PRAKTIKUM KOMPONEN LISTRIK DAN PIRANTI ELEKTRONIKA

DIODE

Pangestu Nugroho
2320600012

PROGRAM STUDI D4 TEKNIK ELEKTRO INDUSTRI

POLITEKNIK ELEKTRONIKA NEGERI SURABAYA
SURABAYA
2020
 Praktikum PRAKTIKUM KOMPONEN LISTRIK DAN PIRANTI
ELEKTRONIKA

1
DIODE

Abstrak
Bahan semikonduktor adalah bahan yang mampu bekerja sebagai konduktor dan
isolator bergantung dengan keadaan tertentu. Bahan semikonduktor ikut serta mengembangkan
teknologi pada bidang elektronika saat ini dikarenakan bahan ini memiliki peranan yang
sangat besar. Bahan semikonduktor dapat membuat elektron berpindah dari atom penyusun
ke atom lain dengan kondisi tertentu terhadap bahan tersebut seperti pensupplyan tegangan
dan memberikan dopping. Salah satu pemanfaatan dari bahan ini adalah diode. Diode sendiri
memiliki prinsip kerja dan karakteristik yang cukup unik sebagai komponen dasar
elektronika. diode memiliki prinsip kerja yakni dalam hal menghambat dan menghantarkan
arus. Diode memiliki 3 kondisi dimana diode tanpa tegangan, diode forward bias dan diode
reverse bias. Pada praktikum 1 “Diode” ini kita menggunakan software simulasi proteus
untuk melalukan percobaan dikarenakan beberapa kendala. Ada beberapa variasi percobaan
dan menggunakan 2 jenis diode yakni tipe 1N4001 dan 1N4002 dimana terbuat dari silikon
dan memiliki tegangan minimum/ tegangan lutut sebesar ± 0,7 volt. Diode juga memiliki
tegangan breakdown/ dadal untuk seri 1N4001 memiliki tegangan breakdown sebesar 50
volt sedangkan untuk 1N4002 sebesar 100 volt. Hasil dari percobaan yang dicatat pada tabel
yang telah kita buat kemudian dibuat kedalam bentuk grafik bertujuan agar kita lebih
memahami prinsip kerja dan karakteristik yang dimiliki oleh diode. Data yang telah kita
kumpulkan dapat kita bandingkan dengan karakteristik ataupun dari datasheet diode.

I. Pendahuluan
A. Latar Belakang
Bahan semikonduktor adalah bahan yang mampu bekerja sebagai konduktor dan
isolator bergantung dengan keadaan tertentu. Bahan semikonduktor ikut serta
mengembangkan teknologi pada bidang elektronika saat ini dikarenakan bahan ini
memiliki peranan yang sangat besar. Bahan semikonduktor dapat membuat elektron
berpindah dari atom penyusun ke atom lain dengan kondisi tertentu terhadap bahan
tersebut seperti pensupplyan tegangan dan memberikan dopping.[5] Salah satu
pemanfaatan dari bahan ini adalah pembuatan diode. Diode memiliki karakteristik
forward bias dan reverse bias. Diode jika dipasang sebagai forward bias maka akan
memiliki potensial barrier/ tegangan lutut/ knee voltage tergantung dari bahan
pembuatannya. Misalkan untuk diode sillikon maka memiliki tegangan lutut sebesar
± 0,7 volt sedangkan untuk diode berbahan dasar germanium memiliki tegangan
lutut sebesar ± 0,3 volt.[3]

B. Tujuan Percobaan
1.Mahasiswa diharapkan mampu memahami karakteristik Arus dan Tegangan
Forward Diode
2.Mahasiswa diharapkan mampu memahami karakteristik Arus dan Tegangan
Reverse Diode
II. Tinjauan Pustaka
A. Pengertian Diode
Diode adalah komponen elektronika yang hanya bisa mengalirkan arus/
tegangan dalam satu arah saja. Hal itu membuat diode sering dimanfaatkan sebagai
penyearah arus listrik yang dapat mengubah tegangan bolak-balik AC menjadi
tegangan searah DC. Diode pertama kali ditemukan oleh ilmuwan Inggri yang
bernama J.A. Fleming pada tahun 1904.[3]
Diode merupakan komponen elektronika yang terbuat dari bahan
semokonduktor tipe P dan N yang digabungkan menjadi satu. Semikonduktor tipe
N dalam diode ini merupakan bahan dengan kelebihan jumlah electron dan
semikoduktor tipe P sebagai bahan yang kekurangan electron sehingga membentuk
hole yang siap menerima electron. Diode memiliki 2 kutub yaitu kutub positif (P)
yang disebut Anoda dan kutub negative (N) yang disebut Katoda. Apabila kutub P
pada diode atau bagian anoda dihubungkan dengan kutub positif sumber/ catudaya
maka akan terjadi pemindahan electron bebas dari kutub N (katoda) ke bagian hole
sehingga terjadi aliran arus.[3]

