Anda di halaman 1dari 11

LAPORAN PRAKTIKUM KARAKTERISASI DIODA

STANDAR DAN DIODA ZENER

Disusun oleh
Alinudin Munfiq
(18306141053)

JURUSAN PENDIDIKAN FISIKA


FAKULTAS MATEMATIKA DAN ILMU PENGETAHUAN
ALAM
UNIVERSITAS NEGERI YOGYAKARTA
2019
LAPORAN KARAKTERISASI DIODA

A. Tujuan
1. Mengidentifikasi karakter dioda standar saat forward bias dan reverse bias
2. Mengidentifikasi karakter dioda zener saat forward bias dan reverse bias
B. Dasar Teori
Dioda merupakan suatu komponen rangkaian listrik yang berupa gabungan
semikonduktor. Masing-masing semikonduktor tersebut diberi doping yang berbeda dan
material konduktor sebagai pengalir arus listrik. Pada dasarnya, dioda berfungsi sebagai
saklar satu arah sehingga memungkinkan arus listrik dapat mengalir dengan mudah dalam
satu arah. Akan tetapi, dioda sangat membatasi arus listrik yang berlawanan arah. Dioada
juga biasa dikenal sebagai penyearah arus bolak balik (AC) sehingga menjadi arus searah
(DC). Umumnya dioda dikategorikan berdasarkan jenis, tegangan, dan kapasitas arusnya
misalnya P-N junction diode (dioda standar), zener diode, Light Emitting Diode (LED), gunn
diode, zener diode, dan lain-lain.

Masing-masing kutub pada dioda merupakan bahan konduktor yang terhubung dengan
dua tipe semi konduktor. Anoda (positif) terhubung dengan semikonduktor jenis p yang
sedikit terdapat elektron, sedangkan katoda (negatif) terhubung dengan semikonduktor tipe
n yang elektronnya lebih banyak. Pertemuan kedua semikonduktor membentuk suatu
perbatasanyang dikenal P-N Junction. Bahan yang digunakan sebagai semikonduktor
umumnya adalah unsur golongan IV A sedangkan bahan untuk doping umumnya unsur-
unsur atom yang elektron valensinya kurang atau lebih dari 4. Tipe p diberi doping unsur
yang memiliki eletron valensi kurang dari 4 (contoh : Boron) sedangkan tipe n diberi unsur
yang lebih dari 4 elektron valensi (contoh : Fosfor).
Cara kerja dioda terdapat 3 kondisi, yaitu :
1. Tanpa tegangan
Daerah P-N Junction akan membentuk suatu perbatasan medan listrik. Hal ini
bermula saat proses difusi. Muatan elektron bebas pada sisi n berpindah ke sisi p dan
menempati holes pada sisi p dekat P-N junction. Oleh karena itu sisi n akan bermuatan
positif dan terjadi ion negatif pada sisi p pada daerah dekat P-N junction. Hal ini juga
menyebabkan terbentuknya medan listrik statis berupa lapisan pengosongan (Depletion
Layer). Dalam lapisan pengosongan terdapat medan positif dan negatif yang
berlawanan dalam masing-masing area sebagaimana hukum coulomb sehingga timbul
barrier potential. Hal tersebut menyebabkan elektron bebas dalam sisi n terhalang.
2. Tegangan positif (forward bias)
Pada kondisi ini, tegangan eksternal menyebabkan ion-ion lapisan pengosongan akan
tertarik menuju masing-masing kutub. Hal itu menyebabkan lapisan tersebut menipis
sehingga elektron bebas dapat melewati penghalang tersebut dan timbul arus listrik
seperti pada rangkaian tertutup.

