KRISTAL SEMIKONDUKTOR

MAKALAH

Diajukan untuk memenuhi salah satu tugas

Mata Kuliah Fisika Zat Padat (FI362)

Dosen Pengampu: Dra. Heni Rusnayati, M.Si dan Dra. Hera Novia, M.T.

Disusun oleh:

Syafnah Aisyah Nauli Harahap (1800177)

DEPARTEMEN PENDIDIKAN FISIKA

FAKULTAS PENDIDIKAN MATEMATIKA DAN ILMU PENGETAHUAN

ALAM

UNIVERSITAS PENDIDIKAN INDONESIA

2021
 KATA PENGANTAR

Segala puji bagi Allah SWT karena atas berkat rahmat dan hidayahnya,
penulis dapat menyelesaikan makalah ini dengan baik. Shalawat serta salam
semoga selalu tercurah limpahkan kepada junjungan kita, Nabi Muhammad Saw.
Semoga di yaumul qiyamah nanti, kita mendapatkan syafa’at dari beliau. Aamiin
Ya Rabbal ‘Alamin.

Makalah yang berjudul Kristal Semikonduktor, ini disusun guna menambah

wawasan dan pengetahuan mengenai sifat thermal suatu kristal bagi penulis
maupun pembaca. Makalah ini juga disusun untuk memenuhi tugas mata kuliah
Fisika Zat Padat.

Penulis mengucapkan terima kasih sebesar-besarnya kepada Ibu Dra. Heni

Rusnayati, M.Si dan Dra. Hera Novia, M.T., selaku dosen pengampu mata kuliah
Fisika Zat Padat. Tugas yang diberikan dapat menambah wawasan dan pengetahuan
bagi penulis mengenai bidang yang ditekuni. Penulis juga mengucapkan pada
semua pihak yang telah membantu proses penyusunan makalah ini.

Penulis menyadari, makalah ini masih jauh dari kata sempurna. Oleh karena
itu, kritik dan saran yang membangun akan penulis terima demi kesempurnaan
makalah ini.

Sibolga, 1 Mei 2021

Penulis
 KRISTAL SEMIKONDUKTOR

Semikonduktor merupakan bahan dengan konduktivitas listrik yang berada diantara

isolator dan konduktor. Disebut semi atau setengah konduktor karena bahan ini
bukan konduktor murni. Semikonduktor umumnya diklasifikasikan berdasarkan
harga resistivitas listriknya. Resistivitas listrik material merupakan ukuran
resistansi/hambatan terhadap aliran arus listrik suatu material. Resistivitas listrik
dapat bergantung pada beberapa faktor seperti panjang konduktor, luas penampang,
suhu, serta bahan dasar material. Adapun persamaan resistivitas listrik yaitu: 𝑅 =
𝐿
⍴(𝐴) , dimana R adalah resistansi dalam ohm(Ω), L adalah panjang dalam meter

(m), A adalah area atau luas dalam meter persegi (m 2), dan ⍴ adalah resistivitas.
Umumnya semikonduktor mempunyai resistivitas pada suhu kamar dalam rentang
10-2- 109 Ωcm. Semikonduktor akan bersifat isolator pada temperatur yang sangat
rendah, namun pada temperatur ruang akan bersifat konduktor. Semikonduktor
menjadi bahan dasar piranti elektronik seperti transistor, IC (integrated circuit),
termistor, dioda, dsb.

A. Sifat-sifat Semikonduktor
1. Resistivitas semikonduktor lebih keil daripada isolator terapi lebih besar
daripada konduktor.
2. Semikonduktor memiliki resistansi hubungan terbalik dengan suhu, yaitu
bahwa resistansi semikonduktor menurun dengan kenaikan suhu dan
sebaliknya. Karena semikonduktor menjadi isolator pada suhu rendah
namun merupakan konduktor pada suhu kamar.
B. Ikatan dalam Semikonduktor

Dalam semikonduktor, ikatan terbentuk dengan penggunaan bersama

elektron-eektron valensi yang disebut sebagai ikatan kovalen. Yaitu setiap atom
menyumbangkan jumlah elektron valensi yang sama dan sumbangan elektron
itu digunakan bersama oleh atom-atom lain di dalam formasi ikatan kovalen.
Elektron-elektron valensi dalam semikonduktor tidak bebas(terikat).
 Gambar 1. Ikatan Kovalen

C. Klasifikasi Semikonduktor

Berdasarkan murni atau tidak murninya bahan, semikonduktor dibedakan

menjadi dua jenis, yaitu semikonduktor instrinsik dan ekstrinsik.