B. Simbol Diode
Gambar dibawah ini menunjukan bahwa diode adalah komponen elektronika
aktif yang terbentuk dari 2 buah tipe bahan yakni bahan tipe-p dan tipe-n [1]:

Gambar 2.1 Simbol diode

C. Prinsip Kerja Diode

Diode memiliki prinsip kerja yakni dalam hal menghambat dan menghantarkan
arus listrik yang melalui diode tersebut. Gambar dibawah ini adalah rangkaian dasar
contoh daari pemasangan dan penggunaan dari sebuah diode.[1]

Gambar 2.2 Prinsip Kerja Diode

D. Karakteristik Diode
Karakteristik diode biasa disebut dengan karakteristik V-I. Dari karakteristik ini
dapat kita ketahui bahwa keadaan yang terjadi saat diode tidak mendapatkan
tegangan, mendapatkan tegangan bias maju atau mundur. Jika tegangan di anoda
diode lebih bernilai positif daripada tegangan yang berada di katoda, maka dapat
dikatakan bahwa diode dalam keadaan bias maju. Sebaliknya jika tegangan di anoda
lebih negative daripada tegangan di katoda maka dikatakan diode dalam keadaan
bias mundur.[3]
1.Diode Tanpa Tegangan
Ketika diode tidak mendapatkan supply tegangan akan terbentuk suatu
perbatasan medan listrik pada daerah P-N junction diode. Hal ini terjadi
diawali dengan proses yang biasa disebut dengan difusi, yaitu bergeraknya
muatan elektro dari sisi n diode menuju ke sisi p diode. Elektron-elektron ini
secara langsung akan mencari dan menempati suatu tempat di sisi p yang biasa
disebut dengan holes atau lubang. Pergerakan dari elektron-elektron diode
tersebut akan meninggalkan ion positif di sisi n diode, dan holes yang
sebelumnya terisi dengan elektron akan memunculkan ion negatif di sisi p.
Medan listrik akan terbentuk karena disebabkan ion-ion yang tidak bergerak
yang akan menjadi penghalang bagi pergerakan elektron.[2]

Gambar 2.3 Diode Tanpa Tegangan

2.Diode diberi Tegangan Postitif (Forward Bias)

Pada forward bias ini, bagian anoda pada diode akan disambungkan
dengan sumber listrik/ catu daya positif dan bagian katoda dari diode
disambungkan dengan bagian negative sumber listrik/ catu daya. Dengan
terhubungnya diode dengan tegangan eksternal akan mengakibatkan ion-ion
pada diode yang menjadi penghalang bagi listrik untuk dapat mengalir justru
menjadi tertarik ke masing-masing kutub. Ion-ion negatif secara langsung
akan tertarik ke sisi anoda yang positif, dan ion-ion positif secara alami akan
tertarik ke sisi katoda yang negatif. Pergerakan elektron di dalam diode
disebabkan oleh hilangnya penghalang, sehingga menyebabkan arus listrik
dapat mengalir seperti pada rangkaian tertutup.[2]
 Gambar 2.4 Diode diberi Tegangan Positif (Forward bias)

3.Diode diberi Tegangan Negatif (Reverse Bias)

Ketika diode mendapatkan tegangan negatif, bagian anoda diode
disambungkan dengan terminal negatif sumber listrik/ catudaya dan bagian
katoda disambungkan dengan terminal positif. Dengan adanya catu day aini
akan secara langsung mengakibatkan ion-ion yang menjadi penghalang aliran
listrik pada diode menjadi tertarik ke masing-masing kutub. Pensupplyan
tegangan negative/ min dapat menyebabkan ion-ion negatif pada diode
menjadi tertarik menuju sisi katoda (type-n) yang mendapatkan tegangan
positif, dan ion-ion berpolar positif akan menjadi tertarik ke sisi anoda diode
(type-p) yang mendapatkan tegangan negatif. Ion-ion tersebut akan bergerak
langsung searah dengan arah yang dihaslikan oleh medan listrik statis yang
menghalangi pergerakan elektron,
menyebabkan penghalang yang diakibatkan oleh medan listrik akan menjadi
semakin tebal oleh ion-ion. Akibat dari hal tersebut menjadikan listrik tidak
dapat mengalir atau menjadi terhambat sehingga rankaian ini bisa disebut
rangkaian terbuka.[2]