3. Tegangan negatif (reverse bias)


Kondisi ini rangkaian dipasang berkebalikan dengan forward bias. Setelah
disambungkan tegangan, ion-ion negatif pada akan tertarik ke katoda (tipe n) dan
sebalinya ion-ion positif tertarik ke sisi anoda (tipe p). Hal tersebut menyebabkan ion-
ion tersebut searah dengan medan listrik stastis sehingga penghalang (depletion layer)
semakin tebal sehingga elektron semakin sulit melewati lapisan terebut dan arus listrik
sulit mengalir. Kejadian ini diibaratakan seperti rangkaian terbuka.
C. Alat dan Bahan
- 2 Dioda standar (1N4002)
- Dioda zener (BZN 55C 7V5)
- Resistor (± 1000 Ω)
- Projectborad
- Kabel-kabel penghubung
- Sumber tegangan/Power Supply
- CRO
- Multimeter
D. Cara Kerja
a. Forward Bias pada Dioda Biasa dan Dioda Zener
1. Susun rangkaian dalam posisi forward bias seperti skema di bawah ini

2. Alirkan tegangan pada rangkaian (dioda biasa : 0.1 V, 0.2 V, 0.3 V, 0.4 V, 0.5 V, 0.6 V,
0.7 V, 0.8 V, 0.9 V, 1.0 V, 1.1 V, 1.5 V, 2 V, 3 V, 5 V, 10 V, 15 V, 20 V; dioda zener : 0.1
V, 1.0 V, 2.0 V, 4.0 V, 6.0 V, 7.0 V, 7.1 V, 7.2 V, 7.3 V, 7.4 V, 7.5 V, 7.6 V, 7.7 V, 7.8 V,
7.9 V, 8.0 V, 9.0 V, 10.0 V)
3. Ukur tegangan pada tegangan sumber untuk memastikan
4. Ukur tegangan pada dioda
5. Amati perubahan sinyal pada CRO pada tiap tegangan yang masuk
6. Catat besar perubahannya untuk mendapatkan nilai arus yang mengalir pada
rangkaian
b. Reverse bias pada dioda biasa dan dioda zener
1. Susun rangkaian dalam posisi reverse bias seperti skema di bawah ini
A
-0.10
Volts

D1

DIODE

R1
BAT1 1k
0.1V

2. Alirkan tegangan pada rangkaian (dioda biasa : 2 V, 4 V, 6 V, 8 V, 10 V, 12 V, 14 V, 16


V, 18 V, 20 V; dioda zener : 0.1 V, 1.0 V, 2.0 V, 4.0 V, 6.0 V, 7.0 V, 7.1 V, 7.2 V, 7.3 V,
7.4 V, 7.5 V, 7.6 V, 7.7 V, 7.8 V, 7.9 V, 8.0 V, 9.0 V, 10.0 V)
3. Ukur tegangan pada tegangan sumber untuk memastikan
4. Ukur tegangan pada dioda
5. Amati perubahan sinyal pada CRO pada tiap tegangan yang masuk
6. Catat besar perubahannya untuk mendapatkan nilai arus yang mengalir pada
rangkaian
E. Data
1. Dioda Standar I (1N4002)
a. Forward Bias

VS Vd VR
No I d (A)
(Volt) (Volt) (Volt)
1 0.1 0.1 0 0
2 0.2 0.2 0 0
3 0.3 0.3 0.001 0.000001
4 0.4 0.39 0.004 0.000004
5 0.5 0.44 0.04 0.00004
6 0.6 0.5 0.11 0.00011
7 0.7 0.5 0.17 0.00017
8 0.8 0.53 0.26 0.00026
9 0.9 0.58 0.35 0.00035
10 1 0.56 0.44 0.00044
11 1.1 0.59 0.56 0.00056
12 1.5 0.59 0.9 0.0009
13 2 0.6 1.3 0.0013
14 3 0.62 2.4 0.0024
15 5 0.68 4.2 0.0042
16 10 0.71 5.4 0.0054
17 15 0.73 14 0.014
18 20 0.78 19 0.019

Forward Bias
0.02
0.02
0.02
0.01
Arus Dioda (A)

0.01
0.01
0.01
0.01
0
0
0
0.1 0.2 0.3 0.390.44 0.5 0.5 0.530.580.560.590.59 0.6 0.620.680.710.730.78
Tegangan Dioda (V)
b. Reverse Bias

