LAPORAN AKHIR

PRAKTIKUM DASAR ELEKTRONIKA

(DASAR TRANSISTOR)

Nama : Egi Hergiyan

NRP : 11-2020-037
Tanggal Percobaan : 23 November 2021
Asisten : Harjuno Akbar / 11-2016-038

LABORATORIUM ELEKTRONIKA
JURUSAN TEKNIK ELEKTRO
FAKULTAS TEKNOLOGI INDUSTRI
INSTITUT TEKNOLOGI NASIONAL
BANDUNG
2021
I. TUJUAN PRAKTIKUM
• Mempelajari cara kerja Transistor Bipolar.
• Menentukan titik kerja Transistor.
• Membuat garis beban DC.
II. ALAT YANG DIGUNAKAN
• Kit praktkum Dasar Transistor.
• Power Supply.
• Multimeter
III. TEORI DASAR
Transistor
Transistor adalah sebuah komponen elektronika yang digunakan untuk
penguat, sebagai sirkuit pemutus, sebagai penyambung, sebagai stabilitas
tegangan, modulasi sinyal dan lain-lain. Fungsi transistor juga sebagai kran listrik
yang dimana berdasarkan tegangan inputnya, memungkinkan pengalihat listrik
yang akurat yang berasal dari sumber listrik.

Gambar Transistor 1.1

Transistor seperti gambar diatas dapat disebut juga transistor bipolar atau
transistor BJT (Bipolar Junction Transistor). Transistor bipolar adalah inovasi
yang menggantikan transistor tabung (vacum tube). Selain dimensi transistor
bipolar yang relatif lebih kecil, disipasi dayanya juga lebih kecil sehingga dapat
bekerja pada suhu yang lebih dingin.
Dalam beberapa aplikasi, transistor tabung masih digunakan terutama pada
aplikasi audio, untuk mendapatkan kualitas suara yang baik, namun konsumsi
dayanya sangat besar. Sebab untuk dapat melepaskan elektron, teknik yang
digunakan adalah pemanasan filamen seperti pada lampu pijar.
Transistor bipolar memiliki 2 junction yang dapat disamakan dengan
penggabungan 2 buah dioda. Emiter-Base adalah satu junction dan Base-
Kolektor junction lainnya itulah kenapa disebut (Bipolar Junction Transistor).
Seperti pada dioda, arus hanya akan mengalir hanya jika diberi bias positif, yaitu
hanya jika tegangan pada material P lebih positif daripada material N (forward
bias). Pada gambar ilustrasi transistor NPN berikut ini, junction base-emiter
diberi bias positif sedangkan basecolector mendapat bias negatif (reverse bias).

Gambar Transistor 1.2

Karena base-emiter mendapat bias positif maka seperti pada dioda, electron
mengalir dari emiter menuju base. Kolektor pada rangkaian ini lebih positif,
sebab mendapat tegangan positif. Karena kolektor ini lebih positif, aliran elektron
bergerak menuju kutup ini. Misalnya tidak ada kolektor, aliran elektron
seluruhnya akan menuju base seperti pada dioda.
Tetapi karena lebar base yang sangat tipis, hanya sebagian elektron yang dapat
bergabung dengan hole yang ada pada base. Sebagian besar akan menembus
lapisan base menuju kolektor. Inilah alasannya mengapa jika dua diode
digabungkan tidak dapat menjadi sebuah transistor, karena persyaratannya
adalah lebar base harus sangat tipis sehingga dapat diterjang oleh elektron.

Gambar Macam-macam Transistor 1.3

Jika misalnya tegangan base-emitor dibalik (reverse bias), maka tidak akan
terjadi aliran elektron dari emitor menuju kolektor. Jika pelan-pelan ‘keran’ base
diberi bias maju (forward bias), elektron mengalir menuju kolektor dan besarnya
sebanding dengan besar arus bias base yang diberikan. Dengan kata lain, arus
base mengatur banyaknya electron yang mengalir dari emiter menuju kolektor.

Ini yang dinamakan efek penguatan transistor, karena arus base yang kecil
menghasilkan arus emiter-colector yang lebih besar.
Istilah amplifier (penguatan) sebenarnya bukanlah penguatan dalam arti
sebenarnya, karena dengan penjelasan di atas sebenarnya yang terjadi bukan
penguatan, melainkan arus yang lebih kecil mengontrol aliran arus yang lebih
besar. Juga dapat dijelaskan bahwa base mengatur membuka dan menutup aliran
arus emiter-kolektor (switch on/off).