1. Semikonduktor Intrinsik
Semikonduktor intrinsik merupakan semikonduktor yang terdiri atas
satu unsur saja, misalnya Si(Silikon) saja atau Ge(Germanium) saja.
Pada kristal semikonduktor Si, 1 atom Si yang memiliki 4 elektron
valensi berikatan dengan 4 atom Si lainnya.

Gambar 2. Struktur kristal 2D Si Gambar 3. Ikatan Kovalen Si

Pada kristal semikonduktor intrinsik Si, sel primitifnya berbentuk
kubus. Ikatan yang terjadi antar atom Si yang berdekatan adalah ikatan
kovalen dengan pemakaian 1 buah elektron bersama oleh dua atom Si
yang berdekatan.
Menurut teori pita energi, pada T= 0 K pita valensi semikonduktor
tersisi penuh elektron, sedangkan pita konduksi kosong. Kedua pita
 tersebut dipisahkan oleh celah energi kecil, yakni dalam rentang 0,18-
3,7 eV. Pada suhu kamar Si dan Ge masing-masing memiliki celah
energi 1,11 eV dan 0,66 eV. Bila mendapat cukup energi, misalnya
berasal dari energi panas, elektron dapat melepaskan diri dari ikatan
kovalen dan tereksitasi menyebrangi celah energi. Elektron valensi pada
atom Ge lebih mudah tereksitasi menjadi elektron bebas daripada
elektron valensi pada atom Si, karena celah energi Si lebih besar
daripada celah energi Ge. Elektron ini bebas bergerak diantara atom.
Sedangkan tempat kekosongan elektron disebut hole.

Gambar 4. Elektron menyebrangi celah energi sehingga terdapat

hole pada pita valensi.
2. Semikonduktor Ekstrinsik
Semikonduktor yang tidak murni atau telah dicampuri oleh atom
dari jenis lainnya disebut semikonduktor ekstrinsik. Proses penambahan
elektron atom lain(atom pengotor) pada semikonduktor murni disebut
doping. Dengan menambahkan atom pengotor(impurities), struktur pita
dan resistivitasnya akan berubah.
Ketidakmurnian dalam semikonduktor dapat menyumbangkan
elektron maupu hole dalam pita energi. Dengan demikian, konsentrasi
elektron dapat menjadi tidak sama dengan konsentrasi hole, namun
masing-masing bergantung pada konsentrasi dan jenis bahan
ketidakmurnian. Dalam aplikasi terkadang hanya memerlukan bahan
dengan pembawa muatan elektron saja atau hole saja. Hal ini dilakukan
dengan doping ketidakmurnian ke dalam semikonduktor.
Terdapat 3 jenis semikonduktor ekstrinsik yaitu semikonduktor tipe-
n, semikonduktor tipe-p, dan semikonduktor paduan.
a. Semikonsuktor tipe-n
 Semikonduktor dengan konsentrasi elektron lebih besar
dibandingkan konsentrasi hole disebut semikonduktor tipe-n.
Semikonduktor tipe-n menggunakan semikonduktor instrinsik dengan
menambahkan atom donor yang berasal dari kelompok V pada tabel
periodik unsur pada susunan berkala, misalnya Ar (arsenik), Sb
(Antimony), P (phosphorus). Atom campuran in akan menempati lokasi
atom intrinsik di dalam kisi kristal semikonduktor.

Gambar 5

(a) Kristal semikonduktor tipe-n 2D

(b) Pita energi semikonduktor tipe-n

Penambahan atom donor telah menambah level energi pada pita

konduksi yang berada diatas energi gap sehingga mempermudah
elektron untuk menyebrang ke pita konduksi. Pada suhu kamar sebagian
besar atom donor terionisasi dan elektronnya tereksitasi ke dalam pita
konduksi. Sehingga jumlah elektron bebas(elektron intrinsik dan
elektron ekstrinsik) pada semikonduktor tipe-n jauh lebih besar daripada
jumlah hole.

b. Semikonduktor tipe-p

Semikonduktor dengan konsentrasi hole lebih tinggi dibandingkan

elektron disebut semikonduktor tipe-p, dapat diperoleh dengan
menambahkan atom akseptor. Pada Si dan Ge, atom akseptor adalah
unsur bervalensi 3 yaitu atom kelompok III pada tabel periodik unsur
misalnya B (boron), Al(aluminium), atau Ga(galium).