Gambar 2.5 Diode diberi Tegangan Negatif (Reverse Bias)

III. Metodologi
A. Alat dan Bahan
1. Proteus 8
a. Diode (1n4001 – 1n4003)
b. Resistor
c. Power supply
d. DC voltmeter
e. DC Ammeter
2. Laptop
B. Langkah-Langkah Percobaan
1.Buka Proteus dengan “Run as administrator” yang bertujuan agar library
proteus terbaca.
2.Buat file baru dengan cara mengisi nama menentukan nama dan memilih new
project kemudian pilih next hingga selesai.
3.Masukan komponen diatas dengan cara memilih komponen mode kemudian
tekan “P” dan masukan keyword :
a. Resistor
b. 1n4001
c. 1n400* (opsional karena akan muncul jenis 1n4001-1n4007)
Kemudian klik dua kali.
4.Untuk DC Ammeter dan DC Voltmeter terdapat dibagian ‘Instrument’
bergambar multimeter, untuk power supply berada di ‘Generators’ sedangkan
untuk ground berada di ‘terminals’.
5.Cara mengganti tegangan Power Supply atau resistansi pada resistor dengan
menekan komponen dua kali kemudian ganti ukuran komponen susai dengan
ketentuan.
6.Buat rangkaian seperti gambar dibawah ini
7.Lakukan percobaan 1
a. Menggunakan diode 1N4001
b. Mengubah tegangan Power Supply dari 0.55 Volt hingga 1 Volt dengan
step 0.05
c. Catat hasil pengukuran Ammeter dan Voltmeter kedalam tabel yang
telah dibuat
d. Ubah diode 1N4001 menjadi 1N4002
e. Lakukan Langkah b-d hingga semua data terpenuhi
(+) D1
+88.8
Amps
1N4001

+88.8 R1
+88.8 Volts 10
Volts

Gambar 3.1 Rangkaian Percobaan 1

8.Percobaan 2
a. Menggunakan 2 buah diode 1N4001
b. Mengubah tegangan Power Supply dari 1 Volt hingga 4,5 Volt dengan
step 0.5
 c. Catat hasil pengukuran Ammeter dan Voltmeter kedalam tabel yang
telah dibuat
d. Ubah kedua diode menjadi 1N4002
e. Lakukan Langkah b-d hingga semua data terpenuhi

(+) D2 D1
+88.8
Amps
1N4001 1N4001

+88.8 R1
+88.8 Volts 10
Volts

Gambar 3.2 Rangkaian Percobaan 2

9.Percobaan 3
a. Menggunakan diode 1N4001
b. Mengubah tegangan Power Supply dari 45 Volt hingga 53 Volt dengan
step 1 dan 50,5 V
c. Catat hasil pengukuran Ammeter dan Voltmeter kedalam tabel yang
telah dibuat
d. Ubah salah satu diode 1N4001 menjadi 1N4002
e. Mengubah tegangan dari Power Supply dari 95 Volt hingga 103 Volt
dengan step 1 dan 100.5V
f. Catat hasil pengukuran Ammeter dan Voltmeter kedalam tabel yang
telah dibuat
(+) D1
+88.8
Amps
1N4001

+88.8 R1
+88.8 Volts 10
Volts

Gambar 3.3 Rangkaian Percobaan 3

10. Percobaan 4
a. Menggunakan 2 buah diode 1N4001
b. Mengubah tegangan Power Supply dari 95 Volt hingga 103 Volt dengan
step 1
c. Catat hasil pengukuran Ammeter dan Voltmeter kedalam tabel yang
telah dibuat
d. Ubah salah satu diode 1N4001 menjadi 1N4002
e. Mengubah tegangan dari Power Supply dari 145 Volt hingga 203 Volt
dengan step 1
f. Catat hasil pengukuran Ammeter dan Voltmeter kedalam tabel yang
telah dibuat
 (+) D2 D1
+88.8
Amps
1N4001 1N4001

+88.8 R1
+88.8 Volts 10
Volts

Gambar 3.4 Rangkaian Percobaan 4

IV. Hasil dan Analisa Pembahasan

A. Hasil Percobaan
1.Percobaan 1
Diode 1n4001 Diode 1N4002

Vin (Volt) I (mA) Vout (mV) Vin (Volt) I (mA) Vout (mV)