Pada transistor PNP, fenomena yang sama dapat dijelaskan dengan

memberikan bias seperti pada gambar berikut. Dalam hal ini yang disebut
perpindahan arus adalah arus hole. Perlu diingat, walaupun tidak ada perbedaan
pada doping bahan pembuat emitor dan kolektor, namun pada prakteknya emitor
dan kolektor tidak dapat dibalik.

Gambar Doping Bahan Pembuat 1.4

Dari satu bahan silikon (monolitic), emitor dibuat terlebih dahulu, kemudian
base dengan doping yang berbeda dan terakhir adalah kolektor. Terkadang dibuat
juga efek dioda pada terminal-terminalnya sehingga arus hanya akan terjadi pada
arah yang dikehendaki. Untuk memudahkan pembahasan prinsip bias transistor
lebih lanjut, berikut adalah terminologi parameter transistor. Dalam hal ini arah
arus adalah dari potensial yang lebih besar ke potensial yang lebih kecil.

Gambar Parameter-parameter Transistor 1.5

Parameter-paramater yang perlu diperhatikan:

1. IC: arus kolektor

2. IB: arus base
3. IE: arus emitor
4. VC: tegangan kolektor
5. VB: tegangan base
6. VE: tegangan emitor
7. VCC: tegangan pada kolektor
8. VCE: tegangan jepit kolektor-emitor
9. VEE: tegangan pada emitor
10. ICBO: arus base-kolektor
11. VCB: tegangan jepit kolektor-base
12. VBE: tegangan jepit base-emitor (umumnya 0,6 – 0,7 volt untuk transistor
silikon)

Pada tabel data transistor (databook) beberapa hal perlu diperhatikan antara lain
spesifikasi αdc (alpha dc) yang tidak lain adalah:

αdc = IC/IE

Defenisinya adalah perbandingan arus kolektor terhadap arus emitor. Karena

besar arus kolektor umumnya hampir sama dengan besar arus emiter maka
idealnya besar αdc adalah = 1 (satu). Namun umumnya transistor yang ada
memiliki αdc kurang lebih antara 0.95 sampai 0.99. Pada tabel data transistor
(databook) juga dapat dijumpai spesifikasi βdc (beta dc) atau hfe didefenisikan
sebagai besar perbandingan antara arus kolektor dengan arus base.

βdc = IC/IB

Dengan kata lain, βdc adalah parameter yang menunjukkan kemampuan

penguatan arus (current gain) dari suatu transistor. Parameter ini ada tertera
di databook transistor dan sangat membantu para perancang rangkaian
elektronika dalam merencanakan rangkaiannya.

Sebelumnya ada beberapa spesifikasi transistor yang perlu diperhatikan, seperti

tegangan VCEmax dan PD max. Sering juga dicantumkan di datasheet
keterangan lain tentang arus ICmax VCBmax dan VEBmax. Ada juga PDmax
pada TA = dan PD max pada TC = .

Fungsi Transistor

Adapun fungsi dari transistor diantaranya sebagaimana dibawah ini:

1. Transistor Sebagai Saklar Elektronik

Yaitu dengan mengatur bias dari sebuah transistor sampai transistor jenuh
maka didapat hubungan singkat antar kaki konektor dan emitor, dengan
memanfaatkan kejadian ini maka transistor bisa digunakan sebagai saklar.

2. Transistor Sebagai Penguat Arus

Yaitu digunakan sebagai penguat arus, dengan fungsi ini transistor dapat
digunakan sebagai rangkaian power supply tentunya dengan tegangan yang
disetting. Untuk dapat digunakan sebagai fungsi penguat arus transistor
harus dibias tegangan yang constant pada basisnya, agar pada emitor keluar
tegangan yang tetap. Umumnya untuk dapat tegangan basis agar tetap
digunakan diode zener.

Transistor sebagai penguat sinyal AC, adapun fungsi transistor yang lainnya ialah
sebagai penguat sinyal AC, dan lain-lain.

Cara Keja Transistor

Dari banyak tipe-tipe transistor yang modern di jaman sekarang, awalnya hanya
terdapat 2 tipe dasar transistor yaitu biopolar transistor “BJT atau transistor
biopolar” dan FET “Field-Effect Transistor” yang cara kerjanya berbeda-beda.

• Transistor Biopolar

Dinamakan seperti itu karena kanal konduksi utamanya memakai 2 polaritas

pembawa muatan elekton dan lubang, untuk membawa muatan atau arus listrik.
Di dalam BJT, arus listrik utamanya harus melewati satu daerah atau lapisan
pembatas yang dinamakan depletizon dan juga ketebalan dari lapisan ini bisa
diatur dengan kecepatan tinggi dengan maksud untuk mengatur aliran arus
utama tersebut.