Gambar 6

(a) Kristal semikonduktor tipe-p 2D

(b) Pita energi semikonduktor tipe-p

Karena unsur tersebut hanya memiliki tiga elektron valensi, maka

terdapat satu kekosongan untuk membentuk ikatan kovalen dengan atom
induknya. Atom tersebut akan mengikat elektron dari pita valensi yang
berpindah ke pita konduksi. Dengan penangkapan sebah elektron
tersebut, atom akseptor akan menjadi ion negatif. Atom akseptor akan
menempati keadaan energi dalam energi gap di dekat pita valensi.

c. Semikonduktor paduan

Semikonduktor paduan (compound semiconduktor) dapat diperoleh dari

unsur valensi tiga dan valensi lima (paduan II-V, misalnya GaAs atau
GaSb) atau dari unsur valensi dua dan valensi enam (paduan II-VI,
misalnya ZnS). Ikatan kimia terbentuk dengan peminjaman elektron
oleh unsur dengan valensi lebih tinggi kepada unsur dengan valensi lebih
rendah. Atom donor pada semikonduktor paduan adalah unsur dengan
valensi lebih tinggi dibandingkan dengan unsur yang diganti. Atom
akseptor adalah unsur dengan valensi lebih rendah dibandingkan dengan
unsur yang diganti(ditempati).
 Gambar 7

(a) Kristal semikonduktor paduan GaAs 2D

(b) Kristal semikonduktor paduan GaAs tipe-n dua dimensi
D. Celah Energi (Eg)

𝐸𝑔
Sifat konduktivitas dan konsentrasi ditentukan oleh faktor , perbandingan
𝑘𝐵 𝑇

celah energi dengan temperatur. Ketika perbandingan ini besar, konsentrasi sifat
intrinsik akan rendah dan konduktivitasnya juga akan rendah. Celah energi (Eg)
merupakan selisih antara energi terendah pada pita konduksi (Ek) dengan energi
tertinggi pada pita valensi (Ev). Secara matemais dapat ditulis:

𝐸𝑔 = 𝐸𝑘 − 𝐸𝑣

Gambar 8. Pita Energi pada Semikonduktor

Untuk mengukur besarnya celah energi (Eg) dapat dilakukan dengan dua cara
yaitu penyerapan langsung(direct absorption process) dan penyerapan tidak
langsung (indirect absorption process).
1. Penyerapan langsung (direct absorption process)
Pada penyerapan langsung, elektron mengabsorpsi foton dan
langsung meloncat ke dalam pita konduksi. Besarnya celah energi (E g) sama
dengan besar energi foton(gelombang elektromagnetik). Secara matematis
dapat dituliskan:
𝐸 = ħ = 𝐸𝑔
Dimana  merupakan frekuensi angular dari foton.

Gambar 9. Penyerapan Langsung

2. Penyerapan tidak langsung (indirect absorption process)
Pada penyerapan tidak langsung, elektron mengabsorpsi foton sekaligus
fonon. Proses ini memenuhi hukum kekekalan energi. Sehingga selain
energi foton terdapat juga fonon(partikel gelombang elastik) yang
dipancarkan maupun diserap. Secara matematis dapat ditulis:
𝐸𝑔 ± ħΩ = ħ
Dimana tanda ± menunjukkan bahwa dalam proses penyerapan tidak
langsung keberadaan fonon ada yang dipancarkan (+) dan ada yang diserap
(-).