0,55 0,17 1,7 0,55 0,17 1,7

0,6 0,58 5,8 0,6 0,58 5,8
0,65 1,66 16,6 0,65 1,66 16,6
0,7 3,67 36,7 0,7 3,67 36,7
0,75 6,51 65,1 0,75 6,51 65,1
0,8 9,92 99,2 0,8 9,92 99,2
0,85 13,7 137 0,85 13,7 137
0,9 17,7 177 0,9 17,7 177
0,95 21,9 219 0,95 21,9 219
1 26,2 262 1 26,2 262
Tabel 4.1 Percobaan 1
 Grafik Arus (I) terhadap Tegangan (Vin)
30

25

20
Arus (mA)

15
1N4002
1N4001
10

0
0 0,2 0,4 0,6 0,8 1 1,2
Vin (V)

Grafik 4.1 Grafik Percobaan 1

2.Percobaan 2
Dioda IN4001 Dioda 1N4002

Vin (Volt) I (mA) Vout (mV) Vin (Volt) I (mA) Vout (mV)

1 0,04 0,4 1 0,04 0,4

1,5 9,87 98,7 1,5 9,87 98,7
2 47,7 477 2 47,7 477
2,5 92,4 924 2,5 92,4 924
3 139 1390 3 139 1390
3,5 186 1860 3,5 186 1860
4 234 2340 4 234 2340
4,5 282 2820 4,5 282 2820
Tabel 4.2 Percobaan 2
 Grafik Arus (I) terhadap Tegangan (Vin)
300

250

200
Arus (mA)

150
1N4002
1N4001
100

50

0
0 1 2 3 4 5 6
Vin (V)

Grafik 4.2 Grafik Percobaan 2

3.Percobaan 3
Dioda IN4001 Dioda 1N4002

Vin (Volt) I (mA) Vout (mV) Vin (Volt) I (mA) Vout (mV)

45 0 0 95 0 0
46 0 0 96 0 0
47 0 0 97 0 0
48 0 0 98 0 0
49 0 0 99 0 0
50 0,0002 0,002 100 0,00115 0,0115
50,5 8,91 89,1 100,5 8,86 88,6
51 52,1 521 101 52 520
52 148 1480 102 148 1480
53 245 2450 103 245 2450
Tabel 4.3 Percobaan 3
 Grafik Arus (I) terhadap Tegangan (Vin)
Diode 1N4001
300

250

200
Arus (mA)

150

100

50

0
44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54
-50
Vin (V)

Grafik 4.3 Percobaan 3

Grafik Arus (I) terhadap Tegangan (Vin)

Diode 1N4002
300

250

200
Arus (mA)

150

100

50

0
94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104
-50
Vin (V)

Grafik 4.4 Percobaan 3

 4.Percobaan 4
Dioda 1N4001 + 1N4001 Dioda 1N4001 + 1N4002

Vin (Volt) I (mA) Vout (mV) Vin (Volt) I (mA) Vout (mV)

95 0 0 145 0 0
96 0 0 146 0 0
97 0 0 147 0 0
98 0 0 148 0 0
99 0 0 149 0 0
100 0,0002 0,002 150 0,0002 0,002
101 14,3 143 151 14,2 142
102 99 990 152 98,9 989
103 193 1930 153 193 1930
Tabel 4.4 Percobaan 4

Grafik Arus (I) terhadap Tegangan (Vin)

2 Diode 1N4001
350

300

250
Arus (mA)

200

150

100

50

0
94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105
-50
Vin (V)

Grafik 4.5 Percobaan 4

 Grafik Arus (I) terhadap Tegangan (Vin)
Diode 1N4001 dan Diode 1N4002
350

300

250

200
Arus (mA)

150

100

50

0
144 145 146 147 148 149 150 151 152 153 154 155
-50
Vin (V)