• FET “Field-Effect Transistor”

Dinamkan juga transistor unipolar yakni hanya memakai satu jenis pembawa
muatan “electron atau hole, tergantung dari tipenya FET” saja. Didalam FET
arus listrik utamanya mengalir dalam satu kenal konduksi sempit dengan
depletion zone sisinya. Lalu ketebalan dari daerah perbatasan ini bisa diubah
dengan perubahan tegangan yang diberikan, untuk mengubah ketebalan kenal
konduksi tersebut.

Jenis-Jenis Transistor

Jenis-Jenis Transistor yang paling umum dibedakan menjadi dua jenis, yaitu
Transistor Bipolar dan Transistor Efek Medan. Jenis-Jenis Transistor ini sangat
menentukan sekali dalam pembuatan rangkaian elektronika. Terutama untuk
pembuatan rangkaian amplifier, rangkaian saklar, general purpose, rangkaian
audio, tegangan tinggi dan masih banyak lagi yang lainnya.

Transistor Bipolar atau nama lainnya adalah transistor dwikutub adalah jenis
transistor paling umum di gunakan dalam dunia elektronik. Di dalam transistor
ini terdapat 3 lapisan material semikonduktor yang terdiri dari dua lapisan inti,
yaitu lapisan P-N-P dan lapisan N-P-N.

Transistor bipolar juga memiliki 3 kaki yang masing masing di beri nama Basis
(B), Kolektor (K) dan Emiter (E). Perbedaan antara fungsi dan jenis-jenis
transisor ini terlihat pada polaritas pemberian tegangan bias dan arah arus listrik
yang berlawanan.

Cara kerja transistor bipolar dapat di lihat dari dua dioda yang terminal positif
dan negatif selalu berdempet, itu sebabnya pada saat ini terdapat 3 kaki terminal.
Perubahan arus listrik dari jumlah kecil dapat menimbulkan efek perubahan arus
listrik dalam jumlah besar khususnya pada terminal kolektor. Prinsip kerja ini lah
yang mendasari penggunaan transistor sebagai penguat elektronik.

Transistor Efek Medan atau biasa di singkat FET adalah transistor yang juga
memiliki 3 kaki terminal yang masing masing di beri nama Drain (D), Source (S)
dan Gate (G). Sistem kerja FET adalah dengan cara mengendalikan aliran
elektron dari terminal Source ke Drain melalui tegangan yang di berikan pada
terminal Gate.

Pada saat ini jenis-jenis transistor FET di bagi menjadi dua tipe, yaitu
enhancement mode dan depletion mode. Kedua mode ini menandakan polaritas
tegangan gate di bandingkan dengan source pada saat FET menghantarkan listrik.
Sebagai contoh dalam depletion mode, di sini gate adalah negatif di bandingkan
dengan source, sedangkan dalam enhancement mode, gate adalah positif. Jika
tegangan pada gate di rubah menjadi positif, maka aliran arus kedua mode di
antara source dan drain akan meningkat.
Kategori Transistor

Secara umum, transistor dapat dibeda-bedakan berdasarkan banyak kategori,

diantaranya seperti di bawah ini:

1. Berdasarkan tipe diantaranya seperti: UJT, BJT, JFET, IGBT, IGFET,

“MOSFET”, HBT, VMOSFET, MISFET, HEMT, MESFET dan lain
sebagainya.
2. Berdasarkan materi semikonduktor diantaranya germanium, silikon dan
gallium arsenide.
3. Berdasarkan kemasan fisiknya diantaranya seperti: IC, through hole metal,
surface mount, through hole plastic dan lain sebagainya.
4. Berdasarkan polaritas diantaranya seperti: PNP atau P-channel dan NPN atau
N-channel.
5. Berdasarkan maximum kapasitas daya, diantaranya seperti: Low power,
medium power dan high power.
6. Berdasarkan maximum frekwensi kerja, yang diantaranya: Low, medium atau
high frequency, RF transistor, Microwave dan lain sebagainya.
7. Berdasarkan aplikasi yang diantaranya seperti, amplifier, audio, general
purpose, tegangan tinggi dan lain sebagainya.

Konfigurasi Rangkaian Transistor BJT

Dalam aplikasinya, ada tiga cara untuk merangkai komponen transistor, yaitu:
dengan konfigurasi common collector (CC), common base (CB), dan common
emitter (CE). Dari ketiga konfigurasi tersebut, konfigurasi common emitter
adalah yang paling sering digunakan. Berikut ini sedikit penjelasan mengenai
ketiga konfigurasi rangkaian transistor tersebut.

1. Konfigurasi Common-Collector (CC)

Pada rangkaian ini, sinyal yang masuk diberikan antara basis dan kolektor,
sedangkan keluarannya adalah antara emiter dan kolektor. Lihat gambar 1.

