Anda di halaman 1dari 19

LANORATORIUM ELEKTRONIKA DASAR

PRAKTIKUM ELEKTRONIKA DASAR I


S1 Fisika

KARAKTERISTIK TRANSISTOR DAN PENGUAT COMMON EMITER

Disusun oleh :
NAMA :
NIM :
KELOMPOK :
GELOMBANG :
ASISTEN :

LABORATORIUM ELEKTRONIKA DASAR


DEPARTEMEN FISIKA
FAKULTAS MATEMATIKA DAN ILMU PENGETAHUAN ALAM
UNIVERSITAS SUMATERA UTARA
BAB I

Pendahuluan
I.I Latar Belakang

Walter H. bratain dan John Barden pada akhir desember 1947 di bell
telephone laboratories berhasil menciptakan suatu komponen yang memepunyai sifat
menguatkan yaitu yang disebut dengan transistor. Dimana transistor merupakan
komponen elektronika yang befungsi sebagai pengut arus, stabilisaai, penyaklaran dan
lain-lain. Dalam adaptor transistor berfungsi sebagai stabilizer, untuk penyetabil arus
yang keluar dari blok filter. Keuntungan komponen transistor ini dibanding dengan
pendahulunya yakni tabung hampa, adalah ukuran fisiknya yang sangat kecil dan
ringan. Bahkan dengan tekonologi sekarang ini ratusan ribu transistor dapat dibuat
dalam satu keeping silikon (Arafh dan Ikhfan, 2012).

Kita belum mengetahui bagaimana cara kerja rangkaian bias transistor


common emitter, bagaimana cara membuat grafik cirri keluaran transistor serta
bagaimana cara menetukan besar penguatan transistor pada rangkaian common
emitter. Common emitter (CE) atau emitor bersama merupakan hubungan transistor
yang paling sering digunakan, terutama pada penguat yang membutuhkan penguatan
tegangan dan arus secara bersamaan. Hal ini dikarenakan hubungan transistor dengan
common emitter ini menghasilkan penguatan tegangan dan arus antara sinyal input
dan sinyal output. Common emitter adalah hubungan transistor dimana kaki emitor
transistor di-ground-kan dan dipergunakan bersama untuk input dan output. Pada
hubungan common emitter ini, sinyal input dimasukan ke basis dan sinyal output-nya
diperoleh dari kaki kolektor.

I.2 Rumusan Masalah

Berdasarkan latar belakang diatas maka didapat rumusan masalah sebagai


berikut:

1. Bagaimana prinsip kerja transistor pada penguat?


2. Bagaimana cara mengetahui penguatan transistor?
3. Bagaimana cara mengetahui karakteristik penguat common emitter?
4. Bagaimana cara mengetahui prinsip kerja penguat common emitter?
I.3 Tujuan Penulisan

Tujuan penulisan dari makalah ini adalah sebagai berikut :

1. Untuk mengetahui prinsip kerja transistor pada penguat


2. Untuk mengetahui penguatan transistor
3. Untuk mengetahui karakteristik penguat common emitter
4. Untuk mengetahui prinsip kerja penguat common emitter
BAB II

Pembahasan

Transistor merupakan dioda dengan dua sambungan (junction). Sambungan itu


membentuk transistor PNP maupun NPN. Ujung-ujung terminalnya berturut-turut
disebut emitor, base dan kolektor. Base selalu berada di tengah, di antara emitor dan
kolektor.

Gambar 1. Bentuk simbol dan penampang transistor

Transistor seperti gambar diatas dapat disebut juga transistor bipolar atau
transistor BJT (Bipolar Junction Transistor). Transistor bipolar adalah inovasi yang
menggantikan transistor tabung (vacum tube). Selain dimensi transistor bipolar yang
relatif lebih kecil, disipasi dayanya juga lebih kecil sehingga dapat bekerja pada suhu
yang lebih dingin. Dalam beberapa aplikasi, transistor tabung masih digunakan
terutama pada aplikasi audio, untuk mendapatkan kualitas suara yang baik, namun
konsumsi dayanya sangat besar. Sebab untuk dapat melepaskan elektron, teknik yang
digunakan adalah pemanasan filamen seperti pada lampu pijar.

