Bidang Keahlian : Teknika Pertemuan :6

Mata Kuliah : Elektronika Materi Kuliah : Integrated Circuit

Electronic devices are components for controlling the flow of electrical currents for the purpose
of information processing and system control. Prominent examples include transistors and
diodes. Electronic devices are usually small and can be grouped together into packages called
integrated circuits.

1. Kompetensi Dasar

Taruna dapat memahami dan menjelaskan Integrated Circuit.

2. Pokok Bahasan dan Sub Pokok Bahasan

a. Pengertian Integrated Circuit
b. Pengertian SIP dan DIP
c. IC Monolitik dan IC Hybrid
d. Small Scale Integration
e. Medium Scale Integration
f. Large Scale Integration
g. Indikator Pencapaian
Taruna dapat menjelaskan dan menganalisis tentang :
a. Menjelaskan pengertian rangkaian terintegrasi.
b. Menjelaskan tentang SIP dan DIP
c. Menjelaskan tentang IC hybrid dan IC Monolitik
d. Menjelaskan dan memahami pembagian rangkaian terintegrasi
e. Menjelaskan rangkaian Small Scale Integration.
f. Menjelaskan rangkaian Medium Scale Integration
g. Menjelaskan rangkaian Large Scale Integration.
h. Materi
INTEGRATED CIRCUIT

A. Pengertian Rangkaian Terintegrasi

Rangkaian Terintegrasi (Integrated Circuit/IC), sering juga disebut sirkuit terpadu, terdiri dari
beberapa transistor, resistor, dan komponen elektronik yang lain, yang terinterkoneksi satu sama
lain dalam package (paket) kecil dengan terminal-terminal sambungan. IC itu sudah lengkap,
hanya memerlukan sambungan input dan output dan sebuah tegangan supply untuk bisa
berfungsi. Cara lain, beberapa komponen eksternal harus dihubungkan agar IC itu bisa
beroperasional.

Sebuah rangkaian terintegrasi atau rangkain integrasi monolitik (juga biasa disingkat sebagai
IC, chip, atau microchip) dibuat dalam rangkain elektronik yang merupakan material
semikonduktor biasanya silikon.

Rangkaian terintegrasi (integrated circuit/ IC) adalah realisasi secara fisik dari komponen-
komponen diskrit yang terpisah tapi merupakan satu kesatuan yang berada di atas atau di dalam
suatu substrat yang membentuk sebuah rangkaian terintegrasi yang bekerja dengan fungsi
khusus.

Rangkaian terintegrasi biasanya digunakan pada peralatan elektronik dan telah menyebabkan
terjadinya revolusi dunia terkait bidang elektronika, komputer, , mobile phone, and peralatan
digital yang lainl (home appliances) yang memungkinkan harganya menjadi turun karena
proses produksinya menggunakan rangkaian terintegrasi.

Gambar 5.1: IC / Chip

IC termasuk komponen aktif. Teknologi IC memungkinkan rangkaian elektronik dibuat dalam
ukuran sekecil mungkin.

Single Inline Package (SIP)

Sebuah IC umumnya berkaki banyak, meskipun ada juga IC yang hanya berkaki sedikit. Berdasarkan
kemasan dan susunan kaki-kakinya, terdapat IC dalam kemasan SIP (Single Inline Package) yaitu
kemasan IC dengan kaki-kaki berderet dalam satu baris.

Gambar.5.2: IC dalam kemasan SIP

Dual Inline Package (DIP)

Berbeda dengan kemasan SIP, IC dalam kemasan DIP memiliki susunan kaki-kaki dalam dua
deret. Biasanya jumlah kaki pada deret kiri akan sama dengan jumlah kaki pada deret kanan.

Gambar 5.3: IC dalam kemasan DIP

Socket IC

Banyaknya kaki yang dimiliki oleh sebuah IC seringkali merepotkan terutama ketika hendak
memasang atau mencopotnya dari PCB. Untuk jenis-jenis IC yang peka terhadap panas solder,
diperlukan socket untuk memasangnya. Socket juga memudahkan dalam pencopotan IC ketika
rusak dan hendak diganti.

