimum (sambungan CE terhubung
maksimum). Daerah cut off merupakan daerah kerja transistor dimana keadaan
transistor menyumbat pada hubungan kolektor – emitor. Daerah cut off sering
dinamakan sebagai daerah mati karena pada daerah kerja ini transistor tidak dapat
mengalirkan arus dari kolektor ke emitor. Pada daerah cut off transistor dapat di
analogikan sebagai saklar terbuka pada hubungan kolektor – emitor. Dengan
mengatur Ib = 0 atau tidak memberi tegangan pada bias basis atau basis diberi
tegangan mundur terhadap emitor maka transistor akan dalam kondisi mati (cut off),
sehingga tak ada arus mengalir dari kolektor ke emitor (Ic≈0) dan Vce ≈ Vcc.
Bipolar Junction Transistor atau Transistor BJT adalah perangkat semikonduktor
yang dapat digunakan untuk switching atau amplifikasi. Jika dua dioda sinyal
individual secara berurutan digabung, akan memberi dua persimpangan PN-
junction yang terhubung bersama dalam seri yang berbagi terminal P atau N yang
sama. Penggabungan kedua dioda ini menghasilkan tiga lapisan, dua persimpangan
(junction), tiga perangkat terminal yang membentuk basis dari Bipolar
Junction Transistor, atau singkatnya BJT. Konstruksi dasar Transistor
Bipolar terdiri dari dua PN-junction menghasilkan tiga terminal yang
menghubungkan dengan masing-masing terminal yang diberi nama untuk
mengidentifikasi dari dua lainnya. Ketiga terminal ini dikenal dan diberi label
masing-masing sebagai Emitter ( E ), Base ( B ) dan Collector ( C ). Transistor
Bipolar adalah perangkat pengatur arus yang mengontrol jumlah arus yang mengalir
melalui mereka dari Emitter ke terminal Collector secara proporsional dengan
jumlah tegangan biasing yang diterapkan ke terminal mereka, sehingga bertindak
seperti sakelar yang dikendalikan arus. Sebagai arus kecil yang mengalir ke
terminal Base mengontrol arus Collector yang jauh lebih besar membentuk dasar
aksi transistor. Prinsip operasi dari dua jenis transistor PNP dan transistor NPN,
adalah persis sama satu-satunya perbedaan dalam biasing mereka dan polaritas catu
daya untuk masing-masing jenis. Simbol konstruksi dan rangkaian untuk transistor
bipolar PNP dan NPN diberikan di atas dengan panah di simbol rangkaian selalu
menunjukkan arah "aliran arus konvensional" antara terminal Base dan terminal
Emitternya. Arah panah selalu menunjuk dari daerah tipe-P positif ke daerah tipe-
N negatif untuk kedua jenis transistor, persis sama dengan simbol dioda standar.
Karena Transistor Bipolar adalah perangkat tiga terminal, pada dasarnya ada tiga
cara yang mungkin untuk menghubungkannya dalam rangkaian elektronik dengan
satu terminal menjadi umum untuk input dan output. Setiap metode koneksi
merespons secara berbeda terhadap sinyal inputnya dalam suatu rangkaian karena
karakteristik statis dari transistor bervariasi dengan setiap susunan rangkaian.
Konfigurasinya terdiri dari Konfigurasi Common Base yang memiliki Gain
Tegangan tetapi tanpa Gain Arus, Konfigurasi Common Emitter yang memiliki
Gain Arus dan Gain Tegangan, dan Konfigurasi Common Collector yang memiliki
Gain Arus tetapi tanpa Gain Tegangan. Common Base atau konfigurasi grounded,
koneksi Base Common untuk sinyal input dan sinyal output. Sinyal input diterapkan
antara Base transistor dan terminal Emitter, sedangkan sinyal output yang sesuai
diambil dari antara Base dan terminal Collector seperti yang ditunjukkan. Terminal
base grounded atau dapat dihubungkan ke beberapa titik tegangan referensi tetap.
Arus input yang mengalir ke Emitter cukup besar karena jumlahnya masing-masing
dari arus Base dan arus Collector masing-masing karena itu, arus output Collector
kurang dari input arus Emitter yang menghasilkan kenaikan arus untuk jenis
rangkaian “1” (unity) atau kurang, dengan kata lain konfigurasi Common Base
"melemahkan/Atenuasi" sinyal input. Dalam konfigurasi Common Emitter atau
grounded emitter, sinyal input diterapkan antara Base dan Emitter, sementara output
diambil dari antara Collector dan Emitter seperti yang ditunjukkan. Jenis
konfigurasi ini adalah rangkaian yang paling umum digunakan untuk penguat
berbasis transistor dan yang mewakili metode "normal" koneksi transistor bipolar.
Konfigurasi penguat Common Emitter menghasilkan penguatan arus dan daya
tertinggi dari ketiga konfigurasi transistor bipolar. Ini terutama karena impedansi
input RENDAH karena terhubung ke PN-junction forward bias, sedangkan
impedansi output adalah TINGGI karena diambil dari sambungan PN-junction
reverse bias. Dalam konfigurasi Common Collector atau grounded collector,
Collector sekarang Common melalui supply. Sinyal input terhubung langsung ke
Base, sedangkan output diambil dari beban Emitter seperti yang ditunjukkan. Jenis
konfigurasi ini umumnya dikenal sebagai rangkaian Voltage Follower atau Emitter
Follower. Konfigurasi Common Collector, atau konfigurasi pengikut Emitter
sangat bermanfaat untuk aplikasi pencocokan impedansi karena impedansi input
yang sangat tinggi, di daerah ratusan ribu Ohm sementara mempunyai impedansi
output yang relatif rendah. Junction Field Effect Transistor (JFET) atau FET adalah
transistor yang menggunakan tegangan pada terminal inputnya, hal ini dalam istilah
dunia rangkaian elektronika disebut gerbang (gate), gerbang ini mengontrol arus
yang mengalir melalui kaki terminal komponen transistor ini dan menghasilkan
arus keluaran yang sebanding dengan tegangan input. Oleh karena itu komponen
ini disebut juga transistor yang bisa mengatur tegangan. Transistor FET ini
mempunyai tiga kaki terminal semikonduktor yang satu arah serta memiliki
karakteristik yang mirip dengan transistor BJT yaitu punya efisiensi kerja yang
tinggi, penggunaan yang praktis, tahan lama dan juga murah dan dapat digunakan
pada hampir semua perangkat elektronika yang ada saat ini dan dapat menggantikan
fungsi transistor BJT. Ukuran dari transistor FET ini bisa lebih kecil dari transistor
BJT dengan konsumsi daya yang lebih kecil serta disipasi daya (berubahnya tenaga
listrik menjadi tenaga panas per satuan waktu) yang rendah, sehingga membuat
transistor FET ini cocok atau banyak digunakan dalam rangkaian logika digital.
 SIMULASI PERCOBAAN