Transistor bipolar memiliki 2 junction yang dapat disamakan dengan


penggabungan 2 buah dioda. Emiter-Base adalah satu junction dan Base-Kolektor
junction lainnya itulah kenapa disebut (Bipolar Junction Transistor). Seperti pada
dioda, arus hanya akan mengalir hanya jika diberi bias positif, yaitu hanya jika
tegangan pada material P lebih positif daripada material N (forward bias). Pada
gambar ilustrasi transistor NPN berikut ini, junction base-emiter diberi bias positif
sedangkan basecolector mendapat bias negatif (reverse bias). (Imam, Muda. 2013)
Gambar 2. Rangkaian bias transistor dan arus Elektron

Karena base-emiter mendapat bias positif maka seperti pada dioda, electron
mengalir dari emiter menuju base. Kolektor pada rangkaian ini lebih positif, sebab
mendapat tegangan positif. Karena kolektor ini lebih positif, aliran elektron bergerak
menuju kutup ini. Misalnya tidak ada kolektor, aliran elektron seluruhnya akan
menuju base seperti pada dioda. Tetapi karena lebar base yang sangat tipis, hanya
sebagian elektron yang dapat bergabung dengan hole yang ada pada base. Sebagian
besar akan menembus lapisan base menuju kolektor. Inilah alasannya mengapa jika
dua diode digabungkan tidak dapat menjadi sebuah transistor, karena persyaratannya
adalah lebar base harus sangat tipis sehingga dapat diterjang oleh elektron.

Gambar 3. Macam-macam bentuk transistor


Jika misalnya tegangan base-emitor dibalik (reverse bias), maka tidak akan
terjadi aliran elektron dari emitor menuju kolektor. Jika pelan-pelan 'keran' base diberi
bias maju (forward bias), elektron mengalir menuju kolektor dan besarnya sebanding
dengan besar arus bias base yang diberikan. Dengan kata lain, arus base mengatur
banyaknya electron yang mengalir dari emiter menuju kolektor. Ini yang dinamakan
efek penguatan transistor, karena arus base yang kecil menghasilkan arus emiter-
colector yang lebih besar. Istilah amplifier (penguatan) sebenarnya bukanlah
penguatan dalam arti sebenarnya, karena dengan penjelasan di atas sebenarnya yang
terjadi bukan penguatan, melainkan arus yang lebih kecil mengontrol aliran arus yang
lebih besar. Juga dapat dijelaskan bahwa base mengatur membuka dan menutup aliran
arus emiter-kolektor (switch on/off). (Yohandri, dan Asrizal. 2016)

Pada transistor PNP, fenomena yang sama dapat dijelaskan dengan


memberikan bias seperti pada gambar berikut. Dalam hal ini yang disebut
perpindahan arus adalah arus hole.

Gambar 4. Arus Hole transistor PNP

Perlu diingat, walaupun tidak ada perbedaan pada doping bahan pembuat
emitor dan kolektor, namun pada prakteknya emitor dan kolektor tidak dapat dibalik.

Gambar 5. Penampang transistor bipolar


Dari satu bahan silikon (monolitic), emitor dibuat terlebih dahulu, kemudian
base dengan doping yang berbeda dan terakhir adalah kolektor. Terkadang dibuat juga
efek dioda pada terminal-terminalnya sehingga arus hanya akan terjadi pada arah
yang dikehendaki.

Untuk memudahkan pembahasan prinsip bias transistor lebih lanjut, berikut


adalah terminologi parameter transistor. Dalam hal ini arah arus adalah dari potensial
yang lebih besar ke potensial yang lebih kecil.

Gambar 6. Arus potensial

Parameter-paramater yang perlu diperhatikan:

IC: arus kolektor VE: tegangan emitor

IB: arus base VCC: tegangan pada kolektor

IE: arus emitor VCE: tegangan jepit kolektor-


emitor
VC: tegangan kolektor
VEE: tegangan pada emitor
VB: tegangan base

ICBO: arus base- VCB: tegangan jepit kolektor-


kolektor base
VBE: tegangan jepit base-emitor (umumnya 0,6 – 0,7 volt untuk
transistor silikon)

Pada tabel data transistor (databook) beberapa hal perlu diperhatikan


antara lain spesifikasi αdc (alpha dc) yang tidak lain adalah:

 αdc = IC/IE

Defenisinya adalah perbandingan arus kolektor terhadap arus emitor.


Karena besar arus kolektor umumnya hampir sama dengan besar arus emiter
maka idealnya besar αdc adalah = 1 (satu). Namun umumnya transistor yang
ada memiliki αdc kurang lebih antara 0.95 sampai 0.99.

Pada tabel data transistor (databook) juga dapat dijumpai spesifikasi βdc
(beta dc) atau hfe didefenisikan sebagai besar perbandingan antara arus kolektor
dengan arus base.