Gambar 5.6. Soket untuk IC DIP dan SIP

IC Monolitik dan IC Hybrid

IC monolitic berisi sebuah rangkaian tunggal didalamnya, sedangkan IC hybrid menggandung
beberapa blok rangkaian didalamnya yang saling terhubung satu dengan lainnya. Jadi, didalam
sebuah IC hybrid terdapat gabungan beberapa IC lainnya.
Di dalam IC Monolitik semua komponen difabrikasi dengan proses difusi pada chip silikon
tunggal. Interkoneksi di antara komponen dilakukan di atas permukaan struktur, dan pengawatan
sambungan eksternal dihubungkan dengan terminal.

B. Jenis jenis IC :

IC dapat diklasifikasikan menurut fungsinya, sebagai IC analog atau IC digital. IC analog (juga
disebut IC linier) bisa berupa amplifier, voltage regulator, dan lain-lain. IC digital biasanya
berisi transistor-transistor baik yang dalam keadaan swicthed-off atau dalam keadaan switched-
on. Gerbang-gerbang logika, counting circuits, dan yang semacam terdapat dalam bentuk IC.
Metoda lain mengklasifikasi IC adalah menurut ukurannya small-scale integration (SSI),
medium-scale integration (MSI), large-scale integration (LSI), dan very large-scale integration
(VLSI).

1. SSI (Small scale Integration)

IC jenis SSI memiliki jumlah komponen elektronika yang cukup kecil berkisar 10-100
komponen.

2. MSI (Medium Scale Integration)

IC jenis MSI memiliki jumlah komponen anatara 100-1000 komponen.

3. LSI (Large Scale Integration)

IC jenis LSI memiliki jumlah komponen di atas 1000 komponen elektronika.

Berdasarkan bentuk fisik dan fungsinya IC dibedakan atas :

-          IC Power Amplifier
Mempunyai bentuk pipih dan fisiknya lebih besar dari yang lain. Digunakan pada rangkaian
penguat suara (audio amplifier). Daya output IC ini cukup besar, berkisar antara 15 watt sampai
100 Watt atau bahkan lebih. Contoh tipe IC-nya adalah STK015, STK 070, STK 105, LA 4440
dan sebagainya.
-          IC Power Adaptor (Regulator)
Digunakan sebagai komponen utama pada rangkaian power adaptor pada sub rangkaian regulator
yang berfungsi sebagai penstabil tegangan atau voltase. Contoh tipe IC-nya adalah LM 317H,
78xx (xx = 05, 06, 07, 08, 09, 12), L200, S 042 P, LM 723 dan sebagainya.
-          IC Op Amp
Digunakan pada rangkaian digital yang berfungsi sebagai op amp atau untuk keperluan lain.
Misalnya op amp audio amplifier,op amp mic, op amp head tape recorder, termometer digital
dan lain-lain. Contoh tipe IC-nya adalah LM 709, LM 741, LM386, TL 074, TL 083, TL 084 dan
sebagainya.
-          IC Silinder
IC ini mempunyai bentuk silinder dan banyak digunakan pada rangkaian penguat pesawat
CB(Citizen Band) atau HT (Held Transceived).IC jenis ini mempunyai tingkatketahanan dan
keawetan lebih lama dari jenis IC penguat yang lain.Contoh tipe IC-nya adalah μL 914, μA703,
μA714 dan sebagainya.