Gambar 10. Penyerapan Tidak Langsung

E. Persamaan Gerak Elektron dalam Pita Energi

Kecepatan group untuk beberapa fungsi gelombang dengan vektor gelombang

k adalah:

𝑑𝜔
𝑉𝑔 =
𝑑𝑘

Degan ω merupakan frekuensi sudut. Jika frekuensi sudut dihubugkan dengan

 
energi dari fungsi gelombang  adalah ω = ħ . Dengan mensubstitusi ω = ħ ke

dalam persamaan kecepatan group maka diperoleh:

𝑑𝜔 𝑑  1 𝑑 1
𝑉𝑔 = = 𝑑𝑘 ( ħ ) = ħ () atau 𝑉𝑔 = ħ  (k)
𝑑𝑘 𝑑𝑘

Pengaruh kristal di dalam gerak elektron diberikan dalam hubungan dispersi

(k). Usaha yang dilakukan oleh medan listrik pada elektron adalah:

Maka:

𝑑
= 𝑉𝑔 ħ
𝑑𝑘

Persamaan diatas merupakan persamaan untuk gaya listrik yang dialami oleh
elektron karena berada pada medan listrik E. Sehingga diperoleh:
 ⃗⃗
𝑑𝑘
𝐹⃗ = −𝑒𝐸 = ħ (Persamaan gerak elektron pita energi)
𝑑𝑡

F. Massa Efektif
Massa efektif elektron merupakan massa elektron dalam pita energi ketika
mengalami gaya atau percepatan. Besarnya massa efektif elektron
ditentukan dari persamaan gerak elektron pita energi.
𝑑𝜔 𝑑  1 𝑑
𝑉𝑔 = = 𝑑𝑘 ( ħ ) = ħ ( )
𝑑𝑘 𝑑𝑘

𝑑𝑉𝑔 1 𝑑 2  𝑑𝑘
=
𝑑𝑡 ħ 𝑑𝑘 2 𝑑𝑡
⃗⃗
𝑑𝑘 𝐹⃗ ⃗⃗
𝑑𝑘
𝐹⃗ = ħ , maka =
𝑑𝑡 ħ 𝑑𝑡

Dengan mensubstitusi persamaan gerak ke persamaan sebelumnya,

diperoleh:
𝑑𝑉𝑔 1 𝑑 2  𝐹
= 𝑎𝑡𝑎𝑢
𝑑𝑡 ħ 𝑑𝑘 2 ħ
𝑑𝑉𝑔 1 𝑑2
= 2 2 𝐹
𝑑𝑡 ħ 𝑑𝑘
𝐹 𝑑𝑉𝑔
Dimana F= m a dan a = 𝑚 = . Maka diperoleh massa efektif elektron:
𝑑𝑡
1
𝑚∗ = ħ 𝑑2 (massa efektif)
𝑑𝑘2

G. Perbedaan Elektron dan Hole

Orbital kosong dalam sebuah pita dikenal dengan nama hole. Hole dalam
medan listrik dan medan magnet mempunyai harga positif +e.
1. 𝑘ℎ = −𝑘𝑒
Vektor gelombang total untuk elektron dalam pita yang tersisi
adalah nol: ∑ 𝑘 = 0. Kesimpulan ini diambil dari simetri daerah
Brillouin: setiap tipe kisi dasar adalah simetri pada r→ -r untuk
kebanyakan kisi. Jika pita terisi oleh semua pasangan orbital k dan -k
maka total vektor gelombang adalah nol. Hole adalah salah satu
gambaran sebuah pita yang kehilangan satu elektro, maka dapat
dikatakan hole memiliki vektor gelombang -ke (𝑘ℎ = −𝑘𝑒 ).
2. ℎ 𝑘ℎ = −𝑒 𝑘𝑒
 Energi hole berlawanan tanda dengan energi elektron yang hilang,
karena diambil dari usaha untuk memindahkan sebuah elektron dari
orbital rendah ke orbital tinggi.
3. 𝑣ℎ = 𝑣𝑒
Kecepatan hole sama dengan kecepatan elektron yang hilang.