Gambar 1.6 Konfigurasi common collector (CC)

Pada konfigurasi transistor jenis ini tegangan keluaran atau tegangan emitor (VE)
tergantung/mengikuti tegangan masukan atau tegangan basis (VB). Karena
karakter tersebut, konfigurasi ini dinamakan juga dengan konfigurasi transistor
pengikut emitor.

Konfigurasi common collector dapat juga digunakan sebagai rangkaian penguat.

Apabila konfigurasi CC ini digunakan sebagai penguat, maka konfigurasi CC
akan memiliki resistansi masukan (input) yang tinggi, namun resistansi
keluarannya (output) hanya kecil. Sehingga konfigurasi ini sering digunakan
untuk penyesuai impedans (impedance matching) dari penguat berimpedans
keluaran yang tinggi ke beban berimpedans rendah. Gambar 2 adalah contoh
rangkaian penguat yang menggunakan konfigurasi common collector.
 Gambar 1.7 Konfigurasi transistor penguat CC

2. Konfigurasi Common-Emitter (CE)

Konfigurasi ini dinamakan common emitter karena kaki emitor transistor

menjadi bagian bersama bagi rangkaian masukan dan keluaran. Pada rangkaian
ini, sinyal yang masuk diberikan antara basis dan emiter, sedangkan keluarannya
adalah antara kolektor dan emitter. Perhatikan gambar 3.

Gambar 1.8 Konfigurasi common emitter (CE)

Konfigurasi common emitter merupakan rangkaian yang sangat banyak
digunakan karena sangat fleksibel dan memberikan penguatan yang tinggi. Lihat
gambar 4.

Gambar 1.9 Konfigurasi transistor penguat CE

3. Konfigurasi Common-Base (CB)

Pada rangkaian ini, sinyal yang masuk diberikan antara emiter dan basis,
sedangkan keluarannya adalah antara kolektor dan basis.
 Gambar 1.10 Konfigurasi common base (CB)

Karakter dari konfigurasi transistor common base apabila digunakan sebagai

penguat adalah konfigurasi transistor common base memiliki resistansi masukan
yang sangat rendah dan tegangan output-nya bernilai tinggi. Ini seperti
konfigurasi transistor common emitter (CE). Lihat gambar 6.

Gambar 1.11 Konfigurasi transistor penguat CB

Keterangan:
VC = tegangan kolektor
VB = tegangan base
VE = tegangan emiter.
VCE = tegangan jepit kolektor
VBE = tegangan jepit base
VCB = tegangan jepit kolektor
VS = tegangan sumber
RS = hambatan sumber
RE = hambatan emitor
RC = hambatan kolektor
 RB = hambatan basis
RL = hambatan beban (load)

Karakter Transistor BJT

1. Kurva Kolektor

Karakteristik kolektor yang terlihat dari pengamatan kurva kolektor dibawah ini
merelasikan antara IC , VBE, dan IB sebagai sumber parameter. Dari kurva
kolektor tersebut, tampak disana ada 4 daerah yaitu daerah aktif, daerah saturation
(jenuh), daerah cuf-off (putus), dan daerah breakdown (dadal).

Gambar 1.12 Kurva kolektor

Daerah aktif
Daerah antara tegangan lutut (knee), VK dan tegangan dadal (breakdown),
VBR serta diatas IB = ICO. Daerah aktif terjadi bila sambungan emitor diberi bias
maju dan sambungan kolektor diberi bias balik. Pada daerah aktif arus kolektor
sebanding dengan arus basis ( IC = IB).
 Tabel 1.

Daerah saturation (jenuh)

Daerah dengan VCE lebih kecil dari tegangan lutut (VK). Daerah saturasi terjadi
bila sambungan emitor dan basis sama-sama diberi bias maju. Pada daerah
saturasi, arus kolektor (IC) tidak tergantung pada arus basis (IB).

• Nilai VCE (sat) transistor silikon = 0,2 volt

• Nilai VCE (sat) transistor germanium = 0,1 volt

Tabel 1.1

Daerah cut-off (putus)

Daerah yang terletak di bawah IB = ICO. Daerah cut-off terjadi bila sambungan
kolektor dan emitor sama-sama diberi bias balik. Pada daerah cut-off, IE = 0 ;
IC =ICO = IB.
 Tabel 1.2

Daerah breakdown (dadal)

Daerah yang terletak di atas batas tegangan maksimum kolektor-emitor (VCE)

suatu transistor. VCE maksimum pada beberapa jeni transistor adalah berbeda-
beda. Pada kurva kolektor diatas terlihat, daerah breakdown terjadi setelah
VCE transistor mencapai diatas ± 10 volt. Transistor tidak boleh bekerja pada
daerah ini, karena transistor dapat menjadi rusak.