-          IC Flip-Flop (FF) atau Timer (CLK,Clock)

IC ini banyak digunakan pada rangkaian pembangkit (multivibrator) untuk memberi umpan atau
sumber detak (oscilator) pada IC digital atau untuk keperluan lain. Misalnya NE 555 (IC
terpopuler dikalangan pelajar)   untuk alarm multiguna, signal injektor, penguji hubungan, saklar
sentuh, timer lampu FF, frekuensi meter, pengacau frekuensi, otak rangkaian power amplifier,
regulator pada power adaptor (dapat berfungsi seperti IC Power Amplifier dan Power Adaptor),
pengusir serangga, organ elektronik dan lain-lain. Contoh tipe IC-nya NE 555, NE 556 (dua NE
555), M7555 dan sebagainya.
(Single Timer)
CA555, CA555C, LM555, LM555, CSA555, SE555, SE555, CNE555
(Dual Timer)
SA556, SE556, NE556
(Quad Timer)
NE558F.
-          IC Digital
Dalam IC digital, suatu titik elektronis yang berupa seutas kabel atau kaki IC, akan mewujudkan
salah satu dari dua keadaan logika, yaitu logika '0' (nol, rendah) atau logika'1' (satu, tinggi).
Suatu titik elektronis mewakili satu 'binary digit' atau biasa disingkat dengan sebutan 'bit'. Binary
berarti sistem bilangan 'dua-an', yakni bilangan yang hanya mengenal dua angka, 0 dan 1.
IC digital dibedakan menjadi dua yaitu :
a.       IC TTL (Transistor-Transistor Logic)
Pada suatu lingkungan IC TTL logika '0' direpresentasikan dengan tegangan 0 sampai0,7 Volt
arus searah (DC, Direct Current), sedangkan logika '1' diwakili oleh tegangan DC setinggi 3,5
sampai 5 Volt.
Permasalahan Pada IC TTL
Apabila terjadi permasalahan pada IC jenis TTL maka sebaiknya dilakukan hal-hal sebagai
berikut :
-          IC logika biasanya dikendalikan oleh suatu detak (Clock) dari sumber detak (Oscilator).
Periksa bagian-bagian pembangkit detak, misalnya IC NE 555. Untuk memeriksa keluaran detak
dari NE 555, periksa pin 3dari IC NE 555, sudah menghasailkan detak berupa pulsa atau belum.
-          Periksa jangan sampai ada kaki (pin) yang dalam keadaan mengambang. Kaki masukan
yang tidak  terhubung kemana-mana akan dianggap berlogika '1' oleh chip IC TTL.
b.      IC CMOS (Complementary Metal Oxyde Semiconductor)
Mempunyai salah satu ciri dengan tegangan input lebih fleksibel yaitu antara 3,5 Volt sampai 15
Volt akan tetapi, tegangan input yang melebihi 12 Volt akan memboroskan daya. Ada beberapa
hal yang perlu  dilakukan untuk menghindari kerusakan pada IC CMOS sebelum dipasangkan
kedalam rangkaian. Hal ini perlu dilakukan karena walaupun dari pabrik telah diberi proteksi
berupa dioda dan resistor dijalan masuknya namun usaha ini belum menjamin seratus prosen.
Tindakan-tindakan untuk menyelamatkan IC jenis CMOS yaitu:
a) IC CMOS harus selalu disediakan dengan kaki-kakinya ditanam dalam foil plastik
menghantar, bukan pada busa atau polistrin yang dikembangkan atau dalam bahan
pembawa dari aluminium. IC CMOS tidak boleh dikeluarkan dari dalam kemasannya
sampai ia sudah siap untuk dipasangkan pada rangkaian.
b) Berhati-hati untuk tidak menyentuh pin-pin (kaki) IC CMOS sebelum dipasangkan pada
rangkaian karena elektrostatik dari tangan manusia dapat merubah dan menambah
muatan oksidasi.
c) CMOS harus merupakan komponen terakhir yang dipasangkan pada papan rangkaian.
Jangan  dimasukan atau ditanggalkan sementara tegangan catu daya disambungkan.
d) Gunakan pemegang atau soket IC yang vsesuai untuk menjaga kestabilan oksidasi dan
muatan dalam IC CMOS.
e) Kalau IC CMOS perlu dipasangkan pada papan rangkaian dengan langsung disolder
maka pakailah besi solder yang sangat kecil bocorannya serta solder harus dibumikan.
Meskipun IC CMOS tidak memiliki kekebalan sebagaimana IC jenis lainnya. Masa
genting dan mengkhawatirkan hanyalah ketika melepas IC CMOS dari busa foil plastik
pelindungnya dan ketika memasangkannya ke dalam rangkaian. Setelah kedua pekerjaan
itu terlampaui semua akan berjalan biasa-biasa saja.
 f) Pada papan rangkaian IC CMOS kaki-kaki yang tidak dipergunakan harus tetap diberi
kondisi tertentu, seperti '0' atau '1', tetapi tidak boleh dibiarkan tidak terhubung.
Apabiladibiarkan tidak terhubung, biasanyaIC CMOS akan cepat rusak.
IC merupakan salah satu komponen elektronik yang mudah rusak karena panas, baik
panas pada saat  disolder maupun pada saat IC bekerja. Untuk menghindari kerusakanIC
karena panas pada saat disolder maka perlu dipasang soket IC, sehingga yang terkena
panas kaki soketnya. Sedangkan untuk menghindari kerusakan IC karena panas pada saat
IC bekerja, maka pada IC perlu dipasang (ditempelkan) plat pendingindari aluminium
atau tembaga yang biasanya disebut
Teknik-teknik yang digunakan dalam manufaktur IC lebih dari satu metoda klasifikasi.
Teknik manufaktur yang utama adalah fabrikasi monolitik, thin-film, thick-film, dan
hybrid.
g) Untuk IC yang dikemas dalam kemasan DIL atau dua garis maka kaki nomor 1 adalah
kaki yang dekat titik (bulatan) dan tanda itu berdekatan dengan lekukan (cekungan) yang
ada pada badan IC.Selanjutnya kaki nomor 2, nomor 3 dan seterusnya dapat kita peroleh
dengan cara memutar dengan arah berlawanan dengan arah jarum jam.
h) Untuk IC yang dikemas dalam kemasan satu baris maka kaki nomor 1 adalah kaki yang
paling tepi dan berdekatan dengan tanda titik,cekungan atau tanda yang lain.