VS Vd VR
No I d (A)
(Volt) (Volt) (Volt)
1 2 -2 0 0
2 4 -4 0 0
3 6 -6 0 0
4 8 -8 0 0
5 10 -10 0 0
6 12 -12 0 0
7 14 -14 0 0
8 16 -16 0 0
9 18 -18 0 0
10 20 -20 0 0

Reverse Bias
1
0.8
Arus Dioda (A)

0.6
0.4
0.2
0
-2 -4 -6 -8 -10 -12 -14 -16.3 -18.24 -20
Teagangan Dioda (V)

2. Dioda Standar II (1N4002)


a. Forward Bias

VS Vd VR
No I d (A)
(Volt) (Volt) (Volt)
1 0.1 0.1 0 0
2 0.2 0.2 0 0
3 0.3 0.3 0.004 0.000004
4 0.4 0.4 0.03 0.00003
5 0.5 0.45 0.086 0.000086
6 0.6 0.47 0.14 0.00014
7 0.7 0.47 0.21 0.00021
8 0.8 0.51 0.3 0.0003
9 0.9 0.52 0.38 0.00038
10 1 0.53 0.46 0.00046
11 1.1 0.54 0.58 0.00058
12 1.5 0.56 0.95 0.00095
13 2 0.54 1.45 0.00145
14 3 0.61 2.35 0.00235
15 5 0.64 4.3 0.0043
16 10 0.67 9 0.009
17 15 0.69 14 0.014
18 20 0.71 18.5 0.0185

Forward Bias
0.02
0.02
0.02
Arus Dioda (A)

0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
0
0
0
0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1 1.1 1.5 2 3 5 10 15 20
Tegangan Dioda (V)

b. Reverse Bias

VS Vd VR
No I d (A)
(Volt) (Volt) (Volt)
1 2 -2 0 0
2 4 -4 0 0
3 6 -6 0 0
4 8 -8 0 0
5 10 -10 0 0
6 12 -12 0 0
7 14 -14 0 0
8 16 -16 0 0
9 18 -18 0 0
10 20 -20 0 0

Reverse Bias
1
0.9
0.8
Arus Dioda (A)

0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0
-2 -4 -6 -8 -10 -12 -14 -16.3 -18.24 -20
Teagangan Dioda (V)
3. Dioda Zener (BZN 55C 7V5)
a. Forward Bias

VS Vd VR
No I d (A)
(Volt) (Volt) (Volt)
1 0.1 0.13 0 0
2 1 0.66 0.34 0.00034
3 2 0.71 1.3 0.0013
4 4 0.73 3.2 0.005
5 6 0.75 5 0.006
6 7 0.76 6 0.0062
7 7.1 0.76 6.2 0.0062
8 7.2 0.76 6.2 0.0062
9 7.3 0.76 6.2 0.0062
10 7.4 0.76 6.2 0.0062
11 7.5 0.76 6.4 0.0064
12 7.6 0.76 6.5 0.0065
13 7.7 0.76 6.5 0.0065
14 7.8 0.76 6.7 0.0067
15 7.9 0.76 6.8 0.0068
16 8 0.76 6.9 0.0069
17 9 0.77 8 0.008
18 10 0.77 8.2 0.0082

b. Reverse Bias
VS Vd VR
No I d (A)
(Volt) (Volt) (Volt)
1 -0.1 -0.1 0 0
2 -1 -1 0 0
3 -2 -2 0 0
4 -4 -4 0 0
5 -6 -6 0 0
6 -7 -7 -0.0005 -0.0000005
7 -7.1 -7 -0.0005 -0.0000005
8 -7.2 -7.1 -0.0005 -0.0000005
9 -7.3 -7.2 -0.001 -0.000001
10 -7.4 -7.3 -0.0012 -0.0000012
11 -7.5 -7.4 -0.0018 -0.0000018
12 -7.6 -7.5 -0.0022 -0.0000022
13 -7.7 -7.6 -0.0036 -0.0000036
14 -7.8 -7.7 -0.0058 -0.0000058
15 -7.9 -7.8 -0.0078 -0.0000078
16 -8 -7.9 -0.012 -0.000012
17 -9 -8.9 -0.04 -0.00004
18 -10 -9.8 -0.05 -0.00005

