LAPORAN KE - 6 PRAKTIKUM ELEKTRONIKA 2

“LOW PASS FILTER USING MULTISM”

DISUSUN OLEH :
Ramadhan Faddilah Akbar 1903025036 Teknik

Elektro 5A

PROGRAM STUDI TEKNIK ELEKTRO FAKULTAS

TEKNIK
UNIVERSITAS MUHAMMADIYAH PROF. DR. HAMKA
2021

Lab 1
 LOW PASS FILTER USING MULTISM

1. Teori
Low Pass Filter (LPF) adalah sebuah komponen di dalam elektronika yang berfungsi
untuk menyaring sinyal listrik yang berfrekuensi tinggi dan hanya meloloskan sinyal listrik
frekuensi rendah. Contoh sinyal yang disaring oleh LPF yaitu sinyal perubahan tegangan
dan audio.

Sebuah penyaring lewat rendah atau penyaring tapis bawah ini dikatakan ideal, apabila
tidak meloloskan sinyal yang frekuensinya melebihi frekuensi cut off, sekecil apapun nilainya.
Pada prakteknya, sinyal listrik yang frekuensinya lebih tinggi dibandingkan nilai cut off, akan
dibuat lemah. Hal ini menyebabkan terbentuknya suatu pita transisi atau transition band.

LPF terbagi menjadi dua jenis berdasarkan konfigurasinya. Jenis pertama adalah LPF RC
Filter yang komponennya terdiri dari kapasitor dan resistor. Sedangkan jenis kedua disebut
low pass RC filter yang disusun dari komponen berupa resistor dan induktor.

2. ALAT DAN BAHAN PRATIKUM

a) Laptop atau komputer

b) Software Multism
c) Resistor 1 kΩ
d) Kapasitor 1nF
e) Function Generator-XFG1
f) Oscilloscope-XSC1
g) Bode Plotter-XBP1
g) Ground
3. TUJUAN PRATIKUM

a) Mahasiswa mengetahui prinsip dan cara kerja Low Pass Filter

b) Mahasiswa mengetahui fungsi-fungsi komponen rangkaian Low Pass Filter
menggunakan Multism
c) Mahasiswa mengetahui cara memasang komponen Low Pass Filter dalam Multism

4. PROSEDUR PRATIKUM

a) Pada Pratikum kali ini, Buatlah rangkaian praktikum dengan menggunakan software
Multisim.
b) Siapkan komponen elektronika yang dibutuhkan sesuai praktikum.
c) Rangkailah komponen elektronika sesuai dengan rangkaian percobaan yang ada pada
modul dan video referensi “LOW PASS FILTER USING MULTISM”
d) Bangun rangkaian sesuai yang ada di modul. Di dalam modul terdapat
Langkah - langkah yg harus di jalankan sesuai dengan fungsi alat masing-masing
e) Ketika rangkaian sudah selesai, buatlah laporan praktikumnya

5. LANGKAH – LANGKAH PRATIKUM

a) Pertama, pastikan nyalakan PC/Laptop dan buka aplikasi software multisimnya

b) Setelah itu masukan Resistor 1kΩ, kemudian masukkan Kapasitor 1nF dan Ground.
Lalu masukkan Function Generator
c) Setelah semua selesai, sambungkan semua rangkaian yang ada sesuai dengan
petunjuk video referensi.
d) Lalu pilih di bar atas ( simulate ) > Analysis and simulation.
e) Setelah selesai buka Analisis DC Sweep dan ikuti value instrument nya
f) Kemudian pilih output dan klik add expression
g) Lalu di pilihan Function pilih ABS () copy function to expression
h) Lalu di pilihan Variables pilih I (V2) dan copy variables to expression
i) Terakhir klik RUN
j) Dan selesai.
6. HASIL PRATIKUM

Gambar di bawah berikut ini menunjukkan hasil skema sederhana dari sebuah
rangkaian “Simulation Of JFET Characteristics Using Multism”. Di mana rangkaian
tersebut di rangkai sesuai dengan fungsi masing - masing pada tiap komponen
dengan ketentuan yang ada dengan cara tahap- bertahap.
Ini adalah gambaran hasil rangkaian.

Grafik hasil percobaan 1

 Ini adalah grafik hasil percobaan 2

7. ANALISIS DATA

VGS = 12 V IDSS = 0,006 A

VDS = 12 V VP = 2 V

Analisis drain region aktif :

ID = IDSS (-1

= 0,006 A (1
= 0,006 A (25) = 0,15 A = 150 mA .
 8. PEMBAHASAN

JFET adalah perangkat yang dikendalikan tegangan karena dikendalikan dengan

menggunakan tegangan bias balik ke terminal gerbang. Saluran terkuras dan arus listrik
dimatikan. Sebuah Junction Field Effect Transistor biasanya dikatakan hidup ketika tidak ada
tegangan antara gerbang dan pin sumber.

Junction Field Effect Transistor (JFET) biasanya dua jenis karena digunakan saluran tipe-n
atau tipe-p sesuai pekerjaan. Pada tipe-n, ketika sumber tegangan dihubungkan ke gerbang
adalah -ve sehubungan dengan sumber, arus berkurang. Sejalan dengan itu, ketika JFET
memiliki saluran tipe-p, jika tegangan positif diterapkan ke gerbang sehubungan dengan sumber,
arus menjadi berkurang.

9. KESIMPULAN

o VGS diberi tegangan negatip, misalnya sebesar VGS = -1 Volt, maka bias mundur untuk
persambungan G-S maupun G-D semakin besar, sehingga daerah pengosongannya
semakin lebar.

o Disamping itu, FET lebih stabil terhadap temperatur dan konstruksinya lebih kecil serta
pembuatannya lebih mudah dari transistor lain, sehingga amat bermanfaat untuk
pembuatan keping rangkaian terpadu.

o Rangkaian ini memiliki karakteristik dimana ID bernilai 0 maka VGS bernilai 0.

Referensi

https://www.youtube.com/watch?v=6yBZEcdo_1c