A. Karakteristik Transistor Bipolar

Saat Ib = 0 𝜇𝐴 dan Vce = 0.5

Saat Ib = 0 𝜇𝐴 dan Vce = 1

Saat Ib = 0 𝜇𝐴 dan Vce = 2

 Saat Ib = 0 𝜇𝐴 dan Vce = 5

Saat Ib = 0 𝜇𝐴 dan Vce = 10

Saat Ib = 10 𝜇𝐴 dan Vce = 0.5

Saat Ib = 10 𝜇𝐴 dan Vce = 1

Saat Ib = 10 𝜇𝐴 dan Vce = 2

Saat Ib = 10 𝜇𝐴 dan Vce = 5

Saat Ib = 10 𝜇𝐴 dan Vce = 10

Saat Ib = 20 𝜇𝐴 dan Vce = 0.5

Saat Ib = 20 𝜇𝐴 dan Vce = 1

Saat Ib =20 𝜇𝐴 dan Vce = 2

Saat Ib = 20 𝜇𝐴 dan Vce = 5

Saat Ib = 20 𝜇𝐴 dan Vce = 10

Saat Ib = 30 𝜇𝐴 dan Vce = 0.5

Saat Ib =30 𝜇𝐴 dan Vce = 1

Saat Ib =30 𝜇𝐴 dan Vce = 2

Saat Ib =30 𝜇𝐴 dan Vce = 5

Saat Ib = 30 d 𝜇𝐴 an Vce =
10

Saat Ib = 40 𝜇𝐴 dan Vce =

0.5
Saat Ib = 40 𝜇𝐴 dan Vce = 1

Saat Ib = 40 𝜇𝐴 dan Vce = 2

Saat Ib = 40 𝜇𝐴 dan Vce = 5

Saat Ib = 40 𝜇𝐴 dan Vce = 10

Saat Ib = 50 𝜇𝐴 dan Vce = 0.5

Saat Ib = 50 𝜇𝐴 dan Vce = 1

Saat Ib = 50 𝜇𝐴 dan Vce = 2

Saat Ib = 50 𝜇𝐴 dan Vce = 5

Saat Ib = 50 𝜇𝐴 dan Vce =10

B. PENGUAT ARUS DC

Saat Ib =10 𝜇𝐴

Saat Ib = 20 𝜇𝐴

Saat Ib = 30 𝜇𝐴
C. PENGUAT ARUS AC
 DATA PERCOBAAN
A. Tabel Karakteristik Output Transistor
Ic(mA)