F. Pembahasan
1. Dioda Standar
Percobaan ini menggunaan dioda standar (1N4002), dioda zener (BZX 55C 7V5) dan
resistor sebesar 1 kΩ. Berdasarkan data sheet dioda yang digunaka memiliki spesifikasi
sebagai berikut :

- Dioda standar
Characteristics Symbo 1N4001 1N400 1N4003 1N400 1N4005 1N400 1N4007 Unit
l 2 4 6
Peak Repetitive Reverse VRR
Voltage Working Peak M 50 100 200 400 600 800 1000 V
Reverse Voltage DC Blocking VRW
Voltage M VR
RMS Reverse Voltage VR(RMS) 35 70 140 280 420 560 700 V
Average Rectified Output Current (Note 1) @ TA IO 1.0 A
=+75C
Non-Repetitive Peak Forward Surge Current 8.3ms
Single Half Sine-Wave Superimposed on Rated Load IFSM 30 A
Forward Voltage @ IF = 1.0A VFM 1.0 V
Peak Reverse Current @TA = +25C 5.0
IRM A
at Rated DC Blocking Voltage @ TA = +100C 50
Typical Junction Capacitance (Note 2) Cj 1 8 pF
5
Typical Thermal Resistance Junction to Ambient RJA 100 K/W
Maximum DC Blocking Voltage Temperature TA +150 C
Operating and Storage Temperature Range TJ , -65 to C
TSTG +150
Notes: 1. Leads maintained at ambient temperature at a distance of 9.5mm from the case.
2. Measured at 1.0 MHz and applied reverse voltage of 4.0V DC.
3. EU Directive 2002/95/EC (RoHS). All applicable RoHS exemptions applied, see EU Directive 2002/95/EC Annex Notes.
- Dioda zener
Type VZnom IZT for VZT and rzjT rzjk at IZK IR and IR at VR TKVZ
BZX55C... V mA V 1) 𝝮 𝝮 mA 𝜇A μA 2¿ ¿ V %/K
6V2 6.2 5 5.8 to 6.6 < 10 < 200 1 < 0.1 <2 2 0.03 to 0.06
6V8 6.8 5 6.4 to 7.2 <8 < 150 1 < 0.1 <2 3 0.03 to 0.07
7V5 7.5 5 7.0 to 7.9 <7 < 50 1 < 0.1 <2 5 0.03 to 0.07
8V2 8.2 5 7.7 to 8.7 <7 < 50 1 < 0.1 <2 6.2 0.03 to 0.08
9V1 9.1 5 8.5 to 9.6 < 10 < 50 1 < 0.1 <2 6.8 0.03 to 0.09