Keterangan:
VK = tegangan lutut (knee)

IB = Arus basis

ICO = Arus cut-off

VCE = Tegangan kolektor-emitor

VCE(sat) = Tegangan kolektor-emitor pada daerah saturasi

2. Kurva Basis

Kurva karakteristik basis merelasikan antara arus basis (IB) dan tegangan basis-
emitor (VBE) dengan tegangan kolektor-emitor (VCE) sebagai parameternya.
 Gambar 1.13 Kurva karakteristik basis

Kurva basis diatas dapat terlihat pada alat ukur yang bernama osiloskop dengan cara
menghubung singkatkan kolektor-emitor (VCE = 0) dan emitor diberi bias maju.

Catatan:
Karakter basis adalah seperti karakter komponen diode.

Dengan bertambahnya VCE pada VBE yang konstan (tetap), maka lebar daerah
deplesi di sambungan kolektor bertambah dan mengakibatkan lebar basis efektif
berkurang. Dengan berkurangnya lebar basis, maka arus basis (IB) rekombinasi juga
berkurang.

Perlu diingat

• VK (tegangan lutut) atau tegangan ambang/threshold. Untuk transistor silikon

= 0.5 sampai 0,6 volt. Untuk transistor germanium = 0,1 sampai 0,2 volt
• VBE (tegangan basis-emitor) di daerah aktif. Untuk transistor silikon = 0.7 volt
Untuk transistor germanium = 0,2 volt
• VBE transistor ideal.
VBE = 0 volt

3. Kurva Beta

Kurva beta menunjukkan bahwa nilai β akan berubah dengan dipengaruhi oleh
suhu (T) dan arus kolektor (IC). Berikut karakteristiknya:

• Nilai β bertambah jika suhu (T) naik.

• Nilai β bertambah jika arus kolektor (IC) naik.
• Nilai β turun jika arus kolektor (IC) naik di luar nilai tertentu.

Gambar 1.14 Kurva beta (β)

IV. PROSEDUR PERCOBAAN

1. Prategangan Basis (Base Bias)

a. Buat rangkaian seperti gambar dibawah.

Gambar 4. Rangkaian percobaan prategangan basis

b. Untuk setiap perubahan RB, RC, VCC, VBB ukur nilai dari
VCE, VBE, IB, IC, IC saturasi.
c. Catat hasil pengamatan ke dalam tabel 1.

d. Gambar garis beban dc untu setiap pengamatan, kemudian

tentukan titik Q (Queiscent).
2. Prategangan Umpan Balik Emitter

a. Buat rangkaian seperti gambar dibawah.

Gambar 5. Rangkaian percobaan prategangan umpan balik emitter

b. Dengan perubahan VBB, VCC, RC, RB, RE, sesuai tabel 2, ukur
VCE, VBE, Ib, Ic, Ie, Ic saturasi.
c. Catat hasil pengamatan saudara ke dalam tabel 2.
d. Gambarkan garis beban dc dan titik Q untuk setiap pengamatan.

3. Prategangan Pembagi Tegangan (Voltage Devider)

 a. Buat rangkaian seperti gambar di bawah ini :

Gambar 6. Rangkaian percobaan prategangan pembagi tegangan

b. Untuk setiap perubahan VCC, R1, R2, RC, RE ukur harga :

VTH, VCE, VBE, IB, IE, IC, IC saturasi.
c. Catat hasil pengamatan saudara dalam tabel 3.

d. Gambarkan garis beban dc untuk setiap pengamatan kemudian

tentukan titik Q.
4. Switch Transistor

a. Buat rangkaian seperti di bawah ini :

Gambar 7. Rangkaian percobaan switch transistor

b. Untuk setiap perubahan VBB, VCC, RB, RC sesuai tabel 4

ukur : VBE, VLED, VCE, IB, IC, IC saturasi.
Gambarkan garis beban dc untuk setiap pengamatan.