C. Proses Fabrikasi

1. Struktur IC adalah sangat kompleks baik dari sisi topografi permukaan maupun
komposisi internalnya. Masing-masing elemen pada suatu piranti mempunyai arsitektur
tiga-dimensi yang harus dapat diproduksi secara sama untuk setiap rangkaian. Masing-
masing komponen merupakan struktur yang terdiri dari banyak lapisan, masing-masing
memiliki pola yang spesifik. Sebagian lapisan tertanam dalam silikon dan sebagian lagi
menumpuk di atasnya.
2. Proses pabrikasi IC memerlukan urutan kerja yang persis dan diperlukan desain
rangkaian yang cermat.
3. Pada saat ini, sebuah IC dapat berisi jutaan komponen. Komponen-komponen tersebut
sedemikian kecilnya sehingga keseluruhan rangkaian hanya menempati luas area kurang
 dari 1 cm2. Wafer kristal silikon sebagai bahan awal, berdiameter sekitar 10 cm sampai
30 cm sehingga pada permukaan wafer ini dapat dibuat puluhan sampai ratusan rangkaian
lengkap.
4. Untuk produksi massal bahkan ratusan wafer dapat sekaligus digunakan dalam suatu
proses pabrikasi secara bersamaan. Tentu saja ini sangat menguntungkan dari sisi biaya
dan tenaga yang digunakan. Namun demikian sebelum sampai pada tingkat produksi
massal, serangkaian proses pengujian berbagai langkah produksi harus dilakukan dengan
cermat.
5. Secara garis besar, proses pembuatan silikon kristal wafer dapat dijelaskan dengan
gambar berikut ini:
6. Pada awalnya, silikon kristal wafer diproduksi sendiri oleh perusahaan pembuat IC
sampai dengan pembuatan circuit di atasnya. Tetapi saat ini hampir semua perusahaan
pembuat IC membeli silikon kristal wafer dari pihak ketiga (supplier).
7. Saat ini pabrik atau lab pembuat IC telah banyak berkembang, diantaranya MOSIS yang
berada di USA, TMC yang berada di Taiwan, TIMA berada di Perancis, NEC di Jepang,
Samsung di Korea, MIMOS ada di Malaysia, dan masih banyak yang lainnya.
8. Umumnya perusahaan-perusahaan tersebut mengawali proses dari Wafer Fabrication,
yaitu proses pembuatan circuit pada silikon kristal wafer yang masih utuh.

