LAPORAN SEMENTARA

PRAKTIKUM ELEKTRONIKA DASAR

NAMA : AHMAD NAFI’ BUDIANTO

KELAS : 1 D3 Teknik Telekomunikasi B

NRP : 2221500032

PROGRAM STUDI D3 TEKNIK TELEKOMUNIKASI

DEPARTEMEN TEKNIK ELEKTRO
POLITEKNIK ELEKTRONIKA NEGERI SURABAYA
2021
 PRAKTIKUM 4
KARAKTERISTIK BJT COMMON EMITTER

I. TUJUAN
1. Memahami konsep bias pada transistor
2. Memahami konfigurasi rangkaian transistor common emitter
3. Menggambarkan karakteristik input dan output dari rangkaian transistor
common emitter

II. TEORI
Bipolar Transistor Junction (BJT) merupakan piranti bipolar yang terbuat
dari bahan semikonduktor dengan tiga terminal yaitu Base (B) , Collector (C) dan
Emitter (E) yang tersusun dari semikonduktor tipe P dan Tipe N. Ada dua tipe pada
BJT ini yaitu NPN dan PNP dengan struktor dan simbol yang ditunjukkan pada
Gambar 1.

Gambar 1. Bipolar transistor Junction (a) Tipe NPN (b) Tipe PNP

Rangkaian transistor dengan konfigurasi Common Emitter dengan BJT tipe

NPN ditunjukkan pada Gambar 2. Dalam konfigurasi ini, terminal Emitter menjadi
ground. Pada konfigurasi ini memiliki dua macam karakteristik,yaitu karakteristik
input dan karakteristik output.

Gambar 2. Konfigurasi Common Emitter BJT tipe NPN

Karakteristik input merupakan karakteristik dari tegangan base dan emitter

(VBE) sebagai fungsi arus base (IB) dengan VCE dalam keadaan konstan.
Karakteristik ini merupakan karakteristik dari junction emitter-base dengan
forward bias atau sama dengan karakteristik dioda pada forward bias. Pada BJT
seluruh pembawa muatan akan melewati junction Base-Emitter menuju Collector,
maka arus pada basis menjadi jauh lebih kecil dari diode P-N dengan adanya faktor
hfe. Penambahan nilai VCE mengakibatkan arus IB akan berkurang. Arus IB akan
mengalir jika tegangan VBE > 0,7 V seperti ditunjukkan oleh karakteristik pada
Gambar 3.
Karakteristik output merupakan karakteristik dengan tegangan emitter (VCE)
sebagai fungsi arus kolektor (IC) terhadap arus base (IB) yang tetap seperti
ditunjukkan pada Gambar 4. Pada saat IB = 0, arus IC yang mengalir adalah arus
bocor ICEO (pada umumnya diabaikan), sedangkan pada saat IB ≠ 0 untuk VCE kecil
(<< 0,2 V), pembawa muatan di basis tidak efisien dan transistor dikatakan dalam
IC
keadaan saturasi dengan IB > ℎ𝑓𝑒 Pada saat VCE diperbesar, IC pun naik hingga

melewati level tegangan VCE saturasi (0,2 -1 V) hingga transistor bekerja dalam
 IC
daerah aktif dengan IB = ℎ𝑓𝑒 ada saat ini kondisi arus IC relatif konstan terhadap

variasi tegangan VCE.

Gambar 3. Karakteristik input

Gambar 4. Karakteristik output common emitter

III. RANGKAIAN PERCOBAAN
Berikut adalah lrangkaian percobaan melalui software Multisim :

Gambar 5. Rangkaian percobaan

IV. PROSEDUR PERCOBAAN

Prosedur percobaan yang dilakukan antara lain yaitu :
A. KARAKTERISTIK INPUT
1. Cek seluruh peralatan yang akan digunakan dalam kondisi baik.
2. Cari dengan multitester kaki Basis, Collector dan Emittor pada BJT. 3.
3. Buat rangkaian seperti Gambar 5 pada papan rangkai. Ingat polaritas
jangan sampai terbalik 4.
4. Cek kembali rangkaian sebelum power supply dinyalakan. Gunakan range
terbesar pada ammeter dan voltmeter DC 5.
5. Atur tegangan VCE =0 V kemudian perlahan naikkan tegangan V1
sehingga arus pada IB=5 μA. Catat tegangan VBE pada Tabel 1.
6. Naikkan tegangan IB mengikuti Tabel 1 kemudian catat nilai VBE.
7. Ulangi prosedur nomor 5 dan 6 dengan memberikan tegangan VCE=4 V
dan 8V kemudian catat pada Tabel 1
 B. KARAKTERISTIK OUTPUT
1. Untuk rangkaian yang sama pada Gambar 5, atur arus IB=0 μA dan
tegangan VCE=0V. Catat arus IC pada Tabel 2.
2. Perlahan naikkan tegangan VCE mengikuti Tabel 2, catat arus IC pada
Ammeter pada tabel 2.
3. Ulangi langkah pada prosedur 2 dengan memberikan arus IB=50 μA dan
IB =100 μA. Kemudian catat pada Tabel 2

V. TABEL
Berikut adalah tabel yang didapatkan berdasarkan percobaan diatas :

Tabel 1. Karakteristik input

IB VBE (V)
(µA) VCE = 0V VCE = 4V VCE = 8V
5 0.54 0.684 0.684
10 0.56 0.705 0.705
15 0.572 0.716 0.717
20 0.581 0.724 0.725
25 0.587 0.73 0.731
30 0.592 0.735 0.736
35 0.597 0.735 0.741
40 0.601 0.736 0.744
45 0.605 0.736 0.748
50 0.608 0.736 0.751
55 0.611 0.736 0.753
60 0.614 0.736 0.756
65 0.616 0.736 0.758
Tabel 2. Karakteristik output
VCE IB (mA)
(V) IB = 0µA IB = 50µA IB = 100µA
0 0 -0.021 -0.025
1 0 1.918 1.954
2 0 3.938 4.207
3 0 6.604 6.114
4 0 8.144 8.207
5 0 10 10
6 0 12 12
7 0 12 14
8 0 13 17
9 0 13 19
10 0.00178 13 20
VI. GRAFIK
Berikut adalah grafik berdasarkan tabel diatas