Gambar 11. Grafik Energi terhadap Vektor Gelombang

Pada gambar diatass menunjukkan bahwa ℎ 𝑘ℎ = 𝑒 𝑘𝑒 maka
vℎ 𝑘ℎ = v𝑒 𝑘𝑒 .
4. 𝑚ℎ = −𝑚𝑒
𝑑2 
Massa efektif berbanding terbalik dengan kemiringan kurva (𝑚∗ =
𝑑𝑘 2
1
ħ 𝑑2 ). Untuk pita hole berlawanan tanda dengan elektron pada pita
𝑑𝑘2

valensi. Dibagian atas pita valensi m e adalah negatif maka mh adalah

positif.
⃗⃗⃗⃗⃗⃗
𝑑𝑘 1
5. ⃗⃗⃗⃗⃗
𝐹ℎ = ħ ℎ
= 𝑒 (𝐸 + 𝑐 𝑉ℎ 𝑥𝐵)
𝑑𝑡

⃗⃗⃗⃗⃗𝑒
𝑑𝑘 1
⃗⃗⃗⃗
𝐹𝑒 = ħ = −𝑒(𝐸 + 𝑉𝑒 𝑥𝐵)
𝑑𝑡 𝑐
Maka ⃗⃗⃗⃗⃗ ⃗⃗⃗⃗𝑒
𝐹ℎ = −𝐹
H. Konsentrasi Pembawa dalam Semikonduktor Instrinsik

Dalam semikonduktor, µ disebut tingkat Fermi. Pada temperatur tinggi pita

konduksid ari semikonduktor  − µ >>kBT , dan fungsi distribusi fermi Dirac:
Berlaku jika f <<1. Energi elektron di pita konduksi adalah:

ħ 2𝑘 2
𝐾 = 𝐸𝑔 +
2𝑚𝑒

Dimana me adalah massa efektif elektron, maka rapat orbital di  adalah

Konsentrasi elektron dalam pita konduksi adalah:

Dengan hasil integral

Fungsi distribusi fh untuk hole berhubungan dengan fungsi distribusi elektron

fe dengan fh = 1- fe yaitu:

Jika hole dekat pita valensi teratas berlaku sebagai partikel dengan massa
efektif mh, maka rapat orbital hole adalah:

Dengan mengukur energi positif ke atas dari pita valensi teratas diperoleh:

Dimana p konsentrasi hole dalam pita valensi.

 Gambar 12. Skala Energi untuk Perhitungan Statistik.

Pada gambar diatas, fungsi distribusi Fermi pada skala yang sama.

Jika dikalikan n dan p untuk membuktikan hubungan keseimbangan:

Bentuk persamaan tersebut merupakan hukum aksi massa. Dimana hasil kali np
konstan pada temperatur tertentu. Jarak tingkat Fermi dari kedua ujung harus
sama dengan kBT. Pada suhu 300K nilai np adalah 3,6 x 1027 cm-6 untuk Ge dan
4,6 x 1019 cm-6 untuk Si, dihitung dengan me = mh = m.

Dalam semikonduktor intrinsik, jumlah elektron sama dengan jumlah hole:

Jika n dan p dijumlahkan;

Untuk level Fermi:

 1
Jika me = mh maka µ = 2 𝐸𝑔 dan tingkat Fermi berada di tengah-tengah celah.

Mobilitas dalam Daerah Intrinsik

Mobilitas adalah besarnya kecepatan drift per satuan energi:

|𝑣|
µ=
𝐸

Mobilitas didefinisikan berharga positif untuk elektron maupun hole, meskipun

kecepatan driftnya berlawanan.

Mobilitas dengan Adanya Atom Pengotor

Sejumlah kecil fonon akan menentukan mobilitas pembawa ketika secara

relatif ada sedikit atom pengotor pada temperatur tinggi. Sejumlah kecil atom
pengotor berkemungkinan penting pada konsentrasi pengotor yang lebih tinggi.
Sejumlah kecil itu akan menentukan apakah atom pengotor netral atau
terionisasi. Atom netral ekuivalen dengan sejumlah kecil elekton dalam atom
hidrogen. Daerah orbit Bohr pertama dinaikkan sebesar (m/m*)2.

DAFTAR PUSTAKA

Kittel, C. (2005). Introduction to Solid State Physics. United State of America: John
Wiley & Sons, Inc.
Wiendartun. (2012). Kristal Semikonduktor. [Online]. Diakses dari
http://file.upi.edu/Direktori/FPMIPA/JUR._PEND._FISIKA/195708071982
112-WIENDARTUN/8.KRISTAL_SEMIKONDUKTOR.pdf.
Sumarna. (Tanpa tahun). Fisika Semikonduktor. [Online]. Diakses dari
http://staff.uny.ac.id/sites/default/files/pendidikan/drs-sumarna-msi-
meng/bahan-kuliah-fisika-semikonduktor.pdf.