0.5V 1V 2V 5V 10V

0 0 0 0 0 0

10 0.42 0.43 0.43 0.44 0.46

Ib 20 0.72 0.77 0.78 0.8 0.87

(uA)
30 1.25 1.26 1.27 1.31 1.37

40 1.6 1.61 1.62 1.67 1.75

50 2.03 2.04 2.06 2.12 2.22

Gambar 2.1

B. Penguat Arus DC

IB(uA) IC(mA)
10 0.49
20 0.92
30 1.34
C. Penguat Arus AC

Gambar 2.2 Gambar 2.3

Gambar 2.4 Gambar 2.5

 ANALISA DATA
Pada praktikum modul ke 2 Rangkaian Elektronika, terdapat 3 percobaan
yang dilakukan yaitu Karakteristrik Transistor Bipolar, Penguat Arus DC, dan
Penguat Arus AC. Pada percobaan pertama, rangkaian dirangkai sesuai modul dan
di set dc variabel 0 v. Digunakan potensiometer 10 k dan digunakan variasi arus Ib
0 sampai 50 mikro ampere dan variasi Vce. Dari data percobaan yang diperoleh,
diperoleh besar arus IC terhadap tegangan VCE sesuai pada data hasil percobaan.
Setelah dilakukan percobaan didapatkan data arus IC berdasarkan variasi arus IB
dan tegangan VCE dan juga didapatkan grafik hubungan antara arus IC dengan
VCE. Transistor BD 139 sesuai datasheet memiliki VCE saturasi yaitu 0,5 V. Maka
transistor bekerja saat nilai VCE lebih besar dari 0,5 V melebihi nilai tegangan
saturasinya. Namun, yang terjadi pada 𝐼𝐶 jika 𝑉𝐶𝐸 lebih kecil dari 0,6 V dapat
dikatakan transistor dalam keaadan saturasi. Berdasarkan percobaan yang
dilakukan saat nilai VCE lebih dari nilai tegangan saturasinya yaitu 0,5 V, maka
transistor akan aktif dan dihasilkan nilai arus IC, pada grafik arus IC terlihat saat
nilai VCE lebih dari 0,5 V dan semakin besar grafik berbentuk mendekati garis
lurus dimana daerah ini biasa disebut wilayah aktif dan saat nilai VCE kurang dari
0,5 disebut wilayah saturasi (0 – 0,5V). Selanjutnya terdapat wilayah cut off (IB=0).
Jika nilai VCE kurang dari 0,6 V, maka nilai IC akan semakin kecil atau bahkan
akan tidak mengalir karena terdapat tegangan mnimal sebesar 0,7 V (berbahan Si)
karena diode dalam keadaan reverse bias. Selain itu transistor dalam keadaan
saturasi jika nilai VCE kurang dari 0,5 V. Pada saat nilai VCE lebih besar dari 1 V
maka akan diperoleh besar IC semakin besar dan cenderung konstan karena
tegangan diode lebih dari 0,7 V reverse bias dan diode telah melewati batas saturasi.
Transistor akan bekerja aktif sesuai dengan persamaan Ib = Ic/β dan transistor akan
bekerja sebagai amplifier.
Pada percobaan kedua yaitu penguat arus DC, rangkaian disusun sesuai
pada modul dan tegangan dinaikkan hingga arus basis sebesar 30 mikro ampere .
Lalu dilakukan variasi hingga 10 mikro ampere sehingga diperoleh besar arus IC
pada data hasil percobaan yaitu 0,49 mA, 0,92 mA, dan 1,34 mA. Lalu untuk
mendapatkan nilai gain, diperoleh melalui persamaan yaitu
𝐼𝑐(𝐼𝑏 = 20 𝑚𝐴 − 𝐼𝑏 (𝐼𝑐 = 10 𝑚𝐴) (0,9 − 0,45)1000
Gain = − = 45
(20 − 10)𝑢𝐴 10
Maka, didapatkan nilai gain sebesar 45. Pada hasil percobaan juga didapatkan
bahwa nilai 𝐼𝐵 dan 𝐼𝐶 besarnya berbanding lurus.
Pada percobaan ketiga yaitu Percobaan dilakukan dengan menyusun
rangkaian sesuai pada modul menggunakan transistor BD 139 dan beberapa
komponen lainnya termasuk tambahan function generator untuk melihat
karakteristik gelombang yang dihasilkan. Setelah dilakukan percobaan dan
didapatkan nilai tegangan V peak to peak VA, VB, VAB, dan VRL dan didapatkan
nilai IB=14,26 µA dan IC=597,3 µA maka dihasilkan gain dengan cara
 𝑉𝑐 6,097 𝑉
membagi VC dengan VB (peak to peak). Gain = =521,3 𝑚𝑉 = 11,7. Kemudian
