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CURVAS CARACTERÍSTICAS DO TRANSÍSTOR

Laboratório de Circuitos Eletrônicos I
Prática No 4
Fundação Universidade Federal de Rondônia - Campus José Ribeiro Filho
Núcleo de Tecnologia, Departamento de Engenharia Elétrica - DEE
Bacharelado em Engenharia Elétrica - Displina de Eletrônica I

I. O BJETIVOS C. Funcionamento do transístor

Polarizando diretamente a junção base-emissor e inversa-
∙ Levantar as curvas características de trabalho de um
mente a junção base-coletor, a corrente de colector Ic passa a
transístor, operando com diferentes correntes de base;
ser controlada pela corrente de base Ib.
∙ Conhecendo os valores das tensões e correntes, simular
Um aumento na corrente de base Ib provoca um aumento na
o circuito no programa Multisim;
corrente do coletor Ic e vice-versa. A corrente de base sendo
∙ Comparar os valores obtidos através da simulação, com
bem menor que a corrente do coletor, uma pequena variação
os valores obtidos em laboratório;
de Ib provoca uma grande variação de Ic, isto significa que a
variação da corrente de coletor é um reflexo amplificado da
II. I NTRODUÇÃO variação da corrente na base.
Neste experimento traçaremos as curvas características de
A. História do transístor um transistor npn conectado a uma configuração emissor-
comum.
Com o passar dos anos, as indústrias de dispositivos semi-
condutores foi crescendo e desenvolvendo componentes e
circuitos cada vez mais complexos, a base de diodos. Em 1948, III. M ATERIAIS U TILIZADOS
na Bell Telephone, um grupo de pesquisadores, liderados por ∙ 01 Gerador de Tensão DC Instrutherm FA - 3030;
William Bradford Shockley Junior, apresentou um dispositivo ∙ 01 Multímetro ICEL MD - 6601;
formado por três camadas de material semicondutor com ∙ 01 Resistor de 1KΩ;
tipos alternados, ou seja, um dispositivo com duas junções. ∙ 01 Resistor de 10KΩ;
O dispositivo recebeu o nome de Transístor. ∙ 01 Potenciômetro de 10KΩ;
∙ 01 Transistor NPN BC546A;
∙ 01 Protoboard;
B. Ideia geral do transístor
IV. E XPERIMENTO
O princípio do transístor é poder controlar uma corrente. Ele
é montado numa estrutura de cristais semicondutores, de modo A. Curva de entrada IB ×𝑉 BE
a formar duas camadas de cristais do mesmo tipo, intercaladas Monte a seguinte configuração no protoboard;
por uma camada de cristal do tipo oposto, que controla a
passagem de corrente entre as outras duas. Cada uma dessas
camadas recebe um nome em relação à sua função na operação
do transístor. As extremidades são chamadas de emissor e
colector, e a camada central é chamada de base.

Figura 2. Configuração 1.

Figura 1. Transístor BC546. Após a montagem da primeira configuração e com o auxílio

de um voltímetro, conectado afim de obter a tensão VBE do
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circuito, ajuste o potenciômetro para obter as tensões citadas Com o voltímetro mensure a tensão sobre o resistor R3 e
na tabela I. E com a ajuda do amperímetro obtenha as correntes calcule a corrente do coletor (IC) para todos os valores de VCE
de base (IB) referentes as tensões (VBE) da tabela I. e IB e anote os mesmos na Tabela II. A corrente de coletor é
calculada por;
VBE [V] 0,40 0,50 0,55 0,60 0,62 0,64 0,66 0,68
IB [mA]
𝑉𝑅3
Tabela I 𝐼C = (1)
VALORES DE I B EM FUNÇÃO DE V BE .
𝑅3
Repita o procedimento anterior, calculando a corrente do
coletor IC para todos os valores de VCE e IB, preenchendo a
Com a tabela completada construa a curva de entrada Tabela II.
IB×𝑉 BE; VCE [V] 0,2 0,4 0,6 2,0 4,0 6,0 8,0 10,0 12,0
IB=10𝜇𝐴
IB=20𝜇𝐴
IB=30𝜇𝐴
IB=40𝜇𝐴
IB=50𝜇𝐴
Tabela II
VALORES DE I C EM FUNÇÃO DE V CE E I B .

Ao término do preenchimento da tabela II, construa a curva

de saída IC x VCE do transístor NPN;

Figura 3. Esboço da curva de entrada IB x VBE.

B. Curva de saída IC ×𝑉 CE
Monte a seguinte configuração no protoboard;

Figura 5. Esboço da curva de saída IC x VCE.

Após a construção da curva de saída IC x VCE, calcule o

ganho (𝛽) do transístor para VCE = 6V para cada corrente IB.
O ganho (𝛽) é calculado por;

Ic
𝛽= (2)
Ib
E preencha a Tabela III, com os seus respectivos ganhos;
IB 10 [𝜇𝐴] 20 [𝜇𝐴] 30 [𝜇𝐴] 40[𝜇𝐴] 50[𝜇𝐴]
𝛽
Figura 4. Configuração 2.
Tabela III
VALORES DE 𝛽 EM FUNÇÃO DE I B .
Com a configuração montanda na protoboard ajuste poten-
ciômetro (R2) até obter uma corrente de base (IB) igual a
10𝜇𝐴, ou seja, a tensão sobre o resistor R1 deverá ser de Realize uma conclusão sobre as curvas características de
100mV. um transistor NPN.
Agora tendo a corrente de base (IB) igual a 10𝜇𝐴 varie a Compare os resultados obtidos com o experimento em
tensão na fonte (V2) até obter uma tensão no coletor-emissor laboratório, com os resultados obtidos a parti da simulação do
(VCE) igual a (0,2V; 0,4V; 0,6V; 2V; 4V; 6V; 8V; 10V; 12V) experimento em um software, com isso apresente uma tabela
conforme mostrado na tabela II. com seus respectivos erros para as duas configurações.
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R EFERÊNCIAS
[1] Dispositivos Eletrônicos e Teoria de Circuitos, ROBERT L.
BOYLESTAD, 8a edição, volume 1.
[2] http://www.eletronica24h.com.br;