Adapun langkah2 dalam pembuatan IC melalui Wafer Fabrication

a) Cleaning

Silikon wafer harus senantiasa bersih (tidak terkontaminasi partikel organik maupun logam)
dalam setiap tahapan proses Wafer Fabrication. Adapun yang paling banyak digunakan
adalah metode RCA Clean.

b) Oxidation

Salah satu alasan utama mengapa silikon paling banyak dipilih sebagai bahan semi-konduktor
adalah karena silikon menawarkan berbagai kemudahan, antara lain kemudahan untuk
membentuk lapisan insulator berkualitas tinggi di atas permukaannya melalui proses oksidasi.
 Yaitu terjadinya reaksi kimia antara silikon dengan oksigen atau uap air pada temperatur
antara 1000oC - 1200oC sehingga membentuk lapisan film Silicon Dioxide (SiO2) pada
permukaan wafer. (dikutip pada : Jurnal Teknologi IC | DENI NURMAN)
SiO2 bersifat stabil pada temperatur tinggi dan merupakan salah satu bahan insulator terbaik.

c) Photolithography

Photolithography merupakan proses utama pada Wafer Fabrication, dimana pola mikroskopik
yang telah didesain dipindahkan dari masker ke permukaan wafer dalam bentuk rangkaian
nyata.
Diawali dengan memberikan lapisan photoresist (cairan kimia yang bersifat photosensitive)
pada permukaan wafer.
Kemudian pada silikon wafer yang sudah dilapisi photoresist tersebut diletakkan di atasnya
masker/reticle berbentuk lempengan kaca transparan yang telah dipenuhi pola circuit (die)
yang sejenis yang akan dibuat, lalu dipaparkan terhadap sinar UV sehingga lapisan photoresist
pada permukaan wafer yang terekspos langsung sinar UV akan mudah dikelupas dengan
bantuan cairan kimia khusus.
Maka pada permukaan wafer akan terlihat pola circuit seperti pola pada masker/reticle.

d) Ion Implantation

Dalam proses pembuatan IC, tahapan ini merupakan tahapan yang memerlukan pengontrolan
khusus. Ion implantation ialah proses menanamkan atom impuritas (ion) ke dalam silikon
wafer yang tidak tertutup oleh lapisan photoresist dengan bantuan tegangan listrik (untuk
mengatur kedalaman penetrasi ion) dan arus listrik (untuk mengatur jumlah ion)
Atom impuritas itu sendiri berfungsi untuk mengubah sifat kelistrikan dari silikon wafer.
Teknik ion implantation ini lebih banyak digunakan walaupun sebenarnya ada teknik lain
untuk menanamkan atom impuritas ke dalam silikon wafer yang disebut dengan teknik
Difussion, yaitu teknik untuk menanamkan atom (dopant) pada silikon wafer agar terjadi
perubahan sifat resistivity-nya dengan bantuan temperatur tinggi antara 1000oC - 1200oC.
Proses difussion ini mirip dengan proses merambatnya tinta yang diteteskan pada gelas berisi
air bening. Pada saat silikon wafer dikeluarkan dari temperatur tinggi ke temperatur ruangan,
 maka atom yang merambat tersebut akan berhenti merambat (berada di posisinya yang
terakhir).