V. DATA PENGAMATAN
1. Prategangan Basis (Base Bias)
Tabel 1. Data Percobaan Prategangan Bias

No VCE VBE IB IC
VCC = 9V
VBB = 9V
1 RC =330Ω 0.0858 0.875 10.05mA 27.51mA
V V
RB =820Ω
VCC=10V
VBB = 9V
2 0.086 V 0.795 3.78 mA 19.554mA
RC =510Ω
V
RB=2K2Ω
VCC=10V
VBB = 9V
3 0.075 V 0.768 2.52mA 12.283mA
RC =820Ω
V
RB=3K3Ω
VCC=15V
VBB = 0
4 15V 0V 0A 15 X 10-9
RC=4K7Ω A
RB=12KΩ

2. Prategangan Umpan Balik Emitter

Tabel 2. Data Percobaan Umpan Balik Emitter

No VCE VBE IB IC
VCC = 10V
VBB = 9V
1 RC = 330 Ω 4.28 V 0.76V 1.86 mA 17.63mA
RB =2K2Ω
RE = 220 Ω
VCC = 10V
VBB = 9V
2 RC = 510 Ω 4.21 V 0.75 V 1.31 mA 11.41mA
RB =3K3Ω
RE = 330 Ω
VCC = 10V
VBB = 9V
3 RC = 820 Ω 3.17 V 0.74 V 1.11 mA 8.44 mA
RB =4K7Ω
RE = 330 Ω
No VCE VBE IB IC
VCC = 15V
VBB = 0 V
4 RC = 820 Ω 15 V 0V 0A 0A
RB = 12K
Ω
RE = 330 Ω

No VCE VBE IB IC
 VCC = 15V
R1 = 2K2 Ω
1 R2 = 510 Ω 4.86 V 0.65 V 0.9 mA 2.39mA
RC = 820 Ω
RE = 220 Ω
VCC = 10V
R1 = 2K2 Ω
2 R2 = 510 Ω 4.27 V 0.65 V 0.79 mA 1.53 mA
RC = 820
Ω
RE = 220 Ω
VCC = 0 V
R1 = 2K2
3 Ω R2 = 510 0V 0V 0.25 mA 0.32 mA
Ω RC =
820 Ω
RE = 220 Ω
VCC = 7V
R1 = 1K Ω
4 R2 = 220 5.4 V 0.63 V 0.72 mA 0.97 mA
Ω
RC = 510 Ω
RE = 330 Ω
3. Prategangan Pembagi Tegangan (Voltage Devider)
Tabel 3. Data Percobaan Pembagi Tegangan

4. Switch Transistor
 Tabel 4. Data Percobaan Switch Transistor

No VCE VBE IB IC
VCC = 10
V VBB =
1 9V RC = 22.6 mV 0.75V 1.42mA 1.33mA
820 Ω RB
= 3k3 Ω
LED menyala
VCC = 15
V VBB =
2 0 V RC = 13.54 V 0V 0A 1.89mA
820 Ω RB
= 3k3 Ω
LED tidak menyala
VCC = 6V
VBB = 9V
3 RC = 4k7 64.7 mV 0.83 V 1mA 3.1mA
Ω RB = 0
Ω
LED menyala
VCC = 10V
VBB = 9V
4 RC = 4k7 8.5mV 0.73V 1.03mA 3.8mA
Ω RB =
2k2 Ω
LED menyala

VI. PENGOLAHAN DATA

VII. TUGAS AKHIR
1. Apa itu transistor? Jelaskan secara singkat!
2. Sebutkan dan jelaskan kondisi kerja transistor (linier/aktif, saturasi, cut off)!
3. Jelaskan fungsi LED yang digunakan pada percobaan ke 4!
4. Simulasikan percobaan-percobaan yang telah ditentukan berdasarkan jenis
genap/ganjil NRP masing-masing, nama aplikasi untuk simulasi diserahkan
kepada praktikan (aplikasi bebas, disarankan menggunakan proteus). Hasil
simulasi berupa screenshot yang disimpan pada laporan bagian tugas akhir

Contoh:
No Percobaan Gambar simulasi Keterangan

VBE =
VCE =
1
IB =
IC =

5. Bandingkan hasil pengukuran, hasil perhitungan, serta hasil

simulasi pada percobaan 1 (Percobaan sesuai dengan jenis
genap/ganjil NRP masing-masing), apakah ada perbedaan?
Berikan penjelasan