Rangkaian yang digunakan dalam pengarakterisasi dioda adalah dioda yang disusun seri
dengan resistor sehingga merujuk pada hukum 1 kirchoff yaitu I masuk = I keluar, maka nilai
arus pada resistor dan dioda memiliki nilai yang sama ( I d = I R ). Akan tetapi nilai tegangan
atau potensial antara resistor dan dioda berbeda ( V s = V d +V R). Oleh karena itu dapat
Vd
dirumuskan bahwa I d = .
R
Dalam praktikum ini, dioda diberi 2 perlakuan, yaitu forward bias dan reverse bias. Saat
forward bias, dua dioda standar diberi tegangan sumber antara 0 - 20 V dan dioda zener
diberi tegangan antara 0 – 10 V. Sedangkan saat reverse bias, dioda standar diberi
tegangan antara 2 – 20 V dan dioda zener diberi tegangan antara 0 – 10V. Untuk reverse
bias, semua besar tegangannya bernilai negatif yang meliputi tegangan sumber ( V s ),
tegangan dioda (V d ), dan perubahan tegangan pada CRO (V R). Pengukuran besar tegangan
menggunakan multimeter (V s , V R) dan CRO (V R ¿ . Hubungan tiap tegangan bersifat linear.
Artinya ketika tegangan sumber diperbesar, maka tegangan yang lain akan membesar dan
begitu pula saat diperkecil, maka tegangan yang lain akan mengecil. Oleh karena itu perlu
berhati-hati ketika memasukan tegangan dikarenakan ada batas arus yang dapat mengalir
pada dioda.
Hasil data praktikum kedua dioda standar saat forward bias, nilai perubahan tegangan
pada CRO baru dapat teramati ketika dihubungkan tegangan sumber 0,3 V dengan besar
perubahan 0.001 V sehingga diperoleh arus dioda sebesar 1 x 10−6 A dan 4 x 10−6 A. Nilai
perubahan tegangan tersebut semakin besar secara eksponensial seiring besarnya
tegangan sumber yang diberi. Dari hal ini dapat diasumsikan bahwa elektron bebas area
tipe n dapat melewati lapisan pengosongan saat setelah tegangan sumber 0.3 V dan
lapisan pengosongan menipis sehingga arus dapat melewati dioda. Ketika diberi 0.6 V,
perubahan arus yang melewati dioda semakin besar bahkan besar perubahan mendekati
konstan saat 0.6 – 0.7 V.
Untuk reverse bias kedua dioda standar, nilai perubahan tegangan pada CRO tidak dapat
teramati saat dihubungkan tegangan sumber 0 – 20 V. Hal ini dapat diasumsikan bahwa
lapisan pengosongan dalam dioda semakin besar dikarenakan elektron area tipe n ditolak
oleh muatan negatif pada area p sehingga lapisan pengosongan semakin tebal dan arus
sulit untuk lewat. Adapun kemungkinkan terdapat arus yang sangat kecil sehingga tidak
dapat terbaca oleh CRO atau multimeter yang ada sehingga dibutuhkan tegangan yang
lebih besar (kemungkinan >100 V) sehingga arus baru bisa terbaca oleh CRO ataupun
multimeter.
Dalam kondisi forward bias, dioda zener memiliki perilaku yang tidak jauh berbeda
dengan dioda biasa, tetapi perilaku dioda zener berbeda dengan dioda standar saat kondisi
reverse bias. Jika dilihat dari kode pada dioda zener, tegangan breakdown atau tegangan
zener memiliki nilai 7,5 V atau dapat dikatakan bahwa arus mulai mengalir saat dieri
tegangan sebesar 7,5 V. Berdasarkan datasheet, kondisi tersebut berlaku pada rentang 7,0
- 7,9 V. Dari data yang diperoleh, arus yang melalui zener mulai muncul ketika diberi
tegangan sebesar 7,0 V dan dalam rentang 7,0 – 8,0 V arus yang mengalir memiliki
kenaikan yang kecil dan ketika diberi tegangan yang lebih besar kenaikan besar arus pun
semakin besar. Untuk tegangan yang terukur pada dioda zener secara teori nilainya akan
konstan yaitu kisaran 7,5 V setelah diberi tegangan lebih dari 7,5 V dari sumber, tetapi dari
data yang diperoleh justru nilainya tetap naik seiring tegangan yang diberikan. Hal ini
dikarenakan pada dasarnya hal tersebut akan berlaku pada dioda yang ideal.

G. Kesimpulan
Dari serangkaian analisis dan pembahasan dapat disimpulkan bahwa
1. Dioda standar saat kondisi forward bias mulai dialiri arus ketika diberi tegangan
sebesar 0,3 V dan saat kondisi reverse bias tidak dapat dialiri arus
2. Dioda zener saat kondisi forward bias memiliki perilaku yang sama seperti dioda
standar sedangkan saat kondisi reverse bias mulai dapat dialiri arus ketika diberi
tegangan kisaran 7,0 V dan memiiki tegangan zener sebesar 7,5 V

H. Daftar Pustaka
- https://www.fluke.com/en-us/learn/best-practices/measurement-
basics/electricity/what-is-a-diode, diakses pada tanggal 5 Oktober 2019
- https://www.studiobelajar.com/dioda, diakses pada tanggal 6 Oktoer 2019
- https://www.circuitbread.com/tutorials/how-does-a-diode-work-part-1-the-pn-junction,
diakses pada tangal 7 Oktober 2019

Anda mungkin juga menyukai