e) Etching

Di tahun-tahun awal berkembangnya teknologi IC, teknik etching yang dipakai adalah Wet
Etching yaitu dengan menggunakan cairan kimia yang mampu menyebar ke segala arah
dengan sama rata (isotropic) untuk meluruhkan lapisan SiO2 pada permukaan silikon wafer.
Kelemahannya adalah bagian lapisan SiO2 yang berada tepat di bawah lapisan photoresist
juga sebagian ada yang ikut luruh, sehingga akan menjadi masalah tersendiri jika jalur
polanya sangat tipis.
Seiring perkembangan teknologi IC yang kemudian menggunakan material lain seperti
Silicon Nitride (Si3N4) dan Polysilicon dimana pada kedua material ini tidak bisa
menggunakan teknik Wet Etching maka pada saat ini teknik Wet Etching tersebut sudah
ditinggalkan.
Sebagai penggantinya dikenalkan teknik Dry Etching yang menggunakan gas (flourine,
chlorine dan bromine) yang memiliki efek Anisotropic yaitu kemampuan untuk meluruhkan
dengan kecepatan penetrasi yang tidak sama rata.

f) Chemical Vapor Deposition (CVD)

Pada tekanan rendah dan temperatur tertentu gas atau uap kimia akan bereaksi terhadap
lapisan film pada permukaan silikon wafer
Gas Ammonia (NH3) dan Dichlorosilane (SiHCl2) akan bereaksi untuk menghasilkan
lapisan film Silicon Nitride (Si3N4) yang solid dengan ketebalan beberapa micron atau
beberapa nanometer saja. Sedangkan gas-gas sisa reaksi berupa Hydrogen Chloride
(HCl), Chlorine (CL2), Hydrogen (H2) dan Nitrogen (N2) akan dipompa keluar dari
reaktor.

g) Sputter Deposition

Walaupun secara umum proses CVD lebih unggul dari pada sputtering tetapi tidak semua
logam yang diperlukan dalam proses pabrikasi IC bisa terbentuk pada permukaan silikon
wafer. Proses sputtering memanfaatkan medan listrik untuk mengambil ion Argon positif
agar membentuk lapisan logam tipis (film) pada target yang berada di permukaan silikon
wafer.
h) Chemical Mechanical Planarization (CMP)

CMP adalah kombinasi penggunaan metode kimia (untuk melunakkan terlebih dahulu
lapisan material yang akan dibuang) dan mekanik (penggosokkan dengan polishing
slurry) untuk membuang material-material yang tidak diperlukan pada permukaan silikon
wafer sehingga hanya material-material yang dibutuhkan saja (sesuai desain) yang masih
menempel pada permukaan wafer.
Dari semua proses yang sudah dijelaskan di atas dan dikombinasikan dengan proses
lainnya yang jumlahnya sangat banyak, salah satunya adalah Metallization (untuk
menghubungkan semua komponen yang terkandung (resistor, kapasitor, transistor dll)
sehingga membentuk rangkaian IC yang sesuai dengan desain yang sudah direncanakan),
maka hasil akhirnya adalah sejumlah IC (die) yang masih menyatu pada sebuah silikon
wafer.

Wafer Test

Die-die yang dihasilkan pada proses Wafer Fabrication tidak 100% berfungsi dengan
baik. Untuk mengetahui die mana saja yang rusak, diperlukan pengetesan awal.
Setiap jenis die yang diproduksi memiliki alat pengetesan tersendiri yang disebut probe
card. Alat spesial ini dibuat khusus untuk setiap jenis die yang berbeda, tetapi semuanya
telah dilengkapi dengan jarum kecil yang dirancang sedemikian rupa supaya pas dengan
posisi bond pad pada die yang akan dites.
Silikon wafer yang akan dites kemudian dijepit pada alat penjepit yang terdapat pada
Wafer Prober. Wafer Prober sepenuhnya dikendalikan oleh Tester, yaitu sistem
komputerisasi yang bisa diprogram secara otomatis untuk menggerakan Probe Card guna
melakukan pengetesan berbagai sifat kelistrikan pada setiap die yang terdapat pada
permukaan silikon wafer kemudian menandai setiap die yang tidak berfungsi dengan baik
(rusak).