6. Bandingkan hasil pengukuran, hasil perhitungan, serta hasil

simulasi pada percobaan 2 (Percobaan sesuai dengan jenis
genap/ganjil NRP masing-masing), apakah ada perbedaan?
Berikan Penjelasan
7. Bandingkan hasil pengukuran, hasil perhitungan, serta hasil
simulasi pada percobaan 3, apakah ada perbedaan? Berikan
 Penjelasan
8. Bandingkan hasil pengukuran, hasil perhitungan, serta hasil
simulasi pada percobaan 4, apakah ada perbedaan? Berikan
Penjelasan
Jawab
1. Transistor adalah komponen semikonduktor yang memiliki banyak fungsi
seperti penguat, pemutus, penyambung, stabilitas tegangan, dan modulasi
sinyal. Komponen ini banyak digunakan dalam rangkaian-rangkaian
elektronika.
2. Cut Off
Daerah cut off merupakan daerah kerja transistor dimana keadaan transistor
menyumbat pada hubungan kolektor – emitor. Daerah cut off sering dinamakan
sebagai daerah mati karena pada daerah kerja ini transistor tidak dapat
mengalirkan arus dari kolektor ke emitor. Pada daerah cut off transistor dapat
di analogikan sebagai saklar terbuka pada hubungan kolektor – emitor. Titik
cut-off transistor adalah titik dimana transistor tidak menghantarkan arus dari
kolektro ke emitor, atau titik dimana transistor dalam keadaan menyumbat.
Pada titik ini tidak ada arus yang mengalir dari kolektor ke emitor. Titik Cutoff
didefinisikan juga sebagai keadaan dimana IE = 0 dan IC = ICO, dan diketahui
bahwa bias mundur VBE.sat = 0,1 V (0 V) akan membuat transistor germanium
(silikon) memasuki daerah cutoff. Titik cut-off transistor ini dapat dianalogikan
sebagai saklar dalam kondisi terbuka (Off). Titik Cut-Off Transistor Adalah
Transistor Dalam Kondisi Off (Saklar Terbuka). Titik cut-off transistor terjadi
pada saat transistor tidak mendapat bias pada basis, sehingga transistor tidak
konduk atau mengalirkan arus dari kolektor ke emitor. Titik cut-off transistor
ini memiliki VCE yang maksimum yaitu mendekati VCC seperti ditunjunkan
pada grafik titik cut-off pada garis beban transistor berikut.

Daerah kerja Transistor Saturasi

Daerah kerja transistor Saturasi adalah keadaan dimana transistor mengalirkan
arus secara maksimum dari kolektor ke emitor sehingga transistor tersebut
seolah-olah short pada hubungan kolektor – emitor. Pada daerah ini transistor
dikatakan menghantar maksimum (sambungan CE terhubung maksimum).
Saturasi terjadi saat tegangan VCE = 0, artinya tidak ada jatuh tegangan yang
terjadi di VCE, atau dengan kata lain kita dapat mengatakan IC mendapatkan
hasil maksimumnya.

Daerah kerja Transistor Aktif

Pada daerah kerja ini transistor biasanya digunakan sebagai penguat sinyal.
Transistor dikatakan bekerja pada daerah aktif karena transistor selelu
mengalirkan arus dari kolektor ke emitor walaupun tidak dalam proses
penguatan sinyal, hal ini ditujukan untuk menghasilkan sinyal keluaran yang
tidak cacat. Daerah aktif terletak antara daerah jenuh (saturasi) dan daerah mati
(Cut off).

Kondisi aktif adalah dimana transistor mengalirkan arus listrik dari kolektor ke
emitor walau tidak dalam kondisi atau proses penguatan sinyal, hal ini akan bisa
kita lihat jika kita mengukur sinyal yang keluar dari transistor tersebut tidak
cacat bentuknya, misalnya berbentuk sinyal sinus, kotak, segitiga dan lain-lain
tanpa cacat. Kemudian kondisi jenuh adalah dimana kondisi transistor ketika
Vce = 0 volt sampai 0.7 volt, ini untuk jenis transistor silikon. Daerah aktif
terjadi bila sambungan emiter diberi bias maju dan sambungan kolektor diberi
bias balik. Pada daerah aktif arus kolektor sebanding dengan arus basis.
Penguatan sinyal masukan menjadi sinyal keluaran terjadi pada daerah aktif.

Semua titik operasi antara titik sumbat dan penjenuhan adalah daerah aktif dari
transistor. Dalam daerah aktif, dioda emiter dibias forward dan dioda kolektor
dibias reverse. Perpotongan dari arus basis dan garis beban adalah titik stationer
(quiescent) Q seperti dalam gambar. daerah kerja transistor yang normal adalah
 pada daerah aktif, dimana arus IC konstan terhadap berapapun nilai Vce. Pada
daerah aktif arus kolektor sebanding dengan arus basis. Penguatan sinyal
masukan menjadi sinyal keluaran terjadi pada daerah aktif.