 βdc = IC/IB

Dengan kata lain, βdc adalah parameter yang menunjukkan kemampuan


penguatan arus (current gain) dari suatu transistor. Parameter ini ada tertera di
databook transistor dan sangat membantu para perancang rangkaian elektronika
dalam merencanakan rangkaiannya. Sebelumnya ada beberapa spesifikasi
transistor yang perlu diperhatikan, seperti tegangan VCEmax dan PD max.
Sering juga dicantumkan di datasheet keterangan lain tentang arus ICmax
VCBmax dan VEBmax. Ada juga PDmax pada TA = 25o dan PD max pada TC
= 25o .

Fungsi Transistor dalam suatu rangkaian elektronika, terutama dalam


sebuah sirkuit atau jalan sebuah rangkaian. Secara keseluruhan fungsi transistor
hanya sebagai jangkar dalam suatu komponen. Transistor merupakan
komponen elektronika yang memiliki 3 kaki, dimana dari masing masing kaki
di beri nama dengan basis (B), colector (C) dan emitor (E).

Transistor adalah sebuah alat semikonduktor yang bisa di pakai sebagai


penguat, sebagai sirkuit pemutus dan penyambung tegangan (switching),
stabilisasi tegangan, modulasi sinyal dan sebagai fungsi lainnya. Transistor
sendiri juga dapat kita jadikan semacam kran listrik, di mana berdasarkan arus
inputnya (BJT) atau tegangan inputnya (FET) dapat memungkinkan pengaliran
arus listrik yang sangat akurat dari sumber listriknya.

Fungsi transistor memang sangat penting dalam dunia elektronika


modern. Khususnya dalam rangkaian analog, di mana transistor di gunakan
dalam amplifier atau penguat. Di dalam rangkaian analog meliputi pengeras
suara, sumber listrik stabil dan juga penguat sinyal radio.

Sedangkan dalam rangkaian digital, transistor banyak di gunakan


sebagai saklar yang memiliki kecepatan tinggi. Dari beberapa transistor juga
dapat kita rangkai sedemikian rupa sehingga sebuah transistor yang kita rangkai
tadi berfungsi sebagai logic gate, memory dan komponen komponen lainnya.

Sekarang ini fungsi transistor banyak yang sudah terkontaminasi dan di


satukan dari beberapa jenis transistor menjadi satu buah komponen yang lebih
kompleks yang dalam dunia elektronika biasa di sebut dengan Integrated
Circuit (IC). IC mempunyai cara kerja dan kemampuan yang lebih sederhana,
tetapi mempunyai bentuk fisik yang ringkas sehingga tidak banyak memakan
tempat.

Jenis-Jenis Transistor yang paling umum dibedakan menjadi dua jenis,


yaitu Transistor Bipolar dan Transistor Efek Medan. Jenis-Jenis Transistor ini
sangat menentukan sekali dalam pembuatan rangkaian elektronika. Terutama
untuk pembuatan rangkaian amplifier, rangkaian saklar, general purpose,
rangkaian audio, tegangan tinggi dan masih banyak lagi yang lainnya.
Transistor Bipolar atau nama lainnya adalah transistor dwi kutub adalah
jenis transistor paling umum di gunakan dalam dunia elektronik. Di dalam
transistor ini terdapat 3 lapisan material semikonduktor yang terdiri dari dua
lapisan inti, yaitu lapisan P-N-P dan lapisan N-P-N. Transistor bipolar juga
memiliki 3 kaki yang masing masing di beri nama Basis (B), Kolektor (K) dan
Emiter (E). Perbedaan antara fungsi dan jenis-jenis transisor ini terlihat pada
polaritas pemberian tegangan bias dan arah arus listrik yang berlawanan.

Cara kerja transistor bipolar dapat di lihat dari dua dioda yang terminal
positif dan negatif selalu berdempet, itu sebabnya pada saat ini terdapat 3 kaki
terminal. Perubahan arus listrik dari jumlah kecil dapat menimbulkan efek
perubahan arus listrik dalam jumlah besar khususnya pada terminal kolektor.
Prinsip kerja ini lah yang mendasari penggunaan transistor sebagai penguat
elektronik.

Transistor Efek Medan atau biasa di singkat FET adalah transistor yang
juga memiliki 3 kaki terminal yang masing masing di beri nama Drain (D),
Source (S) dan Gate (G). Sistem kerja FET adalah dengan cara mengendalikan
aliran elektron dari terminal Source ke Drain melalui tegangan yang di berikan
pada terminal Gate.