Packaging

IC Silicon yang sudah berbentuk die perlu penanganan yang hati-hati karena mudah
pecah walaupun sudah diberi lapisan pelindung khusus. Selain itu, bond pad-nya
 memiliki ukuran yang sangat kecil sehingga sangat sulit untuk dihubungkan dengan
komponen lainnya pada sebuah rangkaian aplikasi elektronika.
Untuk melindungi die tersebut dan untuk memudahkan penanganan serta penyambungan
dengan komponen elektronika lainnya, maka diperlukan pengemasan/packaging.

a.    Silikon wafer yang sudah dites diletakkan di atas blue tape yang dibentangkan pada
logam yang permukaannya rata dengan bagian belakang yang tidak memiliki circuit
menempel pada permukaan blue tape tersebut. Kemudian dilanjutkan dengan pemotongan
silikon wafer menjadi potongan-potongan die dengan menggunakan pisau khusus
(bermata berlian) yang berkecepatan tinggi. Potongan-potongan die akan tetap menempel
pada permukaan blue tape.
b.  Potongan die yang bagus (telah lolos pengujian awal) dicabut dari blue tape dan
dipindahkan ke atas leadframe (komponen yang terbuat dari tembaga yang berfungsi
sebagai kaki-kaki pada IC) dan direkatkan dengan epoxy kemudian dipanaskan agar
epoxy mengeras dan die tidak terlepas dari leadframe. Proses pencabutan dari blue tape
dan pemindahan ke atas leadframe dilakukan oleh mesin secara otomatis.
c.  Wirebonding, yaitu proses dimana kaki-kaki leadframe dihubungkan ke bond pad yang
terdapat pada die dengan menggunakan benang emas (gold wire). Pekerjaan ini juga
dilakukan oleh mesin secara otomatis.
d. Molding, yaitu menutup leadframe dengan menggunakan compound yang dipress pada
temperatur dan tekanan udara tertentu sehingga die dan benang emas yang semula
terbuka akan tertutup oleh compound.

e.   Solder Platting, yaitu proses penyepuhan kaki-kaki IC dengan timah sehingga kaki-
kaki yang terbuat dari tembaga tersebut berwarna perak.

f.       Marking, yaitu proses yaitu proses pemberian label tipe IC , part number, nama
perusahaan, tanggal dan lain sebagainya untuk memudahkan identifikasi selanjutnya.

Teknik molding seperti yang diuraikan di atas, menyebabkan kemasan luar IC lebih besar
daripada ukuran die di dalamnya. Efeknya, sinyal frekuensi tinggi dari IC sedikit terganggu.
Untuk menanggulangi kelemahan tersebut, saat ini telah dikembangkan teknologi yang
memungkinkan untuk memproduksi IC dengan ukuran kemasan yang hampir sama besar
dengan ukuran die di dalamnya. Teknik ini juga telah berhasil memperbaiki kualitas sinyal
frekuensi tingginya. Teknik tersebut diberi nama Flip Chip.
Pada teknik ini, terlebih dahulu dibuat bond pad yang merupakan pasangan untuk connecting
pad yang terdapat pada die yang akan dikemas. Kemudian pada bond pad yang telah
disiapkan tersebut diberi timah yang membentuk bola-bola kecil (bump). Setelah semua bond
pad terisi oleh bump, selanjutnya dipasangkan dengan connecting pad pada die untuk
kemudian dipanaskan sehingga keduanya menyatu oleh timah yang meleleh.

Final Test

Selama proses packaging ada kemungkinan die mengalami kerusakan atau proses packaging
yang kurang sempurna. Pengujian akhir dilakukan terhadap semua IC yang sudah selesai
dikemas dengan tujuan agar IC yang mengalami kerusakan selama proses packaging tidak
ikut terkirim bersama-sama dengan IC yang bagus.

Metode pengujian akhir ini hampir sama dengan pengujian awal terhadap silikon wafer,
bedanya IC yang sudah jadi tidak memerlukan lagi Wafer Prober tetapi menggunakan
Handler.

Handler juga sepenuhnya dikendalikan oleh Tester guna melakukan pengetesan berbagai sifat
kelistrikan pada setiap IC sekaligus memilah-milah kualitas dari masing-masing IC.