3. Sebagai indikator bahwa percobaan transistor sebagai switch terbukti bahwa

fungsi transistor ketika digunakan sebagai swtich mampu berjalan dengan baik.
4.
No Percobaan Gambar simulasi Keterangan
Percobaan 1

VBE =
a 0,87V
VCE =
0,08V
IB =
9,91mA
IC =
27mA

VBE=
0,79V
VCE=
0,08V
b IB=
3,37mA
IC=
19,4mA
 VBE=
0,77V
VCE=
0,07V
c IB=
2,49mA
IC=
12,1mA

VBE= 0V
VCE=
15,0V
IB= 0mA
d IC= 0,15 μA

Percobaan 2 VBE=
0,77V
VCE=
0,09V
a IB=
1,83mA
IC=
17,3mA
 VBE=
0,75V
VCE=
0,08V
b IB=
1,24mA
IC=
11,3mA

VBE=
0,74V
VCE=
0,07V
c IB=
1,10mA
IC=
8,31mA

VBE= 0V
VCE= 15V
IB= 0mA
IC= 0mA
d
Percobaan 3 VBE=
0,73V
VCE=
5,39V
a IB=
0,11mA
IC=
14,8mA

VBE=
0,71V
VCE=
4,63V
b IB=
0,06mA
IC=
8,85mA
 VBE= 0V
VCE= 0V
IB= 0mA
IC= 0mA
c

VBE=
0,68V
VCE=
5,54V
d IB=
0,02mA
IC= 7,
47mA
Percobaan 4 VBE=
0,73V
VCE= 22V
IB=
a 2,51mA
IC= 0mA
LED
menyala

VBE= 0V
VCE= 0V
IB= 0mA
IC= 0,15μA
b LED
menyala
 VBE= -
VCE= -
IB= -
IC= 0A
c LED tidak
menyala

VBE=
0,75V
VCE=
22,5V
d IB=
3,75mA
IC= 0mA
LED
menyala

VIII. ANALISIS
Setelah melakukan simulasi ternyata ada beberapa perbedaan nilai dari hasil
simulasi dan tabel data pengamatan sesuai dengan yang telah dijawab di tugas
akhir nomor 5-8, ada beberapa factor yang dapat mempengaruhi hasil
percobaan ini salah satunya adalah karakteristik dari komponen yang digunakan
untuk membuat suatu rangkaian terdebut, bisa juga kekeliruan praktikan dalam
melakukan praktikum
IX. KESIMPULAN
• Penguat Common Base adalah penguat yang kaki basis transistor di
groundkan, lalu input di masukkan ke emitor dan output diambil pada kaki
kolektor. Penguat Common Base mempunyai karakter sebagai penguat
tegangan, Sedangkan Penguat Common Collector adalah penguat dimana
kaki kolektor transistor di groundkan / ditanahkan , lalu input di masukkan
ke basis dan output diambil pada kaki emitor dan penguat ini berkarakteristik
sebagai penguat arus.
• Karakteristik transisitor dapat dijelaskan dalam kurva karakteristik. kurva
karakteristik merelasikan IC dan VCE dengan IB sebagai parameter.
Parameterparameter transistor tidaklah konstan, meskipun tipe sama namun
parameter dapat berbeda. Kurva kolektor terbagi menjadi tiga daerah yaitu
jenuh, aktif dan cut- off. Daerah jenuh (saturasi) adalah daerah dengan VCE
kurang dari tegangan lutut (knee) VK. Daerah jenuh terjadi bila sambungan
emiter dan sambungan basis dibias maju. Pada daerah jenuh arus kolektor
tidak bergantung pada nilai IB. Tegangan jenuh kolektor emiter, VCE(sat)
untuk transistor silikon adalah 0,2 volt sedangkan untuk transistor
germanium adalah 0,1 volt. Daerah aktif adalah antara tegangan lutut VK
dan tegangan dadal (break down) VBR serta di atas IB ICO. Daerah aktif
terjadi bila sambungan emiter diberi bias maju dan sambungan kolektor
diberi bias balik. Pada daerah aktif arus kolektor sebanding dengan arus
balik. Penguatan sinyal masukan menjadi sinyal keluaran terjadi pada saat
aktif.
X. DAFTAR PUSTAK
Com, DosenPendidikan (2021). Transistor
adalah. Dikutip dari
https://www.dosenpendidikan.co.id/transistor-adalah/. Diakses pada tanggal 24
November 2021
University, Robotics (2014). Konfigurasi Rangkaian Transistor BJT. Dikutip dari
https://www.robotics-university.com/2014/09/konfigurasi-rangkaian-transistor-
bjt.html. Diakses pada tanggal 24 November 2021
University, Robotics (2014). Karakteristik Transistor BJT. Dikutip dari
https://www.robotics-university.com/2014/09/konfigurasi-rangkaian-transistor-
bjt.html. Diakses pada tanggal 24 November 2021
Hari, Arief (2016). Cara Kerja transistor cut off, Saturasi, aktif. Dikutip dari
https://ariefhari.wordpress.com/2016/01/16/cara-kerja-transistor-cut-off-
saturasi-aktif/. Diakses pada tanggal 24 November 2021