Grafik 4.6 Percobaan 4

B. Analisa Pembahasan
Pada percobaan 1 kita menggunakan diode 1N4001 dan 1N4002. Kita
mengetahui bahwa tegangan diode jika dirangkai seperti rangkaian diatas baik itu
diode 1N4001 ataupun diode 1N4002 memiliki tegangan lutut untuk jenis diode
silikon sebesar ±0,7 volt dan untuk diode germanium sebesar ±0,3 volt ketika
tegangan yang kita inputkan melebihi tegangan minimum diode maka arus yang
melewati diode akan naik secara signifikan hal tersebut dapat kita lihat di tabel 4.1
ataupun grafik 4.1.
Pada percobaan 2 ini kita menggunakan 2 buah diode yakni yang pertama
dengan 2 buah diode 1N4001 dan yang kedua dengan 2 buah diode 1N4002. Dari
data yang telah kita catat dan grafik 4.2 Jika kita merangkai seri pada diode secara
forward bias maka tegangan minimum diode akan ditambahkan satu sama lain, pada
percobaan ini 0,7 + 0,7 = 1,4 volt sehingga jika tegangan pada sumber/ Power
Supply melebihi ±1,4 volt maka arus yang melalui diode akan naik secara
signifikan seperti yang dapat kita lihat di data tabel 4.2 ataupun grafik 4.2.
Pada percobaan 3 dan 4 kita menggunakan diode 1N4001 dan 1N4002 dan
dipasang dengan prinsip reverse bias dimana katoda langsung terhubung dengan
power supply (+). Diode 1N4001 memiliki tegangan breakdown/ dadal sebesar 50V
sedangkan untuk diode 1N4002 memiliki tegangan breakdown sebesar 100V
sehingga seperti data yang telah kita kumpulkan dan grafik yang telah kita buat, kita
dapat menyimpulkan bahwa ketika ketika tegangan dari Power Supply yang
mengalir ke diode belum menyampai (≤ 𝑡𝑒𝑔𝑎𝑛𝑔𝑎𝑛 𝑏𝑟𝑒𝑎𝑘𝑑𝑜𝑤𝑛) tegangan
breakdown/ dadal maka arus Vout yang terbaca pada voltmeter sebesar 0 volt
dikarenakan arus tidak dapat mengalir melalui diode dan diode masih dalam kondisi
baik. Akan tetapi ketika tegangan pada Power Supply sudah melebihi tegangan
 breakdown yang dimiliki oleh diode maka arus yang terbaca pada ammeter akan
naik secara signifikan seperti grafik 4.3 dan grafik 4.4 yang menandakan bahwa
diode rusak/ dalam kondisi tidak baik. Untuk 2 buah diode yang dirangkai seri
dengan prinsip reverse bias maka tegangan breakdown setiap diode akan
dijumlahkan satu sama lain sehingga memiliki tegangan breakdown yang lebih
besar yang nampak seperti grafik 4.5 dan grafik 4.6 dan data tabel 4.4.

V. Kesimpulan
Berdasarkan praktikum 1 ‘Diode’ ini dapat saya simpulkan bahwa
1. Ketika diode dipasang secara forward bias dan mendapatkan tegangan diatas
tegangan lutut diode maka arus yang melewati diode akan naik secara signifikan
2. Ketika diode dipasang secara reverse bias jika tegangan yang masuk kedioda
melebihi tegangan breakdown atau tegangan dadalnya maka diode tersebut akan
rusak/ arus dapat mengalir melewati dioda
3. Ketika diode dipasang secara seri maka baik dipasang secara forward/ reverse bias
maka tegangan minimum atau tegangan breakdown akan ditambahkan sesuai
dengan jenis diode.
4. Software proteus 8 ketika melakukan simulasi akan mengabaikan seluruh faktor luar
rangkaian dan mengasumsikan kondisi setiap komponen dalam kondisi baik.

VI. Daftar Pustaka

[1] Kho, Dickson. (2014, Aug.7). Fungsi Dioda dan Cara Mengukur [Online].
Available: https://teknikelektronika.com/fungsi-dioda-cara-mengukur-dioda/ .
[2] Sinaga, Dian. (2017, Aug.1). Diode [Online]. Available :
https://www.studiobelajar.com/dioda/.
[3] Wahyu, Doni. (2021, Jan.12). Praktikum Diode [Online]. Available :
https://www.academia.edu/23485854/LAPORAN_PRAKTIKUM_DIODA.
[4] Jukanti. (2020, Apr.19). Teknik Penulisan Daftar Pustaka Standar IEEE [Online].
Available : https://ojs.cbn.ac.id/index.php/jukanti/announcement/view/4.
[5] D. P. Oktavia, Y. Hamzah, N. S. Rahmondia, and L. Umar, “Karakterisasi Dan
Simulasi Dioda Pn Mempergunakan Alat Uji Otomatis Berbasis Mikrokontroler
Atmega8a,” J. Komun. Fis. Indones. Jur. Fiska FMIPA Univ. Riau Pekanbaru. Ed.
April 2016. ISSN.1412-2960, no. April, pp.781–786, 2016.