Pada saat ini jenis-jenis transistor FET di bagi menjadi dua tipe, yaitu
enhancement mode dan depletion mode. Kedua mode ini menandakan polaritas
tegangan gate di bandingkan dengan source pada saat FET menghantarkan
listrik. Sebagai contoh dalam depletion mode, di sini gate adalah negatif di
bandingkan dengan source, sedangkan dalam enhancement mode, gate adalah
positif. Jika tegangan pada gate di rubah menjadi positif, maka aliran arus
kedua mode di antara source dan drain akan meningkat.

Dari banyak tipe-tipe transistor modern, pada awalnya ada dua tipe
dasar transistor, bipolar junction transistor (BJT atau transistor bipolar) dan
field-effect transistor (FET), yang masing-masing bekerja secara berbeda.

Transistor bipolar dinamakan demikian karena kanal konduksi


utamanya menggunakan dua polaritas pembawa muatan: elektron dan lubang,
untuk membawa arus listrik. Dalam BJT, arus listrik utama harus melewati satu
daerah/lapisan pembatas dinamakan depletion zone, dan ketebalan lapisan ini
dapat diatur dengan kecepatan tinggi dengan tujuan untuk mengatur aliran arus
utama tersebut.

FET (juga dinamakan transistor unipolar) hanya menggunakan satu


jenis pembawa muatan (elektron atau hole, tergantung dari tipe FET). Dalam
FET, arus listrik utama mengalir dalam satu kanal konduksi sempit dengan
depletion zone di kedua sisinya (dibandingkan dengan transistor bipolar dimana
daerah Basis memotong arah arus listrik utama). Dan ketebalan dari daerah
perbatasan ini dapat dirubah dengan perubahan tegangan yang diberikan, untuk
mengubah ketebalan kanal konduksi tersebut.

Penguat Common Emitor adalah penguat yang kaki emitor transistor


di groundkan, lalu input di masukkan ke basis dan output diambil pada kaki
kolektor. Penguat Common Emitor juga mempunyai karakter sebagai penguat
tegangan.
gambar 2.1Susunan Common Emitor
(a) arah arus PNP, (b) arah arus NPN

Penguat Common Emitor mempunyai karakteristik sebagai berikut :


1. Sinyal outputnya berbalik fasa 180 derajat terhadap sinyal input.
2. Sangat mungkin terjadi osilasi karena adanya umpan balik positif,
sehingga sering dipasang umpan balik negatif untuk mencegahnya.
3. Sering dipakai pada penguat frekuensi rendah (terutama pada sinyal
audio).
4. Mempunyai stabilitas penguatan yang rendah karena bergantung pada
kestabilan suhu dan bias transistor (Franco Sechi, Marina Bujatti.
2009)
Pada penguat emitor bersama sinyal masukan dikenakan pada basis-
emitor dan sinyal keluaran dikenakan pada kolektor-emitor. Untuk membuat
rangkaian transistor menggunakan sinyal AC, maka sambungan basis-emitor
harus dibiaskan (dipanjar maju) atau forward bias dan sambungan basis-
kolektor dikenai bias mundur (reverse bias). Tujuan dari membiaskan
rangkaian adalah untuk membangun dan mempertahankan transistor dalam
keadaan kerja (keadaan DC yang cocok).

            Ada beberapa cara untuk mengenakan bias DC. Cara yang paling
sederhana disebut bias basis atau bias tetap. Tetapi sering tidak memuaskan
karena kestabilan dan sensitivitas transistor berubah terhadap temperatur. Bias
basis diwujudkan dengan resistor tunggal yang dipasang antara Vcc dan basis.
Rangkaian pembias yang paling banyak digunakan adalah bias pembagi
tegangan. Pembias ini tidak sensitive terhadap perubahan temperatur.
Jika tegangan keluaran turun oleh pertambahan  arus beban , maka VBE
( tegangan basis – emiter  ) bertambah dan arus beban bertambah beasr pula ,
sehingga titik q( kerja ) bergeser keatas sepanjang garis beban , dan
VEC( tegangan emiter – colector) berkurang . Akibatnya Vo (tegangan
keluaran ) bertambah besar melawan turunnya Vo oleh arus beban sehingga
keluaran Vo akan tetap (Dutta, N. K. (Niloy K.). 1953).
Emiter menjadi bagian bersama untuk masukan dan keluaran .
Resistansi keluarannya adalah resistansi didalam penguat yang terlihat oleh
beban , resistansi keluaran, diperoleh dengan membuat Vs = 0 dan RL
( hambatan beban ) = ∞ . Dengan menghubungkan pembangkit luar pada ujung
keluaran , maka arus mengalir kedalam penguat (Inston, R. Rita. 1965)