𝑉𝑏
𝑉𝐴𝐵 𝑉𝐴−𝑉𝐵
untuk nilai arus IB dapat dihitung menggunakan rumus IB = = = 14,6
𝑅𝐵 𝑅𝐵
𝑉𝑅𝐿 525 𝑚𝑉
uA. Kemudian nilai arus IC dapat dihitung menggunakan rumus IC= =
𝑅𝐿 10𝑘
= 525 uA. Setelah didapatkan nilai arus IB dan IC, dilanjutkan perhitungan
𝐼𝐶 525 𝑢𝐴
mencari penguatan (gain) dengan persamaan, Gain = = = 35,96.
𝐼𝐵 14,6 𝑢𝐴
𝐼𝐶 597,3 𝑢𝐴
Sedangkan dari hasil pengukuran didapatkan gain sebesar = = 41,35.
𝐼𝐵 14,26 𝑢𝐴
Terdapat perbedaan hasil yang kemungkinan disebabkan oleh keakuratan
komponen yang kurang maksimal atau pembulatan nilai desimal saat perhitungan.
Selanjutnya fungsi dari masing masing kapasitor pada bagian input dapat digunakan
sebagai penguatan(amplifier) sinyal input dan pada output dapat digunakan untuk
menghaluskan sinyal AC dengan cara memblokir sinyal DC yang melewati. Fungsi
kapasitor pada rangkaian (input dan output) yaitu untuk membatasi atau menahan
tegangan DC sehingga arus AC dapat mengalir dari input ke output. Dimana
kapasitor merupakan kopling yang dapat mempengaruhi respon frekuensi pada
amplifier.
 TUGAS ASISTENSI
1. Jelaskan apa kelebihan dan kekurangan dari transistor BJT dan Mosfet!
Jawab: Kekurangan dari BJT yaitu arus beban yang dapat bertahan disaklarkan itu
jumlahnya kecil. Dengan demikian maka beban yang sesuai haruslah terlebih
dahulu dipilih dengan baik. Bila tidak dipilah maka resiko terjadinya kerusakan
transistor akan besar, akibat dari berlebihnya dispasi daya yang ada. Sedangkan
kelebihannya yaitu dapat difungsikan menjadi saklar dengan sangat cepat dan tidak
adanya bouncing sebagaimana biasanya terjadi pada pensaklaran mekanik yang
memakai relay. Lebih khusus lagi transistor ini sesuai buat pensaklaran pada
rangkaian digital yg membutuhkan supply tegangan yang kecil, keakuratan dan
kecepatan; karena tidak memakai alat-alat mekanik seperti pada saklar umumnya.
Selain itu, dapat bekerja pada penguatan daya yang tinggi seperti pada alat
transmitter.
Kelebihan dari mosfet yaitu kemampuan tegangan tinggi, memiliki resistensi
rendah, dan switching cepat. Sedangkan untuk kekurangannya yaitu tidak bisa
digunakan sebagai amplifier dan rangkaian driver cukup rumit.
 KESIMPULAN
Pada praktikum kedua Rangkaian Elektronika ini, didapatkan kesimpulan berupa
Bipolar junction transistor memiliki daerah cutoff, daerah saturasi pada 𝑉𝐶𝐸
tertentu, dan daerah aktif. Transistor juga dapat dimanfaatkan sebagai switch
amplifier. Sebagai penguat arus DC, transistor berada pada daerah aktif. Transistor
dapat berfungsi sebagai switch saat nilai VCE lebih kecil dari nilai VCE saturasi
dan dapat berfungsi sebagai amplifier saat VCE lebih besar dari VCE saturasi
(reverse bias). Penguat arus DC pada percobaan diperoleh nilai gain sebesar 45.
Sebagai penguat arus AC, kapasitor diperlukan sebagai penghubung yang dapat
memblokir arus DC yang lewat dan memperhalus arus AC. Dari percobaan ini
diperoleh gain sebesar 41,35.
 REFERENSI
https://sumberilmu55.wordpress.com/2011/03/05/komponen-dasar-%E2%80%93-
transistor/
http://elektronika-dasar.web.id/konsep-dasar-transistor/
http://carita0.blogspot.com/2016/01/daerah-kerja-transistor.html#.YL7oVvkzZPY
https://skemaku.com/cara-kerja-transistor/
https://abdulelektro.blogspot.com/2019/07/transistor-bipolar-transistor-bjt.html
 LAMPIRAN
UTC BD139 NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR

NPN POWER TRANSISTORS

FEATURES
*High current (max.1.5A)

*Low voltage (max.80V)

APPLICATION
*Driver stages in hi-fi amplifiers and television circuits.

1:EMITTER 2:COLLECTOR 3:BASE

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

PARAMETER SYMBOL CONDITIONS MIN MAX UNIT
Collector-base voltage VCBO Open emitter - 100 V
Collector-emitter voltage VCEO Open base - 80 V
Emitter-base voltage VEBO Open collector - 5 V
Collector current(DC) Ic - 1.5 A
Peak collector current lcM - 2 A
Peak base current lB M - 1 A
Total power dissipation Ptot Tmb≤70C - 8 W
Storage Temperature Tstg -65 +150 C
Junction Temperature Tj - +150 C
Operating ambient temperature Tamb -65 +150 C

THERMAL CHARACTERISTICS
PARAMETER SYMBOL CONDITIONS VALUE UNIT
Thermal resistance from junction to ambient Rth j-a Note1 100 K/W
Thermal resistance from junction to mounting base Rth j-mb 10 K/W

Note 1: Refer to TO-126 standard mounting conditions.

UTC UNISONIC TECHNOLOGIES CO. LTD 1

QW-R204-007,A
 UTC BD139 NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Tj=25C, unless otherwise specified)

PARAMETER SYMBOL CONDITIONS MIN TYP MAX UNIT
IE=0, VCB=30V - 100 nA
Collector cut-off current ICBO
IE=0, VCB=30V,Tj=125C - 10 μA
Emitter cut-off current IEBO IC=0, VEB=5V - 100 nA
DC current gain hFE VCE=2V (See Fig.2)
Ic=5mA 40 - -
Ic=150mA 63 - 250
Ic=500mA 25 - -
DC current gain Ic=150mA, VCE=2V (See Fig.1)
BD139-10 63 - 160
BD139-16 100 - 250
Collector-emitter saturation voltage VCE(sat) Ic=500 mA, IB=50mA - - 0.5 V
Base-emitter voltage VBE Ic=500 mA, VCE=2V - - 1 V
Transition frequency fT Ic=500 mA, VCE=5V, f=100MHz - 190 - MHz

160

hFE VCE=2

120

80

40

0 10-1 1 10 102 IC(mA) 103

Fig.1 DC current gain;typical values.

UTC assumes no responsibility for equipment failures that result from using products at values that
exceed, even momentarily, rated values (such as maximum ratings, operating condition ranges, or
other parameters) listed in products specifications of any and all UTC products described or contained
herein. UTC products are not designed for use in life support appliances, devices or systems where
malfunction of these products can be reasonably expected to result in personal injury. Reproduction in
whole or in part is prohibited without the prior written consent of the copyright owner. The information
presented in this document does not form part of any quotation or contract, is believed to be accurate
and reliable and may be changed without notice.

UTC UNISONIC TECHNOLOGIES CO. LTD 2

QW-R204-007,A