Rangkaian Common Emitter

Arus-arus yang mengalir pada transistor adalah sebagai berikut:

Penguatan arus untuk emitor bersama ditunjukkan dengan inisial β (beta)


adalah arus output IC berbanding arus input IB Untuk penguatan arus DC β
Penguatas arus AC merupakan perbandingan antara perubahan arus output
(ΔIC) terhadap pengaruh perubahan arus input (ΔIB) untuk tegangan output
(VCE) tetap.

Hubungan α dan β dapat dikembangkan sehingga menjadi rumus-rumus sperti


di bawah ini dengan mengingat

  disubstitusikan ke

masing-masing dibagi dengan IC didapatkan


BAB III
METODOLOGI DAN PERCOBAAN

3.1 Peralatan
1. CPE-EO2200
2. Kabel Jumper
3. Multimeter

3.2 Prosedur Percobaan


1. Hubungkan electronic design experiment tetapi telah yakin kita bahwa
semua unit dalam keadaan off
2. Buatlah rangkaian seperti pada gambar diatas. Hubungkan rangkaian
tersebut dengan Vcc sebesar 15V. Gunakan potensiometer 100KΩ (R1)
untuk mengatur arus basis (lb) , dan gunakan potensiometer 1KΩ (R4)
untuk mengatur tegangan pada kolektor-emiter (Vce).

3. Hidupkan electronic design experimenter

4. Diatur arus basis (lb) hingga bernilai 10μA. lakukan dengan memutar
potensiometer secara perlahan sampai tegangan yang melalui R2 sama
dengan 0.1V. berdasarkan hukum ohm, arus yang melalui R2 akan
sama dengan nilai 0.1V dibagi dengan 10KΩ yaitu 0.1μA. setelah itu
arus akan melewati basis transistor. Ib harus bernilai 10μA.

5. Tanpa mengganggu R1, atur potensiometer 1KΩ (R4) hingga tegangan


pada Vce bernilai 1V

6. Sekarang gunakan voltmeter untuk mengukur tegangan pada R3.


Gunakan tegangan pada R3 untuk menghitung arusnya berdasarkan
hukum ohm. Hitung besar arus yang mengalir pada kolektor (Ic).
Ulangi percobaan dengan mengganti nilai Vce sesuai dengan tabel
7. Lengkapi tabel berikut dengan mengatur nilai Vce dan tentukan nilai
arus colektor nya (Ic) seperti pada langkah 5
Ib = 10 μA
Vce (Volt) 1 2 3 4 5 6
Ic (mA)

8. Sekarang atur pada basis kolektor hingga 20 μA. Lakukan dengan


memutar potensiometer 100 KΩ (R4) sampai tegangan yang melalui R2
bernilai 0,2 V.
9. Ulangi langkah 5-7

BAB III

Kesimpulan
3.I Simpulan
Konfigurasi penguat tegangan yang paling banyak
digunakan untuk menguatkan sinyal kecil dan frekuensi rendah
adalah penguat emitor ditanahkan atau emitor bersama (CE). Salah
satu karakteristiknya Sinyal outputnya berbalik fasa 180 derajat
terhadap sinyal input. Prinsip kerjanya sinyal masukan dikenakan
pada basis-emitor dan sinyal keluaran dikenakan pada kolektor-
emitor.
3.2 Saran
1. Salah satu cara untuk meningkatkan pemahaman mengenai
penguat common emitter adalah dengan melaksanakan
praktikum.
2. Kritik dan saran dari pembaca sangat diharapkan demi
kesempurnaan penulisan makalah di kemudian

DAFTAR PUSTAKA

Dutta, N. K. (Niloy K.). 1953. SEMICONDUCTOR OPTICAL AMPLIFIERS.


second edition. World Scientific : USA

Franco Sechi, Marina Bujatti. 2009. SOLID-STATE MICROWAVE HIGH-


POWER AMPLIFIERS. Canton Street: Notwood

Imam, Muda. 2013. ELEKTRONIKA DASAR. Gunung Samudera: Malang

Inston, R. Rita. 1965. ELECTRONIC AMPLIFIERS FOR AUTOMATIC


COMPENSATORS, Pergamon Press: New york

Yohandri, dan Asrizal. 2016. Elektronika Dasar 1. PRENADAMEDIA GROUP


: Jakarta